Фотосопротивление и его основные характеристики
В заключение, еще раз обратим внимание на то, что энергетическая зона — это не часть реального пространства, а всего лишь удобное графическое изображение значений энергии, которые может приобретать электрон. Соответственно, когда идет речь о движении электрона в какой-то зоне, то движется он в объеме реального полупроводника, преодолевая микроскопические расстояния и обладая при этом энергией, попадающей в интервал, ограниченный данной зоной. Светочувствительный элемент фотосопротивления представляет собой прямоугольную или круглую таблетку, спрессованную из полупроводникового материала, или тонкую пленку полупроводника на стеклянной подложке. От полупроводника отходят электроды с малым сопротивлением.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Управление Подсветкой Дисплея своими руками
Фоторезисторы устройство и принцип действия
Вольт-амперные характеристики фоторезистора представляют собой зависимости тока через фоторезистор от приложенного к его выводам напряжения при различных значениях светового потока рис. Разность этих токов равна фототоку :. В рабочем диапазоне напряжения ВАХ фоторезисторов при различных значениях светового потока практически линейны. При больших напряжениях на фоторезисторе ВАХ опять может отклоняться от линейной, становясь нелинейной.
Энергетическая характеристика фототока рис. При увеличении Ф рост фототока замедляется, так как с увеличением концентрации свободных носителей заряда возрастает вероятность их рекомбинации через ловушки и, следовательно, уменьшается время жизни. По вертикальной оси отложено относительное значение фототока:. При больших длинах волн, то есть при малых энергиях квантов света по сравнению с шириной запрещенной зоны полупроводника, энергия кванта оказывается недостаточной для переброса электрона из валентной зоны в зону проводимости.
Таким образом, спектральная характеристика имеет спад и при малых длинах волн. Различные полупроводники имеют ширину запрещенной зоны от десятых долей до 3 эВ. Поэтому максимум спектральной ха. Принцип действия. Вам также может понравиться.
Фотосопротивления и их характеристики
) и не освещен, то в его цепи будет протекать темновой ток: Основные характеристики фотосопротивлений: • Рабочая площадь.
Фоторезисторы Конструкция и схема включения фоторезистора
В полной темноте, сопротивление этих радио компонентов огромное, может доходить до десятков МОм, но как только элемент подвергается воздействию света, его сопротивление резко снижается до долей Ома. Фоторезисторы ФР обладают высокой чувствительностью в достаточно широком диапазоне от инфракрасного до рентгеновского спектра , которая и зависит от длины волны светового потока. Эти радио компоненты все еще применяются во многих электронных устройствах благодаря их высокой стабильности во времени, малым размерам и богатым номиналам сопротивлений. Их обычно изготавливают в пластиковом корпус с прозрачным окном и двумя внешними выводами, полярность подсоединения разницы не играет. Фоторезистор — это датчик преобразователь , электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от интенсивности поступающего на него светового потока. Чем он сильнее, тем больше генерируется свободных носителей зарядов электронов и тем ниже сопротивление фоторезистора. Два внешних металлических вывода этого датчика идут через керамический материал основания к специальной светочувствительной пленке, которая по свойству материал и своей геометрии задает электрические свойства сопротивления фоторезистора. Так как фоточувствительное вещество по своей природе с достаточно большим внутренним сопротивлением, то между обоими выводами с тонкой дорожкой, при средней световой интенсивности, получается низкое общее сопротивление фоторезистора. По аналогии с человеческим глазом, фоторезистор чувствителен к определенному интервалу длины световой волны.
Параметры и характеристики фоторезисторов
Вольт-амперной характеристикой фотоэлемента называется зависимость фототока I Ф от величины приложенного к фотоэлементу напряжения U a при постоянном световом потоке:. На рис. Она отличается двумя особенностями:. Электроны перестают достигать анода, когда работа задерживающего электрического поля становится равной их начальной кинетической энергии. Вольт-амперные характеристики фотосопротивлений имеют линейный характер.
Фоторезисторы — это резисторы, у которых меняется сопротивление в зависимости от действия света на светочувствительную поверхность.
1.3. Основные характеристики фотоэлементов.
При соединении двух полупроводников с n и р — проводимостью в месте контакта образуется тонкий запирающий слой толщиной 10 —3 — 10 —5 см. Этот слой обладает односторонней проводимостью. При отсутствии внешнего электрического поля он свободно пропускает электроны из р — полупроводника в n — полупроводник. Дырки беспрепятственно проходят в обратном направлении. Следовательно, в отсутствие внешнего электрического поля ток через контактную область создается только неосновными носителями, поэтому сила тока очень мала.
Фоторезистор ФСК-1
Свойство фоторезистора реагировать на световые волны определенного диапазона называется его спектральной чувствительностью. Очень важной характеристикой фоторезистора является также его пороговая чувствительность. Свойства фоторезисторов не зависят от полярности приложенного напряжения, что позволяет включать их в цепь переменного тока. Фоторезисторы обычно обладают заметной инерционностью, ограничивающей их применение контролем сравнительно медленных изменений освещенности. Превышение мощности рассеяния приводит к превышению допустимой температуры и необратимым изменениям свойств фоторезисторов. С увеличением температуры окружающей среды максимально допустимая мощность снижается по линейному закону.
Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью, стабильностью, Основные характеристики фотосопротивлений: ○ Рабочая площадь.
Что такое фоторезистор?
Содержание: Основные понятия и устройство Характеристики фоторезисторов Где используется. Фоторезистор — это полупроводниковый прибор, сопротивление которого если удобно — проводимость изменяются в зависимости от того, насколько сильно освещена его чувствительная поверхность. Конструктивно встречаются в различных исполнениях. Наиболее распространены элементы такой конструкции, как изображено на рисунке ниже.
Фоторезистор. Принцип работы, характеристики
Вольт-амперная характеристика — это зависимость тока через фоторезистор от напряжения U, приложенного к его выводам, при различных значениях светового потока Ф рис. Ток при называется темновым током , при — общим током. Разность этих токов равна фототоку: 2. Энергетическая характеристика — это зависимость фототока фоторезистора от светового потока при рис. В области малых Ф она линейная, а при увеличении Ф рост фототока замедляется из-за возрастания вероятности рекомбинаций носителей заряда через ловушки и уменьшения их времени жизни. Энергетическая характеристика иногда называется люкс-амперной.
Фототок — ток, протекающий через фоторезистор при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.
В электронике инфракрасное излучение наиболее широко применяется в фотоприемниках, где величина тока изменяется в зависимости от степени облучения их чувствительного слоя. К ним относятся: — Фоторезисторы. Прибор, электрическое сопротивление которого уменьшается под действием облучения его чувствительного слоя при увеличении освещенности. Встречаются фоторезисторы сернисто-кадмиевые CdS , селено-кадмиевые CdSe и их разновидности — сернисто-селенокадмиевые. Нужно отметить что фоторезисторы обладают достаточно узким спектральным диапазоном в ИК области и большей инертностью при очень высокой чувствительности к изменению освещенности, сопротивление может изменятся от десятков мегаом 10 МОм при затемнении до единиц килоом 8 кОм при средней освещенности. Резкое изменение освещенности фоторезистора вызывает плавное изменение его сопротивления, с определенной задержкой, которая может составлять несколько миллисекунд при сильной освещенности и может превысить секунду при слабой освещенности. Хотя фоторезисторы и позволяют интересные эксперименты в области ИК излучения, их использование сводится к весьма простым приложениям.
Фоторезисторы чаще всего используются для определения наличия или отсутствия света или для измерения интенсивности света. В темноте, их сопротивление очень высокое, иногда доходит до 1 МОм, но когда датчик LDR подвергается воздействию света, его сопротивление резко падает, вплоть до нескольких десятков ом в зависимости от интенсивности света. Фоторезисторы имеют чувствительность, которая изменяется с длиной волны света. Они используются во многих устройствах, хотя уступают по своей популярности фотодиодам и фототранзисторам.
Основные характеристики и параметры фоторезистора
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА
Вопът-амперная характеристика — это зависимость тока I через фоторезистор от напряжения и, приложенного к его выводам, при различных значениях светового потока Ф (рис. 6.21, в). Ток при Ф = 0 называется темновым током 1Т, при Ф > 0 — общим током /общ. Разность этих токов равна фототоку:
(6.46)
Энергетическая характеристика — это зависимость фототока (фоторезистора) от светового потока при U = const (рис. 6.21, г). В области малых Ф она линейна, а при увеличении Ф рост фототока замедляется из-за возрастания вероятности рекомбинаций носителей заряда через ловушки и уменьшения их времени жизни. Энергетическая характеристика иногда называется люкс-амперной, тогда по оси абсцисс откладывается не световой поток, а освещенность Е в люксах.
Чувствительность. Для фоторезисторов чаще используют токовую чувствительность S, под которой понимают отношение фототока (или его приращения) к величине, характеризующей излучение (или его приращение). При отношении приращений чувствительность называют дифференциальной.
В зависимости от того, какой величиной характеризуется излучение, различают токовую чувствительность к световому потоку Ф: = /ф/Ф; токовую чувствительность к осве
Щенности Е:
Se = 1ф/Е.
При этом в зависимости от спектрального состава излученного света чувствительности могут быть либо интегральными 5ИНт (при немонохроматическом излучении), либо монохроматическими (при монохроматическом излучении).
В качестве одного из основных параметров фоторезистора используют величину удельной интегральной чувствительности, которая характеризуют интегральную чувствительность, когда к фоторезистору приложено напряжение 1 В:
^’ф инт УД /ф/(Ф‘^)*
У промышленных фоторезисторов удельная интегральная чувствительность имеет пределы десятые доли — сотни мА/(В-лм) при освещенности Е = 200 лк.тах-
Спектральная характеристика определяется материалом фоторезистора и введенными в него примесями. На рис. 6.21, д показаны спектральные характеристики фоторезисторов, выполненных на основе различных материалов. Вид спектральной характеристики свидетельствует о том, что для фоторезисторов некоторых типов необходимо тщательно подбирать пару «излучатель-фотоприемник».
Граничная частота — это частота Д, синусоидального сигнала, моделирующего световой поток, при котором — чувствительность фоторезистора уменьшается в л/2 раз по сравнению с чувствительностью при немодулированном потоке (/ф » 103…105 Гц).
В ряде случаев частотные свойства фоторезистора характеризуются переходной характеристикой, приведенной для полупроводника с высокой (кривая /) и низкой (кривая 2) темновой проводимостями (рис. 6.22, а, б). Хотя истинная переходная характеристика обычно не является строго экспоненциальной, в большинстве случаев инерционность характеризуют постоянной времени /.
Ф