Классификация полевых транзисторов: Классификация полевых транзисторов

Классификация полевых транзисторов

Рис. 1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

чается к третьему электроду (затвор) и образована областью с другим типом проводимости, в данном случае p-типом.

Источник питания, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемых колебаний. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя (n-канал), то есть площадь поперечного сечения области, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом.

Электроды полевого транзистора имеют следующие названия:

исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;

сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;

затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Проводимость канала может быть как n-, так и p-типа.

Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярность напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, в следствии чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток в канале транзистора станет весьма малым. В связи с незначительностью обратных токов p- n-перехода, мощность источника сигнала ничтожно мала.

Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. При этом существуют и отличия, например:

в транзисторе отсутствует катод, который требует подогрева;

любую из функций истока и стока может выполнять любой из этих электродов;

существуют полевые транзисторы как с n- каналом, так и с p-каналом, что используется при производстве комплементарных пар транзисторов.

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе — входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления, что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов. В- третьих, полевые транзисторы могут обладать низким уровнем шума (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора может быть отделён от поверхности полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n-переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационнорекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов.

Классификация полевых транзисторов

Виды полевых транзисторов и их обозначение на принципиальных схемах

Полевые транзисторы классифицируют на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором, так называемые МДП («металл-диэлектрик-полупроводник»)-транзисторы, которые также называют МОП («металл-оксид-полупроводник»)-транзисторами, причём последние подразделяют на транзисторы со встроенным каналом и приборы с индуцированным каналом.

К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие.

Транзисторы с управляющим p-n-переходом

Рис. 1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом — это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника, например n-типа (Рис. 1), имеет на противоположенных концах электроды (сток и исток), с помощью которых она включена в управляемую цепь. Управляющая цепь подключается к третьему электроду (затвору) и образуется областью с другим типом проводимости, в данном случае p-типом.

Источник питания, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемых колебаний. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя (n-канал), то есть площадь поперечного сечения области, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом.

Электроды полевого транзистора имеют следующие названия:

  • исток — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
  • сток — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
  • затвор — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Проводимость канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярность напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, в следствии чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток в канале транзистора станет весьма малым. В связи с незначительностью обратных токов p-n-перехода, мощность источника сигнала ничтожно мала.

Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. При этом существуют и отличия, например:

  • в транзисторе отсутствует катод, который требует подогрева;
  • любую из функций истока и стока может выполнять любой из этих электродов;
  • существуют полевые транзисторы как с n-каналом, так и с p-каналом, что используется при производстве комплементарных пар транзисторов.

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе — входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления, что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов. В-третьих, полевые транзисторы могут обладать низким уровнем шума (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора может быть отделён от поверхности полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n-переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов.

Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)

Рис. 2. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором.
a) — с индуцированным каналом, b) — со встроенным каналом

МОП-структура

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильно легированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния SiO

2, выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами.

Входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 1010…1014

Ом (у полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом 107…109), что является преимуществом при построении высокоточных устройств.

Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис. 2, а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением (UЗИпор).

В МДП-транзисторах со встроенным каналом (рис. 2, б) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.

Изображённые на рис. 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью p-типа, то канал у них будет иметь электропроводность n-типа.

В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе (см. рис. 2, б) поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности (рис. 3).

Статические характеристики передачи (рис. 3, b) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Формулы расчёта в зависимости от напряжения UЗИ

1. Транзистор закрыт

Пороговое значение напряжения МДП транзистора

2. Параболический участок.

-удельная крутизна передаточной характеристики транзистора.

3. Дальнейшее увеличение приводит к переходу на пологий уровень.

— Уравнение Ховстайна.

В последние четверть века бурное развитие получили мощные полевые транзисторы, в основном МДП-типа. Они состоят из множества маломощных структур или из структур с разветвлённой конфигурацией затвора. Такие ВЧ и СВЧ приборы впервые были созданы в СССР специалистами НИИ «Пульсар» Бачуриным В. В. (кремниевые приборы) и Ваксембургом В. Я. (арсенид-галлиевые приборы) Исследование их импульсных свойств было выполнено научной школой проф. Дьяконова В. П. (Смоленский филиал МЭИ). Это открыло область разработки мощных ключевых (импульсных) полевых транзисторов со специальными структурами, имеющих высокие рабочие напряжения и токи (раздельно до 500—1000 В и 50-100 А). Такие приборы нередко управляются малыми (до 5 В) напряжениями, имеют малое сопротивление в открытом состоянии (до 0,01 Ом) у сильноточных приборов, высокую крутизну и малые (в единицы-десятки нс) времена переключения. У них отсутствует явление накопления носителей в структуре и явление насыщения, присущее биполярным транзисторам. Благодаря этому мощные полевые транзисторы успешно вытесняют мощные биполярные транзисторы в области силовой электроники малой и средней мощности.

За рубежом в последние десятилетия стремительно развивается технология транзисторов на высокоподвижных электронах (ТВПЭ), которые широко используются в СВЧ устройствах связи и радионаблюдения. На основе ТВПЭ создаются как гибридные, так и монолитные микроволновые интегральные схемы . В основе действия ТВПЭ лежит управление каналом с помощью двумерного электронного газа, область которого создаётся под контактом затвора благодаря применению гетероперехода и очень тонкого диэлектрического слоя — спейсера.

Классификация и основные типы полевых транзисторов.

Продолжаем разбираться с полевыми транзисторами и в этой статье поговорим о том, какие вообще существуют типы полевиков, и чем они отличаются. И начнем с того, что наиболее распространенным типом полевых транзисторов являются транзисторы, имеющие МОП-структуру (металл — окисел — полупроводник). Поэтому зачастую полевые транзисторы называют просто МОП-транзисторами (или MOSFET).

Как уже упоминалось в предыдущей статье (вот), существуют n-канальные и p-канальные МОП-транзисторы. Их характеристики практически симметричны, но правда есть небольшое уточнение. В p-канальных, в отличие от n-канальных, носителями являются не электроны, а дырки, которые имеют меньшую подвижность. Из этого вытекает то, что характеристики p-канальных МОП-транзисторов хуже, чем соответствующие характеристики n-канальных ПТ (меньше ток насыщения, больше пороговое напряжение итд).

Давайте разберемся, откуда взялось название металл-окисел-полупроводник (МОП). Рассмотрим структуру МОП-транзистора:

Как видите, затвор (металл) изолирован от канала (полупроводник) тонким слоем диэлектрика (окисел). Собственно, поэтому такую структуру и называют МОП. Поскольку затвор надежно изолирован, то воздействует он на проводимость канала только посредством электрического поля, которое возникает, если подать на затвор напряжение. Ток при этом через затвор не течет.

Вот как обозначаются n и p-канальные транзисторы на схемах:

Вывод подложки здесь указан, по большому счету, лишь для того, чтобы как то различать транзисторы разных типов (n или p) на принципиальных схемах.

Переходим к следующему классу — полевые транзисторы с p-n переходом. В них затвор образует с каналом p-n переход. Кстати, под каналом подразумевается область, включающая сток, исток и область p-типа между ними (для n-канального ПТ). Давайте все обсуждать применительно именно к n-канальному транзистору. Для p-канального все также, просто полярности противоположные.

Итак, затвор образует с каналом p-n переход, а значит для того, чтобы избежать прохождения тока через затвор, необходимо сместить затвор в противоположном направлении относительно канала. То есть p-n переход затвор-канал должен быть закрыт. А если вдруг напряжение на затворе превысит напряжение канала на 0.6 В или больше (прямое напряжение диода), то через затвор потечет ток.  Под напряжением канала здесь понимается напряжение его конца (стока или истока) с более отрицательным потенциалом (чаще всего это исток). Вот как обозначаются такие транзисторы на принципиальных схемах:

Как вы помните, при рассмотрении работы полевых транзисторов мы считали, что транзистор начинает проводить ток, если к затвору приложено напряжение, превышающее напряжение истока. Такие транзисторы называют транзисторами обогащенного типа. Возможен и другой вариант исполнения полевого транзистора, а точнее n-канального МОП-транзистора. Полупроводник канала может быть легирован таким образом, что при нулевом смещении  затвора относительно истока через канал протекает ток стока. Такие устройства называют МОП-транзисторами обедненного типа. Для того, чтобы предотвратить протекание тока стока в транзисторах обедненного типа необходимо подать на затвор обратное смещение в пару вольт.

В МОП-транзисторах нет никакого p-n перехода затвор-канал, поэтому они могут быть как обедненного, так и обогащенного типа, в то время как полевые транзисторы с p-n переходом могут быть только обедненного типа. На самом деле МОП-транзисторы редко бывают обедненного типа, чаще всего они являются транзисторами обогащенного типа (за редким исключением). Из этого вытекает такая вот классификация полевых транзисторов:

На этой схеме и закончим на сегодня, встретимся очень скоро в новых статьях!

Полевой транзистор: виды, устройство, особенности

Полевой транзистор – электрический полупроводниковый прибор, выходной ток которого управляется полем, следовательно, напряжением, одного знака. Формирующий сигнал подается на затвор, регулирует проводимость канала n или p-типа. В отличие от биполярных транзисторов, где сигнал переменной полярности. Вторым признаком назовем формирование тока исключительно основными носителями (одного знака).

Классификация полевых транзисторов

Начнём классификацией. Разновидности полевых транзисторов многочисленны, каждая работает сообразно алгоритму:

  1. Тип проводимости канала: n или р. Фактор определяет полярность управляющего напряжения.
  2. По структуре. С р-n-переходом сплавные, диффузионные, МДП (МОП), с барьером Шоттки, тонкопленочные.
  3. Число электродов – 3 или 4. В последнем случае подложка рассматривается обособленным субъектом, позволяя управлять протеканием тока по каналу (помимо затвора).
  4. Материал проводника. Сегодня распространены кремний, германий, арсенид галлия. Материал полупроводника маркируется условным обозначением буквами (К, Г, А) или (в изделиях военной промышленности) цифрами (1, 2, 3).
  5. Класс применения не входит в маркировку, указывается справочниками, дающими сведения, что полевой транзистор часто входит в состав усилителей, радиоприемных устройств. В мировой практике встречается деление по применяемости на следующие 5 групп: усилители высокой, низкой частоты, постоянного тока, модуляторы, ключевые.

    Полупроводниковый транзистор

  6. Диапазон электрических параметров определяет набор значений, в которых полевой транзистор сохраняет работоспособность. Напряжение, ток, частота.
  7. По конструктивным особенностям различают унитроны, алкатроны, текнетроны, гридисторы. Каждый прибор наделен ключевыми признаками. Электроды алкатрона выполнены концентрическими кольцами, увеличивая объем пропускаемого тока.
  8. Числом конструктивных элементов, вмещенных одной подложкой выделяют сдвоенные, комплементарные.

Помимо общей классификации придумана специализированная, определяющая принципы работы. Различают:

  1. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом.
  2. Полевые транзисторы с барьером Шоттки.
  3. Полевые транзисторы с изолированным затвором:
  • С встроенным каналом.
  • С индуцированным каналом.

В литературе дополнительно упорядочивают структуры следующим образом: применять обозначение МОП нецелесообразно, конструкции на оксидах считают частным случаем МДП (металл, диэлектрик, полупроводник). Барьер Шоттки (МеП) следует отдельно выделять, поскольку это иная структура. Напоминает свойствами p-n-переход. Добавим, что конструктивно в состав транзистора способны входить одновременно диэлектрик (нитрид кремния), оксид (четырехвалентный кремния), как это случилось с КП305. Такие технические решения используются людьми, ищущими методы получения уникальных свойств изделия, удешевления.

FET устройства

Среди зарубежных аббревиатур для полевых транзисторов зарезервировано сочетание FET, иногда обозначает тип управления – с p-n-переходом. В последнем случае наравне с этим встретим JFET. Слова-синонимы. За рубежом принято отделять оксидные (MOSFET, MOS, MOST – синонимы), нитридные (MNS, MNSFET) полевые транзисторы. Наличие барьера Шоттки маркируется SBGT. По-видимому, материал значение, отечественная литература значение факта замалчивает.

Электроды полевых транзисторов на схемах обозначаются: D (drain) – сток, S (source) – исток, G (gate) – затвор. Подложку принято именовать substrate.

Устройство полевого транзистора

Управляющий электрод полевого транзистора называется затвором. Канал образован полупроводником произвольного типа проводимости. Сообразно полярность управляющего напряжения положительная или отрицательная. Поле соответствующего знака вытесняет свободные носители, пока перешеек под электродом затвора не опустеет вовсе. Достигается путем воздействия поля либо на p-n-переход, либо на однородный полупроводник. Ток становится равным нулю. Так работает полевой транзистор.

Ток протекает от истока к стоку, новичков традиционно мучает вопрос различения двух указанных электродов. Отсутствует разница, в каком направлении движутся заряды. Полевой транзистор обратим. Униполярность носителей заряда объясняет малый уровень шумов. Поэтому в технике полевые транзисторы занимают доминирующую позицию.

Конструкция транзистора

Ключевой особенностью приборов назовем большое входное сопротивление, в особенности, переменному току. Очевидный факт, проистекающий из управления обратно смещённым p-n-переходом (переходом Шоттки), либо емкости технологического конденсатора в районе изолированного затвора.

Подложки часто выступает нелегированный полупроводник. Для полевых транзисторов с затвором Шоттки – арсенид галлия. В чистом виде неплохой изолятор, к которому в составе изделия предъявляются требования:

  1. Отсутствие негативных явлений на стыке с каналом, истоком, стоком: светочувствительность, паразитное управление по подложке, гистерезис параметров.
  2. Термостабильность в процессе технологических циклов изготовления изделия: устойчивость к отжигу, эпитаксии. Отсутствие диффузии примесей в активные слои, вызванной этим деградации.
  3. Минимум примесей. Требование тесно связано с предыдущим.
  4. Качественная кристаллическая решетка, минимум дефектов.

Сложно создать значительной толщины слой, отвечающий перечню условий. Поэтому добавляется пятое требование, заключающееся в возможности постепенного наращивания подложки до нужных размеров.

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и МеП

В этом случае тип проводимости материала затвора отличается от используемого каналом. На практике встретите разные улучшения. Затвор составлен пятью областями, утопленными в канале. Меньшим напряжением удается управлять протеканием тока. Означая увеличение коэффициента усиления.

Биполярный транзистор

В схемах используется обратное смещение p-n-перехода, чем сильнее, тем уже канал для протекания тока. При некотором значении напряжения транзистор запирается. Прямое смещение опасно использовать по той причине, что мощная управляемая цепь может повлиять на контур затвора. Если переход открыт, потечет большой ток, либо приложится высокое напряжение. Нормальный режим обеспечивается правильным подбором полярности и других характеристик источника питания, выбором рабочей точки транзистора.

Однако в некоторых случаях намеренно используются прямые токи затвора. Примечательно, что этот режим могут использовать те МДП-транзисторы, где подложка образует с каналом p-n-переход. Движущийся заряд истока делится между затвором и стоком. Можно найти область, где получается значительный коэффициент усиления по току. Управляется режим затвором. При росте тока iз (до 100 мкА) параметры схемы резко ухудшаются.

Аналогичное включение используется схемой так называемого затворного частотного детектора. Конструкция эксплуатирует выпрямительные свойства p-n-перехода между затвором и каналом. Прямое смещение мало или вовсе нулевое. Прибор по-прежнему управляется током затвора. В цепи стока получается значительное усиление сигнала. Выпрямленное напряжение для затвора является запирающим, изменяется по входному закону. Одновременно с детектированием достигается усиление сигнала. Напряжение цепи стока содержит компоненты:

  • Постоянная составляющая. Никак не используется.
  • Сигнал с частотой несущей. Заводится на землю путем использования фильтрующих емкостей.
  • Сигнал с частотой модулирующего сигнала. Обрабатывается для извлечения заложенной информации.

Недостатком затворного частотного детектора считают большой коэффициент нелинейных искажений. Причем результаты одинаково плохи для слабых (квадратичная зависимость рабочей характеристики) и сильных (выход в режим отсечки) сигналов. Несколько лучшие демонстрирует фазовый детектор на двухзатворном транзисторе. На один управляющий электрод подают опорный сигнал, на стоке образуется информационная составляющая, усиленная полевым транзистором.

Несмотря на большие линейные искажения эффект находит применение. Например, в избирательных усилителях мощности, дозировано пропускающих узкий спектр частот. Гармоники фильтруются, не оказывают большого влияния на итоговое качество работы схемы.

Транзисторы металл-полупроводник (МеП) с барьером Шоттки почти не отличаются от имеющих p-n-переход. По крайней мере, когда дело касается принципов работы. Но благодаря особым качествам перехода металл-полупроводник, изделия способны работать на повышенной частоте (десятки ГГц, граничные частоты в районе 100 ГГц). Одновременно МеП структура проще в реализации, когда дело касается производства и технологических процессов. Частотные характеристики определяются временем заряда затвора и подвижностью носителей (для GaAs свыше 10000 кв. см/В с).

МДП-транзисторы

В МДП-структурах затвор надежно изолирован от канала, управление происходит полностью за счет воздействия поля. Изоляция ведётся за счет оксида кремния или нитрида. Именно эти покрытия проще нанести на поверхности кристалла. Примечательно, что в этом случае также имеются переходы металл-полупроводник в районе истока и стока, как и в любом полярном транзисторе. Об этом факте забывают многие авторы, либо упоминают вскользь путем применения загадочного словосочетания омические контакты.

В теме про диод Шоттки поднимался этот вопрос. Не всегда на стыке металла и полупроводника возникает барьер. В некоторых случаях контакт омический. Это зависит по большей части от особенностей технологической обработки и геометрических размеров. Технические характеристики реальных приборов сильно зависят от различных дефектов оксидного (нитридного) слоя. Вот некоторые:

  1. Несовершенство кристаллической решетки в поверхностной области обусловлено разорванными связями на границе смены материалов. Влияние оказывают как свободные атомы полупроводника, там и примесей наподобие кислорода, который имеется в любом случае. Например, при использовании методов эпитаксии. В результате появляются энергетические уровни, лежащие в глубине запрещенной зоны.
  2. На границе оксида и полупроводника (толщиной 3 нм) образуется избыточный заряд, природа которого на сегодняшний день еще не объяснена. Предположительно, роль играют положительные свободные места (дырки) дефектных атомов самого полупроводника и кислорода.
  3. Дрейф ионизированных атомов натрия, калия и других щелочных металлов происходит при низких напряжениях на электроде. Это увеличивает заряд, скопившийся на границе слоев. Для блокировки этого эффекта в оксиде кремния используют окись фосфора (ангидрид).

Объемный положительный заряд в оксиде влияет на значение порогового напряжения, при котором отпирается канал. Параметр обусловливает скорость переключения и определяет ток утечки (ниже порога). Вдобавок, на срабатывание влияют материал затвора, толщина оксидного слоя, концентрация примесей. Таким образом, результат опять сводится к технологии. Чтобы получить заданный режим, подбирают материалы, геометрические размеры, процесс изготовления с пониженными температурами. Отдельные приемы позволят также уменьшить количество дефектов, что благоприятно сказывается на снижении паразитного заряда.

Полевые транзисторы. Виды и устройство. Применение и особенности

Полевые транзисторы являются полупроводниковыми приборами. Особенностью их является то, что ток выхода управляется электрическим полем и напряжением одной полярности. Регулирующий сигнал поступает на затвор и осуществляет регулировку проводимости перехода транзистора. Этим они отличаются от биполярных транзисторов, в которых сигнал возможен с разной полярностью. Другим отличительным свойством полевого транзистора является образование электрического тока основными носителями одной полярности.

Разновидности

Существует множество разных видов полевых транзисторов, действующих со своими особенностями:

  • Тип проводимости. От нее зависит полюсность напряжения управления.
  • Структура: диффузионные, сплавные, МДП, с барьером Шоттки.
  • Количество электродов: бывают транзисторы с 3-мя или 4-мя электродами. В варианте с 4-мя электродами подложка является отдельной частью, что дает возможность управлять прохождением тока по переходу.
  • Материал изготовления: наиболее популярными стали приборы на основе германия, кремния. В маркировке транзистора буква означает материал полупроводника. В транзисторах, производимых для военной техники, материал маркируется цифрами.
  • Тип применения: обозначается в справочниках, на маркировке не указан. На практике известно пять групп применения «полевиков»: в усилителях низкой и высокой частоты, в качестве электронных ключей, модуляторов, усилителей постоянного тока.
  • Интервал рабочих параметров: набор данных, при которых полевики могут работать.
  • Особенности устройства: унитроны, гридисторы, алкатроны. Все приборы имеют свои отличительные данные.
  • Количество элементов конструкции: комплементарные, сдвоенные и т. д.
Кроме основной классификации «полевиков», имеется специальная классификация, имеющая принцип действия:
  • Полевые транзисторы с р-n переходом, который осуществляет управление.
  • Полевые транзисторы с барьером Шоттки.
  • «Полевики» с изолированным затвором, которые делятся:
    — с индукционным переходом;
    — со встроенным переходом.

В научной литературе предлагается вспомогательная классификация. Там говорится, что полупроводник на основе барьера Шоттки необходимо выделить в отдельный класс, так как это отдельная структура. В один и тот же транзистор может входить сразу оксид и диэлектрик, как в транзисторе КП 305. Такие методы применяют для образования новых свойств полупроводника, либо для снижения их стоимости.

На схемах полевики имеют обозначения выводов: G – затвор, D – сток, S – исток. Подложку транзистора называют «substrate».

Конструктивные особенности

Электрод управления полевым транзистором в электронике получил название затвора. Его переход выполняют из полупроводника с любым видом проводимости. Полярность напряжения управления может быть с любым знаком. Электрическое поле определенной полярности выделяет свободные электроны до того момента, пока на переходе не закончатся свободные электроны. Это достигается воздействием электрического поля на полупроводник, после чего величина тока приближается к нулю. В этом заключается действие полевого транзистора.

Электрический ток проходит от истока к стоку. Разберем отличия этих двух выводов транзистора. Направление движения электронов не имеет значения. Полевые транзисторы обладают свойством обратимости. В радиотехнике полевые транзисторы нашли свою популярность, так как они не образуют шумов по причине униполярности носителей заряда.

Главной особенностью полевых транзисторов является значительная величина сопротивления входа. Это особенно заметно по переменному току. Эта ситуация получается по причине управления по обратному переходу Шоттки с определенным смещением, или по емкости конденсатора возле затвора.

Материалом подложки выступает нелегированный полупроводник. Для «полевиков» с переходом Шоттки вместо подложки закладывают арсенид галлия, который в чистом виде является хорошим изолятором.

К нему предъявляются требования:
  • Отсутствие отрицательных факторов в соединении с переходом, стоком и истоком: гистерезис свойств, паразитное управление, чувствительность к свету.
  • Устойчивость к температуре во время изготовления: невосприимчивость к эпитаксии, отжигу. Отсутствие различных примесей в активных слоях.
  • Минимальное количество примесей.
  • Качественная структура кристаллической решетки с наименьшим количеством дефектов.

На практике оказывается трудным создание структурного слоя со сложным составом, отвечающим необходимым условиям. Поэтому дополнительным требованием является возможность медленного наращивания подложки до необходимых размеров.

Полевые транзисторы с р-n переходом

В такой конструкции тип проводимости затвора имеет отличия от проводимости перехода. Практически применяются различные доработки. Затвор может быть изготовлен из нескольких областей. В итоге наименьшим напряжением можно осуществлять управление прохождением тока, что повышает коэффициент усиления.

В разных схемах применяется обратный вид перехода со смещением. Чем больше смещение, тем меньше ширина перехода для прохождения тока. При определенной величине напряжения транзистор закрывается. Применение прямого смещения не рекомендуется, так как мощная цепь управления может оказать влияние на затвор. Во время открытого перехода проходит значительный ток, или повышенное напряжение. Работа в нормальном режиме создается путем правильного выбора полюсов и других свойств источника питания, а также подбором точки работы транзистора.

Во многих случаях специально применяют непосредственные токи затвора. Такой режим могут применять и транзисторы, у которых подложка образует переход вида р-n. Заряд от истока разделяется на сток и затвор. Существует область с большим коэффициентом усиления тока. Этот режим управляется затвором. Однако, при возрастании тока эти параметры резко падают.

Подобное подключение применяется в схеме частотного затворного детектора. Он применяет свойства выпрямления перехода канала и затвора. В таком случае прямое смещение равно нулю. Транзистор также управляется затворным током. В цепи стока образуется большое усиление сигнала. Напряжение для затвора изменяется по закону входа и является запирающим для затвора.

Напряжение в стоковой цепи имеет элементы:
  • Постоянная величина. Не применяется.
  • Сигнал несущей частоты. Отводится на заземление с применением фильтров.
  • Сигнал с модулирующей частотой. Подвергается обработке для получения из него информации.

В качестве недостатка затворного детектора целесообразно выделить значительный коэффициент искажений. Результаты для него отрицательные для сильных и слабых сигналов. Немного лучший итог показывает фазовый детектор, выполненный на транзисторе с двумя затворами. Опорный сигнал подается на один их электродов управления, а информационный сигнал, усиленный «полевиком», появляется на стоке.

Несмотря на значительные искажения, этот эффект имеет свое назначение. В избирательных усилителях, которые пропускают определенную дозу некоторого спектра частот. Гармонические колебания фильтруются и не влияют на качество действия схемы.

Транзисторы МеП, что означает – металл-полупроводник, с переходом Шоттки практически не отличаются от транзисторов с р-n переходом. Так как переход МеП имеет особые свойства, эти транзисторы могут функционировать на повышенной частоте. А также, структура МеП простая в изготовлении. Характеристики по частоте зависят от времени заряда затворного элемента.

МДП-транзисторы

База элементов полупроводников постоянно расширяется. Каждая новая разработка изменяет электронные системы. На их базе появляются новые приборы и устройства. МДП-транзистор действует путем изменения проводимости полупроводникового слоя с помощью электрического поля. От этого и появилось название – полевой.

Обозначение МДП расшифровывается как металл-диэлектрик-полупроводник. Это дает характеристику состава прибора. Затвор изолирован от истока и стока тонким диэлектриком. МДП транзистор современного вида имеет размер затвора 0,6 мкм, через который может протекать только электромагнитное поле. Оно оказывает влияние на состояние полупроводника.

При возникновении нужного потенциала на затворе возникает электромагнитное поле, которое оказывает влияние на сопротивление участка стока-истока.

Достоинствами такого применения прибора является:
  • Повышенное сопротивление входа прибора. Это свойство актуально для применения в цепях со слабым током.
  • Небольшая емкость участка сток-исток дает возможность применять МДП-транзистор в устройствах высокой частоты. При передаче сигнала искажений не наблюдается.
  • Прогресс в новых технологиях производства полупроводников привел к разработке транзисторов IGBT, которые включают в себя положительные моменты биполярных и полевых приборов. Силовые модули на их основе широко применяются в приборах плавного запуска и преобразователях частоты.

При разработке таких элементов нужно учесть, что МДП-транзисторы имеют большую чувствительность к повышенному напряжению и статическому электричеству. Транзистор может сгореть при касании к его выводам управления. Следовательно, при их установке необходимо применять специальное заземление.

Такие полевые транзисторы обладают многими уникальными свойствами (например, управление электрическим полем), поэтому они популярны в составе электронной аппаратуры. Также следует отметить, что технологии изготовления транзисторов постоянно обновляется.

Похожие темы:

Классификация и условные обозначения полевых транзисторов

Классифицировать полевые транзисторы можно по трем параметрам:

— по полярности носителей заряда в канале: n – или p – канальные;

— по типу изоляции затвора: транзисторы с управляющим p – n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором;

— по типу легирования канала: транзисторы обогащенного или обедненного типа.

Управление током полевого транзистора выполняется с помощью электрического поля, созданного управляющим сигналом. В полупроводнике имеется область, в которой перемещаются носители заряда и проводимостью которой управляет внешнее электрическое поле. Эта область называется проводящим каналом, или просто каналом, и может быть полупроводником p – или n – типа, электрод, через который в канал поступают носители заряда, называется истоком (обозначается И). Электрод, через который выходят из полупроводника носители заряда, называется стоком (С). Электрод, на который подается управляющий сигнал, называется затвором (З).

Затвор изолирован от проводящего канала либо p – n переходом, на который подано обратное смещение (диодная изоляция), либо слоем диэлектрика (оксид кремния). В первом случае имеем полевой транзистор с управляющим p — n переходом, во втором – транзистор с изолированным затвором – МДП – или МОП – транзистор. Аббревиатура МДП – металл – диэлектрик – полупроводник (МОП – металл – оксид — полупроводник) отражает структуру транзистора в области затвора. Металл – это металлизированный электрод затвора.

Из восьми возможных комбинаций, допускаемых, выше перечисленными тремя классификационными параметрами в настоящее время реализованы пять. Их можно представить в виде следующей диаграммы (рис.2):

В электрических схемах полевые транзисторы имеют свое графическое изображение, представленное на рис. 3

а) р – канальный полевой транзистор с управляющим p – n gперходом; б) то же с n – каналом; в) МОП – транзистор с встроенным р – каналом ; г) то же с n – каналом; д) МОП – транзистор с индуцированным р — каналом; е) тоже с n – каналом.


Узнать еще:

1.2 Классификация полевых транзисторов. Полевые транзисторы и их применение

Похожие главы из других работ:

Запираемые тиристоры и полевые транзисторы

История создания полевых транзисторов

Идея полевого транзистора с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако объективные трудности в реализации этой конструкции позволили создать первый работающий прибор этого типа только в 1960 году…

Запираемые тиристоры и полевые транзисторы

Схемы включения полевых транзисторов

Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ). На практике чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с ОЭ…

Запираемые тиристоры и полевые транзисторы

Классификация полевых транзисторов

По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки)…

Особенности транзисторов

Классификация и маркировка транзисторов

Система условных обозначений транзисторов такая же, как и у полупроводниковых диодов, только 2 и 3 элемент имеют другие значения. Второй элемент: буква Т — биполярный транзистор; буква П. — полевой транзистор. Третий элемент — цифра…

Полевой транзистор с изолированным затвором

3. Главные преимущества полевых транзисторов

1) Благодаря очень высокому входному сопротивлению, цепь полевых транзисторов расходует крайне мало энергии, так как практически не потребляет входного тока. 2) Усиление по току у полевых транзисторов намного выше, чем у биполярных…

Полевой транзистор с изолированным затвором

4. Главные недостатки полевых транзисторов

1) У полевых транзисторов большее падение напряжения из-за высокого сопротивления между стоком и истоком, когда прибор находится в открытом состоянии. 2) Структура полевых транзисторов начинает разрушаться при меньшей температуре (150С)…

Полевой транзистор с изолированным затвором

5. Усилители на полевых транзисторах

Усилители на полевых транзисторах характеризуются очень большим входным сопротивлением. В усилителях на полевых транзисторах применяются три схемы включения транзисторов: с общим истоком, общим затвором и с общим стоком…

Полевые транзисторы

Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов

а б Рис.7. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n — типа: а) — стоковые; б) — стоко-затворные…

Полевые транзисторы и их применение

1. Принципы работы полевых транзисторов

Полевые транзисторы и их применение

1.1 История создания полевых транзисторов

Идея полевого транзистора впервые была предложена Лилиенфельдом [9] в 1926 — 1928 годах. Эти конфигурации транзисторов не были внедрены в производство по объективным причинам. Реальный работающий прибор был создан в 1960 году…

Полевые транзисторы и их применение

1.2 Классификация полевых транзисторов

Как уже упоминалось, полевые транзисторы условно можно разделить на 2 группы. К первой можно отнести транзисторы с управляющим р-n переходом, или переходом металл — полупроводник…

Полевые транзисторы и их применение

2. Схемы включения полевых транзисторов

Рис. 11 Схемы включения полевых транзисторов Биполярный и полевой транзистор обычно рассматривают как четырехполюсник, у которого два из четырех контактов совпадают. Тогда можно определить три схемы включения транзисторов: с общим истоком…

Полевые транзисторы и их применение

3. Применение полевых транзисторов

Полевые транзисторы нашли широкое применение в радиоэлектронике. МДП-транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление (RBX> 1014 Ом, иногда до 1017 Ом). Параметры МДП-транзисторов меньше зависят от температуры, чем биполярных…

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов

6. оделирование характеристик полевых транзисторов

Полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем…

Расчет и проектирование МДП-транзистора

1.2 Типы и устройство полевых транзисторов

Полевые, или униполярные, транзисторы в качестве основного физического принципа используют эффект поля. В отличие от биполярных транзисторов, у которых оба типа носителей, как основные, так и неосновные…

Схема транзистора <Классификация> | Основы электроники

Классифицируется по форме.

Размер и форма транзистора определяются потребляемой мощностью и способом монтажа. В широком смысле транзисторы можно разделить на выводные и для поверхностного монтажа.

Типовые формы транзисторов

(На рисунках показаны поперечные сечения)

Миниатюрный литой транзистор поверхностного монтажа Транзистор вставного типа

Классификация по конструкции

Транзисторы обычно делятся на два основных типа в зависимости от их строительство.Эти два типа представляют собой биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET).

Биполярные транзисторы

Слово «биполярный» состоит из двух корневых слов. Би (что означает «два») и полярные (что означает «противоположности»). Биполярный транзистор — это транзистор, в котором ток через транзистор переносится дырками (положительная полярность) и электронами (отрицательная полярность). Транзисторы с биполярным переходом были первым типом транзисторов, которые начали массово производить в 1947 году в виде транзисторов с точечным контактом (Bell Labs).Они представляют собой комбинацию двух переходных диодов и состоят либо из тонкого слоя полупроводника p-типа, зажатого между двумя полупроводниками n-типа (транзистор n-p-n), либо из тонкого слоя полупроводника n-типа, зажатого между два полупроводника p-типа (p-n-p-транзистор).

FET

FET (полевые транзисторы) обычно можно разделить на три разных типа; полевые транзисторы переходного типа, полевые транзисторы типа MOS (металл-оксид-полупроводник) и полевые транзисторы типа MES (металл-полупроводник). Полевые транзисторы переходного типа в основном используются в аналоговых схемах, например, в звуковом оборудовании, а полевые МОП-транзисторы используются в основном в цифровых ИС, например, в микрокомпьютерах.Полевые транзисторы типа MES используются для усиления микроволн, например, в трансиверах спутникового вещания.

Классификация по допустимой мощности

Существует две широкие классификации транзисторов по допустимой мощности: малосигнальные транзисторы и силовые транзисторы. Эти классификации основаны, прежде всего, на максимальном значении рассеиваемой мощности коллектора Pc.

Малосигнальные транзисторы

Это транзисторы, у которых максимальный ток коллектора (IC(max)) составляет около 500 мА или меньше, а максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc(max)) меньше 1 Вт.Эти транзисторы называются малосигнальными транзисторами, чтобы отличить их от силовых транзисторов, и имеют особенность, заключающуюся в том, что они обычно отлиты из эпоксидной смолы.

Силовые транзисторы

Если транзистор имеет Pc 1 Вт или более, он обычно классифицируется как силовой транзистор. По сравнению с малосигнальными транзисторами, силовые транзисторы имеют больший максимальный ток коллектора, максимальную рассеиваемую мощность коллектора, а также имеют больший размер для удовлетворения тепловыделения. Обычно они экранированы металлом или имеют конструкцию с ребрами, излучающими тепло.

В Японии транзистор называют «камнем». Слово «транзистор» представляет собой комбинацию «передача» и «резистор». Поскольку транзистор сделан из кремния, который является основным элементом всех горных пород и камней на земле, многие японские дизайнеры называют транзистор камнем.

Классификация по типу интеграции

Помимо транзисторов дискретного типа, ROHM также производит составные транзисторы. Они объединяют несколько транзисторов вместе, чтобы удовлетворить различные потребности пользователей.К ним относятся цифровые транзисторы со встроенными резисторами, транзисторные матрицы, состоящие из нескольких транзисторов в одном корпусе, и транзисторные блоки со встроенными в них простыми схемами.

Дискретные транзисторы

Это транзисторы в индивидуальной упаковке. Они становятся менее распространенными, поскольку подавляющее большинство транзисторов в настоящее время производится в интегральных схемах вместе с диодами, резисторами, конденсаторами и другими электронными компонентами для создания полных электронных схем.

Составные транзисторы

Составной транзистор (иногда известный как транзистор Дарлингтона) представляет собой комбинацию двух или более транзисторов (обычно транзисторов с биполярным переходом) с целью увеличения коэффициента усиления по току.

*Цифровые транзисторы

Цифровой транзистор — это биполярный транзистор со встроенными резисторами. Это стандартные транзисторы, которые используются в схемотехнике.

TransistorProduct Page

Типы транзисторов — переходные транзисторы и полевые транзисторы

Транзистор стал важным компонентом современной электроники, и мы не можем представить мир без транзисторов. В этом уроке мы узнаем о классификации и различных типах транзисторов.Мы узнаем о BJT (NPN и PNP), JFET (N-Channel и P-Channel), MOSFET (Enhanced and Depletion), а также транзисторах на основе их приложений (Small Signal, Fast Switching, Power и т. д.).

Введение

Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое используется либо для усиления сигналов, либо для работы в качестве переключателя с электрическим управлением. Транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, и небольшой ток / напряжение на одном выводе (или выводе) будет контролировать большой поток тока между двумя другими выводами (выводами).

В течение долгого времени электронные лампы были заменены транзисторами, потому что транзисторы имеют больше преимуществ по сравнению с электронными лампами. Транзисторы имеют небольшие размеры и требуют мало энергии для работы, а также имеют малое рассеивание мощности. Транзистор является одним из важных активных компонентов (устройство, которое может производить выходной сигнал большей мощности, чем входной сигнал).

Транзистор

является важным компонентом почти каждой электронной схемы, такой как: усилители, переключатели, генераторы, регуляторы напряжения, источники питания и, что наиболее важно, цифровые логические ИС.

Со времени изобретения первого транзистора и до наших дней транзисторы подразделяются на различные типы в зависимости либо от их конструкции, либо от их работы. Следующая древовидная диаграмма объясняет базовую классификацию различных типов транзисторов.

Схема дерева транзисторов

Классификацию транзисторов легко понять, наблюдая за приведенной выше древовидной диаграммой. Транзисторы в основном делятся на два типа. Это: биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET).BJT снова подразделяются на транзисторы NPN и PNP. Полевые транзисторы делятся на JFET и MOSFET.

Транзисторы

Junction FET далее подразделяются на N-канальные JFET и P-канальные JFET в зависимости от их конструкции. МОП-транзисторы подразделяются на режим истощения и режим улучшения. Опять же, транзисторы режима истощения и улучшения дополнительно классифицируются на соответствующие N-канальные и P-канальные.

Типы транзисторов

Как упоминалось ранее, в более широком смысле основными семействами транзисторов являются BJT и FET.Независимо от семейства, к которому они принадлежат, все транзисторы имеют правильное/специфическое расположение различных полупроводниковых материалов. Обычно используемые полупроводниковые материалы для изготовления транзисторов — это кремний, германий и арсенид галлия.

В основном транзисторы классифицируют в зависимости от их строения. Каждый тип транзисторов имеет свои особенности, преимущества и недостатки.

Физически и конструктивно разница между BJT и FET заключается в том, что в BJT для работы требуются как основные, так и неосновные носители заряда, тогда как в случае FET требуются только основные носители заряда.

Исходя из своих свойств и характеристик, некоторые транзисторы в основном используются для переключения (МОП-транзисторы), а с другой стороны, некоторые транзисторы используются для целей усиления (биполярные транзисторы). Некоторые транзисторы предназначены как для усиления, так и для переключения.

Переходные транзисторы

Переходные транзисторы

обычно называют биполярными переходными транзисторами (BJT). Термин «биполярный» означает, что для проведения тока необходимы как электроны, так и дырки, а термин «переход» означает, что он содержит PN-переход (фактически два перехода).

BJT имеют три клеммы: излучатель (E), база (B) и коллектор (C). Транзисторы BJT классифицируются на транзисторы NPN и PNP в зависимости от конструкции.

BJT — это, по сути, устройства с управлением по току. Если через базу биполярного транзистора протекает небольшой ток, то это вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору. Транзисторы с биполярным соединением имеют низкое входное сопротивление, что приводит к протеканию большого тока через транзистор.

Биполярные переходные транзисторы включаются только входным током, который подается на базовую клемму. BJT могут работать в трех регионах. Они:

  • Область отсечки: Здесь транзистор находится в состоянии «ВЫКЛ», т. е. ток, протекающий через транзистор, равен нулю. По сути, это открытый переключатель.
  • Активная область: Здесь транзистор действует как усилитель.
  • Область насыщения: здесь транзистор находится в полностью включенном состоянии и также работает как замкнутый переключатель.
Транзистор NPN

NPN — это один из двух типов транзисторов с биполярным переходом (BJT). Транзистор NPN состоит из двух полупроводниковых материалов n-типа, разделенных тонким слоем полупроводника p-типа. Здесь основными носителями заряда являются электроны, а дырки — неосновные носители заряда. Поток электронов от эмиттера к коллектору управляется током, протекающим в базовой клемме.

Небольшой ток на базовой клемме вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору.В настоящее время наиболее часто используемым биполярным транзистором является NPN-транзистор, поскольку подвижность электронов больше, чем подвижность дырок. Стандартное уравнение для токов, протекающих в транзисторе, имеет вид

.

 I E = I B + I C

Ниже приведены символы и структура транзисторов NPN.

ПНП Транзистор

PNP — это еще один тип транзисторов с биполярным переходом (BJT). Транзисторы PNP содержат два полупроводниковых материала p-типа и разделены тонким слоем полупроводника n-типа.Основными носителями заряда в PNP-транзисторах являются дырки, в то время как электроны являются неосновными носителями заряда. Стрелка на выводе эмиттера транзистора указывает на протекание обычного тока. В транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.

Транзистор PNP включен, когда на базовую клемму подается НИЗКИЙ уровень относительно эмиттерной. Символ и структура транзистора PNP показаны ниже.

FET (полевой транзистор)

Полевой транзистор (FET) является еще одним основным типом транзистора.По сути, полевой транзистор также имеет три вывода (как и биполярные транзисторы). Три терминала: Ворота (G), Слив (D) и Источник (S). Полевые транзисторы подразделяются на полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (IG-FET) или полевые транзисторы на основе оксидов металлов и полупроводников (MOSFET).

Для соединений в цепи мы также рассматриваем четвертую клемму, называемую Базой или Подложкой. Полевые транзисторы контролируют размер и форму канала между истоком и стоком, который создается напряжением, приложенным к затвору.

Полевые транзисторы являются однополярными устройствами, так как для их работы требуются только основные носители заряда (в отличие от BJT, которые являются биполярными транзисторами).

JFET (полевой транзистор)

Junction-Field-Effect Transistor (JFET) — это самый ранний и простой тип полевого транзистора. JFET используются в качестве переключателей, усилителей и резисторов. Этот транзистор является устройством, управляемым напряжением. Ему не нужен ток смещения.

Напряжение между затвором и истоком управляет протеканием электрического тока между истоком и стоком транзистора.Транзисторы JFET доступны как в N-канальном, так и в P-канальном исполнении.

N-канальный JFET

В N-канальном полевом транзисторе ток течет за счет электронов. Когда между затвором и истоком подается напряжение, между истоком и стоком формируется канал для протекания тока. Этот канал называется N-Channel. В настоящее время N-канальные JFET предпочтительнее, чем P-канальные JFET. Обозначения для N-канального транзистора JFET приведены ниже.

P-канальный JFET

В этом типе JFET ток течет из-за дырок.Канал между истоком и стоком называется P-Channel. Символы для P-Channel JFET приведены ниже. Здесь стрелки указывают направление тока.

МОП-транзистор
Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника

(MOSFET) является наиболее часто используемым и наиболее популярным типом среди всех транзисторов. Название «оксид металла» указывает на то, что область затвора и канал разделены тонким слоем оксида металла (обычно SiO 2 ).

Следовательно, МОП-транзистор также известен как полевой транзистор с изолированным затвором, поскольку область затвора полностью изолирована от области исток-сток.Существует дополнительная клемма, известная как подложка или корпус, которая является основным полупроводником (кремнием), из которого изготовлен полевой транзистор. Итак, MOSFET имеет четыре вывода: сток, исток, затвор и корпус или подложка.

MOSFET имеет много преимуществ по сравнению с BJT и JFET, в основном он предлагает высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс. Он используется в коммутационных и силовых цепях и является основным компонентом технологий проектирования интегральных схем.

Транзисторы MOSFET доступны в типах обеднения и расширения.Кроме того, типы истощения и улучшения подразделяются на типы N-Channel и P-Channel.

N-канальный МОП-транзистор

МОП-транзистор с N-канальной областью между истоком и стоком называется N-канальным МОП-транзистором. Здесь клеммы истока и затвора сильно легированы материалами n-типа, расположенными в сильно легированном полупроводниковом материале p-типа (подложке).

Течение тока между истоком и стоком происходит из-за электронов. Напряжение затвора управляет током, протекающим в цепи.N-канальный MOSFET используется чаще, чем P-канальный MOSFET, потому что подвижность электронов выше, чем подвижность дырок.

Символы и структуры для N-канальных MOSFET-транзисторов приведены ниже (как в режиме расширения, так и в режиме истощения).

МОП-транзистор с каналом P

MOSFET, имеющий область P-Channel между истоком и стоком, называется P-Channel MOSFET. Здесь выводы истока и стока сильно легированы материалом P-типа, а подложка легирована материалом N-типа.Течение тока между истоком и стоком происходит из-за концентрации дырок. Приложенное напряжение на затворе будет управлять протеканием тока через область канала.

Обозначения и структуры P-Channel MOSFET транзисторов приведены ниже (как в режиме расширения, так и в режиме истощения).

Транзисторы на основе функции

Транзисторы также классифицируются в зависимости от функций (операций или приложений), которые они выполняют. Ниже описаны различные типы транзисторов в зависимости от их функции.

Малые сигнальные транзисторы

Основная функция малосигнальных транзисторов заключается в усилении слабых сигналов, но иногда эти транзисторы также используются для целей переключения. Транзисторы с малым сигналом доступны на рынке в виде транзисторов NPN и PNP. Обычно мы можем видеть некоторое значение, напечатанное на корпусе малосигнального транзистора, которое указывает hFE транзистора.

В зависимости от этого значения hFE мы можем понять способность транзистора усиливать сигнал.Общедоступные значения hFE находятся в диапазоне от 10 до 500. Значение тока коллектора этих транзисторов составляет от 80 до 600 мА. Этот тип транзисторов работает в диапазоне частот от 1 до 300 МГц. Само название транзистора указывает на то, что эти транзисторы усиливают слабые сигналы, которые используют малые напряжения и токи, например, несколько милливольт и миллиампер тока.

Транзисторы с малым сигналом используются почти во всех типах электронного оборудования, а также эти транзисторы используются в нескольких приложениях, некоторые из них являются переключателями ВКЛ или ВЫКЛ для общего использования, драйвером светодиодного диода, драйвером реле, функцией отключения звука, схемами таймера, инфракрасным излучением. диодный усилитель, цепи питания смещения и т.д.

Малые переключающие транзисторы

Малые переключающие транзисторы — это те транзисторы, которые в основном используются для переключения, а иногда и для усиления. Как и транзисторы с малым сигналом, небольшие переключающие транзисторы также доступны в форме NPN и PNP, и эти типы транзисторов также имеют значения hFE.

Диапазон значений hFE для этих транзисторов составляет от 10 до 200. При значении hFE 200 транзисторы не являются хорошими усилителями, но они действуют как лучшие переключатели.Значения тока коллектора находятся в диапазоне от 10 до 1000 мА. Эти транзисторы используются в основном в переключающих устройствах.

 

Силовые транзисторы

Транзисторы, используемые в мощных усилителях и источниках питания, называются силовыми транзисторами. Вывод коллектора этого транзистора подключен к базе металлического устройства, и эта структура действует как радиатор, который рассеивает избыточную мощность для приложений.

Эти типы транзисторов доступны в виде транзисторов NPN, PNP и транзисторов Дарлингтона.Здесь значения тока коллектора находятся в пределах от 1 до 100 А. Диапазон рабочих частот от 1 до 100 МГц. Значения мощности этих транзисторов находятся в диапазоне от 10 до 300 Вт. Само название транзистора указывает на то, что силовые транзисторы используются в приложениях, где требуется большая мощность, высокое напряжение и большой ток.

 

Высокочастотные транзисторы

Высокочастотные транзисторы используются для слабых сигналов, работающих на высоких частотах, и используются в высокоскоростных коммутационных приложениях.Высокочастотные транзисторы также называются радиочастотными транзисторами.

Эти транзисторы имеют максимальные значения частоты около 2000 МГц. Значение тока коллектора (I C ) колеблется от 10 до 600 мА. Эти типы транзисторов также доступны в виде NPN и PNP. Они в основном используются в приложениях для высокочастотных сигналов, а также эти транзисторы должны быть включены или выключены только на высоких скоростях. Эти транзисторы используются в схемах генераторов и усилителей ВЧ, УКВ, УВЧ, CATV и MATV.

Фототранзистор

Фототранзисторы — это транзисторы, которые работают в зависимости от света, т. е. эти транзисторы чувствительны к свету. Простой фототранзистор — это не что иное, как биполярный транзистор, который содержит светочувствительную область вместо базовой клеммы.

Фототранзисторы имеют только 2 вывода вместо 3 (у BJT). Когда светочувствительная область темная, ток в транзисторе не течет, т. е. транзистор находится в выключенном состоянии.

Когда светочувствительная область подвергается воздействию света, на клемме базы генерируется небольшой ток, который вызывает протекание большого тока от коллектора к эмиттеру. Фототранзисторы доступны как в BJT, так и в FET транзисторах. Они называются фото-BJT и фото-FET.

В отличие от фото-биполярных транзисторов, фото-полевые транзисторы генерируют напряжение затвора с помощью света, который управляет протеканием тока между выводами стока и истока. Photo-FET более чувствительны к свету, чем photo-BJT.Символы для фото-BJT и фото-FET показаны выше.

Однопереходные транзисторы (UJT)

Однопереходные транзисторы

(UJT) используются только в качестве переключателей с электрическим управлением. Эти транзисторы не содержат каких-либо характеристик усиления из-за своей конструкции. Обычно это три ведущих транзистора, в которых два называются базовыми выводами, а третий называется эмиттером.

Теперь посмотрим на работу однопереходного транзистора.Если нет разности потенциалов между эмиттером и любой из клемм базы (B1 или B2), то между B1 и B2 протекает небольшой ток.

Если к клемме эмиттера приложено достаточное количество напряжения, то на клемме эмиттера генерируется большой ток, который добавляется к небольшому току между B1 и B2, что затем вызывает протекание большого тока в транзисторе.

Здесь ток эмиттера является основным источником тока для управления полным током в транзисторе.Ток между клеммами B1 и B2 очень мал, и по этой причине эти транзисторы не подходят для целей усиления.

 

Разница между BJT и FET: работа и их характеристики

BJT и FET — это два разных типа транзисторов, также известных как активные полупроводниковые устройства. Аббревиатура BJT — Bipolar Junction Transistor, а FET — полевой транзистор. BJTS и FETS доступны в различных корпусах в зависимости от рабочей частоты, тока, напряжения и номинальной мощности.Эти типы устройств позволяют в большей степени контролировать их работу. BJTS и FET могут использоваться в качестве переключателей и усилителей в электрических и электронных схемах. Основное различие между BJT и FET заключается в том, что в полевом транзисторе потоки переносит только основной заряд, тогда как в BJT текут как основные, так и неосновные носители заряда.


Разница между BJT и FET

Основное различие между BJT и FET обсуждается ниже, включая то, что такое BJT и FET, конструкцию и работу BJT и FET.

Что такое БЮТ?

BJT — это тип транзистора, в котором используются как основные, так и неосновные носители заряда. Эти полупроводниковые устройства доступны в двух типах, таких как PNP и NPN. Основная функция этого транзистора — усиление тока. Эти транзисторы можно использовать как переключатели и усилители. Применение BJT включает в себя широкий спектр электронных устройств, таких как телевизоры, мобильные телефоны, компьютеры, радиопередатчики, аудиоусилители и промышленное управление.

Биполярный переходной транзистор

Конструкция BJT

Транзистор с биполярным переходом состоит из двух p-n переходов.В зависимости от структуры BJT они подразделяются на два типа, такие как PNP и NPN. В NPN-транзисторе слабо легированный полупроводник P-типа помещен между двумя сильнолегированными полупроводниками N-типа. Точно так же транзистор PNP формируется путем размещения полупроводника N-типа между полупроводниками P-типа. Конструкция BJT показана ниже. Выводы эмиттера и коллектора в приведенной ниже структуре называются полупроводниками n-типа и p-типа, которые обозначаются буквами «E» и «C». В то время как оставшаяся клемма коллектора называется полупроводником p-типа и обозначается буквой «B».

Конструкция BJT

При подаче высокого напряжения в режиме обратного смещения как на клеммы базы, так и на клеммы коллектора. Это приводит к образованию области с высоким уровнем истощения на BE-переходе с сильным электрическим полем, которое останавливает дырки от B-терминала к C-терминалу. Всякий раз, когда клеммы E и B соединены с прямым смещением, направление потока электронов будет от терминала эмиттера к терминалу базы.

В базовом терминале некоторые электроны рекомбинируют с дырками, но электрическое поле на переходе B-C притягивает электроны.Большинство электронов в конечном итоге перетекают в клемму коллектора, создавая огромный ток. Поскольку поток сильного тока через клемму коллектора можно контролировать с помощью малого тока через клемму эмиттера.

Если разность потенциалов на BE-переходе невелика, то электроны не могут попасть в вывод коллектора, поэтому ток через вывод коллектора отсутствует. По этой причине в качестве переключателя также используется биполярный транзистор.PNP-переход также работает по тому же принципу, но базовая клемма изготовлена ​​из материала N-типа, а большинство носителей заряда в PNP-транзисторе представляют собой дырки.

Регионы BJT

BJT может работать в трех областях, таких как активная, отсечка и насыщение. Эти регионы обсуждаются ниже.

Транзистор открыт в активной области, тогда ток коллектора сравнивается и регулируется через ток базы, как IC = βIC. Он сравнительно нечувствителен к VCE.В этом регионе он работает как усилитель.

Транзистор выключен в области отсечки, поэтому между двумя выводами, такими как коллектор и эмиттер, нет передачи, поэтому IB = 0, поэтому IC = 0.

Транзистор открыт в области насыщения, поэтому ток коллектора изменяется чрезвычайно мало из-за изменения тока базы. VCE невелик и ток коллектора в основном зависит от VCE, а не в активной области.

БДТ Характеристики

Характеристики BJT включают следующее.

  • Сопротивление i/p BJT низкое, тогда как сопротивление o/p высокое.
  • BJT является шумным компонентом из-за наличия неосновных носителей заряда
  • BJT является биполярным устройством, потому что поток тока будет там из-за обоих носителей заряда.
  • Теплоемкость BJT низкая, поскольку в противном случае ток оттока меняет направление тока насыщения.
  • Легирование в терминале эмиттера максимальное, тогда как в базовом терминале низкое
  • Площадь клеммы коллектора в BJT больше по сравнению с FET

Типы BJT

Классификация BJT может быть выполнена на основе их конструкции, такой как PNP и NPN.

Транзистор PNP

В PNP-транзисторе между двумя слоями полупроводника p-типа зажат только слой полупроводника n-типа.

Транзистор NPN

В NPN-транзисторе между двумя слоями полупроводника N-типа зажат только слой полупроводника p-типа.

Что такое полевой транзистор?

Термин FET расшифровывается как полевой транзистор и также называется униполярным транзистором. FET — это один из типов транзисторов, в котором ток вывода управляется электрическими полями.Базовый тип FET полностью отличается от BJT. FET состоит из трех выводов, а именно выводов истока, стока и затвора. Носителями заряда этого транзистора являются дырки или электроны, которые текут от вывода истока к выводу стока через активный канал. Этот поток носителей заряда можно контролировать с помощью напряжения, приложенного к клеммам истока и затвора.

Полевой транзистор

Конструкция полевого транзистора

Полевые транзисторы делятся на два типа, такие как JFET и MOSFET.Эти два транзистора имеют схожие принципы. Конструкция p-канального полевого транзистора показана ниже. В p-канальном полевом транзисторе большинство носителей заряда текут от истока к стоку. Клеммы истока и стока обозначены буквами S и D.

Конструкция полевого транзистора

. Вывод затвора подключен в режиме обратного смещения к источнику напряжения, чтобы можно было сформировать обедненный слой в областях затвора и канала, по которым текут заряды. Всякий раз, когда обратное напряжение на выводе затвора увеличивается, обедненный слой увеличивается.Таким образом, он может остановить поток тока от терминала истока к терминалу стока. Таким образом, изменяя напряжение на клемме затвора, можно было управлять потоком тока от клеммы истока к клемме стока.

Регионы FET
Полевые транзисторы

работали в трех областях, таких как отсечка, активная и омическая области.

Транзистор будет выключен в области отсечки. Таким образом, между истоком и стоком нет проводимости, когда напряжение затвор-исток выше по сравнению с напряжением отсечки.(ID = 0 для VGS > VGS, выкл.)

Активная область также известна как область насыщения. В этой области транзистор открыт. Управление током стока может осуществляться через VGS (напряжение затвор-исток) и сравнительно нечувствительно к VDS. Итак, в этой области транзистор работает как усилитель.

Итак, ID = IDSS = (1-VGS/VGS,выкл)2

Транзистор активирован в Омической области; однако он работает как видеомагнитофон (резистор, управляемый напряжением).Когда VDS становится низким по сравнению с активной областью, ток стока приблизительно сравним с напряжением исток-сток и регулируется напряжением затвора. Итак, ID = IDSS

[2(1- VGS/ VGS,выкл.) (VDS/ -VGS,выкл.) – (VDS/ -VGS,выкл.)2]

В этом регионе

RDS = VGS,выкл./ 2IDss (VGS-VGS,выкл.) = 1/г

Типы полевых транзисторов

Существует два основных типа переходных полевых транзисторов, как показано ниже.

JFET – Переходной полевой транзистор

IGBT — полевой транзистор с изолированным затвором , более известный как MOSFET — полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника)

Характеристики полевого транзистора

Характеристики полевого транзистора включают следующее.

  • Входное сопротивление полевого транзистора выше 100 МОм
  • Когда полевой транзистор используется в качестве переключателя, он не имеет напряжения смещения
  • FET сравнительно защищен от излучения
  • FET — это устройство с мажоритарной несущей.
  • Является униполярным компонентом и обеспечивает высокую термическую стабильность
  • Обладает низким уровнем шума и больше подходит для входных каскадов усилителей низкого уровня.
  • Обеспечивает более высокую термическую стабильность по сравнению с BJT.

Разница между BJT и FET

Разница между BJT и FET представлена ​​в следующей табличной форме.

. . . Полевые транзисторы
БДЖТ

ФЕТ

BJT означает биполярный переходной транзистор, поэтому это биполярный компонент FET обозначает полевой транзистор, поэтому это однопереходный транзистор
BJT имеет три клеммы, такие как база, эмиттер и коллектор FET имеет три клеммы, такие как Drain, Source и Gate
Работа BJT в основном зависит как от носителей заряда, таких как большинство, так и от меньшинства Работа полевого транзистора в основном зависит от большинства носителей заряда, будь то дырки или электроны
Входной импеданс этого биполярного транзистора находится в диапазоне от 1 до 3 кОм, поэтому он намного меньше Входной импеданс полевого транзистора очень большой
BJT — устройство, управляемое током FET — это устройство, управляемое напряжением
BJT имеет шум FET имеет меньше шума
Изменение частоты BJT повлияет на его работу Его частотная характеристика высока
Зависит от температуры Обладает лучшей термостойкостью
Низкая стоимость Дорого
Размер BJT выше по сравнению с FET Малый размер FET
Имеет напряжение смещения Не имеет напряжения смещения
Прирост BJT больше Коэффициент усиления FET меньше
Высокое выходное сопротивление из-за высокого коэффициента усиления Низкий выходной импеданс из-за низкого коэффициента усиления
По сравнению с эмиттерной клеммой, как база, так и коллектор биполярного транзистора более положительны.

 

Его вывод стока положительный, а вывод затвора отрицательный по сравнению с истоком.
Его базовый вывод отрицателен по отношению к эмиттерному выводу. Его вывод затвора более отрицателен по сравнению с выводом источника.
Имеет высокий коэффициент усиления по напряжению Имеет низкий коэффициент усиления по напряжению
Имеет меньший коэффициент усиления по току Имеет высокий коэффициент усиления по току
Среднее время переключения BJT Быстрое время переключения полевого транзистора
Простое смещение биполярного транзистора Смещение полевого транзистора затруднено
BJT потребляет меньше тока Полевые транзисторы потребляют меньшее количество напряжения
BJT применимы для слаботочных приложений. применимы для приложений с низким напряжением.
BJT потребляют большую мощность Полевые транзисторы потребляют мало энергии
BJT имеют отрицательный температурный коэффициент BJT имеют положительный температурный коэффициент

Ключевое различие между BJT и FET

  • Транзисторы с биполярным переходом являются биполярными устройствами, в этом транзисторе имеется поток как основных, так и неосновных носителей заряда.
  • Полевые транзисторы являются униполярными приборами, в этом транзисторе есть только основные потоки носителей заряда.
  • Биполярные транзисторы с управлением по току.
  • Полевые транзисторы управляются напряжением.
  • Во многих приложениях используются полевые транзисторы, а не транзисторы с биполярным переходом.
  • Транзисторы с биполярным переходом
  • состоят из трех выводов, а именно эмиттера, базы и коллектора. Эти клеммы обозначены буквами E, B и C.
  • Полевой транзистор состоит из трех выводов, а именно истока, стока и затвора.Эти клеммы обозначаются буквами S, D и G.
  • Входное сопротивление полевых транзисторов имеет высокое по сравнению с биполярными транзисторами.
  • Производство полевых транзисторов можно уменьшить, чтобы сделать их эффективными при разработке коммерческих схем. В основном полевые транзисторы доступны в небольших размерах и занимают мало места на кристалле. Меньшие устройства более удобны в использовании и просты в использовании. BJT больше, чем FET.
  • Полевые транзисторы
  • , особенно полевые МОП-транзисторы, более дороги в разработке по сравнению с биполярными транзисторами.
  • Полевые транзисторы
  • более широко используются в различных приложениях, они могут быть изготовлены в небольших размерах и потребляют меньше энергии. BJT применимы в электронике для хобби, бытовой электронике и обеспечивают высокий коэффициент усиления.
  • Полевые транзисторы
  • обеспечивают ряд преимуществ для коммерческих устройств в крупных отраслях промышленности. Как только он используется в потребительских устройствах, они предпочтительнее из-за их размера, высокого импеданса i/p и других факторов.
  • Одна из крупнейших компаний по разработке микросхем, такая как Intel, использует полевые транзисторы для питания миллиардов устройств по всему миру.
  • BJT требуется небольшой ток для включения транзистора. Тепло, рассеиваемое на биполярных транзисторах, останавливает общее количество транзисторов, которые можно изготовить на чипе.
  • Всякий раз, когда клемма «G» полевого транзистора заряжается, больше не требуется ток для поддержания транзистора во включенном состоянии.
  • BJT отвечает за перегрев из-за отрицательного температурного коэффициента.
  • FET имеет температурный коэффициент +Ve для предотвращения перегрева.
  • BJT применимы для слаботочных приложений.
  • FETS применимы для приложений низкого напряжения.
  • Полевые транзисторы
  • имеют коэффициент усиления от низкого до среднего.
  • BJT имеют более высокую максимальную частоту и более высокую частоту среза.
Почему FET предпочтительнее BJT?
  • Полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление по сравнению с биполярными транзисторами. Коэффициент усиления полевых транзисторов меньше по сравнению с биполярными транзисторами.
  • FET генерирует меньше шума
  • Эффект излучения FET меньше.
  • Напряжение смещения полевого транзистора равно нулю при нулевом токе стока, поэтому он представляет собой выдающийся прерыватель сигнала.
  • Полевые транзисторы
  • более устойчивы к температуре.
  • Это чувствительные к напряжению устройства, в том числе с высоким входным сопротивлением.
  • Входной импеданс полевого транзистора выше, поэтому его предпочтительно использовать как i/p каскад в многокаскадном усилителе.
  • Один класс полевых транзисторов производит меньше шума
  • Изготовление полевого транзистора простое
  • Полевой транзистор
  • работает как переменный резистор, управляемый напряжением, при малых значениях напряжения сток-исток.
  • Они не чувствительны к радиации.
  • Мощные полевые транзисторы
  • рассеивают большую мощность, а также могут коммутировать большие токи.
Что быстрее BJT или FET?
  • Для управления маломощными светодиодами и тех же устройств от MCU (Micro Controllers Unit) BJT очень подходят, поскольку BJT могут переключаться быстрее по сравнению с MOSFET из-за низкой емкости на управляющем выводе.
  • МОП-транзисторы
  • используются в приложениях большой мощности; поскольку они могут переключаться быстрее по сравнению с BJT.
  • В импульсных источниках питания
  • MOSFET используются небольшие катушки индуктивности для повышения эффективности.

Таким образом, это все о сравнении BJT и FET, включая то, что такое BJT и FET, конструкцию BJT, конструкцию FET, различия между BJT и FET. Оба транзистора, такие как BJT и FET, были разработаны с использованием различных полупроводниковых материалов, таких как P-тип, а также N-тип. Они используются в конструкции переключателей, усилителей, а также генераторов. Мы надеемся, что вы лучше поняли эту концепцию. Кроме того, любые вопросы, касающиеся этой концепции или проектов в области электроники, просим комментировать в разделе комментариев ниже.Вот вопрос к вам, каковы приложения BJT и FET?

Фото:

Полевой транзистор (FET): Работа и его применение

FET означает полевой транзистор. Эти транзисторы предназначены для преодоления недостатков транзисторов с биполярным переходом. Поскольку базовые транзисторы имеют эмиттерный переход в режиме прямого смещения, это позволяет устройству работать на низких уровнях импеданса. Это вносит значительный уровень шума.Полевые транзисторы обладают всеми характеристиками, которые могут преодолеть недостатки транзисторов с биполярным переходом и могут стать хорошей заменой электронных ламп, а также биполярных транзисторов. Он также состоит из трех терминалов. Но эти клеммы называются истоком, стоком и затвором.

Эти полевые транзисторы известны своими униполярными характеристиками. Причина его характеристик заключается в том, что работа этого транзистора зависит от концентрации либо дырок, либо электронных носителей. Полевые транзисторы также могут использоваться в схемах переключения, схемах буферного усиления и в интегральных схемах.

Что такое полевой транзистор?

Транзистор, который способен передавать сигналы от высокого сопротивления к низкому сопротивлению так же, как биполярные транзисторы, но преодолевая его недостатки униполярным способом, определяется как полевой транзистор (FET).

FET сконструирован таким образом, что существуют три вывода, известные как исток, затвор и сток. Эти клеммы отвечают за влияние большинства несущих, снабжая их возможными источниками напряжения.Это приводит к генерации тока. Поток тока можно контролировать, подавая напряжение, подтверждая характеристики того, что это устройство, управляемое напряжением.

Типы полевых транзисторов

В зависимости от конструкции полевые транзисторы классифицируются как

(1) Полевой транзистор с переходом (JFET)

Работа этих JFET основана на каналах, образованных между клеммами. Канал может быть как n-типа, так и p-типа. Из-за канала n-типа он называется n-канальным JFET, а из-за сформированного канала p-типа он называется p-канальным JFET.

Обозначение N-канального JFET

Рабочий JFET

Конструкция JFET аналогична конструкции BJT, он может быть изготовлен из материалов n-типа и p-типа. N-тип помещается между p-типами или p-типы помещаются между n-типами. Как и транзисторы N-P-N и P-N-P, сформированные в BJT, они также сформированы в FET. Эти JFET состоят из канала, который может быть n- или p-типа.

Обозначение P-канального JFET

  • В зависимости от канала он известен как n-канальный JFET или p-канальный JFET.
  • Для n-канального полевого транзистора положительная сторона подключается к клемме истока.
  • Вывод стока получает самый высокий потенциал по сравнению с затвором в этом n-канальном полевом транзисторе.
  • Соединение, образованное из-за взаимодействия стока и клеммы затвора, будет иметь обратное смещение.
  • По этой причине ширина области обеднения вблизи стока больше по сравнению с истоком.
  • Из-за этого условия большинство носителей заряда, представляющих собой поток электронов, можно увидеть от выводов стока к истоку.
  • Поскольку этот потенциал на стоке имеет тенденцию к увеличению, увеличивается поток носителей, увеличивается и поток тока.
  • Но при некотором увеличении напряжений на стоке и истоке подача тока прекращается.
  • JFET широко известен своими характеристиками управления током путем подачи входного напряжения.
  • Значение входного импеданса в этом транзисторе находится на пике.
  • Когда полевой транзистор JFET находится в идеальном режиме, на клемме затвора нет текущих данных.

Так работает n-канальный JFET. Только изменение полярности источников питания заставляет полевой транзистор работать как p-канальный JFET.

(2) Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор)

Работа МОП-транзисторов основана на каналах, которые уже существуют или образуются при приложении напряжения. На основе этих режимов работы МОП-транзисторы далее классифицируются на режим истощения и режим улучшения . В режиме расширения канал индуцируется за счет приложения напряжения на затворе, но в режиме истощения полевой МОП-транзистор работает благодаря уже существующему в нем каналу.

MOSFET

Типы MOSFET:

Модель истощения MOSFET также подразделяется на n-тип и p-тип. Единственная разница между ними заключается в осаждении субстратов. Из-за концентрации носителей, которые предпочтительно составляют большинство, происходит образование области, называемой истощением. Эта ширина истощения отвечает за эффект проводимости.

В расширенном режиме, когда на клемму затвора подается напряжение, превышающее пороговое напряжение, канал формируется.Это может быть n-тип для субстрата P-типа и p-тип для подсостояния N-типа. На основе режима расширения канала классифицируется как N-тип Enhancement MOSFET и P-тип Enhancement MOSFET . Полевой МОП-транзистор с усилением используется чаще, чем с истощением.

Смещение

Смещение полевого транзистора также выполняется как смещение транзистора. Это может быть фиксированное смещение, самосмещение и смещение потенциального делителя.

(1) Фиксированное смещение

Фиксированное смещение в полевом транзисторе можно получить, подав напряжение батареи.Затвор клеммы должен соединяться с отрицательным полюсом батареи, и через резистор не должно протекать ток.

(2) Самосмещение

Как следует из названия, если для схемы не предусмотрено внешнее питание. Этот тип предвзятости известен как самопредвзятость. Любые изменения значений крутизны, отражающие искажение рабочей точки. Этими параметрами можно управлять, и на них нелегко повлиять при самосмещении.

(3) Делитель потенциала смещения

Схема снабжена питанием на входе, но два резистора подключены таким образом, что напряжение на входе делится с помощью резисторов.Следовательно, эта схема называется делителем потенциала.
Эти методы смещения выбираются исходя из необходимости и приращения значений проводимости.

Характеристики

Характеристики полевых транзисторов в основном зависят от различных рабочих областей. Области: омические, насыщение, отсечка и область пробоя.

(1) Омическая область

Область, в которой крутизна показывает линейную характеристику, а ток на клеммном затворе противостоит сопротивлению, называется омической областью.

(2) Область насыщения

В этой области устройство полностью включено. В этом состоянии максимальный ток протекает через транзистор в установившемся режиме.

(3) Зона отсечки

В этой области не должно быть заметно протекания тока через транзистор. Поэтому его называют устройством в выключенном состоянии.

(4) Область пробоя

Когда приложенное напряжение превышает условие максимального значения напряжения, транзистор входит в состояние пробоя, что указывает на то, что транзистор сопротивляется протеканию тока.

Области применения

Применение полевых транзисторов:

  1.  Для приложений с низким уровнем шума предпочтительнее использовать эти типы транзисторов.
  2.  Полевые транзисторы имеют предпочтительное использование при применении в качестве буфера.
  3. Используются в каскадных усилителях.
  4. Главной особенностью этого является низкая входная емкость.
  5.  Для аналогового переключения предпочтительнее полевой транзистор.
  6. Рекомендуется для колебательных контуров.
  7. Для цепей ограничения тока предпочтительны JFET.

Таким образом, полевые транзисторы находят множество применений. Это может быть JFET или MOSFET, оба имеют множество применений, основанных на его сильно унифицированных характеристиках. Каждый из них предпочтителен в качестве переключателей и может использоваться в усилителях и т. д.

FET в качестве переключателя

FET можно использовать в качестве одного из применений переключения, поскольку он может работать как в полностью включенном, так и в полностью выключенном состоянии. Подобно биполярным транзисторам, полевой транзистор также состоит из активной области, области отсечки и области насыщения, как упоминалось выше.

Поскольку напряжение на стыке затвора и истока равно нулю, то рабочее состояние полевого транзистора находится в состоянии насыщения, поскольку через него протекает максимальный ток. Когда приложенное напряжение меньше напряжения включения или более отрицательное.

Тогда считается, что рабочая область полевого транзистора находится в режиме отсечки. При его работе в области отсечки явное протекание тока по цепи отсутствует. Это причины, по которым полевой транзистор работает как переключатель.Когда полевой транзистор подключен к нагрузке параллельно, он действует как аналоговый переключатель. Полевые транзисторы также могут быть соединены последовательно, чтобы действовать как последовательный переключатель.

Таким образом, основная работа полевого транзистора, его типы и методы смещения обсуждались выше. Полевой транзистор с переходом — это первая классификация полевых транзисторов, которая классифицируется на основе переходов, образованных -типом или p-типом. Эта классификация полевых транзисторов на основе сформированных каналов известна как полевые МОП-транзисторы.

Пожалуйста, обратитесь к этой ссылке для полевых транзисторов MCQ

После анализа типов полевых транзисторов вы можете описать, какой из них лучше и наиболее предпочтителен среди JFET и MOSFET?

Введение в полевые транзисторы с переходом (JFET) | Переходные полевые транзисторы

Транзистор представляет собой линейное полупроводниковое устройство, которое управляет током с помощью электрического сигнала малой мощности. Транзисторы можно условно разделить на две основные группы: биполярные и полевые.В предыдущей главе мы изучали биполярные транзисторы, которые используют малый ток для управления большим током. В этой главе мы познакомимся с общей концепцией полевого транзистора — устройства, использующего малое напряжение для управления током, — а затем сосредоточимся на одном конкретном типе: полевом транзисторе с переходом. В следующей главе мы рассмотрим еще один тип полевых транзисторов — вариант с изолированным затвором.

Все полевые транзисторы являются униполярными, а не биполярными устройствами.То есть основной ток через них состоит либо из электронов через полупроводник N-типа, либо из дырок через полупроводник P-типа. Это становится более очевидным, когда видишь физическую схему устройства:

N-канальный JFET

В переходном полевом транзисторе или JFET управляемый ток проходит от истока к стоку или от стока к истоку, в зависимости от обстоятельств. Управляющее напряжение подается между затвором и истоком. Обратите внимание, что ток не должен пересекать PN-переход на пути между истоком и стоком: путь (называемый каналом) представляет собой непрерывный блок полупроводникового материала.На только что показанном изображении этот канал представляет собой полупроводник N-типа. Также производятся канальные полевые транзисторы P-типа:

P-канальный JFET

Как правило, N-канальные полевые транзисторы используются чаще, чем P-канальные. Причины этого связаны с малоизвестными деталями теории полупроводников, которые я не хотел бы обсуждать в этой главе. Как и в случае с биполярными транзисторами, я считаю, что лучший способ представить использование полевых транзисторов — это по возможности избегать теории и вместо этого сосредоточиться на рабочих характеристиках.Единственная практическая разница между N- и P-канальными полевыми транзисторами JFET, о которой вам следует сейчас побеспокоиться, — это смещение PN-перехода, образованного между материалом затвора и каналом.

При отсутствии напряжения между затвором и истоком канал представляет собой широко открытый путь для протекания тока. Однако, если между затвором и истоком подается напряжение такой полярности, что оно смещает PN-переход в обратном направлении, поток между соединениями истока и стока становится ограниченным или регулируемым, как это было для биполярных транзисторов с заданной величиной базового тока.Максимальное напряжение затвор-исток «отсекает» весь ток через исток и сток, тем самым переводя полевой транзистор JFET в режим отсечки. Такое поведение связано с тем, что обедненная область PN-перехода расширяется под действием напряжения обратного смещения, в конечном итоге занимая всю ширину канала, если напряжение достаточно велико. Это действие можно сравнить с уменьшением потока жидкости через гибкий шланг путем его сдавливания: при достаточном усилии шланг сожмется настолько, что полностью заблокирует поток.

Обратите внимание, что такое рабочее поведение полностью противоположно биполярному переходному транзистору. Биполярные транзисторы являются нормально закрытыми устройствами: ток через базу отсутствует, ток через коллектор или эмиттер отсутствует. JFET, с другой стороны, являются нормально включенными устройствами: отсутствие напряжения, подаваемого на затвор, обеспечивает максимальный ток через исток и сток. Также обратите внимание, что величина тока, проходящего через JFET, определяется сигналом напряжения, а не сигналом тока, как в биполярных транзисторах.Фактически, при обратном смещении PN-перехода затвор-исток ток через затвор должен быть почти нулевым. По этой причине мы классифицируем JFET как устройство, управляемое напряжением, а биполярный транзистор — как устройство, управляемое током.

Если PN-переход затвор-исток смещен в прямом направлении с небольшим напряжением, канал JFET «откроется» немного больше, чтобы пропустить большие токи. Однако PN-переход полевого транзистора JFET сам по себе не рассчитан на то, чтобы выдерживать какой-либо значительный ток, и поэтому ни при каких обстоятельствах не рекомендуется смещать переход в прямом направлении.

Это очень сжатый обзор работы JFET. В следующем разделе мы рассмотрим использование полевого транзистора JFET в качестве переключающего устройства.

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ТАБЛИЦЫ:

Классификация, конфигурация, применение и преимущества Транзистор

изначально назывался «транзитным резистором» или «переходным резистором». Это элементарная единица электронных схем. Они настолько интенсивно используются, что вы не можете представить печатную плату без этого компонента. В этой статье речь пойдет о том, что такое транзистор, его конфигурация, классификация, принцип работы, области применения, преимущества и недостатки.

Что такое транзистор

Транзисторы представляют собой электронные устройства, которые являются основным и основным компонентом любых электронных схем. Раньше транзисторы делались из германия, чувствительного к температуре, и постепенно их заменяли кремнием. Кремниевые транзисторы дешевле в производстве. Они являются элементарными единицами микрочипов и компьютеров.

Рис. 1. Физический вид транзистора

Его также можно определить как устройство с тремя выводами, которое состоит из трех отдельных слоев, где два одинаковых слоя находятся между слоями противоположного типа, называемыми «транзисторами».

Слои могут быть двух типов «P», между которыми находится один тип «N», или два слоя «N», между которыми находится один тип «P», как показано на рис. 2. Левый терминал называется Излучателем, правый терминал называется Коллектором, а область посередине называется Базой.

Классификация транзисторов

в первую очередь транзисторы имеют три типа, а именно:

  • точечный контакт транзистор
  • транзистор полевых эффектов (FET)
  • биполярный соединительный трансционный транзистор (BJT)

2 – Классификация транзисторов

Транзистор с точечным контактом

Это были первые изобретенные транзисторы, в которых в качестве полупроводника использовался германий, и через него проходили два провода из фосфористой бронзы. Импульсы сильного тока использовались для плавления проводов, и это вызвало диффузию фосфора из проводов в германий, что создало области P-типа вокруг точек. Образовалась PNP-структура, обладающая отрицательным сопротивлением.

Полевой транзистор (FET)

Полевые транзисторы представляют собой три оконечных устройства с затвором, истоком, стоком и подложкой, которые считаются четвертым выводом.Это устройства, управляемые напряжением, которые контролируют размер и форму канала. Поскольку они работают на одном канале, они помечены как униполярные транзисторы. Кроме того, они классифицируются как:

JFET

J соединение G ate F поле- E влияние Ток транзистора, который полностью не требует напряжения смещения и три транзистора. Они называются устройствами режима истощения, имеющими каналы N-типа и P-типа.

MOSFET MOSFET

M ETAL O Xide S Ilicon F Ilicon F Ilicon E FFECT T Ransistor также является однополярным транзистором, имеющим ворота, источник, слив и субстрат. Двумя режимами работы MOSFET являются режим расширения и режим истощения с каналами N-типа и P-типа.

Транзистор с биполярным переходом (BJT)

Транзистор с переходом обычно называют BJT или биполярным транзистором с тремя выводами: эмиттер, база и коллектор.Ток управляет транзисторами, то есть небольшой ток, протекающий через базу, вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору. BJT включается входным током, который подается на базу.

Они дополнительно классифицированы как:

    • NPN транзисторов
    • PNP транзисторов

    Рис. 3 — Базовая структура и цепь Символ NPN — PNP Транзисторы

    NPN транзистор NPN транзистор

    Транзистор NPN представляет собой тип BJT, который состоит из трех слоев, в которых слой с примесью P расположен между двумя слоями с примесью N.

    Транзистор PNP

    Транзистор PNP представляет собой тип BJT, который состоит из трех слоев, в которых слой с примесью N расположен между двумя слоями с примесью P.

    Конфигурации цепи транзистора

    Транзистор имеет три вывода, а именно выводы эмиттера, базы и коллектора, но когда он подключен к цепи, требуются четыре вывода. Две клеммы необходимы для входа и две другие для вывода. Следовательно, одна клемма транзистора является общей как для входной, так и для выходной клеммы.Эмиттер и коллектор неизменно имеют прямое и обратное смещение соответственно.

    Существует три способа подключения транзистора к цепи, а именно:

    • Соединение с общей базой (цепь с общей базой)
    • Соединение с общим эмиттером (схема с общим эмиттером)
    • Соединение с общим коллектором (схема с общим коллектором)

    Схема с общей базой

    Как видно из названия, схема этого типа имеет общую базу как для входа, так и для выхода.Входной сигнал подается между эмиттером и базой, а выходной сигнал поступает от коллектора и базы. В этом типе схемы ток эмиттера (I E ), который также является входным током, высок. Следовательно, входное сопротивление низкое.

    Рис. 4 – Цепь с общей базой

    Из-за обратного напряжения на коллекторе выходное сопротивление высокое. Соединение с общей базой редко используется, так как оно не имеет текущего усиления.

    Схема с общим эмиттером

    Это наиболее широко используемая схема во всех транзисторных приложениях.Эта схема, как показано на рис. 5, имеет общий эмиттер как для входа, так и для выхода. Входной сигнал подается между базой и эмиттером, а выходной сигнал поступает от коллектора и эмиттера. Из-за малого базового тока (I B ) входное сопротивление очень велико. Рис. 5. Схема с общим эмиттером .Коэффициент усиления по напряжению в этой схеме высокий.

    Общая схема коллектора

    В схеме этого типа, как показано на рис.6, коллектор является общим как для входа, так и для выхода. Входной сигнал подается между базой и коллектором, а выходной сигнал получается между эмиттером и коллектором.

    Рис. 6 – Цепь общего коллектора

    Входное сопротивление высокое, а выходное сопротивление низкое по сравнению с другими цепями. Прибавки по напряжению нет.Эта схема находит свое применение в согласовании импедансов.

    Как работает транзистор

    Чтобы понять принцип работы транзистора, рассмотрим NPN-транзистор, как показано на рис.6. Переход между эмиттером и базой известен как переход эмиттер-база, который смещен в прямом направлении. Точно так же соединение между базой и коллектором известно как соединение коллектор-база, которое имеет обратное смещение.

    Рис. 7 – Базовая схема из Транзистор NPN

    Прямое смещение заставляет электроны или ток в эмиттере N-типа течь к базе.Эмиттер сильно легирован, так что большое количество носителей заряда (электронов) внедряется в базовую область. Этот ток из области эмиттера называется током эмиттера I E . Поскольку ток протекает через базу P-типа, небольшое количество электронов объединяется с дырками. Это составляет базовый ток I B . База очень тонкая и слегка легированная, что помогает оставшимся носителям заряда перемещаться в область коллектора.

    Обратное смещение коллектора притягивает электроны.Коллектор умеренно легирован и позволяет остальным электронам проходить через него. Следовательно, мы можем заключить, что ток эмиттера представляет собой сумму тока базы и тока коллектора, т.е. I E = I B + I C

    Применение транзистора

    Применение включает:

    4 90 используются в генераторах и модуляторах в качестве усилителей.
  • Используются в цифровых схемах в качестве переключателей.
  • Транзисторы используются в радиочастотных цепях для беспроводных систем.
  • Транзисторные переключатели используются в охранной сигнализации, промышленных схемах управления, памяти и микропроцессорах.
  • Они используются в драйвере Sub Wordline Driver (SWD) для создания низкочастотных токов.
  • МОП-транзисторы используются в схемах прерывателя.
  • JFET , МОП-транзистор может выступать в качестве пассивного элемента, такого как резистор.

Преимущества Транзистор

Преимущества:

  • Транзисторы имеют компактные размеры.
  • Они обеспечивают высокий коэффициент усиления по напряжению и требуют меньшего напряжения питания.
  • Не требуют нагрева, так как не имеют нити накала.
  • Срок службы транзисторов выше, чем у электронных ламп.
  • Упрощено управление цепями высокой мощности.
  • Схема проще.

Недостатки Транзистор

Недостатки:

  • Ток утечки усиливается в цепи с общим эмиттером.
  • Имеют меньшую рассеиваемую мощность менее 300 Вт.
  • Транзисторы, за исключением FET (полевых транзисторов), имеют низкий входной импеданс.
  • Они зависят от температуры.
  Читайте также: 
 Однопереходный транзистор  (UJT) - конструкция, работа, характеристики и применение
Транзистор PNP — принцип работы, характеристики и применение
Фильтр верхних частот — типы, области применения, преимущества и недостатки  

%PDF-1.3 % 3693 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 3693 210 0000000016 00000 н 0000004575 00000 н 0000004826 00000 н 0000004968 00000 н 0000005026 00000 н 0000005164 00000 н 0000020500 00000 н 0000021042 00000 н 0000021112 00000 н 0000021201 00000 н 0000021365 00000 н 0000021472 00000 н 0000021530 00000 н 0000021624 00000 н 0000021725 00000 н 0000021783 00000 н 0000021910 00000 н 0000021968 00000 н 0000022075 00000 н 0000022133 00000 н 0000022248 00000 н 0000022306 00000 н 0000022415 00000 н 0000022473 00000 н 0000022583 00000 н 0000022641 00000 н 0000022778 00000 н 0000022836 00000 н 0000023010 00000 н 0000023068 00000 н 0000023197 00000 н 0000023254 00000 н 0000023385 00000 н 0000023443 00000 н 0000023501 00000 н 0000023566 00000 н 0000023681 00000 н 0000023746 00000 н 0000023884 00000 н 0000023983 00000 н 0000024085 00000 н 0000024211 00000 н 0000024326 00000 н 0000024391 00000 н 0000024447 00000 н 0000024512 00000 н 0000024632 00000 н 0000024702 00000 н 0000024805 00000 н 0000024870 00000 н 0000024927 00000 н 0000024984 00000 н 0000025040 00000 н 0000025110 00000 н 0000025170 00000 н 0000025230 00000 н 0000025287 00000 н 0000025365 00000 н 0000025511 00000 н 0000025731 00000 н 0000025996 00000 н 0000027001 00000 н 0000027024 00000 н 0000028245 00000 н 0000028462 00000 н 0000041670 00000 н 0000041808 00000 н 0000042091 00000 н 0000042356 00000 н 0000042638 00000 н 0000042903 00000 н 0000044017 00000 н 0000044040 00000 н 0000045261 00000 н 0000045478 00000 н 0000058686 00000 н 0000059795 00000 н 0000059818 00000 н 0000061039 00000 н 0000061256 00000 н 0000074464 00000 н 0000075551 00000 н 0000075574 00000 н 0000076795 00000 н 0000077012 00000 н 00000

00000 н 00000 00000 н 00000

  • 00000 н 00000
  • 00000 н 0000091312 00000 н 0000092414 00000 н 0000092437 00000 н 0000093658 00000 н 0000093875 00000 н 0000107083 00000 н 0000108184 00000 н 0000108207 00000 н 0000109428 00000 н 0000109645 00000 н 0000122853 00000 н 0000123939 00000 н 0000123962 00000 н 0000125183 00000 н 0000125400 00000 н 0000138608 00000 н 0000138890 00000 н 0000139152 00000 н 0000139431 00000 н 0000139693 00000 н 0000140667 00000 н 0000140690 00000 н 0000141879 00000 н 0000142095 00000 н 0000172018 00000 н 0000172992 00000 н 0000173015 00000 н 0000174204 00000 н 0000174420 00000 н 0000204343 00000 н 0000205297 00000 н 0000205320 00000 н 0000206509 00000 н 0000206725 00000 н 0000236648 00000 н 0000236930 00000 н 0000237192 00000 н 0000237471 00000 н 0000237733 00000 н 0000238704 00000 н 0000238727 00000 н 0000239916 00000 н 0000240132 00000 н 0000270055 00000 н 0000271025 00000 н 0000271048 00000 н 0000272237 00000 н 0000272453 00000 н 0000302376 00000 н 0000303328 00000 н 0000303351 00000 н 0000304540 00000 н 0000304756 00000 н 0000334679 00000 н 0000335238 00000 н 0000335717 00000 н 0000351647 00000 н 0000351991 00000 н 0000352363 00000 н 0000352838 00000 н 0000353241 00000 н 0000356527 00000 н 0000356935 00000 н 0000357230 00000 н 0000361806 00000 н 0000362306 00000 н 0000362731 00000 н 0000373566 00000 н 0000373900 00000 н 0000374348 00000 н 0000374371 00000 н 0000375182 00000 н 0000375205 00000 н 0000375920 00000 н 0000375943 00000 н 0000376643 00000 н 0000376666 00000 н 0000377325 00000 н 0000377348 00000 н 0000378035 00000 н 0000378058 00000 н 0000378801 00000 н 0000379365 00000 н 0000395295 00000 н 0000395774 00000 н 0000396199 00000 н 0000396674 00000 н 0000407509 00000 н 0000407955 00000 н 0000408299 00000 н 0000408709 00000 н 0000409004 00000 н 0000412290 00000 н 0000412787 00000 н 0000413190 00000 н 0000417766 00000 н 0000418138 00000 н 0000418472 00000 н 0000418495 00000 н 0000419236 00000 н 0000419259 00000 н 0000419538 00000 н 0000419589 00000 н 0000419647 00000 н 0000419696 00000 н 0000419747 00000 н 0000419805 00000 н 0000419914 00000 н 0000419965 00000 н 0000420120 00000 н 0000420572 00000 н 0000420684 00000 н 0000420839 00000 н 0000421291 00000 н 0000421403 00000 н 0000421558 00000 н 0000421623 00000 н 0000421679 00000 н 0000421746 00000 н 0000005207 00000 н 0000020475 00000 н трейлер ] >> startxref 0 %%EOF 3694 0 объект > эндообъект 3695 0 объект [\n%ׅ6Ģ{q0Z!/) / U ({ӭ8fLP Πh^E~l) /П-64 /В 1 >> эндообъект 3696 0 объект > эндообъект 3697 0 объект р ^) >> эндообъект 3698 0 объект > эндообъект 3901 0 объект > поток +\-Х; s’̖[email protected]$ ׎(|Q,lAA6ovAi72ы˜=&Y\TB/^O2}h2\[email protected]+KpNi\ =’bN0!l!mo̍fh*)D!rcbpsVJjUG LYT#38 «-57҉.
  • 0 comments on “Классификация полевых транзисторов: Классификация полевых транзисторов

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.