J3Y транзистор: j3y транзистор характеристики, чем заменить, аналог и datasheet

j3y транзистор характеристики, чем заменить, аналог и datasheet

Транзистор J3Y — это S8050 просто так он обозначается в SMD-корпусе SOT-23 компании Samsung. Основное назначение разработки является: — усиление низкочастотных колебаний звуковой частоты в двухтактных каскадных схемах (класс B). Небольшие габариты и возможность поверхностного монтажа, сделали его очень популярным и широкоприменяемым устройством в самом разнообразном малогабаритном аудиооборудовании.

Типовые параметры этого замечательного полупроводникового устройства, в корпусе ТО-92, представлены в другой статье про S8050.

Цоколевка

Транзистор J3Y в SMD-корпусе (он же SOT-23) имеет три металлических вывода и следующую цоколевку: база (Б), коллектор (К), эмиттер (Э). При этом, если смотреть на устройство сверху, то два контакта «Б» и «Э» находятся с одной стороны пластмассовой упаковки (снизу), а «К» с другой (сверху). Указанная распиновка (БКЭ) характерна для всех устройств с аналогичным конструктивным исполнением.

Технические характеристики j3y

Рассмотрим основные параметры транзистора J3Y. По своим свойствам он относится к кремниевым, маломощным, низкочастотным биполярным устройствам с структурой-NPN. Низкая стоимость, отличная линейность статического коэффициента усиления, способность выдерживать большие коллекторные токи до 800 мА (у некоторых производителей) и напряжение до 25 В, cделали это его одним из лидеров по применению в сегменте небольших бытовых аудиоустройств. Поэтому, его так легко можно найти практически в любом стареньком портативном CD-проигрывателе или плеере.

Предельно допустимые параметры

Приведем типовые максимальные параметры J3Y(SOT-23), встречающиеся в техописании большинства производителей, при температуре окружающей среды (Токр.) до +25 ОС:

  • постоянное (DC) напряжение между выводами: К-Б (UКБмакс.) до 40В; К-Э (UКЭмакс.) до 25В; E-Б (UЭБмакс.) до 5 В;
  • ток коллектора (IКmax.) до 500 мА;
  • мощность рассеивания(PК макс.) до 300 мВт;
  • температура: кристалла (TК) до +150 ОС; хранения (Тхран.) -55 … +150 ОС.

Не допускайте длительную эксплуатацию радиодеталей на максимально допустимых значения эксплуатационных параметров, так как это уменьшает сроки их полезного использования или в большинстве случаев приводит в негодность.

Электрические параметры

В столбце «Режимы измерения» указаны условия измерений. Они также приводятся в даташит для Токр= +25ОС., если не указывается иного.

J3Y имеют классификацию по степени усиления HFE1: L от 120 до 200;H от 200 до 350

Аналоги

В последнее время аналоги транзистора с символами “J3Y” на корпусе редко встречаются в продаже и встает вопрос «Чем его заменит?». Вместе с тем, их можно найти с названием S8050 или SS8050 в усовершенствованной пластмассовой упаковке SOT-23-3. Они лучше по своим параметрам, чем классический J3Y. Например, максимальный ток коллектора новых версий в три раза больше (до 1500 мА), а HFE достигает 400 (для классификации J). Если заглянуть в его техническое описание, то можно увидеть другую маркировку — “Y1”.

Также этот транзистор можно попробовать заменить на следующие: 2N583О, 2SC1ОО8, 2SC1ОО9, 2SD471A, BC537, BC538, KSC1ОО8, KSC1ОО9, KSPО5, KSPО6, KSP42, KSP43, MPS65О, MPS65ОG, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS66О2, MPS66О2G, MPS8О5О, MPSA42, MPSA43, MPSWО1, MPSWО1A, MPSWО1AG, MPSWО1G, MPSWО5, MPSWО5G, MPSWО6, MPSWО6G, MPSW42, MPSW42G, S9О13, SS8О5О, ZTX457.

Российские изделия с похожими параметрами: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.

Комплементарная пара

Комплементтарна парой для рассматриваемого устройства является S8550 в SMD-корпусе и маркировкой 2TY.

Производители

Вы можете скачать datasheet на j3y транзистор , кликнув по ссылке с наименованием изготовителя. В настоящее время его трудно найти в продаже с такой маркировкой, вместе с тем полный аналог S8050(SOT-23) широко представлен зарубежном. Его производят следующие компании: Hottech, SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy, Jiangsu High diode Semiconductor, Guilin Strong Micro-Electronics, Shenzhen City KOO CHIN, SHIKE Electronics, Shenzhen Yixinwei Technology, Tiger Electronic, Guangdong, Zhaoxingwei Electronics, SUNMATE electronic, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, MAKO SEMICONDUCTOR, Nanjing International, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, Diode Semiconductor Korea и др.

Качество транзисторы j3y для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы j3y на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзисторы j3y являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы j3y, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

транзисторы j3y состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы j3y охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы j3y скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы j3y для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы j3y на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы j3y для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы j3y на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Качество диод s8050 j3y транзистор для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. диод s8050 j3y транзистор на выбор в соответствии с вашими потребностями. диод s8050 j3y транзистор являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. диод s8050 j3y транзистор, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

диод s8050 j3y транзистор состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. диод s8050 j3y транзистор охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. диод s8050 j3y транзистор скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. диод s8050 j3y транзистор для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. диод s8050 j3y транзистор на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. диод s8050 j3y транзистор для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. диод s8050 j3y транзистор на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

S8050 NPN транзистор печать J3Y

Описание

S8050  :NPN транзистор

Вкомплекте:SOT-23

Мрлс.Складской№: S8050

Мрлс.:CJ

Техническоеописание: 

(E-mail иличатнамдляPDF файл)

СостояниеRoHS: 

Качество:100% оригинала

Гарантия:180 дней
 

 

Линейкапродуктовкомпании




 




Сертификаты

Подробныесведенияоупаковкипродукта



 

 

Почемупривыборенас
  • ОтельрасположенвШэньчжэне, электронныйцентрнарынкеКитая.
  • 100% гарантиякачествакомпонентов:оригинал.
  • Достаточногозапасананеотложныхпотребностей.
  • Усовершенствованныйколлегипомогутвамрешитьпроблемыпоснижениюрискаспроизводствапотребованию
  • Быстрыепоставки:естьвналичиикомпонентымогутпоставлятьвтотжедень.
  • 24 часовработы 

 

Примечание:

  1. Изображенияприведенытолькодлясправки.
  2. ВыможетесвязатьсясТорговыйагентдолженподатьзаявкуна болеевысокуюцену.
  3.  Дляполучениядополнительнойпродукции, пожалуйстанеобязательносвяжитесьснашимотделомпродаж.   

характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности
  • Высокий коллекторный ток: IC до 1,5 А.
  • Высокая рассеиваемая мощность: PC до 2 Вт при TC = 25°C.
  • Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO25
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO6
Ток коллектора, АIC1,5
Рассеиваемая мощность, ВтPC1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-65…+150

Электрические параметры (при T

a = 25°C)
ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 35 В В, IE = 0≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА IEBOUEB = 6 В, IC = 0≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, ВUCBOIC = 100 мкА, IE = 0≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВUCEOIC = 2 мА, IB = 0≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, ВUEBOIE = 100 мкА, IC = 0≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC = 0,8 А, IB = 0,08 А≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat)IC = 0,8 А, IB = 0,08 А≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 1 В, IC = 0,005 мА135
hFE (2)UCE = 1 В, IC = 0,1 мА160
hFE (3)UCE = 1 В, IC = 0,8 мА110
Частота среза, МГцfT UCE = 10 В, IC = 0,05 мА190
Выходная емкость, pFCob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

КлассификацияBCD
hFE (2)85…160120…200160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

МодельPCUCBUCEUBEICTJfT CobhFEКорпус Маркировка
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
GS8050T0,625402560,8150100945TO-92
GSTSS80501402551,515010085TO-92
MPS80500,625402561,5150190985TO-92
S8050A/B/C/D/G0,625402560,8/0,5150100/150985…300TO-92
S8050T0,625402560,515015085TO-92
SPS80500,62515126,51,51502605200TO-92
SS8050/C/D/G1402551,515010085…400TO-92
SS8050T1402551,515010085TO-92
STS80500,625302560,81501201985TO-92
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L0,2402551,515010015120…400SOT-323Y1
S8050W0,25402560,8150100985SOT-323Y1
SS8050W0,2402551,5150100120SOT-323Y1
GSTSS8050LT10,225402551,5150100100SOT-231HA
MMSS8050-L/H0,3402550,5150150120…350SOT-23Y1
MPS8050S0,35402561,515019085SOT-23
MPS8050SC0,35402551,215015085…300SOT-23
MS8050-H/L0,2402560,815015080…300SOT-23Y11
S80500,3402550,5150150120SOT-23
S8050M-/B/C/D0,45402560,8150100985…300SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT10,225402551,5150150120SOT-23KEY
KST8050D0,25505061,2150100100…320SOT-23Y1C, Y1D
KST8050M0,3402560,815015040…400SOT-23Y11
KST8050X0,3402051,51501002040…350SOT-23Y1+
KST90130,3402550,5150150200…400SOT-23J3
KST9013C0,3402550,515015040…200SOT-23J3Y
S8050LT10,3402550,5150150120SOT-23J3Y
MMS8050-L/H0,3402550,515015050…350SOT-23J3Y
DMBT80500,3402550,8150100120SOT-23J3Y
KST8050S0,3402550,515015050…400SOT-23J3Y
KTD1304S0,22520120,3150501020…800SOT-23J3Y
KTD13040,22520120,31506020…1000SOT-23J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

МодельPC Ta = 25°CUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г1402560,11501001,745…630TO-92
КТ6114 А/Б/В0,45504550,11501503,560…1000TO-92
КТ968 В430020050,1150902,835…220TO-39

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
3DG8050A0,625402560,8150100985TO-92
BC517S0,625403010115020033000TO-92
BTN8050A30,625402561,51501006160TO-92
BTN8050BA30,625402561,5150100160TO-92
CX908B/C/D0,625402561150100120…260TO-92
KTC32030,625300,8150190100TO-92
KTC32110,625402561,5150190985TO-92
KTS80500,625250,8175100TO-92
M8050-C/D0,62540256150150120…160TO-92
S80500,34092550,5150150120SOT-23
8050HQLT10,3402551,5150150SOT-23
8050QLT10,3402550,8150150SOT-23
8050SLT10,3402550,5150150120SOT-23
CHT9013GP0,3452550,5150150120SOT-23
F8050HPLG0,3402550,5150150120SOT-23
KTC9013SC0,35403050,5150150200SOT-23
MMBT8050D0,3402550,5150150200SOT-23
MMS9013-H/L0,3402550,5150150200SOT-23
NSS40201L0,5440254150150120SOT-23
NSS40201LT1G0,54404062150200SOT-23
NSV40201LT1G0,54404062150150200SOT-23
PBSS4140T0,3404051150150300SOT-23
S90130,3402550,8150150120SOT-23
ZXTN2040F0,35401150300SOT-23
ZXTN25040DFL0,35401,5190300SOT-23
ZXTN649F0,5253200SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер UCE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB при непроводящей коллекторной цепи IE = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

Транзистор J3Y S8050 SMD | Festima.Ru

Микросхемы, тpанзисторы, рeзистoры, конденcaтopы, cвeтoдиoды, фoтoдиoды и тд. для ремонта бытoвoй техники и пpочиx цeлей. Чтобы быcтpo найти нужную радиoдеталь нажмитe oдновpeменнo кнoпки CTRL+F нa клaвиaтуpе. Частичный ассoртимeнт pадиoдеталей: Пакeт кoндeнcатopoв элeктpoлитичeских 12 видов по 10 шт 160,00р Пакет резисторов 0.25 ватт 1% 30 видов по 20 шт 240,00р Переменный резистор 3296W-103 на 10 кОм 10,00р Пакет светодиодов 5 мм 3 цвета по 10 шт 50,00р Микроконтроллер SТС89С52RС DIР40 60,00р Пакет конденсаторов керамических 23 видов по 10 шт 120,00р Ик приёмник VS1838В 10,00р Таймер интегральный NЕ555Р 10,00р Пакет светодиодов 3мм 3 цвета по 10шт 40,00р Фотодиод 5 мм 940 нм инфракрасный приемник черный 10 шт 70,00р Фотодиод 3 мм прозрачный 10,00р Фотодиод 5 мм 940 нм инфракрасный излучатель прозрачный 10 шт 40,00р Кварцевый резонатор 16М 10,00р Микросхема стабилизатор АМS1117-5.0 SМD SОТ-223 10 шт 40,00р Микросхема стабилизатор АМS1117-3.3 SМD SОТ-223 10 шт 30,00р Геркон 100V 0,5А 25,00р Светодиод 5 мм полноцветный RGВ ОА 10 шт 70,00р Микросхема РТ2272-М4 DIР-18 25,00р Зуммер активный 5V YНЕ12-05 Н10 15,00р Пакет светодиодов 5мм 5 цветов по 10шт 80,00р Микроконтроллер АТМЕGА328Р-РU в корпусе DIР-28 180,00р Микросхема ТDА2030А 20,00р Пакет резисторов SМD 0805 20 видов по 20 шт 160,00р Микросхема LМ3915N DIР-18 40,00р Термистор NТС МF72 5D11 10,00р Пакет транзисторов в корпусе ТО-92 17 видов по 10 шт 190,00р Микросхема РТ2272-L4 DIР-18 25,00р Микросхема SС2272-Т4 40,00р Светодиод 5 мм RGВ полноцветный матовый ОК 10 шт 70,00р Светодиод 1W 55lm белый 25,00р Микроконтроллер АТМЕGА328Р-АU в корпусе 32ТQFР 130,00р Пакет тактовых кнопок 5 видов по 10 шт 80,00р Светодиодная полоса 10 сегментов красная ВАR102510А 25,00р Микросхема РТ2264 РТС DIР-18 25,00р Резистор 0.25 Вт 220 Ом 5% 10 шт. 5,00р Светодиод 5 мм прозрачный синий 10 шт 15,00р Светодиод 5 мм прозрачный холодный белый 10 шт 15,00р Светодиод 5 мм многоцветный мигающий 10 шт 25,00р Резистор 0.25 Вт 1 кОм 5% 10 шт 5,00р Транзистор S8050 J3Y NРN 0.5А 40V SМD SОТ-23 10 шт 10,00р Микроконтроллер SТМ8S003F3Р6 8-Бит SТМ8 СISС 16МГц 8КБ ТSSОР-20 35,00р Диод импульсный 1N4148 150мА 100В DО-35 10 шт 10,00р Тиристор МСR100-8G 0.8А 600ВТО-92 10 шт 40,00р Микросхема L293D драйвер двигателей на 4 канала DIР-16 35,00р Диод выпрямительный 1N4007 IN4007 1А 1000В DО-41 10 шт 15,00р Оптопара МОС3061 600В DIР-6 с симисторным выходом 35,00р Симистор ВТ138-600Е 12А 600В 30мА ТО-220 25,00р Оптопара МОС3041 400В DIР-6 с симисторным выходом 30,00р Транзисторная сборка ULN2003АРG (ULN2003, ULN2003А, ULN2003АN) DIР16 15,00р Оптопара ЕL817 (РС817) ЕVЕRLIGНТ 5kV 20mА 80V DIР-400 6,00р Конденсатор электролитический 2200mF 6.3V 10*20 8,00р Резистор 0.25 Вт 4.7 Ом 1% 10 шт 7,00р Резистор 0.25 Вт 10 Ом 1% 10 шт 7,00р Ассортимент, наличие и цены могут немного отличатся, уточняйте по телефону (перезвоню по России). Отправка в регионы СДЭК, Боксберри

Аудио и видео техника

J3y datasheet на русском

SMD аналог транзистора S8050.

Характеристики:

  • Материал p-n-перехода: Si
  • Структура транзистора: NPN
  • Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 150 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 120

J3Y NPN SMD Transistor S8050

Lead Time :3 Days

Payment : T/T,Money Order,Other

Departure Port : Shenzhen/HK

Product details

Supply Ability
  • Supply Ability:20000000 pieces Warranty(Year):1 Year
Packaging & Delivery
Product Specifications
  • Brand name:Hottech Category : Shopee>Home & Living > Lighting > Light Bulbs Brand : OEM
  • Lighting Type : LED Color : White –>
Product Description

You May Like

SMD CHIP CAPACITOR 1206 10% 10UF X7R

SMD CHIP Resistor 1206 5% 100kohms

SMD CHIP Resistor 0805 1% 4.7kohms

SMD Rectifier diode 1N4007 SMA (DO-214AC)

SMD scottky diode SS14 DO-214AC(SMA)

Bipolar small signal transistor SOT-23 BC847A/B/C

Биполярный транзистор KST8050S – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KST8050S

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT23

KST8050S Datasheet (PDF)

1.1. kst8050s.pdf Size:970K _kexin

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050S SOT-23 Unit: mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current: IC=0.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 5

3.1. kst8050.pdf Size:1008K _kexin

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050 SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features Collector Current: IC=1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V

3.2. kst8050m.pdf Size:810K _kexin

SMD Type SMD Type Transistors NPN Transistors KST8050M SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 ■ Features ● Collector Current: IC=0.8A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Bas

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050D-50 SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features ● Collector Current Capability IC=1.2A ● Collector Emitter Voltage VCEO=50V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collec

3.4. kst8050x.pdf Size:594K _kexin

SMD Type Transistors NPN Transistors KST8050X SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 ■ Features ● Collector Power Dissipation: PC=0.3W ● Collector Current: IC=1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitte

Транзистор j3y%20, техническое описание и примечания по применению

СОТ-23 ДЖ3И

Реферат: Транзистор j3y BR S8050, транзистор S8050 сот-23 Маркировка транзистора J3Y J3Y s8050 S8050 j3y S8050 аналог Транзистор S8050 j3y
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF S8050 500 мА S8550. 300 мВт) ОТ-23 BL/SSSTC079 СОТ-23 J3Y j3y транзистор БР S8050 транзистор S8050 сот-23 Маркировка J3Y транзистор J3Y с8050 S8050 j3y Эквивалент S8050 Транзистор S8050 j3y
2002 — j3y транзистор

Реферат: SOT-23 J3Y j3y транзистор PNP транзистор J3Y.j3y SOT-23 J3Y pnp .j3y транзистор J3Y код маркировки MARKING J3Y sot-23 Маркировка J3Y
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ММС9012 ОТ-23 -55OC ОТ-23 20 мА пост. тока, 30 МГц) j3y транзистор СОТ-23 J3Y j3y транзистор PNP транзистор J3Y .j3y SOT-23 J3Y п-н-п .j3y транзистор Код маркировки J3Y МАРКИРОВКА J3Y сот-23 Маркировка J3Y
2007 — j3y транзистор

Аннотация: SOT-23 J3Y S8050
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ОТ-23 S8050 ОТ-23 S8550 500 мА 30 МГц j3y транзистор СОТ-23 J3Y S8050
2007 — СОТ-23 J3Y

Аннотация: транзистор j3y транзистор j3y
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ОТ-23 S8050 ОТ-23 S8550 500 мА 30 МГц СОТ-23 J3Y j3y транзистор транзистор j3y
j3y смд

Реферат: SOT-23 J3Y SOT-23 J3Y npn
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF КСТ8050С ОТ-23 j3y смд СОТ-23 J3Y СОТ-23 J3Y нпн
.j3y

Аннотация: 33aj 1133-D пани NX900 A6S0-509Q
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF A6S0-509Q 00IS3d20SZWH N3h40H JTS31М С3д20′ 0-60-f J3h20 1133д 13iiaНечетный ajziN903Jd .j3y 33адж 1133-Д пани NX900
j3y транзистор

Реферат: .j3y SOT-23 J3Y .j3y транзистор S8050 SOT-23 транзистор J3Y J3Y Транзистор МАРКИРОВКА SOT-23 J3Y npn J3Y маркировка МАРКИРОВКА J3Y

Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF S8050 ОТ-23 ОТ-23 S8550 500 мА 30 МГц j3y транзистор .j3y СОТ-23 J3Y .j3y транзистор S8050 СОТ-23 транзистор J3Y Транзистор J3Y МАРКИРОВКА СОТ-23 J3Y нпн Маркировка J3Y МАРКИРОВКА J3Y
2002 — j3y транзистор

Реферат: Код маркировки J3Y SOT-23 J3Y sot-23 Маркировка J3Y параметры транзистора j3y транзистор J3Y MMS8050 .j3y .j3y транзистор J3Y диод
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF MMS8050 ОТ-23 -55OC ОТ-23 20 мА пост. тока, 30 МГц) j3y транзистор Код маркировки J3Y СОТ-23 J3Y сот-23 Маркировка J3Y параметры транзистора j3y транзистор J3Y MMS8050 .j3y .j3y транзистор Диод J3Y
2002 — j3y транзистор

Реферат: SOT-23 J3Y j3y транзистор PNP J3Y код маркировки транзистора J3Y j3y параметры транзистора sot-23 Маркировка J3Y МАРКИРОВКА J3Y .j3y транзистор J3Y диод
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ММС9012 ОТ-23 -55OC ОТ-23 20 мА пост. тока, 30 МГц) j3y транзистор СОТ-23 J3Y j3y транзистор PNP Код маркировки J3Y транзистор J3Y параметры транзистора j3y сот-23 Маркировка J3Y МАРКИРОВКА J3Y .j3y транзистор Диод J3Y
2007 — j3y транзистор

Реферат: .j3y SOT-23 J3Y S8050 SOT-23 транзистор J3Y МАРКИРОВКА J3Y s8050 .j3y транзистор транзистор S8050 S8050 j3y
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ОТ-23 S8050 ОТ-23 S8550 500 мА 30 МГц j3y транзистор .j3y СОТ-23 J3Y S8050 СОТ-23 транзистор J3Y МАРКИРОВКА J3Y с8050 .j3y транзистор транзистор S8050 S8050 j3y
2006 — j3y транзистор

Реферат: SOT-23 J3Y S8050 SOT-23 транзистор J3Y S8050
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ОТ-23 S8050 ОТ-23 S8550 500 мА 30 МГц j3y транзистор СОТ-23 J3Y S8050 СОТ-23 транзистор J3Y S8050
2008 — j3y транзистор

Аннотация: транзистор J3Y SOT-23 J3Y.транзистор j3y sot-23 Маркировка J3Y MMS8050-H Код маркировки J3Y MMS8050-L
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ММС8050-Л MMS8050-H ОТ-23 -55OC ОТ-23 100 мкА пост. тока, j3y транзистор транзистор J3Y СОТ-23 J3Y .j3y транзистор сот-23 Маркировка J3Y MMS8050-H Код маркировки J3Y
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ток коллектора и глубина модуляции SFH601 -4 VCEsat=f (lc) (TA=25°C) Рис. 20.Транзистор


OCR-сканирование
PDF SFH601 СФХ601-2, СФХ601-3 СФХ601-4 E52744 SFH601
j3y транзистор

Реферат: Маркировка транзистора J3Y J3Y TRANSISTOR SMD j3y
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF КСТ8050С ОТ-23 j3y транзистор Маркировка J3Y транзистор J3Y ТРАНЗИСТОР SMD j3y
2002 — j3y транзистор

Аннотация: J3Y код маркировки j3y параметры транзистора SOT-23 J3Y MMS8050.j3y транзистор j3y sot-23 Маркировка J3Y J3Y Маркировка диода J3Y
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF MMS8050 ОТ-23 -55OC ОТ-23 20 мА пост. тока, 30 МГц) j3y транзистор Код маркировки J3Y параметры транзистора j3y СОТ-23 J3Y MMS8050 .j3y транзистор j3y сот-23 Маркировка J3Y Диод J3Y маркировка J3Y
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ) Рисунок 20.СФХ600 5-212


OCR-сканирование
PDF SFH600 СФХ600-0, СФХ600-1, СФХ600-2 СФХ600-3 E52744 SFH600 лк тире 2 б-5
С8050

Реферат: .j3y S8050 SOT-23 2S8050 S8050 npn SOT-23 J3Y S8050 j3y s8050 d h j3y транзистор параметры j3y транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF S8050 ОТ-23 S8550 500 мА 01 июня 2007 г. 30 МГц S8050 .j3y S8050 СОТ-23 2С8050 S8050 НПН СОТ-23 J3Y S8050 j3y s8050 д ч j3y транзистор параметры транзистора j3y
2002 — j3y транзистор

Реферат: SOT-23 J3Y SOT-23 J3Y npn .j3y sot-23 Маркировка J3Y Код маркировки J3Y .j3y КОД МАРКИРОВКИ транзистора j3y МАРКИРОВКА J3Y MMS8050
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF MMS8050 ОТ-23 -55OC ОТ-23 100 мкА пост. тока, 40 В постоянного тока, 20 В постоянного тока, j3y транзистор СОТ-23 J3Y СОТ-23 J3Y нпн .j3y сот-23 Маркировка J3Y Код маркировки J3Y .j3y транзистор КОД МАРКИРОВКИ j3y МАРКИРОВКА J3Y MMS8050
2009 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF АЛЬБСТО-001-03 АЛЬБСТО-001-04 АЛЬБСТО-001-06 АЛЬБСТО-001-08 АЛЬБСТО-001-10 АЛЬБСТО-101-16 АЛЬБСТО-001-12 АЛЬБСТО-101-18 АЛЬБСТО-001-14 АЛЬБСТО-101-20
2008 — j3y транзистор

Аннотация: Транзистор J3Y MMS8050 сот-23 Маркировка J3Y SOT-23 J3Y Код маркировки J3Y.j3y .j3y транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF MMS8050 ОТ-23 -55OC ОТ-23 j3y транзистор транзистор J3Y MMS8050 сот-23 Маркировка J3Y СОТ-23 J3Y Код маркировки J3Y .j3y .j3y транзистор
2008 — j3y транзистор

Реферат: SOT-23 J3Y MMS8050-L
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ММС8050-Л MMS8050-H ОТ-23 -55OC ОТ-23 100 мкА пост. тока, j3y транзистор СОТ-23 J3Y
2002 — j3y транзистор PNP

Реферат: Транзистор SOT-23 J3Y pnp j3y
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ММС9012 ОТ-23 -55OC ОТ-23 100 мкА пост. тока, 20 мА пост. тока, 30 МГц) j3y транзистор PNP SOT-23 J3Y п-н-п j3y транзистор
Г034

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF ТК11690УИ 0B3-G034 ТК11690УИ.ТК116* QH7-B006. ДП3-Ф027. G034
эквивалент J3y

Реферат: icve LS266 J-131 SN54LS266 SN74LS266 sn54ls26
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF SDLS151 СН54ЛС266, СН74ЛС266 sn54ls266 sn74ls266 ЛС266 эквивалент J3y icve J-131 СН54ЛС266 sn54ls26

Качественный транзистор s8050 j3y для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор транзисторов  s8050 j3y  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей. Транзистор  s8050 j3y  является жизненно важной частью практически любого электронного компонента. Их можно использовать для изготовления материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный транзистор  s8050 j3y  , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и будет работать очень хорошо. Ключевыми факторами выбора продуктов являются предполагаемое применение, материал и тип, среди прочих факторов.Транзистор 

s8050 j3y изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Транзистор s8050 j3y охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей транзистор s8050 j3y преобразует низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими в качестве переключателей.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего транзистора s8050 j3y , чтобы определить базовые ножки, эмиттер и коллектор для безопасного и надежного соединения. Транзистор s8050 j3y на Alibaba.com использует кремний в качестве основной полупроводниковой подложки благодаря его превосходным свойствам и требуемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры s8050 j3y транзистора для любого проекта включают рабочий ток, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный транзистор s8050 j3y на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

TR58 Транзистор S8050 J3Y NPN 0,5 A 40 В SOT-23 SMD

Mô tả chi tiết

Tính năng sản phẩm:

 

— Cũng giống như điốt, транзистор được tạo thành từ hai chất bán dẫn điện.Khi ghép một bán dẫn điện am nằm giữa hai bán dẫn điện dương ta được một PNP Transistor. Khi ghép một bán dẫn điện dương nằm giữa hai bán dẫn điện am ta được một NPN Transistor.
— Các Transistory Throng Cách Mạch Số NHư Các Khóng điđn Tử Có ở Trạng, Hoặc Sử Dụng để Khuếch đại dòg điện, điện đại mục đíchn, điện.

— Транзистор S8050 0.5A 40V SOT-23 J3Y SMD là loại có cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn ghép với nhau thành 2 mối nối P-N, thuộc loại транзистор nghồmТранзистор S8050 được sản xuất theo chuẩn TO92

 

Tham Khảo Технический паспорт

 

Тонг Со Ко Тхут:

 

— Ма Сан Фом: J3Y

— Кит: S8050

— Донг Кук Дай: 0,5 А

— Максимальное напряжение питания: 40 В

— Киу чан: SOT23

— Лои: Trans NPN

 

 

 

 

 

 

 

Транзистор S8050 J3Y NPN 0.5А 40В СОТ-23 СМД

 

 

 

 

 

 

транзистор С8050 ДЖ3И НПН 0.5А 40В СОТ-23 СМД

 

 

 

 

 

 

транзистор С8050 ДЖ3И НПН 0.5А 40В СОТ-23 СМД

 

 

 

 

 

 

Транзистор S8050 J3Y NPN 0.5А 40В СОТ-23 СМД

 

 

 

 

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xac nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thà thàn Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chung tôi sẽ tiến hành giao hàng cho ban. NếU BạN CầN Tư vấn Hay Ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!

Купить J3Y NPN SMD ТРАНЗИСТОР

Мы готовы отправить все товары в эти штаты

Андхра-Прадеш, Аруначал-Прадеш, Ассам, Бихар, Чхаттисгарх, Гоа, Гуджарат, Харьяна, Химачал-Прадеш, Джамму и Кашмир, Джаркханд, Карнатака, Керала, Мадхья-Прадеш, Махараштра, Манипур , Мегхалая, Мизорам, Нагаленд, Орисса, Пенджаб, Раджастхан, Сикким, Тамил Наду, Телангана, Трипура, Уттаранчал, Уттар-Прадеш, Западная Бенгалия и крупные города, включая Ахмеднагар, Айзаул, Аджмер, Акола, Алаппужа, Алигарх, Аллахабад, Аллеппи, Алмора , Алвар, Амарнатх, Амбаттур, Амбернатх, Амравати, Амритсар, Анантагир, Анантапур, Андаман, Араку, Аррах, Асансол, Аурангабад, Авади, Айодхья, Аюрведа, Бадринатх, Балли, Бандхавгарх, Бангалор, Баранагар, Барасат, Бардхаман, Барейли, Барода , Бастар, Батинда, Пляж, Пляжи, Бегусарай, Белгаум, Беллари, Бхагалпур, Бхаратпур, Бхатпара, Бхавнагар, Бхилаи, Бхилвара, Бхимтал, Бхиванди, Бхопал, Бхубанешвар, Бхудж, Бидар, Бихар, Биджапур, Биканер, Биласпур, Птица, Бодх , Бокаро, Брахмапур, Буландшахр, Каликут, Чайл, Чамба, Чандигарх, Чандрапур, Ченнаи, Ченнаи, Черай, Черрапунджи, Чидамбарам, Чихалдара, Чопта, Коимбатур, Коимбатур, Кунур, Кург, Корбетт, Котигао, Каттак, Дадра, Далхаузи, Даман, Дарбханга, Дарджилинг, Даванагере, Дехрадун, Дели, Деви, Девикулам, Девас, Дханулти, Дханбад, Дхарамашала, Дхуле, Диндигул, Диу, Дудхва, Дург, Дургапур, Дварака, Этава, Фаридабад, Фаррухабад, Фирозабад, Цветы, Гандхидхам, Гандинагар, Ганготри, Гангток, Гая, Газиабад, Гир, Гоа, Гопалпур, Горакхпур, Грейт, Гулбарга, Гульмарг, Гунтур, Гургаон, Гуруваюр, Гувахати, Гвалиор, Хампи, Хапур, Харидвар, Хавели, Холмы, Гималаи, Хисар, Хогенаккал, Хорсли-Хиллз, Ховра, Хуббалли-Дхарвад, Хайдарабад, Хайдарабад, Ичалкаранджи, Идукки, Импхал, Индор, острова, Итангар, Джабалпур, Джайпур, Джайсалмер, Джаландхар, Джалгаон, Джална, Джамму, Джамнагар, Джамшедпур, Джханси, Джодхпур, Джунагадх, Кадапа, Какинада, Кальян- Домбивали, Камархати, Канчипурам, Канха, Канпур, Каньякумари, Кар Аваль Нагар, Каргил, Каримнагар, Карнал, Карвар, Катихар, Каусани, Кедарнатх, Кеоладеогхана, Кхаджурахо, Хаммам, Кирари Сулеман Нагар, Кочи, Кодайканал, Колхапур, Калькутта, Коллам, Конарк, Корба, Кота, Котагири, Коттаккал, Ковалам, Кожикоде , Кудремукх, Кулу, Культи, Кумаон, Кумараком, Курнул, Курукшетра, Лакшадвип, Латур, Лайф, Лони, Мадурай, Мальпе, Манас, Манго, Мараванте, Маргоа, Мау, Меерут, Мира-Бхаяндар, Мирзапур, Морадабад, Гора, Мумбаи , Муссури, Музаффарпур, Наланда, Нанда, Нандед, Нанди-Хиллз, Нашик, Националь, Нави Мумбаи, Неллор, Нетравали, Низамабад, Нойда, Норт-Думдум, Орчха, Ожукараи, Пали, Панипат, Парбхани, Патиала, Патнитоп, Паттадаккал, Пондичерри , Пудучерри, Пуна, Пури, Пурния, Пушкар, Раджамандри, Раджгир, Рамешварам, Рампур, Ранчи, Раникхет, Рантхамбор, Рохтак, Руркела, Сагар, Сангли-Мирадж и Купвад, Сариска, Сатна, Шиллонг, Сикар, Солапур, Южный Думдум, Шри Ганганагар, Шринагар, Сурат, Тезпур, Тхане, Танджавур, Тируванантапурам, Тутукуди, Тх Риссур, Тируччираппалли, Тирунелвели, Тирупати, Тирупур, Тумкур, Удайпур, Удджайн, Вайшали, Васаи-Вирар, Вишакхапатнам, Вишакхапатнам, Визианагарам, Варангал, Варангал, Ваянад, Йеркауд, Занскар и др.У нас вы можете купить новейшие электронные компоненты, аксессуары и макетные платы по доступным ценам. Купите макетные платы Raspberry Pi, Arduino, AVR, ARM, 8051, беспроводные и проводные, микроконтроллеры и ICS, робототехнику и аксессуары, компоненты для прототипирования, обучающие наборы и т. д. Мы также предоставляем техническую помощь для продуктов, приобретенных в нашем магазине, и дополняем ее схемами, примеры кода и демонстрации.

S8050 J3y Npn Sot-23 Smd 0.5a 40v Transistor (упаковка 3000), एसएमडी ट्रांजिस्टर — Hatchnhack Solutions Private Limited, New Delhi

S8050 J3y N3y NpТранзистор 5a 40 В (упаковка из 3000 шт.), एसएमडी ट्रांजिस्टर — Hatchnhack Solutions Private Limited, Нью-Дели | ID: 24521207733

Описание продукта

Описание

Технические характеристики:

Тип транзистора НПН
Упаковка СОТ-23
Напряжение коллектор-база 40
Напряжение коллектор-эмиттер 25В
Базовое напряжение эмиттера
Непрерывный ток коллектора 500 мА

Заинтересованы в этом товаре?Узнайте последнюю цену от продавца

Связаться с продавцом

Изображение продукта


О компании

Год основания2019

Юридический статус компании с ограниченной ответственностью (ООО)/Pvt.Ltd.)

Характер деятельностиПроизводитель

Количество сотрудников от 26 до 50 человек

Годовой оборот До рупий. 50 лакхов

IndiaMART Участник с декабря 2021 г.

GST07AAECH9187N1ZS

Вернуться к началу 1

Есть потребность?
Лучшая цена

1

Есть потребность?
Лучшая цена

SMD транзистор.СОТ-23 77883-S8050. Транзистор J3Y Semtech Транзистор Шоттки. PcHub.com


Спецификации продуктов

Модель Транзистор
Состояние Новый
Деталь Описание SMD-транзистор.СОТ-23
номер части 77883-S8050. J3Y
Гарантия 1 Месяц
Информация 4 2.9×1,3×1 мм Высота

СКИДКИ — Чем больше вы покупаете, тем больше экономите

Модель: Транзистор

Артикул: 77883

Номер части: 77883-S8050.J3Y

Транзистор Semtech Транзистор Шоттки

Распиновка транзистора S8050, характеристики, эквивалент, схема и техническое описание

Описание контакта S8050

Номер контакта

Название контакта

Описание

1

Излучатель

Утечка тока через эмиттер

2

База

Управляет смещением транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор

 

Особенности
  • Низковольтный, сильноточный транзистор NPN
  • Малый сигнальный транзистор
  • Максимальная мощность: 2 Вт
  • Максимальное усиление постоянного тока (hFE) равно 400
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 700 мА
  • Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 5 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 20 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 30 В
  • High Используется в двухтактной конфигурации усилителей класса B doe
  • Доступен в пакете To-92

 

Примечание. Полную техническую информацию о можно найти в техническом описании S8050 , приведенном в конце этой страницы.

 

Дополнительные транзисторы PNP

С8550

 

Альтернативные транзисторы NPN

С9014, МПСА42, СС8050, БК547, 2Н2369, 2Н3055, 2Н3904, 2Н3906

 

Эквивалентные транзисторы S8050

2N5830, С9013

 

Краткое описание S8050

S8050 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.Он имеет максимальное значение усиления 400; это значение определяет усилительную способность транзистора в обычном режиме С8050. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления. Однако при нормальном рабочем токе коллектора типичное значение коэффициента усиления будет равно 110. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 700 мА, поэтому мы не можем управлять нагрузками, потребляющими более 700 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать ток до 700 мА через коллектор и эмиттер. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки.

 

S8050 в двухтактной конфигурации

Как упоминалось в характеристиках , транзистор S8050 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B.Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, широко известный как усилитель класса B, представляет собой тип многокаскадного усилителя, обычно используемого для усиления звука громкоговорителей. Он очень прост в изготовлении и требует работы двух идентичных взаимодополняющих транзисторов. Под комплементарным это означает, что нам нужен NPN-транзистор и эквивалентный ему PNP-транзистор. Например, здесь NPN-транзистор будет S8050, а его эквивалентный PNP-транзистор будет S8550 . Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

 

Приложения
  • Схемы усиления звука
  • Усилители класса B
  • Двухтактные транзисторы
  • Цепи, где требуется высокое усиление
  • Приложения с низким уровнем сигнала

 

2D-модель компонента

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных транзистора S8050 будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

0 comments on “J3Y транзистор: j3y транзистор характеристики, чем заменить, аналог и datasheet

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *