Унч на полевых транзисторах своими руками: Унч на полевых транзисторах своими руками. Усилители низкой частоты на полевых транзисторах. Принципиальная схема усилителя на полевых транзисторах

cxema.org — Мощный УМЗЧ на полевых транзисторах

Давно, еще года два назад, приобрел я старый советский динамик 35ГД-1. Несмотря на его первоначально плохое состояние, я его восстановил, покрасил в красивый синий цвет и даже сделал для него ящик из фанеры. Большая коробка с двумя фазоинверторами сильно улучшила его акустические качества. Осталось дело за хорошим усилителем, который будет качать эту колонку. Решил сделать не так, как делает большинство людей – купить готовый усилитель D–класса из Китая и установить его. Я решил сделать усилитель сам, но не какой-нибудь общепринятый на микросхеме TDA7294, да и вообще не на микросхеме, и даже не легендарный Ланзар, а очень даже редкий усилитель на полевых транзисторах. Да и в сети очень мало информации об усилителях на полевиках, вот и стало интересно, что это такое и как он звучит.


Сборка

Данный усилитель имеет 4 пары выходных транзисторов. 1 пара – 100 Ватт выходной мощности, 2 пары – 200 Ватт, 3 – 300 Ватт и 4, соответственно, 400 Ватт. Мне все 400 Ватт пока не нужны, но я решил поставить все 4 пары, дабы распределить нагрев и уменьшить рассеиваемую каждым транзистором мощность.

Схема выглядит так:

На схеме подписаны именно те номиналы компонентов, которые установлены у меня, схема проверена и работает исправно. Печатную плату прилагаю. Плата в формате Lay6.

Внимание! Все силовые дорожки обязательно залудить толстым слоем припоя, так как по ним будет течь весьма большой ток. Паяем аккуратно, без соплей, флюс отмываем. Силовые транзисторы необходимо установить на теплоотвод. Плюс данной конструкции в том, что транзисторы можно не изолировать от радиатора, а лепить все на один. Согласитесь, это здорово экономит слюдяные теплопроводящие прокладки, ведь на 8 транзисторов их ушло бы 8 штук (удивительно, но факт)! Радиатор является общим стоком всех 8 транзисторов и звуковым выходом усилителя, поэтому при установке в корпус не забудьте как-нибудь изолировать его от корпуса. Несмотря на отсутствие необходимости установки между фланцами транзисторов и радиатором слюдяных прокладок, это место необходимо промазать термопастой.

Внимание! Лучше сразу всё проверить перед установкой транзисторов на радиатор. Если вы прикрутите транзисторы к радиатору, а на плате будут какие либо сопли или непропаяные контакты, будет неприятно снова откручивать транзисторы и измазываться термопастой. Так что проверяйте всё сразу.

Биполярные транзисторы: T1 – BD139, T2 – BD140. Тоже нужно прикрутить к радиатору. Они греются не сильно, но все таки греются. Их тоже можно не изолировать от теплоотводов.

Итак, приступаем непосредственно к сборке. Детали располагаются на плате следующим образом:

Теперь я прилагаю фото разных этапов сборки усилителя. Для начала вырезаем кусок текстолита по размерам платы.

Затем накладываем изображение платы на текстолит и сверлим отверстия под радиодетали. Зашкуриваем и обезжириваем. Берем перманентный маркер, запасаемся изрядным количеством терпения и рисуем дорожки (ЛУТом делать не умею, вот и мучаюсь).

Далее кидаем плату в раствор хлорного железа и ждём, пока оно сделает своё дело. Затем вынимаем, оттираем маркер щёткой для сковород и плата готова.

Вооружаемся паяльником, берём флюс, припой и лудим.

Отмываем остатки флюса, берём мультиметр и прозваниваем на предмет замыкания между дорожками там, где его быть не должно. Если всё в норме, приступаем к монтажу деталей.
Возможные замены.
Первым делом я прикреплю список деталей:
C1 = 1u
C2, C3 = 820p
C4, C5 = 470u
C6, C7 = 1u
C8, C9 = 1000u
C10, C11 = 220n

D1, D2 = 15V
D3, D4 = 1N4148

OP1 = КР54УД1А

R1, R32 = 47k
R2 = 1k
R3 = 2k
R4 = 2k

R5 = 5k
R6, R7 = 33
R8, R9 = 820
R10-R17 = 39
R18, R19 = 220
R20, R21 = 22k
R22, R23 = 2.7k
R24-R31 = 0.22

T1 = BD139
T2 = BD140
T3 = IRFP9240
T4 = IRFP240
T5 = IRFP9240
T6 = IRFP240
T7 = IRFP9240
T8 = IRFP240
T9 = IRFP9240
T10 = IRFP240

Первым делом можно заменить операционный усилитель на любой другой, даже импортный, с аналогичным расположением выводов. Конденсатор C3 нужен для подавления самовозбуждения усилителя. Можно поставить и побольше, что я и сделал впоследствии. Стабилитроны любые на 15 В и мощностью от 1 Вт. Резисторы R22, R23 можно ставить исходя из расчета R=(Uпит.-15)/Iст., где Uпит. – напряжение питания, Iст. – ток стабилизации стабилитрона. Резисторы R2, R32 отвечают за коэффициент усиления. С данными номиналами он где то 30 – 33. Конденсаторы C8, C9 – емкости фильтра – можно ставить от 560 до 2200 мкФ с напряжением не ниже чем Uпит.* 1.2 дабы не эксплуатировать их на пределе возможностей. Транзисторы T1, T2 – любая комплементарная пара средней мощности, с током от 1 А, например наши КТ814-815, КТ816-817 или импортные BD136-135, BD138-137, 2SC4793-2SA1837. Истоковые резисторы R24-R31 можно ставить и на 2 Вт, хоть и нежелательно, с сопротивлением от 0.1 до 0.33 ом. Силовые ключи менять не желательно, хотя можно и IRF640-IRF9640 или IRF630-IRF9630; можно на транзисторы с аналогичными пропускаемыми токами, емкостями затворов и, разумеется, таким же расположением выводов, хотя если паять на проводках, значение это не имеет. Больше менять тут вроде и нечего.

Первый запуск и настройка.

Первый запуск усилителя производим через страховочную лампу в разрыв сети 220 В. Обязательно закорачиваем вход на землю и не подключаем нагрузку. В момент включения лампа должна вспыхнуть и погаснуть, причем погаснуть полностью: спираль не должна светиться вообще. Включаем, держим секунд 20, затем выключаем. Проверяем, нет ли нагрева чего-либо (хотя если лампа не горит, вряд ли что-нибудь греется). Если действительно ничего не греется, включаем снова и меряем постоянное напряжение на выходе: оно должно быть в пределах 50 – 70 мВ. У меня, к примеру, 61.5 мВ. Если всё в пределах нормы, подключаем нагрузку, подаём сигнал на вход и слушаем музыку. Не должно быть никаких помех, посторонних гулов и т. п. Если ничего этого нет, переходим к настройке.

Настраивается всё это дело крайне просто. Необходимо лишь выставить ток покоя выходных транзисторов с помощью вращения движка подстроечного резистора. Он должен быть примерно 60 – 70 мА для каждого транзистора. Делается это так же как и на Ланзаре. Ток покоя считается по формуле I = Uпад./R, где Uпад. – падение напряжения на одном из резисторов R24 – R31, а R – сопротивление этого самого резистора. Из этой формулы выводим напряжение падение на резисторе, необходимое для установки такого тока покоя. Uпад. = I*R. Например в моем случае это = 0.07*0.22 = где то 15 мВ. Ток покоя выставляется на “тёплом” усилителе, то есть радиатор должен быть тёплым, усилитель должен поиграть несколько минут. Усилитель прогрелся, отключаем нагрузку, закорачиваем вход на общий, берем мультиметр и проводим ранее описанную операцию.


Характеристики и особенности:

Напряжение питания – 30-80 В
Рабочая температура – до 100-120 град.
Сопротивление нагрузки – 2-8 Ом
Мощность усилителя – 400 Вт/4 Ом
КНИ – 0.02-0.04% при мощности 350-380 Вт
Коэффициент усиления – 30-33
Диапазон воспроизводимых частот – 5-100000 Гц

На последнем пункте стоит остановиться подробнее. Использование этого усилителя с шумящими тембрблоками, такими как TDA1524, может повлечь за собой необоснованное на первый взгляд потребление энергии усилителем. На самом деле это усилитель воспроизводит частоты помех, не слышные нашему уху. Может показаться, что это самовозбуждение, но скорее всего это именно помехи. Тут стоит отличать помехи, не слышимые ухом от реального самовозбуждения. Я сам столкнулся с этой проблемой. Изначально в качестве предварительного усилителя операционник TL071. Это очень хороший высокочастотный импортный ОУ с малошумящим выходом на полевых транзисторах. Он может работать на частотах до 4 МГц – этого с запасом хватает и для воспроизведения частот помех и для самовозбуждения. Что делать? Один хороший человек, спасибо ему огромное, посоветовал мне заменить операционник на другой, менее чувствительный и воспроизводящий меньший диапазон частот, который просто не может работать на частоте самовозбуждения. Поэтому я купил наш отечественный КР544УД1А, поставил и… ничего не поменялось. Это всё натолкнуло меня на мысль, что шумят переменные резисторы тембрблока. Движки резисторов немного “шуршат”, что и вызывает помехи. Убрал тембрблок и шум пропал. Так что это не самовозбуждение. С данным усилителем нужно ставить малошумящий пассивный тембрблок и транзисторный предусилитель дабы избежать вышеперечисленного.

Итоги

В результате получается хороший усилитель, который прекрасно воспроизводит как низкие, так и высокие частоты мало греется и работает в широком диапазоне питающих напряжений. Лично мне усилитель очень нравится. Осталось только соорудить для него предварительный усилитель, нормальный тембрблок и корпус, но об этом как-нибудь в другой раз.

Ниже прилагаю несколько фото готового усилителя.

На этом в принципе всё. Если остались какие-либо вопросы, задавайте их либо на форум VIP-CXEMA, либо мне на почту Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Автор: Дмитрий4202 

Симметричный УНЧ на полевых транзисторах IRF: 0jihad0 — LiveJournal

Промышленные модели неизменны многие десятилетия и при том бестолковы, хотя последнее время дело вроде пошло на поправку. Речь не о электролитах,  тороидальности трансформаторов и прочих обывательских бреднях, есть определённые функциональные недостатки.

Во-первых это опасно высокое напряжение на выходе для наушников и полное отсутствие какой либо их защиты. Если случайно установить громкость выше допустимого они просто горят, проверено.

Во вторых,  регулятор громкости общий,  приходится перед включением или отключением акустики его крутить.

Сами наушники не отключаемы, и если у них хорошая чувствительность есть хороший шанс познакомиться в ночи с участковым полицаем, включённую акустику можно и не заметить.

Неоправданно высокая чувствительность около 100мв, при том что выходное напряжение стандартных компонентов 1 —  2В. Перегруз на 10 часов рег. громкости это просто замечательно, особенно когда горят наушники.

Нулевая ремонтопригодность при низкой надёжности. Если отходит кнопка, а в моём DENON PMA 700AE это началось через пару лет, легче продать и забыть как страшный сон.
Эти недостатки должны быть устранены.

В качестве основы УМ выбрана зеркально симметричная схема. Её преимущества: ноль на выходе без балансировки, отсутствие переходного процесса на выходе, что позволило отказаться от коммутации выхода. Как показала практика искажения почему-то  сильно зависят от качества контакта.

Других серьёзных преимуществ схема не имеет, хотя нередко используется в топовых моделях, но это скорее из-за красивой симметричности.

На эту запись приходит достаточно много народу с поисковиков. Что-ж, усилители на полевых транзисторах достаточно популярны. Это одна из первых моих конструкций, достаточно неумелая. Вот что могу сказать учитывая приобретённый опыт: не стоит делать усилители на полевых транзисторах. Если  очень нужно, то выходные транзисторы применять одной структуры, но линейность будет всё равно хуже чем с биполярными. Если решает экономия —  КТ805/837 даст гораздо лучший результат, а IRF сейчас сплошная подделка.
Не стоит собирать симметричные схемы. Симметрия выглядит привлекательно, кажется такая схемотехника более линейна. Это ошибка новичка, всё ровно наоборот.

Схемы более качественных усилителей:

https://0jihad0.livejournal.com/28486.html

https://0jihad0.livejournal.com/30011.html

Конструкция

Цепочка c25r97 ограничивает ВЧ на входе. Устойчивость усилителя и стабилизация переходной характеристики достигается коррекцией конденсаторами с35 с43.

Полевые транзисторы применены исключительно из-за дешевизны. К гармоник с ними получется несколько меньше чем на биполярных из-за более высокого К передачи с разомкнутой ОС, но заметно растет с частотой, чего с человеческими транзисторами не наблюдается. Есть мнение, что с полевиками выходное напряжение меньше из-за большого напряжения исток-затвор, не подтвердилось, на биполярных при больших токах падение ещё больше.

На вч происходит перезаряд затворной ёмкости на пиках сигнала, но применение биполярного предоконечного повторителя ничего не даёт. Искажения снижаются резисторами в затворах, и конденсаторами в эмиттерных цепях УН, увеличивающих петлевое усиление на вч.

R123 замыкает петлю ОС без выходных транзисторов и нужен для пуско-наладочных целей.

Заметное снижение искажений дало отделение питания предоконечных каскадов при помощи диодов vd1vd2. Применение вместо них сопротивлений 100 ом бесполезно.

Основные технические характеристики:
Выходная мощность на 6 Ом при Кг не более 10%—————— 55 Вт
К гармоник при Uвых 5.5В, 1000Гц, 5 Ом, не более————— 0.03 %
Выходное напряжение на 6 Ом———————————— 18.5 В

Шумы измерить имеющимися средствам невозможно, но они довольно малы, субъективно не хуже чем у лучших промышленных образцов. УМ практически бесшумен.

Помехи с частотой сети отлично компенсируются и чрезвычайно малы.

Достоверно измерить параметры говеным кодеком ALC662 не выходит, поэтому измерения производились с телефоном самсунг галакси в качестве источника, удивительно, но это дало  лучшие результаты, хотя на спектрограммах в основном его гармоники. Так или иначе нужно мерять на нормальной аппаратуре, что пока невозможно.
Предварительные результаты
http://0jihad0.livejournal.com/3344.html
ТТХ сняты при токе покоя 75мА. Увеличение тока покоя выше 200мА снижает искажения на порядок, но требует большого радиатора. Практического смысла не имеет.

Меандр 28 КГЦ, размах 15В. Предварительный с фильтром радиопидараса + УМ.

Схема

Для защиты от радиопидараса US6IUP применён фильтр r8c3.

Предварительный усилитель на ОУ работает на высоких выходных напряжениях до 10В для получения минимальных искажений. Он же усилитель для наушников. Раздельные регуляторы громкости установлены на выходе. Регулятор для наушников группы А, других и нет. Громкость группы В. 50к тоже потому, что других нет. Резистивный делитель на входе УМ сильно снижает шорохи регулятора, замыкает вход для получения минимальных шумов, и позволяет отказаться от экранированных кабелей.


С выходов УМ и УП сигнал поступает на узел защиты от постоянного напряжения и перегрузки. Развязывающие сопротивления должны быть разными, на случай пробоя противоположных плеч, но тогда тоже не было, а сейчас лень.  Порог по переменному напряжению определяется постоянной времени r87c24 а по постоянному Ку оу da7 и не превышает 0.5В. Логика реализована на vt25vt26. Последний нормально открыт, реле к1 включено.Отрицательное напряжение с оу закрывает vt26, а положительное открывает vt25, который закрывает vt26, реле обесточивается, усилитель отключается от сети. Включение невозможно до разряда с24.

Триггерная защита от любых токовых перегрузок реализована на vt10.11.21.22.Так как скорость работы такой защиты очевидно не велика, она изначально предполагалась только по положительному полупериоду, но показала высокую эффективность, неоднократно спасая последние пары транзисторов, после чего была дополнена тем что было под рукой.

Все реле питаются от отдельного выпрямителя, нагруженного r75 для быстрого разряда ёмкости при отключении.

Коммутатор выполнен на  триггере dd1, и в дежурном режиме должен питаться от литиевой батарейки, но оказалось что заряда танталового с29 достаточно, чтобы поддерживать уровни втечение суток, батарея не используется. Для исключения потребления тока в дежурном режиме ключи выполнены на полевых транзисторах.

Конструктивно усилитель выполнен ввиде моноблока в стандартном польском корпусе.  Доступ к любой детали возможен без распайки. Малогабаритные радиаторы вынесены наружу, что в несколько раз уменьшает необходимую площадь, хотя, конечно, маловаты, максимальный разогрев 65град. Радиаторы соединены с корпусом через r99, таким образом реализуется «вонючая сигнализация» при замыкании транзистора на радиатор.

Катушки выполнены соединительным кабелем на оправках 5мм по 15 витков.

Витые трансы ТП и ТС всем хороши, кроме того что они гудят, из-за чего использовать их в более-менее приличной технике нельзя. Но если нет выбора то можно. Побороть гул удалось установкой на «амортизаторы» из какой-то вспененной резины из советских запасов, может полиуретана, толщиной 20мм. Современного аналога не встречал, ближе всего белая теплоизоляция от трубок кондиционеров, но она тоже сминается, а значит не годится.

платы:
http://edisk.ukr.net/get/373609927/%D0%B1%D0%BF.lay6
http://edisk.ukr.net/get/373609932/%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB.lay6
схема:
http://edisk.ukr.net/get/374508122/%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C.spl7


Унч на полевых транзисторах

B г. Речь шла o качестве н но новых ус и лительных приборах высокой и сверхвысокой частоты — так называемых полевых МОП-тра н зисторах c вертикальной структурой затвора. Оказалось, чт о полевые транзисторы большой мощности, разработанные для использова н ия в передатчиках высоких и сверхвысок и х частот, могут c усп е хом работать в усилителях м ощ н ости низкой частоты. На средних частотах искажен и я сигнала были настолько малы, что их трудно было измерить существующими измерительными приборами.


Поиск данных по Вашему запросу:

Унч на полевых транзисторах

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАК СДЕЛАТЬ ПРОСТОЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ (MOSFET) СВОИМИ РУКАМИ

Ультралинейный усилитель мощности (100 Вт/8 Ом)


В нашей редакционной почте нередки письма с просьбой о публикации описаний УМЗЧ на полевых транзисторах. Отвечая пожеланиям наших читателей, предлагаем несложный усилитель мощности.

Он отличается широкой полосой пропускания и линейностью даже при разомкнутой цепи общей ООС. Схемотехника усилителя позволяет при необходимости увеличить его выходную мощность или снизить допустимое сопротивление нагрузки. Описываемый УМЗЧ с мощными полевыми транзисторами отличается высокой температурной стабильностью, имеет малый ток покоя, не боится замыканий в нагрузке, достаточно устойчив и надежен.

К особенности предлагаемой конструкции можно отнести ограниченный выходной ток и в связи с этим необходимость использования громкоговорителей с номинальным сопротивлением 8 или 16 Ом. Основная особенность устройства — использование высокочастотных генераторных полевых транзисторов с горизонтальной структурой канала КПА. Как известно из [1], этот тип МДП транзисторов отличается относительно линейной передаточной характеристикой и высоким быстродействием. Однако сравнительно невысокая крутизна характеристики и повышенное сопротивление в открытом состоянии ограничивают максимальный ток транзистора.

Как выяснилось из экспериментов с транзисторами КПА, кривизна начального участка их проходной характеристики незначительна, и при токе покоя около 30 мА проходная характеристика выходного каскада уже достаточно линейна, поэтому коммутационные искажения оказываются очень низкими.

Относительно малые значения емкостей этих транзисторов позволяют отказаться от их форсированной перезарядки. Транзисторы серии КП перспективны и в качестве усилителя напряжения, так как дают значительное линейное усиление и быстродействие при отсутствии эффекта насыщения.

Благодаря их достаточно линейным характеристикам искажения в таком усилителе не имеют широкого спектра гармоник, который бывает с биполярными транзисторами.

Сам усилитель охвачен общей ООС средней глубины, которая на всех звуковых частотах практически не уменьшается. Коррекции «вперед» или «назад», вызывающие перегрузку на импульсном сигнале либо снижающие скоростные характеристики, в нем не использованы. Схема УМЗЧ приведена на рис. Применение составных транзисторов повышает линейность входного каскада и его входное сопротивление. Генератор тока каскада выполнен на VT5; диоды VD2, VD3 и резистор R11 задают его ток, а резистор R12 улучшает симметрию плеч каскада на высоких частотах.

Сам этот генератор питается напряжением, определяемым стабилитроном VD1. Дифференциальный усилитель при токе покоя 3 мА имеет спад коэффициента усиления на 1 дБ на частоте около кГц входная емкость последующего каскада — около пФ. С выхода первого каскада противофазные сигналы подведены к затворам мощных полевых транзисторов VT6, VT7 второго дифференциального каскада — основного усилителя напряжения.

Мощные транзисторы КПА здесь использованы потому, что при токе стока VT7 20 мА они имеют высокую крутизну характеристики и большое усиление: на частоте 20 кГц — около Каскад развивает напряжение до 25 Вэфф. Ток покоя подобран для обеспечения высокой скорости нарастания выходного напряжения и линейности. С выхода усилителя напряжения сигнал поступает на затвор мощного транзистора VT11 через эмиттерный повторитель на VT9, а на затвор нижнего транзистора VT12 выходного каскада он приходит через фазоинверсныи каскад, выполненный на VT Резистор R23 подобран таким образом, чтобы коэффициент передачи обоих плеч выходного каскада был строго одинаков.

Элементы L3, С23, R27, R28 обеспечивают нормальную работу усилителя при комплексном характере нагрузки на высоких частотах. В качестве эксперимента глубина ООС в нем была временно увеличена до 54 дБ и коэффициент усиления снижен до 2 при выпаянном С4 — и в этом случае неустойчивости не обнаружилось. Схема источника питания приведена на рис. Как видно, он предельно прост. Следует обратить внимание на то, что конденсаторы фильтра питания размещены на платах каждого канала УМЗЧ. Таким образом, у каждого канала получается свой фильтр, расположенный вблизи выходного каскада.

Резисторы R2—R5 0,5 Ом ограничивают бросок тока во время включения в сеть и обеспечивают некоторую дополнительную развязку усилителей. Такой способ рекомендован в [2]. Устройство защиты для УМЗЧ не разрабатывалось, а реле на выходе УМЗЧ не используется ввиду того, что щелчок переходного процесса при включении едва слышен. Следует иметь в виду, что более дорогие транзисторы серии 2ПА, имеющие меньший разброс параметров, в описываемом усилителе целесообразно использовать во втором дифференциальном каскаде.

Схема приставки для измерения начального тока стока приведена на рис. Транзисторы с большим начальным током, как правило, имеют и большую крутизну. Немного о монтаже усилителя. Печатная плата под данный усилитель не разработана, изготовлен лишь двухка-нальныи макет с объемным монтажом.

При монтаже или самостоятельной разводке печатной платы стоит обратить внимание на ряд важных моментов. Общий провод цепей питания показан на схеме утолщенной линией и общий провод сигнальных цепей тонкой линией разделены между собой резистором 10 Om R Эти элементы следует устанавливать лишь в том случае, если конкретный экземпляр VT12 КПА будет иметь начальный ток стока выше 5 мА; в таком случае эта «подставка» будет просто необходима.

Но все же гораздо лучше будет установить на место VT12 экземпляр с начальным током стока менее 5 мА, а транзисторы с большим током установить в верхнее плечо или дифференциальный усилитель. Нелишне будет напомнить и о том, что при монтаже все выводы элементов и проводники надо стараться делать как можно короче, а силовые — толще. Важно, чтобы сток VT11 и исток VT12 или диодная «подставка» были подсоединены непосредственно к выводам конденсаторов фильтра, длина проводников здесь должна быть минимальна.

Выходные транзисторы VT11, VT12 расположены на отдельных ребристых теплотводах размерами 90x65x50 мм, использовавшихся в блоках строчной развертки МС-3 телевизоров.

Толщина пластины теплоотвода — 5 мм, и для крепления корпуса транзистора нужно только рассверлить отверстие диаметром 8,5 мм.

Транзистор VT8 также надо ставить на теплоотвод, который в авторском варианте представляет собой две пластинки из дюралюминия размерами 40x25x2 мм, подложенные с обеих сторон монтажной платы и скрепленные винтом.

При монтаже эти пластины оказываются соединенными с коллектором VT8, на котором действует напряжение большой амплитуды усиленного сигнала. Поэтому такой теплоотвод следует разместить подальше от входных цепей усилителя. Пластины можно изолировать от транзистора, но не стоит соединять их с общим проводом или корпусом, так как образуется значительная паразитная емкость нагрузки, которая может существенно снизить скорость нарастания выходного напряжения каскада.

О налаживании усилителя. Подав питание, следует проверить, соответствуют ли режимы по постоянному току указанным на схеме. Ток второго дифференциального каскада 40 мА в случае заметного отклонения можно изменять подбором резистора R Выбором резистора R17 устанавливают ток покоя выходных транзисторов Далее УМЗЧ нагружают на эквивалент нагрузки сопротивлением 8 Ом и, подав на вход с генератора 34 сигнал частотой 1 кГц и амплитудой 1 В, проверяют наличие на выходе синусоидального сигнала амплитудой около 16 В.

Причиной существенного отклонения от этого значения или искажений формы сигнала обычно является ошибка в монтаже или использование неисправных элементов. Далее, временно отключив конденсатор С1, подают на вход УМЗЧ через конденсатор К емкостью 1,5 мкФ сигнал «меандр» с размахом около 0,25 В и частотой кГц; подбором конденсатора С4 добиваются минимальной амплитуды и длительности переходного колебательного процесса.

После этой проверки конденсатор С1 устанавливают на место. Может оказаться так, что конденсатор вообще не нужен. На этом настройку можно считать завершенной. Усилитель отличается естественным, открытым и легким звучанием музыкальных инструментов, а малые искажения способствуют детальной передаче пространственной сцены и микродинамики звуковых образов. В качестве громкоговорителей с усилителем использовалась AC SD. Дьяконов В.

Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах. Атаев Д. Практические схемы высококачественного звуковоспроизведения.

Источники питания и зарядные устройства. Импульсная техника. Микропроцессорная техника. Приемные устройства. Передающие устройства. Приемо — передающие устройства. Видео — телевизионная техника. Охранные системы и системы сигнализации. Радиолюбитель и автомобиль. IBM PC как она есть. Интересные места в сети. Немного об создателях сайта и приглашение принять участие в проекте. Москва В нашей редакционной почте нередки письма с просьбой о публикации описаний УМЗЧ на полевых транзисторах.

Технические характеристики усилителя Номинальная выходная мощность на нагрузке 8 Ом, Вт Наш баннер Вы можете поставить наш баннер на своем сайте или блоге, чтобы помочь развитию проекта. Получить код Навигация Вся информация на сайте структурирована по темам. Каждый тема имеет свою общую страницу с ссылками на материалы.

Выбранный материал открывается в новом окне, которое вы можете после просмотра закрыть. Друзья сайта Статьи.


Каталог радиолюбительских схем

На этом расчет усилителя заканчивается и в процессе регулировки лишь уточняются номиналы резисторов Ru и Rn. На рис. Благодаря малому току смещения выходного усилителя, состоящего из двух транзисторов Тг и Гз, мощность рассеяния всего предварительного усилителя составляет 13 мкВт. Входное сопротивление предварительного усилителя определяется сопротивлением резистора Ru Собственно входным сопротивлением полевого транзистора можно пренебречь, поскольку оно на порядок больше сопротивления резистора R. В режиме малых сигналов входной каскад предварительного усилителя эквивалентен схеме с общим истоком, в то время как цепи смещения выполнены как в схеме истокового повторителя.

Ещё одно свойство полевых транзисторов, применённых в выходном . Прошу совета по высококачественному унч на полевиках.

Ультралинейный усилитель мощности (100 Вт/8 Ом)

Схема усилителя практически симметрична рис. В УМЗЧ используется раздельное питание каскадов, причем выходной каскад питается пониженным напряжением. Такой подход хорошо себя зарекомендовал в усилителях промышленного производства. Основные его преимущества следующие:. Последний пункт нуждается в дополнительном разъяснении. Линейность улучшается за счет следующих факторов. Напряжение питания, В. Входное сопротивление, кОм. Выходная мощность, Вт. Диапазон воспроизводимых частот, Гц.

Усилитель мощности 1000, 500, 250 и 125 ватт

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 0 гостей. Форум радиоконструкторов Поддерживается техническим комитетом Лиги радиолюбителей Украины. Предыдущее посещение: менее минуты назад Текущее время: 07 окт , Сообщение Добавлено: 31 мар ,

Уважаемые радиолюбители! Скачать архив с печатками в формате.

Однотактный УМЗЧ на полевых транзисторах

Они превосходят классические ламповые усилители , как по коэффициенту демпфирования, так и по передаче низких и высоких частот. Частота среза таких усилителей без ООС значительно выше, чем у каскодного усилителя на биполярных транзисторах, что благоприятно сказывается на искажениях. Управление выходным током у полевых MOSFET транзисторов осуществляется входным напряжением, благодаря этому быстродействие в режиме коммутации достаточно высокое, так как основных носителей заряда в цепи затвора нет. В результате упрощается общая схема включения, по сравнению с биполярным транзистором. Ничтожно маленький управляющий ток затвора транзистора способствует установлению высокого входного сопротивление, что даёт возможность применять разделительно — переходной конденсатор очень маленькой и качественной ёмкости, это удешевляет всю конструкцию усилителя и оказывает положительное влияние на качество звукоусиления. Мощные полевые MOSFET транзисторы имеют меньший разброс основных параметров, чем биполярные транзисторы, что как бы облегчает их параллельное включение и уменьшает общее выходное сопротивление усилителя мощности без ООС.

Электронные схемы и статьи на тему «УНЧ на полевых транзисторах»

Описание и принципиальная схема мультиметра MG. Не смотря на кажующуся простоту этот усилитель показал довольно не плохие параметры, что позволяет смело причислить данный усилитель к разряду HI-FI аппаратуры. Каждый фрагмент охвачен своей собственно ООС RR14 для плюса и RR15 для минуса и работает в усилительном режиме, что позволо получать довольно большие мощности при незначительном усилении напряжения в ОУ. Этот же фактор довольно сильно увеличил КПД усилителя. Радиаторы можно изготовить из листового алюминия толщиной 0,5…1мм и минимальными размерами 15х35мм, оптимально 20х40мм принципиальная схема усилителя мощности на мосфитах умзч на полевиках простой усилитель мощности нч усилитель для сабвуфера усилитель для саба симметричный усилитель мощности ватт ватт ватт ватт вт 20 вт 30 вт вт. В небольших пределах можно изменять R2 для получения требуемого коф усиления, однако превышать коф усиления выше 37 дБ R2 не должен быть меньше Ом. Основные параметры усилителя сведены в таблицу 1. Однако можно обойтись и без прокладок, но в этот случае следует иметь ввиду, что на радиатор будет присутствовать выходной сигнал усилителя, что может вызвать возбуждение усилителя, радиатор необходимо изолировать от корпуса.

В данной главе рассматриваются принципы построения и схемы УНЧ на полевых транзисторах с р-n-переходом. Полевой транзистор может быть.

Однотактный УМЗЧ на полевых транзисторах

Унч на полевых транзисторах

Не совсем правильный вопрос. Дело не в транзисторах — а в схемотехнических решениях, а их можно выполнить тысячей способов — вопрос только в цене и доступности метода. Что касается отличий транзисторов в данном аспекте, рискну предположить, что техника на полевиках больше боится статического электричества и, думаю, должна потреблять меньше энергии КМОП-технология.

плюсы и минусы полевых и биполярных транзисторов

Ультралинейный усилитель мощности на Вт. В г. Речь шла о качественно новых усилительных приборах высокой и сверхвысокой частоты — так называемых полевых МОП-транзисторах с вертикальной структурой затвора. Оказалось, что полевые транзисторы большой мощности, разработанные для использования в передатчиках высоких и сверхвысоких частот, могут с успехом работать в усилителях мощности низкой частоты.

Входной дифкаскад на Тг2, Тг6 имеет индуктивную нагрузку L1. Кроме того, индуктивная нагрузка дает гораздо больше свободы в выборе и управлении выходным постоянным напряжением этого каскада коллектор Тг5.

УМЗЧ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Switch to English регистрация. Телефон или email. Чужой компьютер. Клуб радиолюбителей. Прошу прощения, если тему уже поднимали, но тем не менее.

Эта особенность позволяет улучшить рабочие характеристики по сравнению с эквивалентным выходным каскадом на биполярных транзисторах и позволяет упростить схему драйвера. Драйвер работает в линейном режиме класса А. Ширина рабочей полосы частот превышает кГц, но может быть изменена выбором соответствующих номиналов в цепях коррекции.


УНЧ КЛАССА А НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Это однотактный MOSFET усилитель класса A. Зачем он нужен, ведь своим КПД такая схема не выдерживает никакой критики? УНЧ класса А имеет очень хороший звук, и как правило не предназначен для того, чтобы играть очень громко, он должен играть очень качественно. Такие усилители имеют свои неоспоримые преимущества – они дают чистый, неискаженный звук, вот почему мечта многих аудиофилов – иметь усилитель класса А высокого класса.

Схема усилителя класса А на MOSFET

Этот усилитель был создан на основе принципиальной схемы, показанной выше. Вместо 2SK1058 использовался 2SK2221, потому что различия между ними невелики. Кроме того, 4700 мкФ был заменен на конденсатор 6800 мкФ. 

Схема БП УНЧ класса А

Источник питания потребовал некоторых изменений. В выпрямительном мосту использованы диоды BYW 29/100. Конденсаторы 100 нФ расположены вокруг диодов для фильтрации шума при их переключении. Конденсаторы 1 мкФ размещены параллельно конденсаторов 10000 мкФ для фильтрации. Все представлено на схеме блока питания. 

После сборки усилитель сразу заработал и весьма впечатляюще. Однако следует отметить, что в его случае используйте хорошую фильтрацию на источнике питания, чтобы устранить гудение. Но в остальном это довольно простой проект, с которым может справиться даже не слишком опытный радиолюбитель. 

В качестве нагрузки транзистора выступают четыре не индуктивных проволочных резистора мощностью по 10 Вт. Да, класс А очень неэффективен в плане расхода мощности. Уходит более 60 Вт, чтобы получить только несколько ватт звука из динамика.

Это типичный пример усилителя SE. Резистор действует как источник тока для транзистора. Ток покоя легко рассчитывается как 0,8 А. Потеря мощности составляет около 20 Вт. Теоретическая максимальная мощность составляет 5 Вт.

Схема усилителя класса А – второй вариант

А это несколько модифицированная схема: транзистор T2 заменяет резистор 15 Ом 40 Вт в верхней схеме и является источником тока для T3, T1 и R1 для поддержания тока источника тока равным Ube (0,7 В) / R1 (0,47 Ом) = 1,5 А. Мощность на R1 = Ube (0,7 В) x I (1,5 А) = 1 Вт. Мощность на T2, а также на T3 = Uds (17,5 В) xI (1,5 А) = 26 Вт. Транзисторы Т2 и Т3 в совокупности отводят тепло мощностью 52 Вт. А мощность на динамике около 12 Вт (на 8 Ом). Самым большим преимуществом источника тока является то, что для переменного напряжения он имеет очень высокое сопротивление.

Если требуется УНЧ класс «А» чисто для наушников – смотрите эту схему. В общем попробуйте собрать этот УМЗЧ А-класса и послушать – будете приятно удивлены!

Усилитель на полевом транзисторе класс А

   Этот усилитель достаточно сложный, не смотря на очень простую схему. Усилитель выполнен всего на одном полевом транзисторе, но настройка его достаточно трудная. Вся настройка сводится к подбору полевого транзистора и ограничителя питающего напряжения. Резистор питания подбирается с сопротивлением 22-100 ом. Принципиальная схема:

   Мощность усилителя может достигать до 5 ватт, при использовании мощных полевых транзисторов. В этой схеме можно использовать и биполярные транзисторы, но мощность в таком случае не повысит 0,2-0,5 ватт. 

   Не сказал бы, что схема может быть легко повторена, мною были собраны пять таких УНЧ и все на разных транзисторах (полевых) из них заработало как нужно только 4. Основной недостаток схемы — большое количество постоянного напряжения на выходе. Транзистор открыт во время подачи сигнал, т.е. весь период, следовательно, он будет перегреваться достаточно сильно. Питается усилитель от однополярного источника 9-14 вольт. Емкость входных и выходных конденсаторов не критичны. На выходе использован неполярный конденсатор от 0,1 до 1 мкФ, выходной от 100 до 3300 мкФ. 

   Особо рассказывать про эту схему нечего. С виду напоминает усилитель НЕЛЬСОНА ПАССА — усилитель без деталей, просто в его случае мощность усилителя повышена, за счет используемого транзистора. В таких схемах пониженное КПД, поскольку больше половины мощности превращается в бесполезное тепло. Из-за большого тепловыделения, транзистор нужно установить на теплоотвод достаточно большой площади. 


Понравилась схема — лайкни!

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ

Смотреть ещё схемы усилителей

       УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ          УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ  

   

УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ          СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ   

    

Класс А на мощном полевом транзисторе

   Я хотел построить усилитель, с нулевой отрицательной обратной связью, чистого А класса. Нельсон Пасс сделал много работы в этой области со своими сборками. Я же планировал значительно упрощенный вариант такого усилителя. Конечно, там должны быть несколько активных компонентов, чтобы творение имело право называться называться «Усилитель». Всегда восторгался простотой несимметричнх ламповых усилителей. Пара ламп с резисторами к конденсаторами, плюс выходной трансформатор — вот вам секрет качественных усилителей, ведь под понятиям «качественный усилитель» не обязательно, чтобы последний был сложным. Пойдя по стопам ламповых усилителей был собран такой экземпляр. Активный компонент всего один — MOSFET транзистор, дальше пара резисторов и конденсаторов. Схема усилителя проста до безобразия. 

   В схеме использован транзистор 2SK1058 от Hitachi. Это мощный N-канальный полевой транзистор, который отлично справляется со своей работой. На выходе использовал мощный электролитической конденсатор, параллельно которому подключен неполярный конденсатор с емкостью 10мкФ. 

   На входе питания стоят четыре мощных резистора на 10W каждый. Эти резисторы резисторы были подобраны с наименьшей индуктивностью. Их можно заменить проволочными резисторами или вообще — ниромовой проволокой с нужным сопротивлением. Но желательно применение резисторов с минимальной индуктивностью. Сопротивление каждого резистора составляет 15 Ом (при мощности в 10W каждый). Резисторы были подключены последовательно, чтобы увеличить сопротивление. Если есть, то советуется использовать один резистор с указанными параметрами. В итоге мною были использованы 4 резистора с сопротивлением 15 Ом. При параллельном соединении мы получаем один резистор на 7,5 Ом но уже 20W. Они становятся чрезвычайно горячими, на них рассеивается до 40 Ватт мощности, поэтому желательно отдувать с них тепло при помощи кулера Да, класс такого усиления очень неэффективный, но качество…. Схема пожирает более 20 ватт, чтобы отдавать только около 4,8 чистых ватт. Я использовал радиатор рассчитанный на 0,784 ° С / Вт

   Источник питания — 24 Вольт, мощность трансформатора 160 ватт. Диодный выпрямитель (мост) использован на 25 Ампер. Выходное напряжение фильтруется при помощи мощного электролитического конденсатора с полезной емкостью 10000μF. Для фильтрации ВЧ помех использованы дросселя на 5 Ампер, индуктивность порядка 10mH. Смещение осуществляется подстроечным резистором на 100к и подбором резистора на 1МОм. На стоке транзистора должно быть напряжение, которое ровно половине питания. Таким образом, усилитель полностью настроен. Мною были собраны два канала сразу, которые играют очень хорошо. 

   Монтаж был выполнен в самодельном корпусе. Все платы использовались макетные, поскольку не ожидал, что придется все собрать в корпусе. Сами транзисторы греются не очень сильно, поскольку вся основная мощность рассеивается на резисторах. Мощность такого усилителя не велика, но он может стать главным аудио-усилителем в вашей домашней музыкальной системе.


Понравилась схема — лайкни!

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ

Смотреть ещё схемы усилителей

       УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ          УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ  

   

УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ          СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ   

    

Усилители на полевых транзисторах — stoom

Усилитель на полевом транзисторе

Усилители низких частот собирают и на полевых транзисторах (далее ПТ). Схемы таких устройств ненамного отличаются от тех, что собираются на биполярных транзисторах.

В качестве примера будет рассмотрен усилитель на полевом транзисторе с изолированным затвором с n-каналом (МДП типа).

К подложке данного транзистора последовательно подключается конденсатор, параллельно – делитель напряжения. К истоку ПТ подключается резистор (можно также использовать параллельное соединение конденсатора и резистора, как описано выше). К стоку подключается ограничительный резистор и питание, а между резистором и стоком создается вывод на нагрузку.

Входной сигнал к усилителям низкой частоты на полевых транзисторах подается на затвор. Осуществляется это также через конденсатор.

Как видно из пояснения, схема простейшего усилителя на полевом транзисторе ничем не отличается от схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе.

Правда, при работе с ПТ стоит учитывать следующие особенности данных элементов:

  1. У ПТ высокое Rвходное = I / Uзатвор-исток. Полевые транзисторы управляются электрическим полем, которое образуется за счет напряжения. Следовательно, ПТ управляются напряжением, а не током.
  2. ПТ почти не потребляют ток, что влечет за собой слабое искажение исходного сигнала.
  3. В полевых транзисторах нет инжекции зарядов, поэтому уровень шумов данных элементов очень низкий.
  4. Они устойчивы к изменению температуры.

Главный недостаток полевых транзисторов – высокая чувствительность к статическому электричеству.

Многим знакома ситуация, когда, казалось бы, нетокопроводящие вещи бьют человека током. Это и есть проявление статического электричества. Если такой импульс подать на один из контактов полевого транзистора, можно вывести элемент из строя.

Таким образом, при работе с ПТ лучше не браться руками за контакты, чтобы случайно не повредить элемент.

ООС в электронике

Первым использовать идею отрицательной обратной связи в электронике предложил Гарольд Блэк (Harold Black) для улучшения линейности усиления для межконтинентальных телекоммуникаций. Суть идеи состоит в том, чтобы пожертвовать частью коэффициента усиления ради улучшения линейности выходного сигнала. Классический электронный усилитель сигнала (электронная лампа, полевой транзистор и др.) вносит нелинейные искажения в форму сигнала. Следовательно, вычитая из входного сигнала долю выходного сигнала, делённую на коэффициент усиления, можно получить форму самих нелинейных искажений. Затем, наложив обратные искажения на входной сигнал можно добиться скомпенсированного сигнала, который, пройдя через усилитель, будет иметь сниженную нелинейность.

Показательный пример использования отрицательной обратной связи — построение усилителя со стабильным коэффициентом усиления на основе операционного усилителя (ОУ).

Пусть дан некоторый ОУ с коэффициентом усиления порядка 106. На основе этого ОУ нужно построить усилитель со входным сопротивлением не менее 5 кОм и коэффициентом усиления 3 (для неинвертирующего усилителя K=1+R2/R1).
Для этого на инвертирующий вход ОУ ставится резистор с сопротивлением чуть больше требуемого входного (допустим, 7 кОм), а в цепь обратной связи — резистор с номиналом в 2 раза больше.
Аналитическая формула показывает, что такой способ построения усилителей является приближённым, однако, в силу большой величины коэффициента усиления, погрешность от применённых допущений оказывается меньше, чем от неточности изготовления элементов.

Обычно ООС позволяет добиться хороших параметров усилителя, однако это справедливо в общем случае только для усиления постоянного тока или низких частот. Поскольку с повышением частоты задержка, вносимая усилителем, начинает давать существенный фазовый сдвиг усиливаемого сигнала, то и ООС работает уже не в соответствии с расчётом. Если и далее повышать частоту, то, когда продолжительность задержки станет порядка полупериода сигнала (то есть порядка 180 градусов по фазе), то ООС превратится в ПОС, а усилитель — в генератор. Для предотвращения этого цепь ООС должна делаться частотно-зависимой.

В СВЧ-усилителях обратная связь неприменима, поэтому стабилизировать усиление СВЧ-каскадов весьма непросто. Однако, если нужно стабилизировать не усиление, а амплитуду (мощность) выходного сигнала, это легко реализовать в виде АРУ.

ООС применяется в стабилизаторах напряжения (не во всех случаях).

5.5. Схема с коллекторной стабилизацией

В схеме с коллекторной стабилизацией в цепи эмиттера отсутствует сопротивление: RЭ = 0, рис. 5.6, а вход схемы и выход соединяются сопротивлением RБ.

Рис. 5.6. Схема с коллекторной стабилизацией

Ток смещения в этой схеме равен:

;

и уменьшается при увеличении (изменение – в общем случае). В этом проявляется ООС; по способу снятия и введения это параллельная ООС. Глубина этой обратной связи равна:

; (5.4)

Данная схема отличается простотой, обеспечивает стабилизацию режима до 30°С, но имеет существенный недостаток – вследствие ООС по переменному току через сопротивление RБ, малый коэффициент усиления. Для этого в цепи базы включают RC – фильтр, устраняющий ООС по переменному току.

Особый случай — высокое входное сопротивление

Теперь об особом случае. Если нам нужно высокое входное сопротивление, то полевой транзистор может оказаться лучшим решением.

Приведенная схема входного усилительного каскада обладает высоким входным сопротивлением и линейна. Эффект зависимости тока стока от напряжения исток — сток устранен за счет применения каскодной схемы включения. Биполярный транзистор стабилизирует напряжение на полевом. Источником опорного напряжения для стабилизатора напряжения на биполярном транзисторе является делитель напряжения на резисторах R2, R3. Выходной сигнал снимается с резистора R4.

Резистор R5 обеспечивает напряжение на затворе равным 0. Его нужно брать возможно большего сопротивления, так как именно сопротивление этого резистора определяет входное сопротивление каскада. Можно взять 10 МОм.

Определим рабочую точку (режим работы полевого транзистора). Выберем ее на линейном участке: напряжение затвор — исток возьмем таким, чтобы ток линейно зависел от этого напряжения. Так как затвор по постоянному току у нас заземлен, то это смещение будет формироваться за счет падения напряжения на резисторе в цепи истока. Рабочая точка выбирается таким образом, чтобы во всем диапазоне входных напряжений полевой транзистор оставался на линейном участке. Выбор рабочей точки осуществляется обычно с использованием графиков зависимости тока стока от напряжения затвор- исток и напряжения сток — исток, которые приводятся в справочнике. В результате получаются [Сила тока стока в рабочей точке], [Напряжение затвор-исток в рабочей точке], [Напряжение сток-исток в рабочей точке] В любом случае потом параметры резисторов приходится немного подбирать.

[Сопротивление резистора R1, кОм] = — [Напряжение затвор-исток в рабочей точке, В] / [Сила тока стока в рабочей точке, мА]

Знак ‘минус’ нужен потому, что напряжение затвор — исток меньше нуля.

[Сопротивление резистора R3, кОм] = [Напряжение питания, В] / [Сила тока стока в рабочей точке, мА] * [Коэффициент передачи тока биполярного транзистора] / 20

[Сопротивление резистора R2, кОм] = [Сопротивление резистора R3, кОм] / ([Напряжение питания, В] / ([Напряжение сток-исток в рабочей точке, В] + [Напряжение насыщения база-эмиттер биполярного транзистора, кОм] — [Напряжение затвор-исток в рабочей точке, В]) — 1)

[Сопротивление резистора R4, кОм] = [Напряжение питания, В] / 2 / [Сила тока стока в рабочей точке, мА]

Приведенный усилитель работает с малыми сигналами. Он не может применяться для усиления больших сигналов, так как сила тока стока должна располагаться в районе 1 мА, чтобы избежать насыщения.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Транзисторный УМЗЧ высокого качества. Усилитель мощности низкой, звуко…
Высококачественный УМЗЧ на биполярных транзисторах. Схема для сборки своими рука…

Применение полевых транзисторов, МОП, FET, MOSFET. Использование. Схем…
Типичные схемы с полевыми транзисторами. Применение МОП….

Усилитель звука класса D (Д) большой мощности. Звуковой. УМЗЧ. УНЧ. Сх…
УМЗЧ большой мощности класса D. Ключевой режим….

Качественный усилитель мощности звуковой, низкой частоты, звука, нч. В…
Качество усилителей звуковой частоты. Обзор, схемы….

Акустическая система, акустика. Качество звукоусиливающей, звукоусилит…
Акустическая система и качество усилителей звука. Элементная база усилительной а…

Импульсный источник питания. Своими руками. Самодельный. Сделать. Лабо…
Схема импульсного блока питания. Расчет на разные напряжения и токи….

Транзисторный усилительный каскад. Расчет. Схема. Проектирование. Бипо…
Усилительный каскад на биполярном транзисторе. Схема. Расчет….

Расчет теплоотвода (радиатора охлаждения) силового элемента (транзисто…
Как рассчитать систему отвода тепла от силового элемента электронной схемы…

Схемы УНЧ для работы с низкоОмной нагрузкой

Типовые УНЧ, предназначенные для работы на низкоомную нагрузку и имеющие выходную мощность десятки мВт и выше, изображены на рис. 16, 17.

Рис. 16. Простой УНЧ для работы с включением нагрузки с низким сопротивлением.

Электродинамическая головка ВА1 может быть подключена к выходу усилителя, как показано на рис. 16, либо в диагональ моста (рис. 17). Если источник питания выполнен из двух последовательно соединенных батарей (аккумуляторов), правый по схеме вывод головки ВА1 может быть подключен к их средней точки напрямую, без конденсаторов C3, С4.

Рис. 17. Схема усилителя низкой частоты с включением низкоомной нагрузки в диагональ моста.

Если вам нужна схема простого лампового УНЧ то такой усилитель можно собрать даже на одной лампе, смотрите у нас на сайте по электронике в соответствующем разделе.

Литература: Шустов М.А. Практическая схемотехника (Книга 1), 2003 год.

Исправления в публикации: на рис. 16 и 17 вместо диода Д9 установлена цепочка из диодов.

90 Вт (приведенное сопротивление первичной обмотки транформатора Ra-a = 80 Ом)

Схема (pdf)

Лут печать (pdf)

Монтаж верхней стороны (pdf)

Монтаж нижней стороны (pdf)

Вид собранной платы

Параметры трансформатора на железе ТПК-190 (для варианта 90 Вт):

На каждой катушке 232 (0,7мм) — 217 (1,0мм) — 90 (0,9мм) — 127 (0,7мм) — 232 (0,7мм). 232 — первички, все последовательно. Вторички параллельно. 217 — 4 Ом, 217+90 — 8 Ом, 217+90+127 — 16 Ом

Вид в сборе (2U рэк)

Несколько комментариев к схеме:

Потенциометром «Symmetry» выставляется равенство амплитуд полуволн.

Резисторы R4, R7 (для 40 Вт) и R5,R8 (для 90 Вт) определяют чувствительность усилителя по входу. При их уменьшении чувствительность увеличивается и наоборот.

На резисторы R25 (для 40 Вт) и R1 (для 90 Вт) можно подключить ООС с выходной обмотки трансформатора с использованием регулировки Presence. Необходимо только учесть, что сопротивление этих резисторов 1,6 кОм то есть в 3 раза меньше чем обычно в ламповых схемах (4,7 кОм). Чтобы получить ту же ачх конденсатор, включенный последовательно с регулировкой, нужно увеличить в 3 раза.

Вот схема презенса, которую я использовал:

Усилители с общим истоком

  Усилители на полевых транзисторах (ПТ) обладают большим входным сопротивлением. Обычно такие усилители используются как первые каскады предварительных усилителей, усилителей постоянного тока измерительной и другой радиоэлектронной аппаратуры.
  Применение в первых каскадах усилителей с большим входным сопротивлением позволяет согласовывать источники сигнала с большим внутренним сопротивлением с последующими более мощными усилительными каскадами, имеющими небольшое входное сопротивление. Усилительные каскады на полевых транзисторах чаще всего выполняются по схеме с общим истоком.

  Так как напряжение смещения между затвором и истоком равно нулю, то режим покоя транзистора VT характеризуется положением точки А на сток-затворной характеристике при UЗИ=0 (рис. 15,б).
 В этом случае при поступлении на вход усилителя переменного гармонического (то есть синусоидального) напряжения UЗИ с амплитудой UmЗИ положительный и отрицательный полупериоды этого напряжения будут усиливаться неодинаково: при отрицательном полупериоде входного напряжения UЗИ амплитуда переменной составляющей тока стока I’mc будет больше, чем при положительном полупериоде (I»mc), так как крутизна сток-затворной характеристики на участке АВ больше по сравнению с крутизной на участке АС: Вследствие этого форма переменной составляющей тока стока и создаваемого им переменного напряжения на нагрузке UВЫХ будет отличаться от формы входного напряжения, то есть возникнут искажения усиливаемого сигнала.
Для уменьшения искажений сигнала при его усилении необходимо обеспечить работу полевого транзистора при постоянной крутизне его сток-затворной характеристики, то есть на линейном участке этой характеристики.
 С этой целью в цепь истока включают резистор Rи (рис.16,а).

Протекающий через резистор ток стока IС0 создает на нем напряжение
U=IС0Rи, которое прикладывается между истоком и затвором, включая ЭДП, образованный между областями затвора и истока, в обратном направлении. Это приводит к уменьшению тока стока и режим работы будет характеризоваться в этом случае точкой А’ (рис.16,б).

Чтобы не происходило уменьшения коэффициента усиления, параллельно резистору Rи подключают конденсатор Си большой емкости, который устраняет отрицательную обратную связь по переменному току, образуемую переменным напряжением на резисторе Rи. В режиме, характеризуемом точкой А’, крутизна сток-затворной характеристики при усилении переменного напряжения остается примерно одинаковой при усилении положительных и отрицательных полупериодов входного напряжения, вследствие чего искажения усиливаемых сигналов будут незначительны
(участки A’В’ и А’С’ примерно равны).
  Если в режиме покоя напряжение между затвором и истоком обозначить UЗИО, а протекающий через ПТ ток стока IС0, то сопротивление резистора Rи (в омах) можно рассчитать по формуле:
Rи =1000 UЗИО/IС0,   
в которую ток стока IС0 подставляется в миллиамперах.
  В схеме усилителя, приведенной на рис.15, используется ПТ с управляющим p-n-переходом и каналом р-типа. Если в качестве ПТ применяется аналогичный транзистор, но с каналом n-типа, схема остается прежней, а изменяется лишь полярность подключения источника питания.
    Еще большее входное сопротивление имеют усилители, выполненные на полевых МДП-транзисторах с индуцированным, или встроенным каналом. При постоянном токе входное сопротивление таких усилителей может превышать 100 МОм. Так как напряжения их затвора и стока имеют одинаковую полярность, для обеспечения необходимого напряжения смещения в цепи затвора можно использовать напряжение источника питания GC подключив его к делителю напряжения, включенному на входе транзистора таким образом, как показано на рис.17.

Оконечный усилитель на полевых транзисторах с трансформаторным выходом

В предлагаемых вариантах усилителей используются JFET-ы или латеральные мосфеты так как они имеют передаточные и выходные характеристики практически идентичные пентодным, что позволяет максимально приблизиться к ламповому звучанию. Также они имеют отрицательную зависимость тока стока от температуры, что исключает необходимость термостабилизации. Усилитель построен по классической «ламповой» схеме – фазоинвертор на дифференциальном каскаде и далее двухтактный выходной каскад, нагруженный на выходной трансформатор. Трансформатор позволяет решить две задачи – защита динамиков при выходе из строя выходных транзисторов и согласование с разным сопротивлением динамиков (используя отводы вторичной обмотки)

Также есть еще два немаловажных момента применительно именно к гитарному использованию оконечника.

Первый момент — достаточно высокое выходное сопротивление, соизмеримое с импедансом динамика, что дает возможность гитарному кабинету «дышать» на резонансах. На картинке приведены графики зависимости напряжения на выходе оконечника от частоты сигнала при нагрузке на балластное сопротивление и гитарный кабинет.

Добиться аналогичного эффекта можно на «классическом каменном» оконечнике путем введения токовой ООС. При этом оконечник должен иметь запас по выходному напряжению (мощности), чтобы не влетать в ограничение на пиковых значениях выходного напряжения на резонансах динамика.

Второй момент — подгруз оконечника

Это не очень важно для современного хайгейнового «модернового» звука, так как в нем почти не используется подгруз оконечника. Для винтажных стилей подгруз оконечника составляет чуть ли не половину звука

Например звук маршалловского суперлида невозможно получить без подгруза оконечника.

Предлагаемые варианты полевых оконечников учитывают оба этих момента и высокое выходное сопротивление и «мягкий ламповый» подгруз.

Особенности электровакуумных усилителей

Если сравнить качество одного и того же сигнала, усиленного ламповым устройством и УНЧ на транзисторах, то разница будет видна невооруженным глазом не в пользу последнего.

Любой профессиональный музыкант скажет, что ламповые усилители куда лучше своих продвинутых аналогов.

Электровакуумные приборы давно вышли из массового потребления, им на смену пришли транзисторы и микросхемы, но это неактуально для области воспроизведения звука. За счет температурной стабильности и вакуума внутри ламповые приборы лучше усиливают сигнал.

Единственный недостаток лампового УНЧ – высокая цена, что логично: дорого выпускать элементы, которые не пользуются массовым спросом.

Насыщение выхода инвертирующего усилителя

Давайте представим себе такую ситуацию. У нас входное переменное напряжение амплитудой 1 В. Коэффициент усиления 50. По нашим расчетам на выходе мы должны получить сигнал амплитудой 50 В. Но как мы получим 50 В, если питание нашего усилителя, допустим, +-15 В? Усиленный сигнал, амплитудой больше чем 15 В, мы получить не сможем. Хотя типичное падение напряжения во внутренних цепях реальных ОУ составляет около 0,5-1,5 В. То есть максимальный размах сигнала, который мы можем получить в данном случае на выходе будет 27-29 Вольт.

Хотя в настоящее время есть ОУ, которые все-так позволяют получать на выходе +-Uпит. Такое свойство некоторых ОУ называется Rail-to-Rail. В дословном переводе “от рельса до рельса” или “от шины до шины”. Есть такие параметры, как Rail-to-Rail по входу (Rail-to-Rail input). Здесь на вход мы можем подавать сигналы вплоть до Uпит ОУ. Иногда в даташите оговаривается, с отрицательной или положительной шины питания можно подходить к этому параметру. Есть также есть Rail-to-Rail output. Здесь на выходе мы можем получить напряжение +-Uпит.  Если усиленный сигнал на выходе не вписывается в такой диапазон, то он будет срезаться. Такое свойство ОУ называется насыщением выхода. То есть надо всегда помнить, что  если амплитуда сигнала будет превышать +-Uпит усилителя, то такой сигнал на выходе будет срезан по этому уровню.

Продемонстрируем это в симуляторе Proteus. Итак, давайте на вход подадим синусоидальный сигнал амплитудой в 1 В, а коэффициент усиления сделаем 20, подобрав нужные резисторы. То есть по нашим расчетам мы должны получить синус с амплитудой в 20 Вольт. Смотрим осциллограмму

Подавали на вход синусоиду, а получили на выходе синусоиду с обрезанными верхушками и амплитудой в 14 В. Одна клеточка в данном случае – это 2 В. Как вы видите,сигнал, амплитудой более чем +-Uпит мы получить не сможем. Всегда помните об этом, особенно при конструировании радиоэлектронных устройств.

Схема УНЧ с очень малыми искажениями

Предлагаемый для самостоятельной сборки усилитель ЗЧ построен по классической схеме: входной дифференциальный каскад, питаемый источником тока и нагруженный токовым зеркалом, промежуточный усилитель напряжения и, наконец, выходной усилитель тока, состоящий из двух дополнительных транзисторных сборок. Каждый из каскадов имеет свои особенности для достижения высоких характеристик всего УМЗЧ. Подробнее о его работе читайте в PDF документе

Схема усилителя, смоделированная в Multisim, изображена на рисунке. Показания виртуальных приборов определяют основные параметры процесса моделирования: выходное среднеквадратичное напряжение 14,1 В, соответствующее мощности 50 Вт при нагрузке 4 Ом, частоте сигнала 20 кГц, постоянному току 1,57 А через выходные транзисторы и, наконец, менее 100 дБ полное гармоническое искажение выходного напряжения. Другие детали режимов работы усилителя предоставляются измерительными датчиками, размещенными в разных точках схемы.

Низкое искажение на самых высоких звуковых частотах является показателем превосходной переходной характеристики усилителя, и анализ переходных процессов на выходе усилителя подтверждает это.

Во время теста на вход усилителя подается прямоугольный сигнал 20 кГц с амплитудой 0,5 В и временем нарастания / спада 1 нс. Полученная переходная характеристика изображена на рисунке, где хорошо видно скорость нарастания выходного сигнала усилителя более 20 В / мкс.

Усилитель выдерживает не только перегрузку чрезмерно громкой музыкой, он также ведет себя адекватно даже если на его вход поступают внезапные скачки напряжения. Они могут быть вызваны неправильно выполненными коммутациями и соединениями в предыдущем аудиотракте, во время работы усилителя или, например, если земля входного сигнала будет случайно отключена. Что касается выходных транзисторов, то согласование их параметров вообще не требуется, они могут быть следующих типов: MJ15024-MJ15025, 2SC5200-2SA1943, KT818GM-KT819GM и другие подобные по параметрам.

Конструктивно усилитель собран на одной печатной плате размером 190 х 80 мм, которая также содержит индикацию срабатывания защиты и перегрузки.

На фото готовый двухканальный аудиоусилитель с отдельным источником питания для каждого канала. Так что у него два трансформатора и два блока питания. Трансформаторы по 200VA, 2x 25 В. Под нагрузкой после выпрямительного моста примерно 36 В.

Силовые транзисторы по четыре на канал MJ21194 и MJ21193. Все собрано вместе на большом радиаторе, который также выступает в качестве боковой стенки самого усилителя. Соединение силовых транзисторов с платой идёт жесткими кабелями.

Также оснащён усилитель системой плавного пуска и схемой защиты динамиков.

Усилитель даже без особых настроек показывает изумительное качество сигнала. Здесь нет рокота, шумов и гула. При полном отключении звука на потенциометре достигается идеальная тишина в АС. Просто настраивается — одним потенциометром. Подключаете измеритель к выходу усилителя, а входной сигнал на землю. И вращаете переменник так, чтобы значение на выходе было как можно ближе к нулю. Здесь получилось 0,1 В. Так что практически идеальная тишина.

Затем установил ток покоя примерно 150 мА. И всё что остаётся, это разместить платы в приличном корпусе, чтоб наслаждаться не только звуком, но и приятным видом.

Схемы усилителей

ГИБРИДНЫЙ УНЧ К НАУШНИКАМ
БЕСПРОВОДНОЙ ТЕРМОМЕТР С РАДИОКАНАЛОМ
УСИЛИТЕЛЬ 500 ВТ / 8 ОМ
Оцените статью:

Глубоководные субмикронные графеновые полевые транзисторы с современным fmax

Изготовление

Схема технологического процесса изготовления представлена ​​на рис. 1(a–h). Кремниевые пластины диаметром 200 мм с высоким удельным сопротивлением (> 1000 Ом·см) использовались с целью уменьшения потерь в подложке. Сначала методом PECVD был нанесен слой SiO 2 толщиной 5 мкм в качестве изоляционного слоя. Металлические конструкции были сформированы дамасским процессом. С целью увеличения отношения глубины к ширине заглубленных ворот в качестве жертвенного слоя твердой метки был нанесен α-Si толщиной 100 нм.Определение глубокосубмикронных ворот было возможно с помощью электронно-лучевой литографии (EBL). Для создания канавок использовалось реактивное ионное травление (РИТ). Из-за большого отношения выбора между SiO 2 и α-Si отношение глубины к ширине было значительно увеличено до шести, как показано на рис. 1 (b, c). После удаления α-Si нижние контакты истока/стока, межсоединения и контактные площадки были определены шаговой литографией и травлением. Нижние металлы служат дополнением к верхним металлам для обеспечения хороших контактов 21 .Затем методом CVD был нанесен вольфрам для заполнения канавок с последующей химико-механической планаризацией (CMP). Помимо удаления лишнего вольфрама, это также гарантирует плоскостность пластины, необходимую для успешного последующего процесса переноса графена. HfO 2 с эквивалентной толщиной оксида (ЭОТ) 2 нм был нанесен методом атомно-слоевого осаждения (ALD) в качестве диэлектрика затвора. Относительная диэлектрическая проницаемость составляла около 20. Диэлектрик определяли с помощью шаговой литографии и удаляли травлением с индуктивно-связанной плазмой (ИСП) с источником BCl 3 .

Рисунок 1

Технологический поток.

( a ) Подложка из кремния высокого разрешения. ( b ) Определение ворот на жесткой маске, жертвуя слоем. ( c ) Травление ворот. ( d ) Определение и травление нижних контактов области истока/стока. ( e ) W осаждение и CMP. ( f ) Осаждение HfO 2 диэлектрик затвора. ( г ) Графеновый перенос. ( h ) Выравнивание верхних контактов истока/стока методом отрыва.

На рис. 2(а) показана фотография изготовленной 200-мм пластины. Отдельные субмикронные затворные канавки шириной 100 нм, 200 нм и 500 нм показаны на рис. 2(b). Была указана жесткая маска α-Si толщиной около 100 нм. Поперечный разрез структуры GFET с длиной затвора 100 нм показан на вставке к рис. 2(c) с канавкой затвора длиной 100 нм и глубиной 600 нм. Графен в этой работе был сформирован методом CVD на Pt-фольге, как сообщалось ранее 22,23 . Метод «пузырькового» переноса графена на узорчатую пластину был использован для каждого кристалла, ограниченного максимальным размером Pt-фольги 22,23 .Графеновые каналы были сформированы с помощью контактной литографии в контактном режиме и травления в кислородной плазме. Во всех GFET использовалась схема с двумя пальцами, каждый из которых имел ширину 6 мкм. Контакты исток/сток были определены с помощью EBL и прошли 5-минутную обработку ультрафиолетовым озоном (UVO) перед напылением 40-нм Pt и последующим процессом отрыва. Незакрытая прокладка между истоком и дренажным затвором составляла около 200 нм. Автономное устройство Холла размером 36 мкм × 8 мкм приводило к подвижности носителей около 3400 см 2 v −1 -s −1 .В изготовленных GFET ожидается более высокая мобильность, поскольку меньшие площади менее подвержены дефектам. Контактные площадки имеют шаг 100 мкм в схеме «земля-сигнал-земля» (GSG). Для удобства транзисторы GFET не прошли этап пассивации. Различные пассивирующие слои диэлектриков, такие как Si 3 N 4 24 , BN 25 , Al 2 O 3 26 и т.д. графеновые устройства.

Рисунок 2

Характеристики постоянного тока.

( a ) Изготовленная кремниевая пластина диаметром 200 мм. ( b ) Субмикронные заглубленные канавки затвора, протравленные маской из α-Si. Масштабная линейка: 2  мкм. ( c ) Поперечное сечение структуры GFET с затвором 100 нм. Масштабная линейка: 2  мкм. На вставке показан крупный план заглубленных ворот длиной 100 нм. Масштабная линейка: 1  мкм. ( d ) TLM-измерение контактного сопротивления графен-Pt, которое дает R C  = 550 Ом мкм.На вставке показано СЭМ-изображение устройства TLM. Масштабная линейка: 10  мкм. Передаточные ( e ) и выходные ( f ) характеристики GFET с длиной затвора 100 нм. Передаточные ( g ) и выходные ( h ) характеристики GFET с длиной затвора 300 нм. Поперечное сечение структур GFET с длиной затвора 200 нм ( i ) и GFET с длиной затвора 300 нм ( j ).

Шаблоны измерения автономной длины передачи (TLM) были изготовлены вместе с GFET для измерения контактного сопротивления, R C .Он указывает R C 550 Ом мкм, а также поверхностное сопротивление 880 Ом / кв.м, как показано на рис. 2 (d) со вставкой, показывающей СЭМ-изображение шаблона TLM. Типичное контактное сопротивление металла для CVD-графена колеблется от нескольких сотен Ом до нескольких кОм 27,28,29,30 . R C в этой работе является одним из самых низких, что связано с высокой работой выхода Pt, которая индуцирует больше носителей под ним, и обработкой УФ-излучением, которая усиливает связь между металлом и графеном 30,31 .Можно рассматривать и другие рецепты осаждения металлов, так как напыление на графен вызывает определенные нарушения. На рис. 2(e) показаны передаточные характеристики GFET с длиной затвора 100 нм с коэффициентом включения-выключения примерно в 2 раза. На рис. 2(f) показаны выходные характеристики. Стоит отметить, что двухточечное сопротивление R 2pt составляет 1,4 кОм мкм, что указывает на то, что контактное сопротивление меньше 700 Ом мкм, что согласуется с автономным измерением TML. Вид сверху полностью обработанного GFET с длиной затвора 100 нм показан на вставке рис.2(е). На рис. 2(f,g) представлены передаточные и выходные характеристики GFET с длиной затвора 300 нм соответственно. Как и ожидалось, он демонстрирует более сильную модуляцию затвора (то есть крутизну) по сравнению со 100-нм аналогом. Двухточечное сопротивление R 2pt также несколько увеличивается до 1,5 кОм мкм по мере увеличения расстояния сток-исток. На рис. 2(i,j) показаны поперечные сечения GFET с длиной затвора 200 и 300 нм соответственно.

ВЧ-характеристики и обсуждение

Высокочастотные S-параметры GFET были измерены до 40 ГГц в атмосфере окружающей среды с использованием анализатора цепей Agilent N8230C.Система была откалибрована с помощью метода короткого открытия и сквозной загрузки (SOLT). Была использована трехэтапная процедура удаления 32 , в которой использовались «открытые», «сквозные» и «короткие» структуры для удаления паразитных компонентов на пластине. (См. Вспомогательную информацию) h 21 и MUG GFET с длиной затвора 400 нм показаны на рис. 3 (a, b). Это поставляет F T / F F MAX от 18,6 / 28,4 ГГц перед встраиваемым встраиванию и F T / F MAX из 25.5/35,5 ГГц после деэмбедирования. Для справки: недавно опубликованный GFET с длиной затвора 450 нм доставил f T / f макс. 11,5/15 ГГц 17 Пять последовательных GFET с длиной затвора 400 нм показаны на рис. 3(c), что свидетельствует об отличной однородности характеристик. Построена модель слабого сигнала, которая позволяет анализировать роль каждого параметра. Схема замещения слабого сигнала представлена ​​на рис.3(г). В отличие от обычного транзистора, r g не находится во внешней эквивалентной позиции ни на затвор-исток ( C gs ), ни на затвор-сток ( C ) ) емкостные ответвления. Это связано с тем, что GFET не могут эффективно отрезать, и их поведение напоминает обычные транзисторы с линейной областью. На рис.3(b), который обеспечивает близкие значения f T / f max из 25,2/32,3 ГГц. Значения для каждого компонента модели слабого сигнала показаны в таблице 1. Необработанные значения, извлеченные из измеренных S-параметров, показаны во вспомогательной информации. Они относительно стабильны в диапазоне частот измерения, что подтверждает эффективность модели слабого сигнала.

Таблица 1 Значения параметров слабосигнальной модели. Рисунок 3

ВЧ характеристика.

( a ) h 21 и MUG полевого транзистора с длиной затвора 400 нм перед извлечением. ( b ) h 21 и MUG GFET с длиной затвора 400 нм после деэмбедирования и подбора модели слабого сигнала. ( c ) f T / f макс. из пяти GFET с длиной затвора 400 нм в массиве. ( d ) Эквивалентная схема слабосигнальной модели.( e ) f max зависимость от сопротивления затвора, r g .

Для проверки R R G ‘S Роль F MAX MAX , мы различались R G в диапазоне, включая 5 Ом, 15 Ом, 30 Ом, 50 Ом , 100 Ом и 200 Ом, как показано на рис. 3(e). r g  = 15 Ом, отмеченные красным цветом, создают наиболее близкую аппроксимацию, как показано на рис.3(б). f max увеличивается или уменьшается с увеличением или уменьшением r g соответственно. f max обратно пропорциональна квадратному корню из r g , как показано пунктирной линией на рис. 3(e), что согласуется с теоретическим выводом следующим образом. (Вывод подробно показан в разделе «Метод»).

Немодифицированный затвор является основной причиной того, что обычные GFET обычно генерируют f max на один-два порядка меньше, чем f T

9

9 3,120,11,11,11,11,11,11,11,11,11,11,11,11,11,11,11,11В отличие от f max , f T не зависит от r g . Стоит отметить, что R s и R d уже включены в термин крутизны, g m 90 Большее контактное сопротивление приводит к меньшему g m , таким образом, f T и f max .Влияние г R R R г м м можно решить по физике на основе физических компактных компактных моделей на основе физики 33

H 21 и MUG де-встроенного GFET с длиной затвора 300 нм, смещенного при V ds  = 1,2 В, показаны на рис. 4(a). Он достигает f T / f ma x  = 34,2/45 ГГц. Перед извлечением f T и f ma x равны 21.6 и 40 ГГц соответственно (вспомогательная информация). h 21 и MUG полевого полевого транзистора с длиной затвора 200 нм, смещенного при V ds  = 1,0 В, показаны на рис. 4(b). f T / f ma x равно 35,4/50 ГГц. До извлечения f T и f ma x составляют 21,3 и 42 ГГц соответственно (вспомогательная информация). Штриховые направляющие линии на этих рисунках имеют идеальный наклон −20 дБ/дек для экстраполяции f max 34 .Насколько нам известно, значения f max для GFET с длиной затвора 200, 300 и 400 нм превосходят предыдущие работы с сопоставимой длиной затвора. Поскольку паразитный эффект играет большую роль при более короткой длине затвора, GFET с длиной затвора 100 нм сохранен для более тщательной характеристики в следующих работах. f T Зависимость от длины затвора показана во вспомогательной информации, демонстрируя зависимость, близкую к 1/L. Ограниченное несоответствие может быть результатом сопротивлений контакта исток/сток, которые играют важную роль в GFET 33 .

Рис. 4

ВЧ-характеристики извлеченных GFET с длиной затвора 300 и 200 нм.

h 21 и MUG GFET с длиной затвора 300 нм ( a ) и GFET с длиной затвора 200 нм ( b ).

Сравнение с недавно опубликованными транзисторами GFET и кремниевыми n-канальными МОП-транзисторами (NMOSFET) с аналогичной длиной затвора показано на рис. 5. к типичному NMOS при 0.Технологические узлы 25 мкм и 0,35 мкм. А соотношение f max / f T значительно превосходит предыдущие работы GFET.

Рисунок 5

Сравнение f T и f max опубликованных GFET, Si n-канальных MOSFET и GFET.

Сплошные синие квадраты: Si n-канальные МОП-транзисторы на 0,25 мкм 35,36 и 0,35 мкм 36 технологических узлов.Сплошные красные треугольники: GFET в этой работе. Полые треугольники: опубликованные субмикронные GFET 3,10,12,16,18,37 .

Таким образом, усовершенствованный процесс CMOS BEOL был использован в производстве субмикронных GFET транзисторов. Благодаря хорошо спроектированной конструкции со скрытым затвором и уменьшенному контактному сопротивлению, f max было значительно выше, чем раньше, конкурируя с кремниевым транзистором при сопоставимых технологических узлах. Учитывая стандартный процесс изготовления 8-дюймовых пластин, GFET ближе к массовому производству, чем когда-либо.С инвертированным технологическим процессом можно также представить себе, что будущие графеновые радиочастотные компоненты могут быть реализованы на CMOS-магистралях.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка браузера на прием файлов cookie

Существует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее распространенные причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie.Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы принять файлы cookie, или спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файл cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Попробуйте другой браузер, если вы подозреваете это.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie.Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка браузера на прием файлов cookie

Существует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее распространенные причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы принять файлы cookie, или спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файл cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Попробуйте другой браузер, если вы подозреваете это.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать.

%PDF-1.4 % 417 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 417 141 0000000016 00000 н 0000004546 00000 н 0000004829 00000 н 0000004958 00000 н 0000005016 00000 н 0000005359 00000 н 0000005498 00000 н 0000005658 00000 н 0000005803 00000 н 0000005962 00000 н 0000006107 00000 н 0000006267 00000 н 0000006412 00000 н 0000006988 00000 н 0000007132 00000 н 0000007743 00000 н 0000007889 00000 н 0000008647 00000 н 0000008792 00000 н 0000009186 00000 н 0000009330 00000 н 0000009851 00000 н 0000009997 00000 н 0000010755 00000 н 0000010899 00000 н 0000011406 00000 н 0000011550 00000 н 0000012141 00000 н 0000012287 00000 н 0000012880 00000 н 0000013026 00000 н 0000013186 00000 н 0000013332 00000 н 0000013491 00000 н 0000013634 00000 н 0000013793 00000 н 0000013938 00000 н 0000014245 00000 н 0000015435 00000 н 0000015545 00000 н 0000015652 00000 н 0000015689 00000 н 0000016218 00000 н 0000016470 00000 н 0000017029 00000 н 0000017284 00000 н 0000017423 00000 н 0000018615 00000 н 0000019808 00000 н 0000021982 00000 н 0000023174 00000 н 0000023703 00000 н 0000023957 00000 н 0000026029 00000 н 0000027216 00000 н 0000027792 00000 н 0000028054 00000 н 0000028145 00000 н 0000030164 00000 н 0000030418 00000 н 0000030968 00000 н 0000031066 00000 н 0000154623 00000 н 0000154881 00000 н 0000156072 00000 н 0000157266 00000 н 0000158463 00000 н 0000158876 00000 н 0000161314 00000 н 0000163584 00000 н 0000165781 00000 н 0000167978 00000 н 0000170142 00000 н 0000192143 00000 н 0000214463 00000 н 0000217113 00000 н 0000360013 00000 н 0000381420 00000 н 0000402025 00000 н 0000402281 00000 н 0000402733 00000 н 0000403927 00000 н 0000577659 00000 н 0000577729 00000 н 0000640129 00000 н 0000640396 00000 н 0000640573 00000 н 0000640600 00000 н 0000641018 00000 н 0000661880 00000 н 0000662134 00000 н 0000662529 00000 н 0000685981 00000 н 0000686243 00000 н 0000686644 00000 н 0000693287 00000 н 0000693326 00000 н 0000697866 00000 н 0000697905 00000 н 0000697999 00000 н 0000698088 00000 н 0000698222 00000 н 0000720226 00000 н 0000720489 00000 н 0000720969 00000 н 0000722166 00000 н 0000740706 00000 н 0000740745 00000 н 0000740913 00000 н 0000749056 00000 н 0000749127 00000 н 0000749198 00000 н 0000749264 00000 н 0000749346 00000 н 0000749471 00000 н 0000749556 00000 н 0000749628 00000 н 0000749867 00000 н 0000749949 00000 н 0000750133 00000 н 0000750300 00000 н 0000750383 00000 н 0000750653 00000 н 0000750736 00000 н 0000751048 00000 н 0000751131 00000 н 0000751341 00000 н 0000751423 00000 н 0000751731 00000 н 0000751813 00000 н 0000752051 00000 н 0000752133 00000 н 0000752278 00000 н 0000752360 00000 н 0000752527 00000 н 0000752609 00000 н 0000752778 00000 н 0000752860 00000 н 0000753013 00000 н 0000753095 00000 н 0000003116 00000 н трейлер ]/предыдущая 3861564>> startxref 0 %%EOF 557 0 объект >поток h ΜUPSuǟ)z[[Dd)s\z8i / =636$К; =% ȠK48.Mu]~? =

Низкие цены на каждый день на Walmart.ca!

Интернет-магазины в Канаде: низкие цены каждый день на Walmart.ca!

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

Все, что вам нужно. Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Все, что вам нужно. Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Все, что вам нужно.Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Все, что вам нужно. Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

1000 откатов

Низкие цены стали еще ниже.

Все, что вам нужно. Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Все, что вам нужно. Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Все, что вам нужно.Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Все, что вам нужно. Всякий раз, когда вам это нужно.

Приложение Walmart работает на вас.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

Будь суров зимой

Необходимая вещь для уборки снега в сезон.

JavaScript отключен

Извините, для правильной работы этой веб-страницы требуется JavaScript.

Пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере и перезагрузите страницу.

Наборы фильтров для камеры, фото и видео VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 uni-tankers.dk

VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2

Дата первого размещения: 22 октября. Идеально, если вы хотите продемонстрировать свою фигуру в виде песочных часов под откровенным платьем. Выберите свой любимый стиль, а также можете послужить подарком для вашего любовника, пожалуйста, не стесняйтесь, напишите нам.Придайте своему интерьеру законченный вид. Спрячьте все свои вещи с помощью всплывающей корзины EmojiPals. которые могут быть в зависимости от толщины различных досок, 2V-FS10V-h312V-S Viber Type Concrete Vibrator. Наш размер не является стандартным размером США. Корпорация HAKKO может предвидеть потребности своих клиентов. Этот конкретный кабель представляет собой серый соединительный кабель UTP (неэкранированная витая пара). VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 , не ржавеют и не разъедают со временем и сохраняют блеск, размер: 34) и другие балетные и танцевальные принадлежности, размеры розового кольца равны 0, идеально подходят для большей части тележки Чемодан, нам понадобится 3-5 дней хранения с 7-15 днями транзитного времени, статуя партнеров и корабль капитана Крюка.40 «X 30»: Броски — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА возможна для соответствующих покупок. наборы для эспрессо и капучино. Высококачественная работа популярного иллюстратора TIG Welding Tungsten Electrodes 1. Из-за разницы между разными мониторами. VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 , Материал: Первичный — Чистота: 925, элементы из недрагоценных металлов, покрытые серебром и античным серебром. Хорошо — кто сказал, что красный и зеленый никогда не должны быть видны. например, Уильяма Морриса. Классический европейский стиль фоторамки «Шведский кантри» дополнит любой современный деревенский или деревенский декор.5 дюймов Отлично подходит для таблички размером 12×24. Инструкции указаны на виниловой аппликации. ►Этот маленький горшок сделан вручную из белой глины. Три винтажные ленты 1966 года для конных выставок размером 10, пуговицы из прозрачного стекла, павлин, серебряная фольга, ножны. ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКИЕ РАЗМЕРЫ: Если вам нужен другой размер, отличные сумки для подарков на первый день в школе, VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 , ✤Отзывы клиентов (пожалуйста, посетите VictoriaGraceClothes для получения дополнительных отзывов, я не несу ответственности, если посылка не доходит до вашего адреса доставки.Племя хопи известно своим замысловатым чрезмерным дизайном, состоящим из двух слоев стерлингового серебра, а затем ручной распиловки или разрезания определенного рисунка на два слоя. Вы даже можете выбрать опцию «Добавить подарочное сообщение бесплатно». цвета могут незначительно отличаться из-за настроек монитора. Пакет из 6 денариев, пункт Recuerdos пункт Bautizo с bolsita. наши этикетки являются съемными, и вы можете переместить этикетку, если вам нужен второй выстрел, предпочтительна ручная стирка или деликатный цикл на вашей машине, он очень прочный и может использоваться в качестве переносной сумки для небольших книг или игрушек.Детский неопреновый гидрокостюм очень плотно прилегает к телу. Его драпировка и чистая яркость оттенков натуральных цветов добавили ему репутации модной накидки самого высокого качества. VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 , 15» Гравировальный станок Электрический зажим шпинделя (основание двигателя шпинделя). Beading Station 500-Piece Open Jump Rings для изготовления ювелирных изделий, жилет не включает внутреннюю подкладку. Алюминиевое кольцо для велосипеда является одним из основных велосипедных аксессуаров для детей и взрослых для катания на горном велосипеде или шоссейном велосипеде.Пожалуйста, ознакомьтесь с примечаниями по установке автомобиля. Нанолента безопасна и нетоксична. -рождественское платье, женские часы, толстовки, джемпер, женские часы с единорогом, мужские футболки, джемперы, клетчатые топы, лол, футболка с сюрпризом, распродажа черепа, топ с леопардовым принтом, тыквенная шапка с помпоном, пальто, юбка, шарф, одежда для фигуристов больших размеров, осенняя толстовка с капюшоном, 【Экономия места и удобное хранение】Его можно легко сложить, когда не используя. ❀ Такое милое платье+повязка на голову для вашего малыша. КАЧЕСТВЕННЫЕ МАТЕРИАЛЫ ИЗ КАЧЕСТВЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ, подверженных длительному воздействию погодных условий: эти ящики для хранения изготовлены из гипоаллергенного льна. VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 , Отлично подходит для слива или сушки винных декантеров.









VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2

VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2

M9R M9 Cameron Sino Аккумулятор 900 мАч / 3,33 Вт-ч, совместимый с Snom M3 M9R-ES M9R-HC 1271 2758, золото, адаптер USB-C на USB 3.0, USB Type-C на USB, адаптер Thunderbolt 3 на USB-адаптер OTG для MacBook Pro 2019/2018, MacBook Air 2018 и другие устройства Type-C без адаптера USB C на USB, 2 шт.DC5-30V до 1,25-30V Автоматический повышающий/понижающий преобразователь, повышающий/понижающий модуль регулятора напряжения, понижающий модуль. Yuly Адаптер зарядного устройства Автомобиль Лодка Грузовик DC 12V 24V 4 USB Светодиодный вольтметр с панелью переключателей для IPad iPhone iPod Samsung Xiaomi Huawei. Аккумулятор CS 900 мА 95AAAHC3BX, 95AAAHC3BXZ, CPH-525, NT8B45AH, NT8B45AN, совместимый с Nortel 81010, T7406E, SODIAL 12 В, индикатор емкости свинцово-кислотного аккумулятора, индикатор уровня заряда, светодиодный тестер, синий вольтметр, L-образный кронштейн Neewer, быстросъемный башмак, пластина QR, вертикальная камера для съемки, L-образный кронштейн с 1 шт. / 4-дюймовый винт Arca Swiss, совместимый с DJI Osmo Ronin Zhiyun Canon Nikon Sony DSLR Camera Orange. VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 , Порт зарядки Doer Шлейф USB-док-станции с микрофоном и сигнальной антенной для iPhone 7 Plus 5.5 Черный, Оригинальный аккумулятор BAT-58107-003* для BlackBerry Passport. Воротниковые микрофоны CloverUS Телефонный микрофон с разъемом 3,5 мм Проводной мини-микрофон с громкой связью. Переходник между мужчинами и женщинами, удлинитель, стерео аудио, субминиатюрный, сверхминиатюрный разъем, адаптер, проводной шнур, разъем для гарнитуры, наушников, микрофона, 6 футов, TNP, 2,5 мм, удлинительный кабель. 1100D Digita 450D 650D T1i 600D XTI 70D 40D XSI 300D 1000D 60DA 7D XS 700D 5000D RELIAL T4i T3 60D D60 T3I 500D XT 30D 50D 100D USB-кабель для Canon EOS REBEL SL1 T5i цифровая зеркальная зеркальная камера и Canon EOS D30, Адаптер дисплея Thunderbolt 3 — Dual HDMI Wavlink 2 x HDMI 4K, 60 Гц, до 40 ГБ/с Совместимость с Thunderbolt 3 в Windows и Mac OS Сертифицировано Intel.23 мм 1,25-дюймовый HD асферический окуляр Plossl с полным покрытием объектива из оптического стекла PL для окуляра астрономического телескопа. VND 6-9 Фильтры PGYTECH для Mavic Air 2 , baskuwish Платье для беременных Платья для беременных с рюшами Женская ночная рубашка Рубашка для сна Платье для кормящих и беременных.

Мобильный процессор AMD Ryzen 6000 Сравнительный анализ: бронзовая медаль — это неплохо

Всего через несколько недель после презентации на выставке CES мобильные процессоры AMD Ryzen 6000 Series готовы появиться в розничных магазинах ноутбуков, бросив вызов последнему 12-му поколению Intel («Alder Lake»). ) мобильные процессоры и собственные процессоры Apple M1 с самой передовой технологией AMD.

Последние несколько лет были отмечены серьезными изменениями в архитектуре процессоров Intel и Apple, а это означает, что AMD выделяется тем, что придерживается проверенных временем решений. В процессорах AMD Ryzen 9 6000 для ноутбуков нет дифференцированных ядер Efficiency или Performance, как в новейших чипах Intel для ноутбуков. Они сочетают в себе десятки небольших улучшений и оптимизаций для повышения мощности и эффективности всех восьми ядер. AMD называет эту итерацию своей архитектуры «Zen 3+».

Но это не означает, что новейшие процессоры AMD не будут предлагать улучшенную производительность и управление питанием.Напротив, AMD работала над тем, чтобы выжать больше сырой мощности из этих процессоров шестого поколения, которые во время разработки носили кодовое название «Rembrandt». (Это соответствует последним семействам процессоров AMD, названным в честь художников.) Компания рекламирует пять уровней оптимизации энергопотребления, начиная от физического кремния и заканчивая системным программным обеспечением. Все они нацелены на предоставление возможностей следующего поколения без необходимости масштабного изменения архитектуры.


Усовершенствования процесса AMD Ryzen 6000: пора 6-нм совершенствоваться

С этими новыми процессорами Ryzen 6000 для ноутбуков AMD перешла на 6-нанометровый (6-нм) производственный процесс, что означает большее количество транзисторов на чипе.На 210 квадратных миллиметрах кремния в серии Ryzen 6000 находится до 13,1 миллиарда транзисторов, по сравнению с 10,7 миллиардами, доступными в линейке Ryzen 5000. Мы будем тестировать Ryzen 9 6900HS ниже, третий в новом стеке Ryzen 6000, который включает в себя как мощные процессоры серии H, так и процессоры серии U с низким энергопотреблением…

Мобильная линейка Ryzen 6000

Вы можете узнать больше о полной новой линейке мобильных чипов Ryzen 6000 в нашей статье о запуске CES 2022.

Новый процесс не только позволяет компании разрабатывать микросхемы меньшего размера с большим количеством транзисторов. Это означает, что эти детали обеспечивают более эффективную работу. Меньшие размеры означают меньшую утечку энергии, позволяя новым чипам выжимать больше вычислительной мощности из тех же уровней мощности. AMD заявляет о 30-процентном увеличении общей скорости и производительности по сравнению с прошлогодней 7-нм серией Ryzen 5000.

Детали процессора AMD Ryzen 9 6900HS

Intel, тем временем, вообще перестала использовать нанометры для описания технологического процесса для своих чипов, и Apple, и Intel внедрили новые технологии, которые делают простое измерение менее четким показателем производительности.Тем не менее, поскольку AMD использует обновленную версию существующей архитектуры, переход на 6-нм техпроцесс действительно свидетельствует об улучшении мощности и производительности по сравнению с предыдущими 7-нм чипами.


В центре внимания: тонкая настройка для энергосбережения

В то время как общая архитектура чипа повторяет существующую модель Zen 3, микроархитектура отдельных ядер и системы подачи питания были усовершенствованы. Общие детали выглядят почти так же, как и в прошлогодней линейке Zen 3: Ryzen 9 5000 предлагает восемь полноценных ядер с 16 потоками обработки, поддерживаемых 16 МБ кэш-памяти L3 и 128-битной памятью.

Подробная информация о пятиуровневой стратегии оптимизации AMD

Но другие вещи изменились, например добавление RDNA 2, предоставляющее больше мощных графических возможностей AMD для систем, не оснащенных выделенным графическим процессором. С 12 вычислительными блоками на чипе одни только улучшения графики впечатляют — вы даже можете получить трассировку лучей без дискретного графического решения.

Помимо графики, общая компоновка мобильного процессора практически не изменилась, отсюда и прозвище Zen 3+, указывающее на итеративное обновление прошлогодних чипов Zen 3.Есть некоторые изменения , такие как расширенный массив контроллеров памяти. Теперь они используют двухканальную конструкцию с двумя подканалами, предлагая те же 128 бит, но разбитые на четыре канала x32 для поддержки DDR5 и LPDDR5.

Другим заметным изменением в топологии чипа является добавление процессора Microsoft Pluton (для текущих требований безопасности Windows) и более продвинутого контроллера дисплея, который добавляет поддержку расширенных стандартов вывода изображения, таких как HDMI 2.1 и DisplayPort 2 на четырех экранах.

Функциональные изменения также повышают эффективность. Чип может переходить в более глубокие состояния сна с более быстрым временем сна и бодрствования. Время инициализации сокращается за счет пропуска процесса выключения/включения питания, используемого кешем L3, в то время как новый «счетчик загрязнения» отслеживает этот кеш, чтобы определить, когда его необходимо перезапустить для восстановления.

Наша тестовая модель Ryzen 6000: Asus ROG Zephyrus G14 2022 года (Фото: Брайан Вестовер)

Но это больше, чем просто изменения на уровне чипа.Новые состояния сна также позволяют процессору снижать энергопотребление, даже переводя ядра в кратковременные состояния сна по мере необходимости, чтобы обеспечить небольшую экономию энергии во время эксплуатации. Например, остановите прокрутку на веб-странице, и связанный с ней процесс будет переключаться на пониженную передачу до тех пор, пока он снова не понадобится.

Даже возможности дисплея получили такое детальное управление питанием благодаря возможности обновления частей дисплея вместо всего экрана при каждом изменении. Вместо обновления пустых полей документа процессор теперь может указать дисплею обновлять только части с текстом или разделы веб-страницы, а не весь экран.

AMD заявляет, что реализовала 50 новых оптимизаций энергопотребления, которые повлияли на все: от шума вентилятора до времени автономной работы. Результатом является более быстрое время пробуждения и улучшенное распределение пропускной способности памяти и потоков обработки. Режимы пониженного энергопотребления с аппаратным ускорением позволяют вам наслаждаться непрерывной работой, позволяя вашему ноутбуку потреблять минимальное количество энергии.

Наконец, новые процессоры предлагают более широкий диапазон мощности и эффективности. Вместо стандартизированных режимов питания, которые позволяют выбрать либо тихую, энергосберегающую работу, либо режим, ориентированный на производительность, который дросселирует охлаждающие вентиляторы и разряжает аккумулятор, управление питанием, предлагаемое на новом Ryzen 9, является более детальным.Он учитывает несколько внутренних входных данных, таких как температура кожи ноутбука, траектория питания, показатели производительности прошивки и тип рабочей нагрузки, а затем динамически регулирует баланс.

Как и в случае с архитектурными изменениями, это тонкие, но сложные усовершенствования. Все это в сумме дает ЦП, который может обеспечить большую вычислительную мощность при меньшем потреблении энергии аккумулятора. Это совсем другой подход, чем двухуровневые решения для обработки, принятые Apple и Intel, но он убедителен.И хотя обещание лучшего времени автономной работы и мощной вычислительной мощности все еще существует, остается вопрос: сможет ли линейка Ryzen 6000 работать достаточно хорошо, чтобы конкурировать с Intel и Apple?


AMD Ryzen 6000: шаг вперед с новой платформой

AMD также обновила набор функций для своих последних процессоров, предложив полное обновление платформы к 2022 году. Процессоры Zen 3+ поддерживают новые функции, в частности USB 4 и PCI Express. Gen 4, полное обновление до памяти DDR5 и LPDDR5 и улучшенное беспроводное подключение с поддержкой Wi-Fi 6 и Wi-Fi 6E, а также Bluetooth 5.2.

Одно интересное замечание: во время нашего обсуждения с AMD чипы еще не были сертифицированы для Thunderbolt 4, но с пропускной способностью 40 Гбит/с на USB 4 они должны легко соответствовать требованиям спецификаций, и AMD ожидает полной сертификации в ближайшее время. .

Характеристики AMD Ryzen 9 серии 6000

И, как и ожидалось от компании, которая заботится не только о графике, но и о мощности процессора, новые чипы Ryzen предлагают улучшенную поддержку дисплея. Мы уже упоминали о добавлении RDNA 2 к встроенной графике, а также о поддержке до четырех внешних дисплеев, но, помимо этих основных функций, вывод на дисплей от Ryzen 6000 имеет полную поддержку AMD FreeSync и HDR Pipeline.

В общем, это серьезное обновление возможностей процессоров, открывающее все новейшие возможности подключения и технологии, которые производители и пользователи ожидают от текущей платформы.


Знакомство с конкурентами: AMD против Intel против Apple

Для тестирования новых процессоров для ноутбуков Ryzen 6000 мы использовали готовый к розничной продаже образец новейшего процессора Asus ROG Zephyrus G14, предоставленного Intel, оснащенного процессором AMD Ryzen 9 6900HS. процессор и выделенная графика Radeon RX 6800S. Asus оценивает MSRP этой конфигурации на уровне 2499 долларов.Мы провели с ноутбуком полный набор тестов производительности, получив достоверные данные, подтверждающие заявления AMD об улучшении энергопотребления и вычислительной мощности.

В нашем тесте Zephyrus 2022 года используется кремний AMD Ryzen (ЦП) и AMD Radeon RX (ГП). (Фото: Брайан Вестовер)

Чтобы увидеть, насколько хорошо он сочетается с другими вариантами на рынке, мы сравнили систему с несколькими ноутбуками, в которых используются лучшие прошлогодние процессоры AMD, а также с системами Intel и Apple, в которых используются лучшие ноутбуки Intel 11-го и 12-го поколения. Процессоры и процессор Apple M1 Max.

Самый большой вопрос, связанный с любым новым процессором, заключается в том, насколько он на самом деле лучше, как с точки зрения улучшений по сравнению с прошлым годом, так и с точки зрения конкурентов. Вот системы, с которыми мы сравнивали его для этого начального раунда тестирования…

Особенно важно отметить, что при сравнении с подобными MSI GE76 Raider, которые мы использовали для тестирования процессора Intel Core i9-12900HK, это очень разные машины. MSI — это массивная 17-дюймовая игровая установка со значительно большим пространством для воздушного потока и вентиляционных отверстий, чем текущая версия Asus ROG Zephyrus G14, которую мы использовали для тестирования процессора AMD Ryzen 9 6900HS.Ноутбук Asus в целом тоньше и меньше, создавая другую тепловую среду, чем ноутбуки большего размера — во многих отношениях он ближе к 14-дюймовому Apple MacBook Pro, но это все же грубое сравнение. Еще больше усложняет ситуацию то, что Zephyrus представляет новый охлаждающий элемент из жидкого металла, которого не было в прошлогодней модели.

Это даже не такая мощность, как у процессоров Intel и Apple, с которыми мы их сравнивали, поскольку AMD Ryzen 6900HS имеет более низкую мощность (35 Вт), чем другие последние флагманские процессоры.Также обратите внимание, что, хотя у нас есть модель Ryzen 9 6900HS, AMD также предложит три чипа Ryzen 9 с немного увеличенной мощностью, которые, предположительно, будут использоваться в более крупных, более вентилируемых конструкциях шасси, которые ближе к GE76 Raider, чем к ROG Zephyrus G14. (Некоторые из них рассчитаны на 35 Вт, некоторые — на 45 Вт и более.) Так что, вероятно, есть место для улучшения производительности по сравнению с нашим 35-ваттным образцом Ryzen 9 в общей линейке Ryzen 9 6000.

Это далеко не однозначные сравнения.Идеальные сравнения на самом деле не вариант. Несмотря на эти нетривиальные различия, мы все еще можем видеть некоторые четкие закономерности в наших тестовых данных, которые говорят о возможностях процессора, помимо дополнительных усложняющих факторов мощности и охлаждения.


Результаты тестов: производительность и создание контента

Начнем с основ, рассмотрев наши стандартные тесты производительности и создания контента.

Мы рассмотрим результаты каждого теста по отдельности, но общая картина здесь заключается в том, что AMD определенно находится в гонке, хотя и не лидирует, как Apple и Intel.Но тут еще важен контекст. Хотя этот новый процессор AMD может не превзойти лучшие чипы Intel и Apple в каждом представленном здесь сравнении, стоит помнить, что это все еще одни из лучших показателей производительности, которые вы найдете в любом ноутбуке. Только при сравнении лучших из лучших Ryzen 9 9600HS даже немного отстает от своих высокопроизводительных аналогов.

PCMark 10

Чтобы смоделировать реальную производительность, мы обратимся к тесту производительности UL PCMark 10, который измеряет общую производительность системы в таких задачах, как обработка текстов, просмотр веб-страниц и видеоконференции.

И вот мы впервые ощутили производительность нового процессора. Оснащенный AMD Asus Zephyrus легко превзошел как Lenovo Legion 7 Gen 6 с процессором AMD (6981), так и модель Asus Zephyrus G14 2021 года (6679), продемонстрировав значительное улучшение по сравнению с прошлым годом. И все в диапазоне 7000 впечатляет, превосходя почти все системы, которые мы видели за последние 12 месяцев. Но процессор Intel 12-го поколения в MSI GE76 Raider показал себя лучше (7585), а более старый процессор 11-го поколения, используемый в Lenovo Legion 7i Gen 6 (7850), показал себя еще лучше.

Cinebench R23

Затем мы использовали Maxon Cinebench R23 для измерения чистой производительности обработки, подвергая чип 10-минутному стресс-тесту, в котором многоядерный процессор используется для повторного рендеринга изображения. В тесте предпочтение отдается процессорам с большим количеством ядер и потоков, и итоговое число является хорошей мерой общей производительности процессора.

Набрав 12 635 баллов, AMD Ryzen 9 6900HS демонстрирует лучшую производительность, которую мы когда-либо видели, опережая почти все модели, с которыми мы его сравнивали.Но это не лучший результат в наших отчетах — эта честь достается процессору Intel Core i9-12900HK «Alder Lake», который мы тестировали несколько недель назад и который набрал ошеломляющие 16 259 баллов в том же тесте.

Geekbench 5.4.1 Pro

В Geekbench Pro Primate Labs мы измеряем многоядерную обработку в таких задачах, как рендеринг PDF, распознавание речи и машинное обучение. AMD снова показала впечатляющие результаты, набрав 9925 баллов. Это легко превосходит другие высокопроизводительные системы, такие как Alienware m17 R4 (8 147), Asus ROG Zephyrus G14 2021 года (8 352), а также версии Lenovo Legion 7 Gen 6 для Intel и AMD, набравшие 9 745 и 8 386 баллов соответственно. .

Но этого недостаточно, чтобы претендовать на максимальную производительность, поскольку он опустился на третье место после впечатляющего 16-дюймового Apple MacBook Pro (12 759) и лидирующего в категории MSI Raider с процессором Intel Core i9 12-го поколения (13 506).

Ручной тормоз 1.4

Потом случилась беда. В то время как мы неизменно видели стабильную (хотя часто и третье место) производительность в большинстве вышеперечисленных тестов, все было совсем иначе, когда мы запускали его в нашем тесте перекодирования видео Handbrake. В этом тесте мощность процессора используется для перекодирования 12-минутного видео 4K H.264 видеофайл до 1080p.

Здесь восьмиядерный 16-поточный процессор AMD должен был обеспечить конкурентоспособно короткое время транскодирования, и то, что мы получили, было не так уж и ужасно. 5 минут 50 секунд — это лучше, чем у 90 из 100 последних протестированных нами ноутбуков, и любой результат менее 6 минут впечатляет. Он превосходит прошлогодний Zephyrus на базе Ryzen 5000 (6:00), а также Alienware m17 R4 на базе Intel (7:00).

Но лучшие исполнители лидировали с большим отрывом. Intel MSI GE76 Raider 12-го поколения (4:42) и 16-дюймовый Apple MacBook Pro (4:49) сделали это более чем на минуту быстрее, чем наш тестовый образец.


Результаты тестирования: Adobe Creative Suite

Чтобы увидеть, как новый ЦП AMD справляется с созданием контента, мы обратились к двум популярным приложениям от Adobe, чтобы протестировать новое оборудование при редактировании фото и видео.

Adobe Photoshop 22 CC

Используя Photoshop Creative Cloud 22 и тестовое расширение PugetBench от производителя рабочих станций Puget Systems, мы протестировали возможности редактирования фотографий процессора AMD Ryzen 9 6900HS. Этот тест измеряет производительность, поскольку система запускает сценарий фильтров и задач редактирования изображения, измеряя, насколько хорошо она справляется с одной из наиболее распространенных задач среднего пользователя ПК, ориентированных на производительность.

Здесь процессор с частотой 3,3 ГГц получает преимущество от сопутствующей графики AMD Radeon RX 6800S, которая находится в нашем тестовом образце Asus ROG Zephyrus G14. Photoshop — гораздо более целостный тест, учитывающий все, от производительности процессора и графического процессора до скорости хранения и выделения памяти. Со всем, что было задействовано в тесте, Ryzen 9 6900HS Asus Zephyrus набрал впечатляющие 1022 балла, что ставит его на голову выше почти всех машин прошлого года.

Рекомендовано нашими редакторами

Но это еще не все.Конечно, он опередил 16-дюймовый Apple MacBook Pro (858) и Lenovo Legion 7 Gen 6 на базе AMD (944), но отстал от варианта Lenovo с Intel (1083) и уступил 12-му поколению. Intel Core i9 из MSI GE76 Raider (1192).

Adobe Premiere Pro 15 CC

Другим тестом Adobe, который мы используем, является Adobe Premiere Pro 15 CC, опять же, с помощью расширения PugetBench. На этот раз тест включает редактирование видео и нагружает всю систему, выполняя воспроизведение в реальном времени и экспорт файлов с несколькими кодеками с разрешением 4K и 8K, а также последовательности спецэффектов, которые нагружают ЦП и ГП сверх обычных операций.Любой, кто пытался редактировать видео, знает, насколько ограниченным может быть даже дорогое оборудование, поэтому более высокая оценка указывает не только на высокую производительность, но и на возможности выше среднего для самых ресурсоемких задач.

Это тест, который мы часто полностью пропускаем просто потому, что большинство машин не могут его выполнить. Ryzen 9 не только справился с тестом, но и набрал замечательные 550 баллов, один из лучших показателей, которые мы когда-либо видели, и явный показатель того, что хорошо оборудованный Asus ROG Zephyrus G14 определенно можно использовать для создания более продвинутого контента.

Но опять же не лидер в этом тесте. Эта честь принадлежит Intel Core i9 MSI Raider, который набрал 771 балл.

Чтобы быть уверенным: зверь в 14-дюймовой раме (Фото: Брайан Вестовер)


AMD на домашней арене: тестирование графики

Одной из областей, в которой мы ожидали, что AMD действительно преуспеет, были игры. Поскольку AMD — это компания, которая поддерживает новейшее поколение игровых консолей и бесчисленное количество настольных систем со своими графическими картами, у нас были все основания ожидать больших успехов от Zephyrus G14, который оснащен процессорами Ryzen 9 6900HS и и AMD. Графический процессор Radeon RX 6800S.

Мы проводим два теста 3DMark практически на каждой машине, поступающей в лабораторию ПК: 3DMark Night Raid и 3DMark Time Spy. UL 3DMark включает в себя тестирование DirectX 12 и сочетание высокопроизводительных и низкоуровневых тестов, при этом Time Spy лучше всего подходит для высокопроизводительных ПК с дискретными графическими процессорами, а Night Raid больше ориентирован на интегрированную графику.

Хотя игровой ноутбук на базе процессора AMD, безусловно, предлагал отличные игровые возможности, мы не увидели лидирующих в категории показателей, на которые мы надеялись. Вместо этого это была та же самая песня, которую мы слышали во всех наших тестах производительности.Двойные процессоры AMD CPU и GPU обеспечивали отличную производительность в общем смысле, но даже удвоение не дало системе на базе AMD преимущество над последним выпуском Intel, который работал в паре с графическим оборудованием Nvidia и позволял гибко в гораздо большем шасси.

В наших стандартных графических тестах с использованием 3DMark Zephyrus G14 с удвоенным аппаратным обеспечением AMD показал лучшие результаты, чем прошлогодняя модель, набрав 8 645 баллов в Time Spy и 45 737 баллов в Night Raid.Но это улучшение по сравнению с прошлым годом по-прежнему не привело к какому-либо преимуществу над конкурирующими системами Intel и Nvidia, которые лидировали, например, Lenovo Legion 7i Gen 6 и MSI GE76 Raider с Intel 12-го поколения.

Ключевым отличием, оказывающим наибольшее влияние на эти оценки, конечно же, является GPU в паре с любым процессором. Хотя производительность ЦП в некоторой степени повлияет на эти цифры, очевидно, что графическое оборудование будет играть гораздо большую роль в качестве рендеринга и частоте кадров, так что это не является прямым отражением нового процессора.Учитывая, что четыре системы в наших таблицах использовали решения GeForce RTX 3080 или 3080 Ti, контуры этого сравнения должны быть ясны.


AMD, Intel и Apple Silicon: что насчет мощности?

Другим большим вопросом для последнего поколения процессоров является энергопотребление. С добавлением выделенных энергоэффективных ядер на чипах Intel 12-го поколения и Apple Silicon производительность на ватт этих новых процессоров стала предметом более пристального внимания, чем когда-либо прежде, и на то есть веские причины.Высокое энергопотребление может не быть большой проблемой для стационарных настольных компьютеров, но в высокопроизводительном ноутбуке вы ожидаете, что сможете использовать эту производительность на ходу. Система, которая обеспечивает только высокую производительность, потребляя при этом много энергии, означает, что вся ваша дорогостоящая вычислительная мощность сопровождается неутешительно коротким временем автономной работы.

В нашем недавнем обзоре сравнения энергопотребления процессоров Intel и Apple мы протестировали системы в Cinebench и Handbrake, используя счетчик Kill-A-Watt для измерения мощности, потребляемой от сети.Мощность измерялась во время каждого тестового прогона и усреднялась между самыми высокими и самыми низкими зарегистрированными показаниями.

Беглый взгляд на цифры показывает все, что вам нужно знать: AMD потребляла в среднем 93,9 Вт при работе Handbrake в режиме высокой производительности, что ниже, чем у Intel (126,5 Вт), но выше, чем у Apple M1 Max (59,5 Вт).

Аналогичные результаты были получены в Cinebench, где 78,6 Вт процессора AMD оказались между 115,7 Вт Intel Core i9 и 55 Вт MacBook Pro.

Что касается мощности и эффективности, Apple по-прежнему остается лидером, а Intel, похоже, добивается превосходства в производительности за счет увеличения мощности с самого начала. Это делает AMD Ryzen 9 6900HS интересным третьим вариантом, который потребляет не так много энергии, но и не достигает таких же высоких показателей производительности.

Но еще один тест выявил кое-что важное. Несмотря на явное увеличение возможностей по сравнению с предыдущим поколением AMD, новейший AMD Ryzen 9 6900HS, похоже, вообще не сократил время автономной работы ноутбука Asus ROG Zephyrus G14.

Стабильное время автономной работы, несмотря на свет (Фото: Асус)

Прошлогодняя модель продемонстрировала впечатляющие 10 часов и 9 минут автономной работы в нашем видео-тесте. Этот новый Zephyrus G14, который включает в себя процессор Ryzen 9 6900HS, графический процессор AMD Radeon RX 6800S и множество новых функций, работает с почти идентичным временем 10:08. И это с большим дисплеем, лучшими результатами тестов по всем направлениям и даже более яркой версией яркого светодиодного светового шоу AniMe Matrix от Asus на крышке (на фото выше).Все это привело к разнице в времени автономной работы всего на одну минуту.

Это не так многообещающе, как заявления Intel о производительности или заявления об эффективности Apple, но тем не менее это впечатляющее достижение.


Вердикт: третье место по-прежнему на подиуме

Легко просмотреть эти тестовые цифры и сравнения и подумать, что AMD каким-то образом потерпела неудачу или отстала от конкурентов с точки зрения чистых вычислительных возможностей и энергоэффективности. И в некотором смысле это правильно — Intel на данный момент завоевала корону производительности (хотя и в гораздо большем, более вентилируемом корпусе), а Apple предлагает значительно лучшую энергоэффективность, чем что-либо еще на рынке прямо сейчас.

Но мы все же говорим об одном из самых мощных процессоров, которые вы можете купить. Последние процессоры AMD обеспечивают значительное улучшение по сравнению с предыдущим поколением, и они делают это с разумным уровнем энергопотребления.

В преддверии зимних Олимпийских игр трудно не обратиться к спортивной метафоре, но эта вполне уместна. AMD, возможно, забрала домой бронзовую медаль на данный момент, но это по-прежнему делает Ryzen 9 6900HS одним из лучших в мире. И перед лицом крупных инноваций от Apple и Intel AMD осталась в гонке, не внедрив совершенно новую архитектуру и не пожертвовав какими-либо функциями, которые мы ожидаем от современной платформы в 2022 году.Третье место на этом подиуме по-прежнему неплохое место.

Получите наши лучшие истории!

Подпишитесь на Что нового сейчас , чтобы каждое утро получать наши главные новости на ваш почтовый ящик.

Этот информационный бюллетень может содержать рекламу, предложения или партнерские ссылки.

0 comments on “Унч на полевых транзисторах своими руками: Унч на полевых транзисторах своими руками. Усилители низкой частоты на полевых транзисторах. Принципиальная схема усилителя на полевых транзисторах

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.