Реле времени на полевом транзисторе своими руками: Реле времени на полевом транзисторе своими руками

Реле времени на полевом транзисторе своими руками

Тогда как транзистором регулируют ток в линейных БП? Удачи и вкусного пива! Подарки своими руками Поделки с детьми! Handmade diy Декор своими руками Трафаретная роспись разноса Мастеркласс от Base of Art ru wwwyoutubecomresults?


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Простое реле времени своими руками

Реле времени для споттера своими руками


Они избавляют нас от утомительной задачи постоянно смотреть на часы. Таймер автоматической стиральной машины, например, позволяет управлять продолжительностью стирки, полоскания и сушки белья. Другие таймеры, напротив, начинают отсчет времени под действием входного сигнала и осуществляют один единственный цикл. Для того чтобы еще раз повторить цикл, нужно повторно аннулировать стереть программу и подать на прибор управляющий входной сигнал.

Основной принцип действия схем таймеров. Работа большинства из них основана на принципе медленной или быстрой перезарядки конденсатора.

Наиболее простое решение приведено на рис. Детектор порогового уровня контролирует напряжение U c конденсатора.

Если оно достигает порогового значения, выдается соответствующий сигнал. Описать этот процесс довольно просто. На рис. Основной принцип действия конденсаторных таймерных схем:. Схема, обеспечивающая постоянный зарядный ток, изображена на рис.

Напряжение U a между источником питания и базой транзистора Т зависит от сопротивлений резисторов R 1 и R 2, а также от положения потенциометра Р. Практически применяемые схемы таймеров. Схема на рис. Изменяя постоянную времени, можно получить время запаздывания от менее чем 1 с, до более чем 20 мин.

Транзистор Т1 приводит в действие реле. Выход, таким образом, гальванически отделен от время-задающей цепи и поэтому пригоден для подключения различных нагрузок. Когда включается переключатель K, он накоротко замыкает конденсатор С1, и напряжение контакта 3 операционного усилителя возрастает до значения питающего напряжения, в результае чего реле срабатывает. Карманный таймер, изображенный на рис.

По истечении установленного времени он издает звуковой сигнал. Таймер целесообразно снабдить кнопкой для облегчения установки на начало отсчета. В карманных таймерах интегральные микросхемы типа или работают в качестве моностабильного или самовозбуждающегося мультивибратора.

После этого конденсатор С4 в новом время-задающем цикле начинает заряжаться. Случайное нажатие кнопки G 1 не влияет на этот процесс. Во время подачи сигнала он возрастает до 20 мА. Для задержки 30 мин, например, расчетное значение сопротивления составляет 6 МОм. Указанные номиналы позволяют произвольно менять временной диапазон от 30 с до 10 мин,.

Напряжение на базе транзистора 77 определяется резисторами Rl , R 2 и потенциометром Р1. Схема обладает двумя диапазонами времени задержки. Очень важно, чтобы детектор порогового уровня не влиял на процесс заряда конденсаторов, для этого он должен обладать большим входным сопротивлением, что обеспечивается каскадом на полевом транзисторе Т2.

На резисторе R 4 появляется нарастающее напряжение Uci или Uc 2. Печатная плата таймера, изображенного на рис. После этого транзисторы ТЗ и Т4 быстро отпираются и реле, находящееся в коллекторной цепи транзистора Т4, срабатывает. Включение и выключение различных устройств происходит через контакты реле j1 и j 2. Возможно и автономное питание от трех батареек, по 4,5 В каждая, включенных последовательно между точками а и б.

С их помощью на базу транзистора Т5 подается опорное напряжение 12 В. Можно использовать любой тип реле с током срабатывания 40 — мА при напряжении 8 — 10 В.

Печатная плата и монтажная схема приведены на рис. Проверку схемы производят с помощью секундомера. Затем градуируют шкалу потенциометра Р1 на передней панели. Время задержки может быть изменено путем замены следующих элементов:. Сопротивление потенциометра, кОм. Монтажная схема таймера, изображенного на рис.

О срабатывании реле сигнализирует светодиод LED 1. Точки присоединения А, В и С соответствуют показанным на рис. До тех пор, пока напряжение конденсатора С1 или С2 не достигнет уровня переключения транзистора ТЗ см.

Потенциалы точек А и В в это время примерно равны. Следовательно, транзисторы Т1 и Т2 рис. При достижении уровня открывания потенциал точки Л изменяется от 0 до 12 В и транзистор 77 открывается. Если резисторы R 3 и R 2 выбраны правильно, на последнем наблюдается падение напряжения 4 В. Через однопереходный транзистор ТЗ конденсатор периодически разряжается, так что на нем получается пилообразное напряжение 4 В. Печатная плата а и монтажная схема б сигнализатора, изображенного на рис.

Очень выгодно использовать в домашних условиях таймерную хронирующую схему рис. С ее помощью можно автоматически выключать какие-либо приборы, установки. Утром, например, можно спокойно уйти из дома: таймер выключит радио, когда истечет установленное время задержки.

Если напряжение на входе полевого транзистора меньше напряжения его закрывания, этот транзистор открыт, а транзистор Т2 закрыт, и питание реле J прекращается. При нажатии кнопки G 1 через контакт Gla разряжается конденсатор С1, a G 16 подает питающее напряжение на схему таймера и на устройство управления, шунтируя релейный контакт j. В схеме на рис. Выходной каскад, построенный на транзисторе Т5, управляется коллектором транзистора ТЗ бистабильного мультивибратора. Импульс прямоугольной формы с амплитудой 4 В на коллекторе транзистора Т2 дифференцируется при помощи конденсатора С2 и резистора R 3.

Подробно с работой схемы можно познакомиться по рис. В том случае, когда замыкают переключатель K1, начинается процесс заряда конденсатора С1 через резисторы R 2 и R 3.

При постепенном заряде конденсатора С1 напряжение на резисторе R 2 уменьшается по экспоненте. С учетом наложения импульсов на резисторе R 2 получается такая форма напряжения, как изображено на рис.

Благодаря этому транзистор Т5 открывается и реле в коллекторной цепи срабатывает. Существенным преимуществом схемы с наложением импульсов является то, что благодаря запирающему диоду D 1 между времязапирающей частью и усилителем нет гальванической связи. Максимальное время задержки составляет 5 мин. При нажатии кнопки G1 конденсатор С1 разряжается. Градуировку шкалы осуществляют по секундомеру.

Здесь также использована интегральная микросхема таймера типа NE При помощи трехпозиционного переключателя К1 могут быть установлены интервалы времени 10, 60 с и 5 мин.

Схема работает от напряжения питания 12 В. Администрация Механический Электроника авиация автомобиль сооружения биологии география дом в саду история литература маркетинг математике медицина музыка образование психология разное художественная культура экономика. Механический Электроника авиация автомобиль сооружения. Поверхностное натяжение. Работа и мощность тока. Закон Джоуля — Ленца. Особенности разрушения композитов.

Принцип работы ВЧИ-плазмотрона. Прессовые формовочные машины. С, мкФ. ДЗ, кОм. Время задержки.


электронное реле времени своими руками из транзистора и реле

В современном оборудовании часто необходим таймер, т. Прибор создает временные задержки включения или выключения других устройств. Его не обязательно приобретать в магазине, ведь грамотно сконструированное самодельное реле времени будет эффективно выполнять свои функции. Первое считается самостоятельным прибором. Он подает сигнал через заданный временной промежуток. В автоматических системах циклическое устройство включает и отключает необходимые механизмы. С его помощью управляют освещением:.

Самый простой вариант — использовать схему реле времени всего на одном транзисторе.

Автоматический таймер-реле времени на полевом транзисторе своими руками.

Пожалуй, даже далёкий от электроники человек слышал, что существует такой элемент, как реле. Простейшее электромагнитное реле содержит в себе электромагнит, при подаче на который напряжения происходит замыкание двух других контактов. С помощью реле мы может коммутировать довольно мощную нагрузку, подавая или наоборот, снимая напряжение с управляющих контактов. Наибольшее распространение получили реле, управляющиеся от ти вольт. Также встречаются реле на напряжение 3, 5, 24 вольта. Вернуться назад 1 2 3 4 5. Установите галочку:. Комментарии 7.

Реле времени на 1 транзисторе

Споттер для рихтовки идеально подходит для аккуратной работы с вмятинами и повреждениями корпуса авто. Минимальные подготовительные работы с элементами машины, восстановление до первозданной формы, и быстрая последующая обработка места под покраску, поспособствовали внедрению этого устройства во все СТО и мастерские. Но при работе в собственном гараже нет смыла покупать дорогой аппарат. Взамен магазинного, можно изготовить самодельный споттер. Для этого необходимо знать как собрать трансформатор, чем манипулировать напряжением для импульса, и из чего сделать рабочие элементы.

Они избавляют нас от утомительной задачи постоянно смотреть на часы.

Таймеры и реле времени

Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно. Даташиты бесплатно.

Домашняя электроника

Известно, что инверторы микросхемы, на которых собирается генератор по схеме, приведённой в книге Бирюкова С. Введение дополнительного инвертора на транзисторе VT3 повысило стабильность работы задающего генератора и сделало возможным его самовозбуждение при указанных на схеме параметрах времязадающей цепи. Выдержку времени таймера на выключения нагрузки задают переменным резистором R15 по шкале, нанесённой на корпус таймера. В положении его движка, соответствующем минимальному нулевому сопротивлению при разомкнутых контактах переключателя SA1, частота генератора — около Гц, выдержка — 10 мин. Если же движок установлен в положение максимального сопротивления, частота генератора понижается примерно до Гц, а выдержка возрастает до 60 мин. При замыкании контактов переключателя SA1 во времязадающую цепь включается конденсатор С7 и максимальная частота генератора уменьшается с до Гц, минимальная выдержка увеличивается до 1 ч, а максимальная — примерно до 6 ч.

Эта схема похожа на схему с биполярным транзистором из предыдущей Рисунок 2 — Реле времени на полевом транзисторе без R3.

Как сделать реле времени своими руками?

Как сделать реле времени выключения и включения на 24 v постоянного тока на машину на стекло очеститель. Подскажите какой ток потребления у Ваших схем, после разряда конденсатора, т. И какую схему выбрать? Мне нужно мА и задержка откл.

На сайте радиочипи представлены принципиальные схемы сабвуферов, собранные своими руками

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: 5 ПРОСТЫХ СХЕМ РЕЛЕ с ЗАДЕРЖКОЙ Уникальный Пневмо Выключатель!

На рисунке показана схема простого реле времени на NE При указанных элементах реле времени работает в интервале времени от 1 до секунд. Время срабатывания реле задается потенциометром R2. Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться.

В современном оборудовании часто необходим таймер, т.

3 идеи сборки реле времени своими руками

Введите электронную почту и получайте письма с новыми самоделками. Не более одного письма в день. Войти Чужой компьютер. В гостях у Самоделкина! Реле для поворотников своими руками.

Как сделать реле времени 220в своими руками

В современном оборудовании часто необходим таймер, т. Прибор создает временные задержки включения или выключения других устройств. Его не обязательно приобретать в магазине, ведь грамотно сконструированное самодельное реле времени будет эффективно выполнять свои функции. Первое считается самостоятельным прибором.


Реле времени на полевом транзисторе схема

Реле времени, собрано на одном мощном кремниевом транзисторе типа КТА. Установку выдержки времени производят с помощью резисторов R1 и R2, при этом выдержки времени получаются от 1 до 60 секунд. Устройство работает следующим образом. После нажатия кнопки SW1 происходит заряд конденсатора С1 до величины напряжения источника питания. Отжатие кнопки приводит к разряду конденсатора С1 на цепь, состоящую из резисторов R


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Простое реле времени!!!Своими руками.

Реле времени своими руками: как собрать самостоятельно (пример изготовления)


Они избавляют нас от утомительной задачи постоянно смотреть на часы. Таймер автоматической стиральной машины, например, позволяет управлять продолжительностью стирки, полоскания и сушки белья. Другие таймеры, напротив, начинают отсчет времени под действием входного сигнала и осуществляют один единственный цикл. Для того чтобы еще раз повторить цикл, нужно повторно аннулировать стереть программу и подать на прибор управляющий входной сигнал.

Основной принцип действия схем таймеров. Работа большинства из них основана на принципе медленной или быстрой перезарядки конденсатора. Наиболее простое решение приведено на рис. Детектор порогового уровня контролирует напряжение U c конденсатора. Если оно достигает порогового значения, выдается соответствующий сигнал.

Описать этот процесс довольно просто. На рис. Основной принцип действия конденсаторных таймерных схем:. Схема, обеспечивающая постоянный зарядный ток, изображена на рис. Напряжение U a между источником питания и базой транзистора Т зависит от сопротивлений резисторов R 1 и R 2, а также от положения потенциометра Р. Практически применяемые схемы таймеров. Схема на рис. Изменяя постоянную времени, можно получить время запаздывания от менее чем 1 с, до более чем 20 мин.

Транзистор Т1 приводит в действие реле. Выход, таким образом, гальванически отделен от время-задающей цепи и поэтому пригоден для подключения различных нагрузок. Когда включается переключатель K, он накоротко замыкает конденсатор С1, и напряжение контакта 3 операционного усилителя возрастает до значения питающего напряжения, в результае чего реле срабатывает.

Карманный таймер, изображенный на рис. По истечении установленного времени он издает звуковой сигнал. Таймер целесообразно снабдить кнопкой для облегчения установки на начало отсчета.

В карманных таймерах интегральные микросхемы типа или работают в качестве моностабильного или самовозбуждающегося мультивибратора. После этого конденсатор С4 в новом время-задающем цикле начинает заряжаться. Случайное нажатие кнопки G 1 не влияет на этот процесс. Во время подачи сигнала он возрастает до 20 мА. Для задержки 30 мин, например, расчетное значение сопротивления составляет 6 МОм. Указанные номиналы позволяют произвольно менять временной диапазон от 30 с до 10 мин,. Напряжение на базе транзистора 77 определяется резисторами Rl , R 2 и потенциометром Р1.

Схема обладает двумя диапазонами времени задержки. Очень важно, чтобы детектор порогового уровня не влиял на процесс заряда конденсаторов, для этого он должен обладать большим входным сопротивлением, что обеспечивается каскадом на полевом транзисторе Т2.

На резисторе R 4 появляется нарастающее напряжение Uci или Uc 2. Печатная плата таймера, изображенного на рис. После этого транзисторы ТЗ и Т4 быстро отпираются и реле, находящееся в коллекторной цепи транзистора Т4, срабатывает. Включение и выключение различных устройств происходит через контакты реле j1 и j 2. Возможно и автономное питание от трех батареек, по 4,5 В каждая, включенных последовательно между точками а и б.

С их помощью на базу транзистора Т5 подается опорное напряжение 12 В. Можно использовать любой тип реле с током срабатывания 40 — мА при напряжении 8 — 10 В. Печатная плата и монтажная схема приведены на рис. Проверку схемы производят с помощью секундомера. Затем градуируют шкалу потенциометра Р1 на передней панели. Время задержки может быть изменено путем замены следующих элементов:.

Сопротивление потенциометра, кОм. Монтажная схема таймера, изображенного на рис. О срабатывании реле сигнализирует светодиод LED 1.

Точки присоединения А, В и С соответствуют показанным на рис. До тех пор, пока напряжение конденсатора С1 или С2 не достигнет уровня переключения транзистора ТЗ см. Потенциалы точек А и В в это время примерно равны. Следовательно, транзисторы Т1 и Т2 рис. При достижении уровня открывания потенциал точки Л изменяется от 0 до 12 В и транзистор 77 открывается. Если резисторы R 3 и R 2 выбраны правильно, на последнем наблюдается падение напряжения 4 В.

Через однопереходный транзистор ТЗ конденсатор периодически разряжается, так что на нем получается пилообразное напряжение 4 В. Печатная плата а и монтажная схема б сигнализатора, изображенного на рис. Очень выгодно использовать в домашних условиях таймерную хронирующую схему рис.

С ее помощью можно автоматически выключать какие-либо приборы, установки. Утром, например, можно спокойно уйти из дома: таймер выключит радио, когда истечет установленное время задержки. Если напряжение на входе полевого транзистора меньше напряжения его закрывания, этот транзистор открыт, а транзистор Т2 закрыт, и питание реле J прекращается. При нажатии кнопки G 1 через контакт Gla разряжается конденсатор С1, a G 16 подает питающее напряжение на схему таймера и на устройство управления, шунтируя релейный контакт j.

В схеме на рис. Выходной каскад, построенный на транзисторе Т5, управляется коллектором транзистора ТЗ бистабильного мультивибратора. Импульс прямоугольной формы с амплитудой 4 В на коллекторе транзистора Т2 дифференцируется при помощи конденсатора С2 и резистора R 3. Подробно с работой схемы можно познакомиться по рис.

В том случае, когда замыкают переключатель K1, начинается процесс заряда конденсатора С1 через резисторы R 2 и R 3. При постепенном заряде конденсатора С1 напряжение на резисторе R 2 уменьшается по экспоненте. С учетом наложения импульсов на резисторе R 2 получается такая форма напряжения, как изображено на рис.

Благодаря этому транзистор Т5 открывается и реле в коллекторной цепи срабатывает. Существенным преимуществом схемы с наложением импульсов является то, что благодаря запирающему диоду D 1 между времязапирающей частью и усилителем нет гальванической связи. Максимальное время задержки составляет 5 мин. При нажатии кнопки G1 конденсатор С1 разряжается.

Градуировку шкалы осуществляют по секундомеру. Здесь также использована интегральная микросхема таймера типа NE При помощи трехпозиционного переключателя К1 могут быть установлены интервалы времени 10, 60 с и 5 мин.

Схема работает от напряжения питания 12 В. Администрация Механический Электроника авиация автомобиль сооружения биологии география дом в саду история литература маркетинг математике медицина музыка образование психология разное художественная культура экономика.

Механический Электроника авиация автомобиль сооружения. Поверхностное натяжение. Работа и мощность тока. Закон Джоуля — Ленца. Особенности разрушения композитов. Принцип работы ВЧИ-плазмотрона. Прессовые формовочные машины. С, мкФ. ДЗ, кОм. Время задержки.


Устройства выдержки больших интервалов времени

Было 3 варианта: 1. Готовый блок управления за деньги. Самосборная приблуда на транзисторах и конденсаторах. Самосборная приблуда на цифровом таймере. Хотелось и чесалось бесплатно и что-то своими руками собрать. Решил собрать реле задержки включения на микросхеме NE

Пример схемы реле задержки включения на полевом транзисторе 2N показан на рис. 3. Реле K1 — импортное серии BT с обмоткой.

Реле времени схемы

Простое реле времени на одном транзисторе типа П14 может пригодиться для переключения елочной иллюминации или как мигалка на одном транзисторе или других целей схема взята из какого-то старого журнала и транзистор П14, естественно, может быть заменен современным, соответствующей структуры. Схема простейшего реле времени. Для удобства питания реле осуществляется от сети. Выпрямление переменного напряжения производится диодом Д7Г. Напряжение питания снимается с делителя R1R2. Потребляемая мощность составляет 6—8 вт. Питание реле времени на одном транзисторе может осуществляться и от низковольтного источника питания, имеющего напряжение 12—15 в, при этом схема упрощается за счет исключения диода, конденсатора С1и делителя R1R2, а потребляемая мощность в этом cлучае составляет 75— мвт.

Таймер для автоматического отключения сетевой нагрузки

Простое реле времени на одном транзисторе типа П14 может пригодиться для переключения елочной иллюминации или как мигалка на одном транзисторе или других целей схема взята из какого-то старого журнала и транзистор П14, естественно, может быть заменен современным, соответствующей структуры. Схема простейшего реле времени. Для удобства питания реле осуществляется от сети. Выпрямление переменного напряжения производится диодом Д7Г. Напряжение питания снимается с делителя R1R2.

Как сделать реле времени выключения и включения на 24 v постоянного тока на машину на стекло очеститель.

Электротехника. Схема простого реле времени на реле

На данной странице описаны несколько схем реле времени, они просты в изготовлении и позволяют управлять мощной нагрузкой, диапазон выдержки времени секунд и минут. При отпускании SB1 конденсатор начинает разряжаться через R4 R5. Отрицательное напряжение с конденсатора поступает на затвор VT1 и закрывает его, VT2 открывается и срабатывает реле. После разрядки конденсатора до напряжения отсечки VT1, он начинает открываться, Vt2 закрывается и реле обесточивается. Возможно применение других реле на напряжение обмотки 12В и ток срабатывания более мА. Другое реле времени предназначено для автоматического выключения нагревательных приборов осветительных мощностью до Вт.

Простые реле времени

Попросили меня сделать реле для задержки выключения парковочной камеры. Нужно потому что при выключении задней передачи камера сразу выключается, поскольку запитана от лампы заднего хода, и после одновременного выключения, отказывается потом включаться, в подробности не вдавался. Чтобы все работало, нужно камере дать секунд на корректное выключение. В общем сделал простую схему таймера на реле и полевом транзисторе. Использовать можно и для других нужд.

Реле времени,таймер задержки на полевом транзисторе. В исходном состоянии,когда кнопка не нажата,схема потребляет ток меньше 1мА, нагрузка.

Реле времени на полевом транзисторе U199

Они избавляют нас от утомительной задачи постоянно смотреть на часы. Таймер автоматической стиральной машины, например, позволяет управлять продолжительностью стирки, полоскания и сушки белья. Другие таймеры, напротив, начинают отсчет времени под действием входного сигнала и осуществляют один единственный цикл. Для того чтобы еще раз повторить цикл, нужно повторно аннулировать стереть программу и подать на прибор управляющий входной сигнал.

Автор предлагает вниманию читателей несколько простых устройств выдержки времени из доступных деталей. Эти устройства — аналоговые с времязадающими RC-цепями. В них применены схемные решения, позволяющие увеличить длительность формируемых интервалов времени. На рис. При нажатии на кнопку SB1 на управляющий вход стабилизатора DA1 через резисторы R1 и R3 поступает напряжение, близкое к напряжению питания, вследствие чего стабилизатор замыкает цепь обмотки реле K1. Контакты K1.

Реле времени, или как сейчас говорят, таймеры, в простом случае имеют всего несколько элементов на схеме. Но при своей простоте, это очень важные элементы схем.

Забыли пароль? Устройство, схема которого показана на рис. Интервал времени работы при настройке может быть установлен в диапазоне от десятков секунд до 40 минут. Это время определяется номиналами элементов R2-C1. Для указанных на схеме составляет 45 с, а при увеличении емкости С1 до мкФ К на 25 В — около 30 мин. Схема питается от сети через цепь нагрузки. В данном случае ею является лампа EL1.

Активизировать и отключать бытовую технику можно без присутствия и участия пользователя. Что делать, если точно так же хочется управлять устаревшим оборудованием? Запастись терпением, нашими советами и сделать реле времени своими руками — поверьте, этой самоделке найдется применение в хозяйстве.


Реле времени на полевом транзисторе.

Простое реле времени (или простое реле времени для начинающих 2) на биполярном транзисторе не сложно в изготовлении но на таком реле нельзя получить большие задержки. Длительность задержки определяет RC-цепь состоящая (для реле времени да биполярном транзисторе) из конденсатора, резистора в цепи базы и перехода база-эмиттер транзистора. Чем больше ёмкость конденсатора тем больше задержка. Чем больше суммарное сопротивление резистора в цепи базы и перехода база-эмиттер тем больше задержка. Увеличить сопротивление перехода база-эмиттер, для получения большой задержки, нельзя т.к. это неизменный параметр используемого транзистора. Сопротивление резистора в цепи базы нельзя увеличивать до бесконечности т.к. транзистору для открытия требуется ток, как минимум, в h31э меньший чем ток для необходимый для включения реле. Если например для включения реле требуется 100мА, h31э=100 то для открытия транзистора требуется ток базы Iб=1мА. Для открытия полевого транзистора с изолированным затвором большой ток не требуется, в данном случае можно даже пренебречь этим током и считать что ток для открытия такого транзистора не требуется. Полевой транзистор с изолированным затвором управляется напряжением поэтому можно использовать RC цепь с любым сопротивлением и следовательно делать любые задержки. Рассмотрим схему:

Рисунок 1 — Реле времени на полевом транзисторе

Эта схема похожа на схему с биполярным транзистором из предыдущей стати только здесь вместо биполярного транзистора n-MOSFET (n канальный полевой транзистор с изолированным затвором (и индуцированным каналом)) и добавлен резистор (R1) для разряда конденсатора C1. Резистор R3 не обязателен:

Рисунок 2 — Реле времени на полевом транзисторе без R3

Полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть испорчены статическим электричеством поэтому с ними нужно обращаться аккуратно: стараться не касаться вывода затвора руками и заряженными предметами, по возможности заземлять вывод затвора и т.д. 

Процесс проверки транзистора и готового устройства показан на видео:

Т.к. на параметры RC цепи пренебрежимо мало влияют параметры транзистора то расчёт длительности задержки осуществить достаточно несложно. В данной схеме на длительность задержки по прежнему влияет длительность удерживания кнопки и чем меньше сопротивление резистора R2 тем слабее это влияние, но не стоит забывать о том что этот резистор нужен для ограничения тока в момент замыкания контактов кнопки, если его сопротивление сделать слишком низким или заменить перемычкой то при нажатии на кнопку может выйти из строя блок питания или сработать его защита от к.з. (если она есть), контакты кнопки могут приплавиться друг к другу, к тому же данный резистор ограничивает ток при установке резистором R1 минимального сопротивления. Резистор R2 также понижает напряжение (UCmax) до которого заряжается конденсатор C1, при нажатой кнопке SB1, что приводит к уменьшению длительности задержки. Если сопротивление резистора R2 низкое то на длительность задержки оно влияет незначительно. На длительность задержки влияет напряжение на затворе относительно истока при котором транзистор закрывается (далее напряжение закрытия). Для расчёта длительности задержки можно воспользоваться программой: 



КАРТА БЛОГА (содержание)

Реле времени своими руками. Электронный таймер. | Афанасий Скобелевский

Сегодня я расскажу Вам о том, как сделать простой электронный таймер, всего из нескольких деталей. Для нашего таймера мы воспользуемся свойством конденсатора накапливать электрическую энергию. А накопленную энергию конденсатор будет отдавать, разряжаясь через резистор. И что самое ценное для нас – время разряда пропорционально величине емкости конденсатора и величине сопротивления резистора! Если мы подключим к конденсатору транзистор, управляющий реле или тиристором, то сразу получим нужное нам устройство!

При нажатии на кнопку – конденсатор быстро заряжается – транзистор открывается – срабатывает реле или включается тиристор. После того, как мы отпустим кнопку, конденсатор начнет разряжаться через резистор, и когда напряжение на конденсаторе снизится до момента закрытия транзистора, реле или тиристор выключатся. Все было бы хорошо, НО! Транзистор управляется током, втекающим в его базу, следовательно, заряд конденсатора расходуется на работу транзистора, сильно уменьшая время задержки схемы, и с учетом достаточно НЕбольшого сопротивления транзистора – мы не можем получить большие задержки времени, поставив большое сопротивление, ведь тогда время разряда конденсатора будет определяться сопротивлением транзистора, а не резистора!

Решить задачу помогут устройства, управляющие током при помощи электрического поля! Да, это хорошо известные многим ФЕТы — field-effect transistor, известные так же под названием «полевые транзисторы». Сегодня существует множество полевых транзисторов – старые JFET = junction gate field-effect transistor – транзисторы с управляющим p-n переходом и современные MOSFET = metal-oxide-semiconductor field effect transistor полевые транзисторы, затвор которых электрически изолирован от канала слоем диэлектрика.

Нужную нам схему можно собрать на любом из ФЕТ-ов. Вместо биполярного транзистора в нашей исходной схеме нужно поставить любую их показанных схем, в зависимости от того, какой полевой транзистор – ФЕТ у Вас есть.

А мы сегодня соберем схему на современном MOSFET-е. Входное сопротивление MOSFET-а в тысячи раз выше, чем у JFET-а, поэтому и временные задержки могут быть бОльшими! А учитывая то, что MOSFET-ы могут управлять достаточно большим током при высоком приложенном напряжении, — схема таймера значительно упростится!

По нашей схеме соберем устройство задержки выключения напряжения — всего на одном MOSFET – транзисторе и реле. Индикаторная лампочка покажет нам работу схемы. Для питания схемы используем аккумулятор на 12 вольт. Время задержки в секундах равно величине сопротивления в Омах, умноженной на величину емкости в Фарадах. А вспомнив, что в одной фараде миллион микрофарад, получим результат: для минутных задержек нужны резисторы сопротивлением – мегаомы, и конденсаторы – емкостью микрофарады.

Сборку и проверку этой схемы таймера Вы можете увидеть на моем канале YouTube, пройдя по ссылке: https://www.youtube.com/watch?v=WyEnlaEqJ_U

Скоро на Канале будет видео о том, какое применение может найти такая схема в простой домашней автоматике. Чтобы не пропустить это видео и многие другие интересные видео – подпишитесь на канал «Неизвестная Физика». А колокольчик около подписки известит Вас о выходе новых видео!

Устройства выдержки больших интервалов времени

Автор предлагает вниманию читателей несколько простых устройств выдержки времени из доступных деталей. Эти устройства — аналоговые с времязадающими RC-цепями. В них применены схемные решения, позволяющие увеличить длительность формируемых интервалов времени.

На рис. 1 представлена схема простого реле времени, собранного на микросхеме параллельного стабилизатора напряжения TL431ACLP (DA1). При нажатии на кнопку SB1 на управляющий вход стабилизатора DA1 через резисторы R1 и R3 поступает напряжение, близкое к напряжению питания, вследствие чего стабилизатор замыкает цепь обмотки реле K1. Контакты K1.1 срабо-
тавшего реле блокируют кнопку, которую теперь можно отпустить. Они же отключают резистор R1 от времязадающего конденсатора C1, который начинает заряжаться током, текущим через времязадающий резистор R2. Контакты реле K1.2 включают исполнительное устройство или выключают его.

По мере зарядки конденсатора напряжение на управляющем входе микросхемы DA1 относительно её анода уменьшается. Как только оно опустится ниже 2,5 В, ток через обмотку реле K1 уменьшится настолько, что реле отпустит якорь, возвратив исполнительное устройство в исходное состояние. Резистор R1 вновь будет подключён параллельно конденсатору C1 и разрядит его. Теперь можно ещё раз нажимать на кнопку SB1.

С элементами, типы и номиналы которых указаны на рис. 1, получена выдержка около 45 мин. Её можно изменить, подбирая конденсатор C1 и резистор R2. Но увеличивать сопротивление этого резистора не рекомендуется, так как при этом возрастает доля нестабильного тока управляющего входа микросхемы DA1 в токе зарядки конденсатора C1. Соответственно растёт нестабильность выдержки.

Рис. 1. Схема простого реле времени

 

Можно увеличить сопротивление резистора R2, одновременно повысив напряжение питания устройства вплоть до 30 В — максимального для микросхемы серии TL431. При этом и конденсатор C1 следует выбирать с номинальным напряжением, не меньшим напряжения питания. В качестве K1 нужно применить реле с рабочим напряжением обмотки, равным напряжению питания, либо включить последовательно с обмоткой реле, рассчитанной на меньшее напряжение, гасящий избыток напряжения стабилитрон. Ток обмотки реле не должен превышать 100 мА, допустимых для микросхемы серии TL431.

На рис. 2 показана ещё одна схема реле задержки включения или выключения исполнительного устройства, построенная на той же микросхеме. После перевода выключателя SA1 в положение «Включено» (верхняя по схеме группа его контактов замкнута, а нижняя разомкнута) начинается зарядка конденсатора C1 через резистор R2. Когда напряжение на конденсаторе превысит сумму напряжения стабилизации стабилитрона VD2 (5,6 В), порогового напряжения стабилизатора DA1 (2,5 В) и падения напряжения на резисторе R3 и диоде VD1, микросхема DA1 замкнёт цепь обмотки реле K1. Сработавшее реле изменит состояние исполнительного устройства. В этом состоянии устройство останется до тех пор, пока выключатель SA1 не будет возвращён в исходное выключенное состояние. При показанных на рис. 2 типах и номиналах элементов получена выдержка около одного часа.

Рис. 2. Схема реле задержки включения или выключения исполнительного устройства

 

В качестве пороговых элементов в подобных устройствах можно использовать не микросхему серии TL431, а полевой транзистор с изолированным затвором. Такие транзисторы имеют, как известно, предельно малый ток затвора. Это позволяет значительно увеличить выдержку, применяя времязадающие резисторы сопротивлением до нескольких мегаом и даже их десятков.

К тому же применение, например, полевого транзистора 2N7000 позволяет повысить напряжение питания до 60 В и использовать при необходимости электромагнитное реле с рабочим током обмотки до 250 мА. Но следует принять меры, чтобы напряжение между затвором и истоком транзистора не выходило из допустимого интервала от -20 В до +20 В.

Пример схемы реле задержки включения на полевом транзисторе 2N7000 показан на рис. 3. Реле K1 — импортное серии BT с обмоткой сопротивлением 62,5 Ом. При указанных на схеме номиналах элементов получена выдержка около шести часов. Большую часть интервала выдержки устройство практически не потребляет ток от источника питания. Но в последней трети этого интервала ток плавно нарастает до тока срабатывания реле K1. В этом промежутке времени транзистор VT1 находится в активном режиме и на нём рассеивается довольно значительная мощность, достигающая максимума (в рассматриваемом случае около 150 мВт) примерно в середине промежутка, а затем спадающая.

Рис. 3. Схема реле задержки включения на полевом транзисторе 2N7000

 

После срабатывания реле K1 ток продолжает нарастать до значения, равного разности напряжения питания устройства и напряжения стабилизации стабилитрона, делённой на сопротивление обмотки реле. Достигнув его, он остаётся таким до выключения реле времени выключателем SA1.

В устройстве, схема которого изображена на рис. 4, использована та же идея, что и в предыдущем, но для уменьшения тока, потребляемого после срабатывания, применено поляризованное реле с двумя устойчивыми состояниями РПС20 исполнения РС4.521.751. Оно имеет две группы контактов на переключение.

Рис. 4. Схема реле

 

После нажатия на кнопку SB1 напряжение, поступающее через резистор R1 и делитель напряжения R2R3 на затвор полевого транзистора VT1, открывает этот транзистор. Напряжение, поданное на левую по схеме обмотку реле K1, переводит его подвижные контакты в нижнее по схеме положение, чем блокирует кнопку SB1 и разрешает зарядку конденсаторов C1 и C2.

Спустя некоторое время, требующееся для зарядки конденсатора C1, транзистор VT1 будет закрыт, а ток через левую обмотку реле прекратится, что не изменит состояние его контактов. После зарядки конденсатора C2 и достижения током стока транзистора VT2 значения, достаточного для перевода правой обмоткой реле его контактов в исходное (верхнее по схеме) положение, к времязадающим конденсаторам будут подключены разрядные резисторы R1 и R5, а питание от устройства будет отключено. Теперь оно не потребляет тока и после разрядки конденсаторов готово к следующему нажатию на кнопку SB1.

Очевидно, предельная выдержка времени устройствами, собранными по схемам, изображённым на рис. 3 и рис. 4, одинакова. Резисторы R2 и R3 в последнем выбирают такими, чтобы напряжение затвор-исток транзистора VT1 не превысило допустимого. Поскольку большая выдержка от узла на этом транзисторе не требуется, он может быть и биполярным. В этом случае резисторы R2 и R3 должны обеспечить, чтобы от зарядного тока конденсатора C1 транзистор VT1 находился в режиме насыщения.

На рис. 5 представлена схема генератора импульсов большой длительности, который можно использовать для периодического включения и выключения каких-либо приборов. По существу, это два устройства по рассмотренной ранее схеме рис. 3, образующие благодаря использованию поляризованного реле с двумя устойчивыми состояниями своеобразный мультивибратор. Длительность каждого из двух повторяющихся интервалов времени можно устанавливать независимо, подбирая элементы цепей R2C1 и R3C2.

Рис. 5. Схема генератора импульсов большой длительности

 

Следует отметить, что все описанные устройства для получения стабильной выдержки следует питать стабилизированным напряжением. Установка в них оксидных конденсаторов равных номиналов, но выпущенных в разное время разными производителями, даёт значительный разброс значений выдержки. Заметно влияют на выдержку токи утечки времязадающих конденсаторов и изменения температуры окружающей среды. Поэтому все указанные на схемах номиналы времязадающих элементов — ориентировочные. Их придётся подбирать при налаживании устройства.

Чтобы при проверке работы описанных устройств не ждать часами их срабатывания, рекомендуется временно заменить в них времязадающие резисторы другими, имеющими сопротивление в 100…1000 раз меньше указанного на схеме или расчётного. Лишь убедившись в работе устройства и замерив даваемую им выдержку, замените временные резисторы постоянными, увеличив их сопротивление во столько раз, во сколько требуемая выдержка больше измеренной. Но учтите, что при большом сопротивлении времязадающего резистора пропорциональность выдержки его сопротивлению может быть нарушена. Причина этого — влияние тока утечки конденсатора и входного тока микросхемы или биполярного транзистора.

Чтобы не пропустить момент окончания выдержки, в процессе налаживания удобно подключить к выходу реле времени пьезоизлучатель звука со встроенным генератором. В этом случае до его сигнала можно спокойно заниматься другими делами.    

Автор: М. Муратов, г. Уфа

Реле времени своими руками — как собрать самостоятельно

 

Основной составляющей технического оснащения современного дома может стать сделанное реле времени своими руками. Суть такого контроллера состоит в размыкании и замыкании электрической цепи по заданным параметрам с целью контроля наличия напряжения, например, в осветительной сети.

Блок: 1/6 | Кол-во символов: 307
Источник: https://VashUmnyiDom.ru/obshhaya-avtomatika/rele-vremeni-svoimi-rukami.html

Разделы статьи

Простейший вариант

Пример конструктора для самодельной сборки таймера задержки отключения:

При желании есть возможность самостоятельно собрать реле времени по следующей схеме:

Время задающим элементом является конденсатор С1, в стандартной комплектации КИТ набора 1000 мкФ/16 В, время задержки составляет 10 минут. Регулировка времени осуществляется резистором R1. Питание платы 12 вольт. Управление нагрузкой осуществляется через контакты. Плату можно не делать, собрать на макете.

Для того, чтобы сделать реле времени, нам понадобятся такие детали:

Правильно собранное устройство не нуждается в настройке и готово к работе. Данное самодельное реле задержки времени было описано в журнале «Радиодело» 2005.07.

Блок: 2/4 | Кол-во символов: 716
Источник: https://samelectrik.ru/3-idei-sborki-rele-vremeni-svoimi-rukami.html

Предназначение и конструктивные особенности

Самое совершенное такое устройство — это таймер, состоящий с электронных элементов. Его момент срабатывания управляется электронной схемой по заданным параметрам, а само время отпускания реле исчисляется в секундах, минутах, часах или сутках.

По общему классификатору таймеры выключения или включения электрической схемы подразделяются на следующие виды:

  • Устройство механического исполнения.
  • Таймер с электронным выключателем нагрузки, например, построенный на тиристоре.
  • Прибор принцип работы, которого построен на пневматическом приводе выключения и включения.

Конструктивно таймер срабатывания может изготавливаться для установки на ровной плоскости, с фиксатором на DIN рейку и для монтажа на передней панели щита автоматики и индикации.

Также такое устройство по способу подключения бывает переднее, заднее, боковое и втыкаемое через специальный разъемный элемент.  Программирование времени может выполняться с помощью переключателя, потенциометра или кнопок.

Как уже отмечалось, из всех перечисленных видов приборов срабатывания на заданное время, наибольшим спросом пользуется схема реле времени с электронным элементом выключения.

Это объясняется тем, что такой таймер, работающий от напряжения, к примеру, 12v, имеет следующие технические особенности:

  • компактные габариты;
  • минимальные энергетические затраты;
  • отсутствие подвижных механизмов за исключением контактов выключения и включения;
  • широко программируемое задание;
  • большой срок эксплуатации, независимый от циклов срабатывания.

Самое интересное, что таймер просто сделать своими руками в домашних условиях. На практике существуют многие виды схем, дающих исчерпывающий ответ на вопрос как сделать реле времени.

Блок: 2/6 | Кол-во символов: 1722
Источник: https://VashUmnyiDom.ru/obshhaya-avtomatika/rele-vremeni-svoimi-rukami.html

Пневматика и часовой тип

Схемы на основе пневматических систем — уникальные. Эти приборы содержат специальную систему замедления — демпферное устройство пневматического типа. Время выдержки «пневматики» можно настраивать путем расширения или сужения сечения трубы, откуда подается воздух. Для такой операции в конструкции предусмотрен специальный регулировочный винт.

Временная задержка здесь колеблется в районе 1–60 сек. Однако есть экземпляры, срабатывающие в два раза быстрее. В действительности существуют небольшие погрешности по указанному времени.

Устройства, именуемые часовыми реле, широко распространены в электрике. Такой тип активно используют для сооружения автоматических рубильников, которые защищают цепи напряжением 500−10000 вольт. Время срабатывания — 0,1−20 сек.

Основой часовых реле является пружина, которая взводится электромагнитным механическим приводом. Контактные группы часового механизма коммутируют после пройденного промежутка времени, заданного заранее на специальной шкале устройства.

Скорость хода прибора напрямую зависит от силы тока, проходящего в обмотке. Это помогает настроить устройство под защитные функции. Главной особенностью такой защиты является полная независимость от влияния внешних факторов.

Блок: 3/8 | Кол-во символов: 1253
Источник: https://220v.guru/elementy-elektriki/shemy/kak-sdelat-rele-vremeni-ili-taymer-svoimi-rukami.html

Схемы различных реле времени

Существуют разные варианты исполнения реле времени, схема каждого вида имеет свои особенности. Таймеры можно изготовить самостоятельно. Перед тем как сделать реле времени своими руками, необходимо изучить его устройство. Схемы простых реле времени:

  • на транзисторах;
  • на микросхемах;
  • для выходного питания 220 В.

Опишем каждую из них более подробно.

Схема на транзисторах

Необходимые радиодетали:

  1. Транзистор КТ 3102 (или КТ 315) – 2 шт.
  2. Конденсатор.
  3. Резистор номиналом 100 кОм (R1). Также понадобится еще 2 резистора (R2 и R3), сопротивление которых будет подбираться вместе с емкостью в зависимости от времени срабатывания таймера.
  4. Кнопка.

При подключении схемы к источнику питания начнет заряжаться конденсатор через резисторы R2 и R3 и эммитер транзистора. Последний откроется, поэтому на сопротивлении будет падать напряжение. В результате откроется второй транзистор, что приведет к срабатыванию электромагнитного реле.

При заряде емкости ток будет уменьшаться. Это вызовет снижение эммитерного тока и падения напряжения на сопротивлении до того уровня, которое приведет к закрытию транзисторов и отпускания реле. Чтобы запустить таймер заново, потребуется кратковременное нажатие кнопки, которое вызовет полную разрядку емкости.

Для увеличения временной задержки используют схему на полевом транзисторе с изолированным затвором.

На базе микросхем

Применение микросхем уберет необходимость разряжать конденсатор и подбирать номиналы радиодеталей для выставления необходимого времени срабатывания.

Необходимые электронные компоненты для реле времени на 12 вольт:

  • резисторы номиналом 100 Ом, 100 кОм, 510 кОм;
  • диод 1N4148;
  • емкость на 4700 мкФ и 16 В;
  • кнопка;
  • микросхема TL 431.

Положительный полюс источника питания должен соединяться с кнопкой, параллельно к которой подключен один контакт реле. Последний также подключается к резистору 100 Ом. С другой стороны резистор соединен с сопротивлениями на 510 и на 100 кОм. Один из выводов последнего идет на микросхему. Второй вывод микросхемы соединен с резистором на 510 кОм, а третий – с диодом. К полупроводниковому устройству подключается второй контакт реле, которое соединено с исполняющим устройством. Отрицательный полюс источника питания связан с сопротивлением на 510 кОм.

Под питание на выходе 220 В

Две вышеописанные схемы рассчитаны на напряжение 12 В, т. е. не подходят для мощных нагрузок. Устранить этот недостаток допустимо с помощью магнитного пускателя, установленного на выходе.

Если в качестве нагрузки выступает маломощное устройство (бытовое освещение, вентилятор, трубчатый электрический нагреватель), то можно обойтись без магнитного пускателя. Роль преобразователя напряжения выполнят диодный мост и тиристор. Необходимые детали:

  1. Диоды, рассчитанные на ток больше 1 А и обратное напряжение не выше 400 В, – 4 шт.
  2. Тиристор ВТ 151 – 1 шт.
  3. Емкость на 470 нФ – 1 шт.
  4. Резисторы: на 4300 кОм – 1шт, на 200 Ом – 1 шт., регулируемый на 1500 Ом – 1 шт.
  5. Выключатель.

К питанию 220 В подключается контакт диодного моста и выключатель. Второй контакт моста соединен с выключателем. Параллельно к диодному мосту подключается тиристор. Тиристор соединяется с диодом и сопротивлениями на 200, на 1500 Ом. Вторые выводы диода и резистора (200 Ом) идут на конденсатор. Параллельно последнему подключено сопротивление на 4300 кОм. Но необходимо помнить, что данное устройство не используется для мощных нагрузок.

Блок: 3/3 | Кол-во символов: 3405
Источник: https://odinelectric.ru/equipment/sdelat-rele-vremeni-svoimi-rukami

Реле на одном транзисторе

Для совсем ленивых можно использовать схему реле времени на одном транзисторе, КТ 973 А, импортный аналог BD 876. Данное решение также основано на заряде конденсатора до напряжения питания, через потенциометр. Изюминка схемы заключается в принудительном переключении и разряде емкости через резистор R2 и возвращении исходного начального положения тумблером S1.

При подаче питания на устройство начинается заряжаться емкость электролита через резистор R1 и через R3, открывая тем самым ключ транзистор VT1. Когда емкость зарядится до состояния отключения VT1 обесточивается реле, тем самым отключая или включая нагрузку, в зависимости от назначения схемы и использования контактов.

Элементы таймера не критичны и могут иметь незначительный разброс в номиналах. Выдержка времени может отличаться и зависеть от температуры окружающей среды, а также от величины сетевого напряжения. На фото ниже предоставлен пример готовой самоделки:

Теперь вы знаете, как сделать реле времени своими руками. Надеемся, предоставленные инструкции пригодились вам и вы смогли собрать данную самоделку в домашних условиях!

 

Блок: 4/4 | Кол-во символов: 1158
Источник: https://samelectrik.ru/3-idei-sborki-rele-vremeni-svoimi-rukami.html

Комплектация схемы элементами

Чтобы изготовить такой таймер, работающий на напряжении 12v требуется правильно подготовить детали схемы.

Элементами схемы являются:

  • диоды VD1 – VD2, имеющие маркировку 1N4128, КД103, КД102, КД522.
  • Транзистор, подающий напряжение 12v на реле — с обозначением КТ814А или КТ814.
  • Интегральный счетчик, основа принципа работы схемы, с маркировкой К561ИЕ16 или CD4060.
  • Светодиодное устройство серии ARL5013URCB или L816BRSCB.

Здесь важно помнить, что при изготовлении самодельного устройства необходимо применять элементы, указанные в схеме и соблюдать правила техники безопасности.

Блок: 4/6 | Кол-во символов: 608
Источник: https://VashUmnyiDom.ru/obshhaya-avtomatika/rele-vremeni-svoimi-rukami.html

Недельный таймер

Электронный таймер включений-выключений в автоматическом режиме используется в разных сферах. «Недельное» реле коммутирует в рамках заранее установленного недельного цикла. Прибор позволяет:

  • Обеспечить функции коммутации в системах освещения.
  • Включать/выключать технологическое оборудование.
  • Запускать/отключать охранные системы.

 

Габариты устройства небольшие, в конструкции предусмотрены функциональные клавиши. Используя их, можно легко запрограммировать прибор. Помимо этого, имеется жидкокристаллический дисплей, на котором отображается информация.

Режим управления можно активировать, нажав и удерживая кнопку «Р». Настройки сбрасываются кнопкой «Reset». Во время программирования можно установить дату, лимит — недельный срок. Реле времени может работать в ручном или автоматическом режиме. Современная промышленная автоматика, а также разные бытовые модули чаще всего оборудуются приборами, которые можно настроить при помощи потенциометров.

Передняя часть панели предполагает наличие одного или нескольких штоков потенциометра. Их можно регулировать при помощи лезвия отвертки и устанавливать в нужное положение. Вокруг штока имеется размеченная шкала. Подобные приборы широко применяются в конструкциях контроля вентиляционных и отопительных систем.

Блок: 5/8 | Кол-во символов: 1286
Источник: https://220v.guru/elementy-elektriki/shemy/kak-sdelat-rele-vremeni-ili-taymer-svoimi-rukami.html

Приборы с механической шкалой

Одним из приборов, который имеет механическую шкалу, является бытовой таймер. Работает он от обычной розетки. Такой прибор позволяет управлять домашней техникой в определенном диапазоне времени. В нем установлено «розеточное» реле, которое ограничено суточным циклом срабатывания.

Для использования суточного таймера его нужно настроить:

  • Приподнять все элементы, которые располагаются по дисковой окружности.
  • Опустить все элементы, которые отвечают за настройку времени.
  • Прокручивая диск, установить его на текущий промежуток времени.

К примеру, если элементы опущены на шкале, отмеченной цифрами 9 и 14, то нагрузка активируется в 9 часов утра и будет выключена в 14:00. За сутки можно создать до 48 включений аппарата.

Кроме того, устройство имеет функционал, позволяющий активировать таймер во внепрограммном режиме.

Для этого нужно активировать кнопку, которая находится на боковой части корпуса. Если ее запустить, таймер включится в срочном режиме, даже если он был включен.

Блок: 6/8 | Кол-во символов: 1026
Источник: https://220v.guru/elementy-elektriki/shemy/kak-sdelat-rele-vremeni-ili-taymer-svoimi-rukami.html

Видео по теме

Блок: 6/6 | Кол-во символов: 55
Источник: https://VashUmnyiDom.ru/obshhaya-avtomatika/rele-vremeni-svoimi-rukami.html

Простая схема для новичков

Начинающим радиолюбителям можно попробовать сделать таймер, принцип действия которого максимально прост.

Тем не менее, таким простым устройством можно включать нагрузку на конкретное время. Правда, время на которое подключается нагрузка всегда одно и то же.

Алгоритм работы схемы заключается в следующем. При замыкании кнопки, имеющей обозначение SF1, конденсатор C1 полностью заряжается. Когда она отпускается, указанный элемент C1 начинает разряжаться через сопротивление R1 и базу транзистора, имеющего обозначение в схеме — VT1.

На время действия тока разрядки конденсатора C1, пока его достаточно для поддержания транзистора VT1 в открытом состоянии, реле K1 будет во включенном состоянии, а затем отключится.

Указанные номиналы на элементах схемы обеспечивают длительность работы нагрузки на протяжении 5 минут. Принцип действия устройства такой, что время выдержки зависит от ёмкости конденсатора C1, сопротивления R1, коэффициента передачи тока транзистора VT1 и тока срабатывания реле K1.

При желании вы можете изменить время срабатывания изменив ёмкость C1.

Блок: 5/6 | Кол-во символов: 1096
Источник: https://VashUmnyiDom.ru/obshhaya-avtomatika/rele-vremeni-svoimi-rukami.html

Активация механизма

Подключение устройства производится в строгом положении, предписанным техпаспортом. Обычно прибор устанавливается в вертикальном положении, если он не отклоняется от вертикали более чем на 10 градусов. Также необходимо придерживаться температурного режима: от -20 до +50 градусов по Цельсию.

Третьим параметром, который учитывается при установке устройства, является влажность воздуха. Допустимый уровень не должен быть больше 80%. При подключении необходимо отключить электрическую схему от питательного устройства. Схема, как сделать реле времени 220В своими руками:

Дополнительно на самом корпусе имеются обозначения, указывающие в какой последовательности подключать элементы. Обычно это выглядит подобным образом:

  1. Первым делом подключается линия напряжения на клеммы питания.
  2. Далее, идет соединение фазной линии с рубильником и входным контактом.
  3. Последним шагом является подключение выходного контакта к фазной линии.

В действительности, реле времени подсоединяется по классическому пути многих приборов, то есть идет соединение питания и активация нагрузки через соответствующие контакты, которые образуют группы, их бывает несколько. Все зависит от реле, которое может быть однофазным или трехфазным.

Блок: 7/8 | Кол-во символов: 1238
Источник: https://220v.guru/elementy-elektriki/shemy/kak-sdelat-rele-vremeni-ili-taymer-svoimi-rukami.html

Кол-во блоков: 15 | Общее кол-во символов: 17836
Количество использованных доноров: 4
Информация по каждому донору:

  1. https://samelectrik.ru/3-idei-sborki-rele-vremeni-svoimi-rukami.html: использовано 2 блоков из 4, кол-во символов 1874 (11%)
  2. https://220v.guru/elementy-elektriki/shemy/kak-sdelat-rele-vremeni-ili-taymer-svoimi-rukami.html: использовано 6 блоков из 8, кол-во символов 6706 (38%)
  3. https://VashUmnyiDom.ru/obshhaya-avtomatika/rele-vremeni-svoimi-rukami.html: использовано 5 блоков из 6, кол-во символов 3788 (21%)
  4. https://odinelectric.ru/equipment/sdelat-rele-vremeni-svoimi-rukami: использовано 2 блоков из 3, кол-во символов 5468 (31%)

Стабильное реле времени на полевом транзисторе

ФОТО – И КИНОЛЮБИТЕЛЯМ

Г. Дриневский

СТАБИЛЬНОЕ РЕЛЕ ВРЕМЕНИ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Рассматриваемое устройство обеспечивает достаточ­но стабильное для фотопечати время экспозиции. Прин­ципиальная схема реле времени изображена на рис. 1. Его работа основана на перезарядке конденсатора С1. В исходном состоянии транзистор V2 открыт и нахо­дится в режиме слабого насыщения. Напряжение сток-исток близко к нулю, вследствие чего транзисторы V3 и VI закрыты. При этом контакты реле К1 нормально замкнуты и напряжение сети 220 В на лампу фотоуве­личителя не подается. Времязадающий конденсатор С1 заряжен через цепь R1 и переход затвор-исток транзи­стора V2 до напряжения, близкого к напряжению пита­ния Eп. Потенциал затвора транзистора V2 в устано­вившемся режиме близок к нулю. Для подготовки фото­Увеличителя к работе (установка размера и освещенности изображения, наведение на резкость и т. д.) использу­ется тумблер S2, с помощью которого напряжение 220 В поступает на фотоувеличитель.

Рис. 1. Принципиальная схема реле времени

Рис. 2. Лицевая панель устройства

При кратковременном нажатии на кнопку S1 левая (по схеме) обкладка конденсатора С1 соединяется с корпусом и транзистор V2 закрывается отрицательным напряжением. Возникающий в цепи стока транзистора V2 положительный скачок напряжения через ускоряющий конденсатор С2 открывает транзистор V3 и при пра­вильном выборе элементов R2 и R8 — транзистор VI. Сопротивления резисторов R2, R6R8 выбираются та­кими, чтобы обеспечить режим насыщения транзистора VI и режим, близкий к насыщению, транзистора V3. Срабатывает реле К.1, и напряжение сети поступает на фотоувеличитель. Транзистор VI шунтирует кнопку 57. Разрядка конденсатора С1 происходит вначале через замкнутые контакты кнопки S1, а после ее отпускания — через открытый транзистор VI, резисторы R4, R3 и источник питания. Как только напряжение на конденса­торе С1 станет меньше напряжения отпирания полевого транзистора, начнется лавинообразный процесс, в ре­зультате которого транзистор V2 откроется, а транзи­сторы VI и V3 закроются. При этом контакты реле К.1 вернутся в нормально замкнутое положение, конденсатор С1 снова зарядится до напряжения, примерно равного Еп. Так как сопротивление резистора R1 много меньше суммы сопротивлений резисторов R4 и R3, а сопротив­ление р — n перехода V2 и внутреннее сопротивление источника питания значительно меньше R1, то время зарядки конденсатора С1 (время восстановления исход» ного состояния) будет очень малым.

Время включенного состояния (время экспозиции) определяется постоянной времени цепи разрядки кон­денсатора С1. Пренебрегая внутренними сопротивления­ми источника питания и насыщенного транзистора VI, определим постоянную времени разрядки конденсатора С1:

Рассмотрим некоторые соображения по выбору этих элементов. Суммарное сопротивление резисторов R3 и R4 ограничено снизу допустимым прямым током через р — n переход транзистора V2, и в данном случае со­ставляет величину около 100 кОм.

Сопротивление резистора R3 ограничено сверху то­ком утечки конденсатора С1 и обратным током затвора транзистора V2. Для уменьшения влияния этих токов на процесс перезарядки С1 примем

ip= 100 (iзобр + iу),

где iр — ток разрядки конденсатора Cl; i3 обр — обрат­ный ток затвора транзистора V2; iy — ток утечки кон­денсатора С1.

При температуре 20+5° С и влажности до 95% обратный ток затвора транзистора КПЗОЗА меньше или равен 10 нА, а для конденсаторов МБ ГО емкостью до 10 мкФ ток утечки iy < 40 нА. Отсюда находим, что максимальное сопротивление резистора R3 равно:

При Еп = 20 В, Rз. макс < 4М0М.

Тогда для времени экспозиции от 1 до 30 с емкость конденсатора С1 должна быть менее 10 мкФ (от 0,25 до 8 мкФ).

Время экспозиции плавно регулируется потенцио­метром R3, при использовании потенциометра R3 с ли­нейной шкалой регулировка времени экспозиции будет также линейной.

Конструкция устройства представлена на рис. 2. Для обеспечения плавности установки времени экспозиции резистор R3 составлен из двух последовательно соеди­ненных потенциометров с сопротивлениями 3,3 МОм и 330 кОм. Первым обеспечивается грубая, а вторым — плавная регулировка.

Потенциометры регулировки времени экспозиции (R3), кнопка пуска реле (S1), тумблер блокировки реле (S2), держатель предохранителя (F1), фонарь лампы (HI), конденсатор С1 и розетка подключения фотоуве­личителя установлены непосредственно на корпусе. Остальные элементы монтируются на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита размером 100X53 мм (рис. 3). Снизу коробка закрывается крышкой. В каче­стве корпуса желательно использовать коробку из пластмассы с внутренними размерами не менее 150x90X30 мм. Необходимую гравировку можно выпол­нить либо непосредственно на коробке, либо на плотной бумаге, прикрыв ее сверху оргстеклом.

Рис. 3,а. Печатная плата

Рис. 3,6. Размещение деталей на плате

Данная конструкция реле времени рассчитана на использование внешнего источника питания, подключе­ние к которому осуществляется двухжильным проводом с разъемом на конце. (

Подключение сети 220 В осуществляется кабелем, заканчивающимся вилкой.

При разработке конструкции использованы потен­циометры СП4-2Ма, кнопка КМ1, тумблер МТЗ, фонарь ФШМ, держатель предохранителя ДПБ, розетка РД1.

Размеры и координаты отверстий для крепления эле­ментов на корпусе указаны на рис. 4.

В качестве транзисторов VI, V3 можно использовать любой кремниевый транзистор малой мощности с до­пустимым напряжением коллектор — эмиттер и коллек­тор — база не йенее выбранного напряжения источника питания Еп. В качестве транзистора V2 можно исполь­зовать транзисторы КП302 или КП303.

Рис. 4. Координаты отверстий для крепления элементов

Ниже приведены сопротивления резисторов схемы реле времени при использовании в схеме транзисторов КП3ОЗА, МП37Б и источника питания Еп = 20 В.

Номер резистора

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Сопротивление резистора, кОм

12

4,7

3300

100

12

4,7

4,7

0,062

220

Все резисторы мощностью рассеяния 0,25 Вт.

Конденсаторы (Л-МБГО; С2-КЛС; СЗ-К-50-6. Диод V4 Д223, реле РЭС-9 (паспорт РС4.524.200), лампа HI TH-0,3.

Тип реле выбирается в зависимости от величины питающего напряжения Еп.

При этом допустимый ток коллектора транзистора V3 должен превышать ток срабатывания реле К1. Кон­такты реле должны быть рассчитаны на величину на­пряжения и тока управляемой цепи.

ББК 32.884.19

В80

Рецензент кандидат технических наук А. Г. Андреев

В помощь радиолюбителю: Сборник, Вып. 78/ В80. Сост. С. П. Балешенко.— М.: ДОСААФ, 1982.— 79 с, ил. 30 к.

Приведены принципиальные схемы и описания конструкций рач диотехнических устройств различной степени сложности. Для широкого круга радиолюбителей и специалистов.

2402020000—064

В————–87-82

072(02)—82

ББК 32.884.19

6Ф2.9

В ПОМОЩЬ РАДИОЛЮБИТЕЛЮ

Выпуск 78

Составитель Сергей Павлович Балешенко

Редактор М. Е. Орехова

Художник В. А. Клочков

Художественный редактор Т. А. Хитрова

Технический редактор 3. И, Сарвина

Корректор Е. А. Платонова

ИБ № 1268.

Сдано в набор 10.02.82. Подписано в печать 17.06.82. Г-54221. Формат 84X108/32. Бумага газетная. Гарнитура литературная. Печать высокая. Уел п л. 4,2. Уч.-изд. л. 4,09. Тираж 700 000 экз. (I завод: 1—350 000 экз.) Зак 2—1935. Цена 30 к. Изд. № 2/г-164.

Ордена «Знак Почета» Издательство ДОСААФ СССР

129110, г. Москва, И-110, Олимпийский просп., 22.

Отпечатано с матриц Полиграфкомбината ордена «Знак Почета» издательства ЦК ЛКСМУ «Молодь» на Головном предприятии республиканского производ­ственного объединения «Полиграфкнига», 252057, г. Киев, Довженко, 3.

OCR Pirat

Капиллярные полевые транзисторы | Микросистемы и наноинженерия

Переходная динамика полевого транзистора

Важно получить полное теоретическое представление о динамике полевого транзистора для разработки модели его аналоговых функциональных режимов и поведения во время закрытия. Для этого мы изначально ориентируемся на скорость срабатывания cFET. Предлагаемая динамическая модель следует соглашению об аналогиях электрических систем первого порядка. Этот подход хорошо зарекомендовал себя как в общей микрофлюидике 32 , так и в капиллярных схемах 33 .На рис. 2 показана предлагаемая модель, наложенная на визуализацию выключенного клапана /cFET 22 .

Рис. 2: Электрическая аналогия, а также гидравлическое и газовое сопротивление полевого транзистора.

a Динамическая электрическая аналогия модели поведения закрытия cFET. Модель накладывается на представление физической структуры, чтобы показать физические величины, которые они представляют. Два капиллярных давления, P TR и P M и четыре сопротивления, R F, TR , R г, TR , R г, м и R f,m используются для моделирования поведения cFET. b Сопротивления жидкости и газа, а также капиллярное давление в основном канале изменяются в зависимости от смещенного объема триггерного канала. Примечание: Эти графики показывают только ожидаемую форму этих свойств

В этой модели есть два капиллярных давления, символически смоделированных на рис. Первое давление создается мениском в триггерном канале \(P_{\rm{tr}}\). Это постоянное значение, и его можно рассчитать по уравнению 1. Второе давление, \(P_{\rm{m}}\), создается мениском, перекрывающим большое отверстие на краю пустоты.Это давление не является постоянным, а скорее зависит от объема смещенного триггерного канала \(V\). Величина этого давления будет увеличиваться при более высоких перемещениях спускового канала. Из-за сложной геометрии основного канала трудно рассчитать давление в главном канале. Однако ожидается, что P m будет похож по форме на показанный на рис. 2б.

В этой модели имеется четыре сопротивления потоку, которые ограничивают поток жидкости. Они представляют вклады жидкости и газа как для триггерного канала, так и для тела основного канала.Из-за его большой ширины, высоты и малой длины по сравнению с триггерным каналом сопротивления потоку в основном канале считаются пренебрежимо малыми.

Следует отметить, что эти гидравлические сопротивления не остаются постоянными при закрытии устройства. По мере заполнения триггерного канала жидкостью происходит вытеснение воздуха, в результате чего сопротивление потоку жидкости увеличивается, а газовая составляющая уменьшается. Хотя в большинстве случаев сопротивление воздушному потоку незначительно по сравнению с жидким компонентом, им нельзя пренебрегать.Если бы его убрать, то полное сопротивление потоку стало бы равным 0 при \(t = 0\). Используя два капиллярных давления и два сопротивления потока триггерного канала, мы можем описать скорость потока в триггерном канале с помощью дифференциального уравнения как

$$\dot V = \frac{{P_{\rm{tr}} — P_ {\rm{m}}(V)}}{{R_{\rm{f,tr}}(V) + R_{\rm{g,tr}}(V)}},$$

(2)

где \(\dot V\) — первая производная объема по времени, \(P_{\rm{tr}}\) — давление триггерного канала, \(P_{\rm{m}}( V)\) — давление основного канала как функция смещенного объема триггерного канала, \(R_{\rm{f,tr}}(V)\) — гидравлическое сопротивление триггерного канала как функция смещенного объем триггерного канала, а \(R_{\rm{g,tr}}(V)\) — гидравлическое сопротивление газа в триггерном канале как функция объема.Уравнение 2 является линейно разделимым, поэтому дифференциальное уравнение можно решить аналитически. Однако, поскольку аналитическая форма капиллярного давления в главном канале в настоящее время неизвестна, далее действуем численно.

В нашей предыдущей работе 22 время закрытия запорного клапана (cFET) измерялось временем, за которое закупоривающий пузырек коснется стенки основного канала. Объем воздуха, необходимый для этого, был назван «объемом отсечки», \(V_{\rm{p}}\).3\влево( {1 — 0,63\фрак{ч} {ш}} \вправо)}},$$

(4)

где \(\mu\) – вязкость жидкости, \(L\) – длина канала, \(w\) – ширина канала, \(h\) – глубина канала. Это можно использовать для расчета сопротивления жидкости в триггерном канале, \(R_{\rm{f,tr}}\) и \(R_{\rm{g,tr}}\). \(P_{\rm{tr}}\) определяется высотой, глубиной и контактным углом триггерного канала через уравнение Юнга-Лапласа. Однако объем отсечки \(V_{\rm{p}}\) и капиллярное давление в главном канале неизвестны и их трудно определить аналитически.

Чтобы получить эти значения, был разработан, изготовлен и испытан тестовый чип из полиметилметакрилата (ESI, рис. S1) в соответствии с методами, подробно описанными в нашей предыдущей работе 22,26 . В соответствии со своей конструкцией этот чип систематически изменял громкость триггерного канала нескольких полевых транзисторов, чтобы перевести окклюзионное пузырение в диапазон состояний. Эти состояния по существу представляют собой стабильные снимки мениска в дискретные моменты времени в течение всего времени полного закрытия cFET. Полная визуализация конструкции в САПР показана на рис.3 (файлы САПР, предоставленные в ESI), на вставке изображен крупный план структур триггерного канала. Изменение длины канала и, следовательно, объема помещает полевые транзисторы в контролируемый диапазон состояний между полностью открытыми и полностью закрытыми. Полный диапазон результирующих состояний пузырьков можно увидеть на рис. 4а. Эти состояния, в свою очередь, можно использовать для определения как объема отсечки, так и капиллярного давления в основном канале. Объем отсечки оценивают визуально, когда пузырек касается противоположной стенки канала.В случае тестового чипа объем триггерного канала, при котором пузырек касается стенки основного канала, был определен равным 25,7 нл. Этот метод определения объема отсечки ограничен тем, насколько точно можно наблюдать точку, в которой пузырек касается стенки. В нашей предыдущей работе 22 возможность точного определения этой точки была ограничением из-за разрешения и частоты кадров записываемого видео. В этом эксперименте разрешение по-прежнему является ограничением; однако, поскольку смещенный объем является статическим, ошибкой частоты кадров можно пренебречь.

Рис. 3: CAD-визуализация тестового чипа в режиме аналогового сопротивления.

Устройство было изготовлено с использованием микрофрезерования полиметилметакрилата, как сообщалось ранее 22 , и состояло из 36 структур cFET, расположенных параллельно между двумя большими распределительными каналами с входами от A до D. Объем пускового канала каждого cFET постепенно увеличивается справа налево. осталось создать полный диапазон перекрывающих состояний пузыря. На вставке показан крупный план, показывающий, как постепенно увеличивался объем триггерного канала за счет удлинения триггерных каналов

Рис.4: Радиус закупоривающего пузыря, определенный испытательным устройством.

a Оптические микрофотографии, показывающие форму закупоривающего пузыря для 36 cFET с объемом триггерного канала от 5,7 до 40,7 нл (сверху вниз, справа налево). Окклюзионные пузырьки контактируют со стенкой основного канала и, таким образом, перекрывают поток жидкости в объеме примерно 26 нл. Форма этих пузырьков использовалась для расчета капиллярного давления в главном канале как функции вытесненного объема. b График зависимости радиуса закупоривающего пузыря от вытесненного объема.Дуга окружности была подогнана к каждому мениску/пузырю, показанному в и , с использованием алгоритма подбора градиентного спуска. Каждая точка представляет собой радиус дуги, которая соответствует форме мениска. Выбросы обозначены красными треугольниками. На вставке показан пример подгонки дуги окружности (линия) к извлеченной форме мениска (X), наложенной на изображение мениска

Капиллярное давление основного канала, с другой стороны, имеет вертикальную и горизонтальную составляющие. Вертикальная составляющая определяется высотой и углом контакта основного канала и постоянна на всем протяжении закрытия cFET.Между тем, горизонтальную составляющую можно рассчитать, найдя радиус (главные радиусы) пузырька в каждом фрагменте изображения на рис. 4а до объема отсечки. На рис. 4b показаны радиусы окклюзионных пузырей, нанесенные на график относительно объемов триггерных каналов, которые их создали, до объема отсечки. Пример дуги окружности, соответствующей извлеченной форме мениска, показан на вставке на рис. 4b. В большинстве случаев была достигнута отличная подгонка со среднеквадратичной ошибкой менее 1 пикселя.Однако в записанных данных было два больших выброса, обозначенных на рис. 4б красными треугольниками. В этих случаях мениск не скреплял края пустотного объема из-за небольшой течи. Несмотря на это, наблюдается явный тренд главных радиусов, и эти выбросы могут быть заменены линейной интерполяцией соседних точек.

На основании этих данных уравнение. 4, теперь можно оценить для диапазона углов контакта от 0° до 60° и высоты триггерного канала от 20 до 150 мкм. Для расчета объем отсечки был установлен равным 25.7 нл, ширина триггерного канала до 100 мкм, длина триггерного канала до 10 мм, рабочая жидкость – вода ( η = 8,9 × 10 −4 Па с, γ = 0,072 Н/м), воздух в качестве рабочего газа ( η = 1,872 × 10 −5 Па с) 35 . Основной канал имел глубину 200 мкм и длину 0,8 мм у большого отверстия.

Контурный график времени закрытия показан на рис. 5а. Минимальное время закрытия для этой геометрии основного канала cFET составляет 11  мс. Это время закрытия достигается при контактном угле 0° и глубине пускового канала 115°.8 мкм (ширина 100 мкм). Как показано на рис. 5, существует значительный диапазон значений, в которых время закрытия составляет порядка 100  мс или меньше. Это демонстрирует надежность работы полевого транзистора cFET, причем даже неоптимальные структуры обеспечивают хорошие характеристики.

Рис. 5: Время закрытия cFET в зависимости от глубины канала запуска и угла контакта с водой.

a Контурный график времени закрытия. Глубину триггерного канала оценивали от 20 до 150 мкм, а контактный угол от 0° до 60°.Для геометрии основного канала в этом примере (глубина 200 мкм) минимальное время закрытия составляет примерно 11 миллисекунд. b Результаты смоделированного времени закрытия по сравнению с ранее опубликованными экспериментальными результатами 22

Результаты смоделированного времени закрытия по сравнению с ранее опубликованными экспериментальными результатами 22 показаны на рис. 5b. Для прямого сравнения модель пересчитывается для длины триггерного канала 36 мм и угла контакта 0°, чтобы соответствовать свойствам предыдущего тестового устройства.Хотя согласие является разумным, модель в настоящее время предсказывает, как правило, более быстрое закрытие, чем наблюдалось экспериментально. Кроме того, замедление времени закрытия из-за высокого сопротивления или низкого капиллярного давления триггерных каналов происходит с большей скоростью, чем наблюдается экспериментально. Это несоответствие может быть объяснено вариацией изготовления чипа, вздутием гидрофобного покрытия в канал или отклонениями поверхностного натяжения и вязкости жидкости из-за добавления красителя и стабилизаторов; первые два могут быть уменьшены в будущем за счет использования более воспроизводимых методов изготовления, таких как литье под давлением и ламинирование.

Следует также отметить, что из-за дискретного размера выключенных клапанов , включенных в тестовую микросхему, данные, представленные на рис. 5, в настоящее время не полностью исследуют доступное пространство параметров. Дальнейшие улучшения скорости поворота или времени закрытия клапана могут быть сделаны путем регулировки других аспектов геометрии клапана. Например, изучение влияния геометрии основного канала на время закрытия может привести к дальнейшему прогрессу. Эта стратегия может быть особенно эффективной, поскольку длина и глубина основного канала изменяют как капиллярное давление основного канала, так и объем отсечки.К сожалению, возможности оптимизации основного канала в настоящее время ограничены из-за отсутствия метода аналитического определения объема отсечки и капиллярного противодавления. В настоящее время любая основная геометрия канала должна сначала быть физически изготовлена, протестирована и проанализирована. Однако, как мы покажем в следующем разделе, этот экспериментальный подход по-прежнему позволяет разработать уравнение Шокли для cFET.

Работа аналогового транзистора

Линейная область

Линейная или омическая область поведения транзистора — это рабочий диапазон, в котором корпус транзистора ведет себя подобно переменному резистору.В линейной области увеличение напряжения на стоке к истоку создает линейное и постоянное увеличение тока, протекающего через основной корпус устройства за счет омической проводимости. Что касается физического распределения носителей заряда в устройстве, линейная область начинается, когда канал вообще не изменяется обедненной областью, до момента, когда обедненная область полностью перекрывает канал (отсечка). Поведение транзистора описывается уравнением Шокли.Это уравнение является одним из нескольких фундаментальных уравнений, характеризующих поведение электронных транзисторов 27,28 . Он выражает зависимость между током, протекающим через основной канал, и приложенным напряжением затвора. Из-за геометрического параллелизма, существующего между электронными полевыми транзисторами JFET и полевыми транзисторами с выключенными лампами , уравнение Шокли также должно описывать жидкостное поведение cFET, хотя и с небольшими корректировками.

В электронном JFET объем обедненной области контролируется потенциальной энергией (напряжением), прикладываемой к затвору 27 .2,$$

(5)

где Q D — скорость потока через основной канал, Q ss — скорость потока насыщения, V tr — смещенный объем канала запуска, V — смещенный объем канала срабатывания 0 — объем отсечки. Как следует из Q ss , исходная форма этого уравнения Шокли относится к области насыщения работы транзистора.Хотя изначально мы исследуем линейную область работы, эта форма полезна, поскольку исключает давление сток-исток и изолирует влияние объема триггерного канала. Чтобы определить правильность этого подхода с модифицированным уравнением Шокли, было экспериментально исследовано соотношение скорости потока и объема ( Q –V) cFET, продемонстрировавшее, что аналоговые режимы сопротивления управляемы и достижимы в этом типе устройства.

Для проверки режимов аналогового сопротивления использовалось то же микрожидкостное устройство, что и для характеристики переходной динамики.Это возможно, поскольку каждый уникальный объем пузырьков создает различное гидравлическое сопротивление для жидкости, протекающей по основному каналу. Когда к полевым транзисторам cFET прикладывается гидростатическое давление, поток будет индуцироваться пропорционально приложенному гидростатическому давлению и размеру закупоривающего пузыря. На тестовом чипе полевые транзисторы расположены параллельно между двумя большими каналами распределения. Размер этих распределительных каналов был выбран таким образом, чтобы свести к минимуму любое изменение управляющего давления между транзисторами.

Для первоначального заполнения устройства 105 мкл деионизированной воды, окрашенной в синий цвет, с помощью пипетки загружали в одно из отверстий для заполнения (обозначено C или D на рис. 3) на чипе. Это заполнило транзисторы жидкостью и активировало триггерные каналы для каждого устройства. Жидкость не поступала в верхний распределительный канал из-за наличия конструкции запорного клапана 1 , замыкающего каждую параллельную ветвь транзистора. После наполнения всю оставшуюся жидкость пипеткой удаляют из наливного впускного резервуара.Чтобы инициировать поток жидкости, 105 мкл деионизированной воды, окрашенной в желтый цвет, добавляли к одному из входов для тестирования (обозначенному A или B на рис. 3). Затем жидкость текла через каждую ветвь транзистора пропорционально сопротивлению каждой параллельной ветви.

Чтобы лучше понять потенциальное влияние каналов сбыта, цикл заполнения-тестирования повторялся несколько раз по обеим порядковым осям чипа. Для этого устройство заполняли водой синего цвета либо из впускного отверстия C и тестировали, добавляя воду желтого цвета во впускное отверстие B ( F C T B), либо из впускного отверстия D и тестировали, добавляя во впускное отверстие воду желтого цвета. А ( Ф Д Т А).Скорость потока, вызванная давлением, измерялась путем записи изменения цвета каждой ветви транзистора с течением времени и последующего анализа с использованием программного обеспечения ImageJ. Измерение расхода производилось в начале эксперимента, до того, как на выходе могло возникнуть какое-либо значительное противодавление. Этот визуальный метод отслеживания расхода жидкости использовался в качестве резерва для измерения истинного объемного расхода, что было бы трудно реализовать в капиллярном контуре.

Пример такого экспериментального результата можно увидеть на рис.6. Видеозапись этого эксперимента F C T B и примера F D T A представлена ​​в ESI (V1). Поскольку параллельные ветви заполнялись с разной скоростью в ходе эксперимента, они также заполнялись в разной степени. Таким образом, развитие желтого цвета вдоль отдельных параллельных каналов на рис. 6 кратко показывает управляемость и общую форму зависимости скорости потока cFET от объема канала срабатывания. Из этих временных данных можно извлечь графики Q –V (аналогичные ВАХ для JFET), которые показаны на рис.7а. На этом графике результаты нормированы к среднему значению для каждого направления (FCTB, FDTA). Это связано с тем, что гидростатическое приводное давление в эксперименте не контролировалось. Этот подход позволяет показать влияние объема триггерного канала и сопротивления потока, а не связанный эффект триггерных каналов и движущего давления. На рис. 7а тест F C T B показан синим цветом, а тест F D T A – красным. Среднее значение записанных прогонов показано сплошными линиями, полупрозрачные линии показывают отдельные результаты, а стандартное отклонение измерения указано заштрихованными областями.

Рис. 6: Фотография, показывающая общий расход жидкости через параллельные ответвления резисторов в пропорции к сопротивлению жидкости устройств cFET.

Этикетки обозначают отверстия для тестирования (A, B) и заполнения (C, D). В этом примере устройство было заполнено окрашенной в синий цвет водой из входа C и протестировано добавлением воды желтого цвета во вход B (FCTB). Изображение демонстрирует управляемость сопротивления устройств cFET

Рис. 7: Зависимость расхода от объема ( Q V ) для устройства cFET.

a График зависимости Q V для устройства cFET, измеренный на тестовом чипе. Чип был протестирован гидростатическим давлением между диагонально противоположными парами входных отверстий. Это было сделано, чтобы визуализировать любое потенциальное влияние каналов сбыта. Результаты показаны нормализованными к среднему ответу, чтобы более четко проиллюстрировать влияние громкости триггерного канала. Устройства заполнялись через вход C и тестировались через вход B ( F C T B) или заполнялись из D и тестировались через A ( F D T A). b Форма уравнения Шокли, подогнанная к отклику Q V , показанному в a

Первоначальная оценка рис. 7а подчеркивает два интересных явления. Во-первых, гидравлическое сопротивление закрытых клапанов управляется объемом приложенного триггерного канала, что, в свою очередь, демонстрирует возможность управления аналоговым сопротивлением cFET. Во-вторых, в этой конструкции чипа воспроизведены три различных области работы. При малых объемах триггерных каналов поток жидкости в основном ограничивается внешними сопротивлениями на микросхеме, например, сопротивлениями соединительных каналов.Они разработаны, чтобы быть одинаковыми для всех устройств. При больших объемах триггерного канала, приближающихся к объему отсечки, поток жидкости ограничивается увеличением размера закупоривающего пузыря. Это создает гиперболическую область , где сопротивление потоку быстро увеличивается — область, описываемая квадратным соотношением уравнения Шокли (уравнение 5). С другой стороны, для объемов триггерных каналов, превышающих объем отсечения, поток жидкости в cFET перекрывается и ограничивается — это соответствует области отсечки .Зона отсечки соответствует большому, но конечному уровню сопротивления потоку, при котором поток жидкости почти полностью ограничен.

На рис. 7b показано модифицированное уравнение Шокли, адаптированное к среднему значению всех зарегистрированных точек данных. Как показано на рис. 7b, уравнение Шокли обеспечивает хорошее соответствие экспериментальным данным в области отсечки и гиперболической области . В областях малых объемов, где влияние внешних сопротивлений более выражено, это соответствие нарушается, и модельные и экспериментальные данные расходятся.Точка, в которой модель расходится с данными, представляет собой момент, когда внешнее сопротивление становится преобладающим над сопротивлением cFET. Подгонка этой модели также подтверждает оценку объема отсечки на рис. 4а, при этом скорость потока падает до нуля после наблюдаемого объема отсечки 25,7 нл.

Параметр линейного усиления и крутизны

г m

Другим ключевым свойством работы транзистора является способность усиливать сигнал.Для биполярного переходного транзистора 36 можно определить параметр усиления тока β для отдельного транзистора. Однако для устройства, которое зависит от статического приложенного поля (непрерывное приложение потенциала, а не непрерывное приложение тока), такого как полевой транзистор, усиление выражается через параметр крутизны г м. Транскондуктивность (передаточная проводимость) выражает изменение проводимости канала большой площади в ответ на приложенное поле.Используя этот параметр, усиление цепи по напряжению или току можно выразить с помощью соответствующего уравнения Шокли и теории пассивных цепей. В случае cFET данные, показанные на рис. 7, теперь позволяют определить крутизну и рассчитать приблизительные значения. В электронном полевом транзисторе крутизна — это скорость изменения тока стока \(I_{\rm{D}}\) по отношению к напряжению затвор-исток, \(V_{\rm{GS}}\ ), когда напряжение сток-исток постоянно или устройство находится в состоянии насыщения 37 .Эквивалентным параметром жидкостной крутизны является изменение расхода основного канала Q м по отношению к изменению вытесненного объема пускового канала V tr при постоянном гидростатическом давлении. Это соответствует частной производной уравнения. 5 относительно смещенного объема триггерного канала. Максимальная крутизна основного канала этой конкретной геометрии cFET была измерена путем подгонки линейной линии к гиперболической области, показанной на рис.{ — 1}\) для направления F C T B. Большая разница между этими результатами связана с тем, что устройство в настоящее время работает в линейном режиме, а гидростатическое давление не контролируется. Движение потока, вызываемое давлением, в этом эксперименте представляло собой комбинацию гидростатического давления и капиллярного давления выходного мениска, поэтому нельзя было предположить, что оно постоянно между экспериментами.

Интересно, что тестирование двух диагональных направлений на чипе ( FCTB, FDTA ) не выявило однозначно мешающего эффекта из-за перепада давления вдоль распределительного канала.Таким образом, был сделан вывод, что любое потенциальное влияние канала распределения на результат определялось изменением общего приводного давления.

Нелинейная характеристика потока

Другим важным аспектом работы электронного транзистора является нелинейный режим потока, называемый областью насыщения. Эта область возникает, когда напряжение, управляющее током через проводящий канал, В DS , , сравнимо с управляющим напряжением, В GS .В этом случае возбуждающее напряжение изменяет форму обедненной области, уменьшая ее ширину. При V DS =V GS проводящий канал полностью пережат; однако ток продолжает течь из-за баллистического транспорта. Этот эффект означает, что ток в устройстве в конечном итоге достигает максимального значения, определяемого только управляющим напряжением. Этот нелинейный режим проводимости чрезвычайно полезен в электронике, так как упрощает проектирование источников постоянного тока, а также линейных усилителей.Такие приложения могут также использоваться в гидравлических контурах для создания насосов с постоянным расходом, которые изучались в капиллярных системах до 38,39 . Эти насосы с постоянным расходом позволяют подавать реагенты с постоянной скоростью, а не с характерным заполнением квадратным корнем, известным в капиллярных контурах 33 . Реализация насоса с постоянным расходом на основе cFET будет иметь преимущества из-за меньшего физического размера и возможности программно регулировать поток в ходе эксперимента.

Хотя баллистический перенос, ответственный за проводимость за пределами отсечки в JFET, не существует для cFET, закрывающий пузырек в последнем испытывает искажение из-за протекания тока аналогично области истощения в JFET. Таким образом, вдохновленные потенциальными приложениями, мы охарактеризовали механику потока cFET при более высоких давлениях привода, чтобы определить влияние искажения пузырьков на поток жидкости в основном канале.

До сих пор в этой работе приложенное движущее давление было небольшим по сравнению с давлением Лапласа окклюзирующих пузырьков и, как правило, не контролировалось.В результате небольшой величины прикладываемое давление не приводило к существенной деформации закупоривающего пузыря. Следовательно, для исследования эффекта искажения пузырьков требовался более крупный и более контролируемый источник давления. Для этой цели использовался обычный микрожидкостный регулятор давления (Elveflow OB1 Mk3+), оснащенный датчиком потока (MFS-2, Elveflow). Тестовая микросхема состояла из одного устройства cFET с триггерным каналом, напрямую соединенным со стоком, так что он самозапускался при заполнении.Объем закупоривающего пузыря был установлен выше объема отсечки для этой конкретной геометрии главного канала cFET. Это позволяло прикладывать хорошо контролируемое движущее давление к закупоривающему пузырю при одновременном измерении результирующей скорости потока. Деформацию закупоривающего пузыря количественно определяли путем съемки cFET при приложении различных давлений. После этого был использован тот же процесс нелинейной подгонки, что и на рис. 4b, для извлечения радиуса менисков на концах стока и истока cFET и для расчета горизонтальной составляющей давления Лапласа для каждого из них.Лапласово давление пузырька, полученное из его формы, показано на рис. 8а, а соответствующее гидравлическое сопротивление полевого транзистора как функция движущего давления показано на рис. 8б.

Рис. 8: Нелинейная механика потока cFET при значительном приложенном давлении.

a Давление по Лапласу, определяемое по форме пузырька, исходного и сливного менисков в зависимости от приложенного давления. Движение пузырьков изменяет ограниченный путь потока и, следовательно, создает общую нелинейную реакцию потока.Врезка: репрезентативное изображение cFET при сильном давлении. b Экспериментально измеренное гидравлическое сопротивление устройства cFET при повышении давления. Кривая указывает на нелинейную проводимость жидкости в полевом транзисторе из-за движения закупоривающего пузыря

На рис. 8а показано, что по мере приложения давления радиус мениска на конце истока полевого транзистора увеличивается, а радиус конца стока сужается. . Это движение пузырька означает, что мениск истока частично смещен в корпус полевого транзистора (рис.вставка 8а). Это смещение увеличивает среднее поперечное сечение пути потока в основном канале и, как таковое, снижает гидравлическое сопротивление устройства. Сопротивление потоку cFET можно рассчитать, используя приложенное давление и измеренный результирующий расход, и этот результат показан на рис. 8b. Это демонстрирует, что по мере увеличения управляющего давления сопротивление полевого транзистора уменьшается нелинейным образом. Таким образом, можно сделать вывод, что эта конструкция cFET действительно продемонстрировала нелинейную характеристику потока из-за самообратной связи.Однако следует отметить, что эта реакция характерна скорее для механизма уступчивости, чем для поведения насыщения. В отсутствие внешних сопротивлений уступающая нелинейная характеристика потока создаст нестабильную систему, что сделает это свойство не сразу полезным. Тем не менее, поскольку нелинейное сопротивление потоку cFET вызвано изменениями формы закупоривающего пузыря, наличие механизма самообратной связи должно позволять настраивать тип отклика, регулируя форму основного канала.Например, на сток cFET можно было бы добавить сужение, которое увеличило бы сопротивление жидкости при смещении в него пузырька. Это потенциально может создать реакцию насыщения, хотя и геометрическую по происхождению.

В дополнение к этому исследованию механизмов нелинейного потока в cFET был изготовлен и протестирован тестовый чип для характеристики поведения потока в контуре для отсеченных cFET (см. ESI, рис. S4). Интересно, что внутрисхемное поведение создавало постоянную скорость стока, что изначально предполагалось.Хотя это первоначально кажется противоречащим результатам, показанным на рис. 8b, считается, что это вызвано тем, что сопротивление утечки cFET преобладает над общим сопротивлением цепи и, следовательно, создает кажущуюся постоянную скорость потока. Хотя это практический и полезный результат, он не является проявлением нелинейной механики потока, поскольку является расширением области аналоговой моды сопротивления, уже обсуждавшейся за счет конечного сопротивления отключения в отсеченных областях.

Реверсивная работа полевого транзистора

Вторым и последним критерием, по которому исходные лампы не соответствовали настоящим транзисторным аналогам, была их способность колебаться.Устройства капиллярного действия, как правило, одноразового использования: после того, как канал заполнен, потенциальная энергия системы израсходована, и срабатывание жидкости больше не может происходить 31 . Это, в свою очередь, означает, что обратимость любого действия внутри системы затруднена, если не невозможна, и что повторное открытие полевого транзистора простым удалением жидкости из триггерного канала будет затруднено.

Интересно, что мы обнаружили, что cFET на самом деле может работать обратимо, пока в капиллярной цепи все еще есть потенциальная энергия и есть объем пустот обратной связи.Это возможно благодаря тому, что пузырек в основном канале аппарата в закрытом или частично закрытом состоянии имеет собственное капиллярное давление. Таким образом, капиллярное давление закупоривающего пузыря представляет собой восстанавливающую силу, которая уравновешивается давлением в пусковом канале. Если капиллярное давление триггерного канала снижается, объем втягивается или если для свободного объема становится доступным вентиляция, cFET снова открывается.

В этой работе мы представляем простейшую возможную демонстрацию этой операции в виде вентиляционного отверстия, открывающегося в пустой объем транзистора, позволяя cFET снова открываться под действием его собственной восстанавливающей силы.Чип, использованный для экспериментальной демонстрации этого, был модифицированной версией устройства NAND с несколькими входами, о котором сообщалось ранее (файлы CAD предоставлены в ESI) 26 . Это устройство состоит из нескольких триггерных каналов, ведущих к одному пустому объему. В своей обычной работе клапан работает как вычислительная функция И-НЕ, полностью закрываясь только тогда, когда все триггерные каналы были активированы 26 .

Для демонстрации повторного открытия входы во все триггерные каналы, кроме одного, были замаскированы полупроводниковой лентой для нарезки кубиками, при этом лента действовала как разрывная мембрана.В этой конфигурации любой из триггерных каналов будет активировать основной канал cFET. После закрытия клапана пользователь разрывает одно из ленточных уплотнений, например, вручную прокалывая его иглой шприца. Пустой объем теперь может выходить через разрывную мембрану, а восстанавливающая сила, создаваемая мениском основного канала, снова открывает устройство. Экспериментальную демонстрацию этой операции можно увидеть на рис. 9. Видеозапись этого эксперимента представлена ​​в ESI (V2).В момент времени t 1 cFET был закрыт с одним заполненным триггерным каналом. За этим последовал прокол отрезной ленты на входе канала 2 на t 2 , что привело к повторному открытию клапана. В t 3 триггерный канал 2 был заполнен для повторного закрытия клапана и вновь открыт путем прокалывания ленты над каналом 3 в t 4 . Это ручное циклирование было повторено еще раз в течение t 5 и t 6 с возможностью продления столько раз, сколько требуется приложением.Общее количество возможных событий переключения ограничено только количеством вентиляционных каналов, которые физически могут быть направлены в пустой объем.

Рис. 9: Демонстрация закрытия и повторного открытия устройства cFET путем выпуска свободного объема.

a Фотография конструкции микросхемы капиллярной логики 26 , используемой для демонстрации повторного открытия. Капиллярный насос приводит в действие поток жидкости через два отсечных клапана/cFET, из которых только второй клапан используется для демонстрации.Этот второй cFET имеет четыре триггерных канала с входами, доступными извне. Три из этих входов закрыты полупроводниковой лентой, обеспечивающей герметичность. b Пример переключения между закрытым и вновь открытым состояниями cFET. Заполненные триггерные каналы 1 и 2 расширяют пузырек в основной канал (слева). После того, как отрезная лента, покрывающая канал 3, проколота, пузырь восстанавливается, снова открывая cFET (справа). c Последовательность изображений, показывающая расширение и втягивание пузырька в течение трех переходов.В \(t_1\) cFET показан в закрытом состоянии только с одним триггерным каналом, обеспечивающим громкость. Когда триггерный канал 2 вентилируется при \(t_2 > t_1\), cFET снова открывается. В \(t_3\) полевой транзистор снова закрывается с помощью триггерного канала 2 и снова открывается в \(t_4\) путем прокалывания ленточной мембраны над триггерным каналом 3. Этот переход повторяется в третий раз в \(t_5\) , снова закрывая полевой транзистор с помощью триггерного канала 3, и снова открывая его в \(t_6\) через триггерный канал 4. При этом основной целью этого эксперимента было показать, что закупоривающий пузырек обладает восстанавливающей силой, и способен повторно открыть при необходимости, он также показывает, что объем исполнительного пузыря является регулируемой функцией количества триггерных каналов

Хотя эта демонстрация является относительно грубой, она функционально демонстрирует обратимость работы cFET, обеспечивая новый путь управления потоком для соответствующих приложений.Например, для многих биохимических анализов требуются этапы инкубации по времени 22 . Капиллярные схемы обычно управляют синхронизацией этапов инкубации с помощью каналов с большой задержкой 2,40,41 ; однако также может быть желательно, чтобы инкубационные периоды контролировались пользователем. В таком приложении cFET будет использоваться для остановки движения жидкости с помощью триггерного канала обратной связи, и пользователь будет вручную возобновлять поток жидкости, разрывая ленточную мембрану, чтобы высвободить объем пустот. Очевидно, что существуют и другие элементы капиллярной схемы, которые также могут обеспечивать такую ​​синхронизацию, приводимую в действие пользователем, простейшим примером является двухуровневый пусковой клапан 1 .Тем не менее, потенциальное преимущество использования cFET по сравнению с двухуровневым триггерным клапаном в этом приложении будет заключаться в стабильности в течение более длительных периодов инкубации. Например, мы заметили, что закрытое состояние полевых транзисторов имеет тенденцию оставаться стабильным в течение 2 часов или более (см. ESI, рис. S2), что значительно дольше, чем 15–30 минут, о которых сообщается для обычных триггерных клапанов 42 .

В конечном счете, поскольку целью капиллярных цепей обычно является обеспечение полностью автономной работы, интеграция механически движущихся частей, таких как разрывные мембраны, не всегда подходит из-за необходимости вмешательства пользователя.Несмотря на это, эксперименты, показанные здесь, убедительно демонстрируют, что конструкция клапана /cFET полностью способна генерировать колебания при соответствующем входном сигнале. Можно было бы создать автоматические методы для достижения того же результата, используя вспомогательную капиллярную схему. Они могут включать использование удерживающего клапана капиллярного действия 1 для удаления жидкости из пускового канала и подключение насоса с меньшим гидравлическим сопротивлением к пусковому каналу.

Устройства крутого переключения для маломощных приложений: полевые транзисторы с отрицательной дифференциальной емкостью/сопротивлением | Нано Конвергенция

  • Г.Э. Мур, Электроника 38 , 114–117 (1965)

    Google ученый

  • К. Аут, А. Алиярукунджу, М. Асоро, Д. Бергстром, В. Бхагват, Дж. Бердсолл, Н. Бисник, М. Бюлер, В. Чикармане, Г. Дин, К. Фу, Х. Гомес, В. Хан, Д. Ханкен, М. Харан, М. Хаттендорф, Р. Хойсснер, Х. Хирамацу, Б. Хо, С. Джаловиар, И. Джин, С. Джоши, С. Кирби, С. Косараджу, Х. Котари, Г. Лезерман, К. Ли, Дж. Лейб, А. Мадхаван, К. Марла, Х. Мейер, Т. Мул, К.Паркер, С. Партасарати, К. Пелто, Л. Пайпс, И. Пост, М. Принс, А. Рахман, С. Раджамани, А. Саха, Дж. Д. Сантос, М. Шарма, В. Шарма, Дж. Шин, П. Шинха, П. Смит, М. Спринкл, А.С. Амур, К. Стаус, Р. Сури, Д. Таунер, А. Трипати, А. Тура, К. Уорд, А. Йео, В: Proc. IEEE IEDM 29.1(2017)

  • W.Y. Чой, Б.Г. Парк, Джей Ди Ли, Т.Дж.К. Лю, IEEE Electron Dev. лат. 28 , 743–745 (2007)

    Статья Google ученый

  • Э.Ко, Х. Ли, Дж. Д. Парк, К. Шин, IEEE Trans. Избрать. Дев. 63 , 5030–5035 (2016)

    Артикул Google ученый

  • Т.Дж.К. Лю, Д. Маркович, В. Стоянович, Э. Алон, IEEE Spectr. 49 , 40 (2012)

    Артикул Google ученый

  • С. Салахуддин, С. Датта, Нано Летт. 8 , 405–410 (2008)

    Статья Google ученый

  • В.В. Жирнов, Р.К. Кавин, Нат. Наноэлектрон. 3 , 77–78 (2008)

    Статья Google ученый

  • Т.Н. Тайс, П.М. Соломон, Наука 327 , 1600–1601 (2010)

    Статья Google ученый

  • Т.Н. Тайс, П.М. Соломон, Proc. IEEE. 98 , 2005–2014 (2010)

    Статья Google ученый

  • Г.Каталонский, Д.Дж. Хименес, А. Груверман, Nat. Матер. 14 , 137–139 (2015)

    Статья Google ученый

  • А.И. Хан, К. Чаттерджи, Б. Ван, С. Драпчо, Л. Ю, К. Серрао, С.Р. Бакаул, Р. Рамеш, С. Салахуддин, Nature Mater. 14 , 182–186 (2015)

    Статья Google ученый

  • Д.Дж.Р. Эпплби, Н.К. Понон, К.С.К. Ква, Б. Зоу, П.К.Петров, Т. Ван, Н.М. Алфорд, А. О’Нил, Нано Летт. 14 , 3864–3868 (2014)

    Статья Google ученый

  • З. Чжао, В. Бускалья, М. Вивиани, М.Т. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Johnsson, P. Nanni, Phys. 70 , 024107 (2004)

    Артикул Google ученый

  • В. Гао, А. Хан, X. Марти, К. Нельсон, К. Серрао, Дж.Равичандран, Р. Рамеш, С. Салахуддин, Нано Летт. 14 , 5814–5819 (2014)

    Артикул Google ученый

  • Х. Ку, К. Шин, IEEE J. Electron Dev. соц. 5 , 232–236 (2017)

    Статья Google ученый

  • П. Шарма, Дж. Чжан, К.Н. Ни, С. Датта, IEEE Elect. Дев. лат. https://doi.org/10.1109/LED.2017.2782261

  • Дж.Джо, В.Ю. Чой, Дж.Д. Пак, Дж.В. Шим, Х.Ю. Ю, К. Шин, Нано Летт. 15 , 4553–4556 (2015)

    Артикул Google ученый

  • С. Хориучи, Ю. Токура, Нац. Матер. 7 , 357–366 (2008)

    Статья Google ученый

  • А.И. Хан, К. Чаттерджи, Дж. П. Дуарте, З. Лу, А. Сашид, С. Ханделвал, Р. Рамеш, К. Ху, С. Салахуддин, IEEE Electron Dev.лат. 37 , 111–114 (2016)

    Статья Google ученый

  • Дж. Джо, К. Шин, IEEE Electron Dev. лат. 37 , 245–248 (2016)

    Статья Google ученый

  • Дж. Джо, К. Шин, Карр. заявл. физ. 15 , 352–355 (2015)

    Статья Google ученый

  • С.Дасгупта, А. Раджашекхар, К. Маджумдар, Н. Агравал, А. Разави, С.Т. Маккинстри, С. Датта, IEEE J. Explor. Комп. SolidState. Дев. Цирк. 1 , 43–48 (2015)

    Google ученый

  • П. Шарма, К. Тапили, А.К. Саха, Дж. Чжан, А. Шонесси, А. Азиз, Г. Л. Снайдер, С. Гупта, Р. Д. Кларк, С. Датта, IEEE VLSI, T154–T155 (2017)

  • М. Кобаяши, Т. Хирамото, AIP Доп. 6 , 025113 (2016)

    Артикул Google ученый

  • К.С. Ли, П.Г. Чен, Т.Ю. Лай, Ч.Х. Лин, К.С. Ченг, К.С. Чен, Ю.Дж. Вэй, Ю.Ф. Хоу, М.Х. Ляо, М.Х. Ли, М.К. Чен, Дж. М. Шейх, В.К. Да, Ф.Л. Ян, С. Салахуддин, К. Ху, IEEE IEDM 22 , 6 (2015)

    Google ученый

  • Э. Ко, Дж.В. Ли, К. Шин, IEEE Electron Dev. лат. 38 , 418–421 (2017)

    Статья Google ученый

  • З. Кривокапич, У.Рана, Р. Галатаге, А. Разави, А. Азиз, Дж. Лю, Дж. Ши, Дж.Х. Ким, Р. Спорер, К. Серрао, А. Буске, П. Полаковски, Дж. Мюллер, В. Клеемейер, А. Джейкоб, Д. Браун, А. Кнорр, Р. Картер, С. Банна, IEEE IEDM 15 , 1 (2017)

    Google ученый

  • F.A. McGuire, Z. Cheng, K. Price, A.D. Franklin, Appl. физ. лат. 109 , 093101 (2016)

    Артикул Google ученый

  • FA McGuire, YC Lin, B Rayner, AD Franklin, на 75-й ежегодной конференции IEEE по исследованию устройств, 7999478 (2017)

  • F.А. Макгуайр, Ю.К. Лин, К. Прайс, Г.Б. Райнер, С. Ханделвал, С. Салахуддин, А. Д. Франклин, Нано Летт. 17 , 4801–4806 (2017)

    Артикул Google ученый

  • Ионеску, Нац. нанотехнологии. 13 , 7–8 (2018). https://doi.org/10.1038/s41565-017-0046-2

  • М. Масудуззаман, М.А. Алам, Нано Летт. 14 , 3160–3165 (2014)

    Артикул Google ученый

  • К.Чоу, К. Шин, IEEE Trans. Электрон Дев. 64 , 5270–5273 (2017)

    Артикул Google ученый

  • Т. Шримани, Г. Хиллс, доктор медицинских наук Бишоп, У. Радхакришна, А. Зубаир, Р.С. Парк, Ю. Штейн, Т. Паласиос, Д. Антониадис, М.М. Шулакер, IEEE Electron Dev. лат. https://doi.org/10.1109/LED.2017.2781901

  • Х. Ота, С. Мигита, Дж. Хаттори, К. Фукуда, А. Ториуми, в материалах 16-й международной конференции по нанотехнологиям, 2016

  • р.К.Г. Набер, К. Танасе, P.W.M. Блом, Г.Х. Гелинк, А.В. Марсман, Ф.Дж. Тауслагер, С. Сетайеш, Д.М.Д. Леу, Нат. Матер. 4 , 243–248 (2005)

    Статья Google ученый

  • А. Саеиди, Ф. Джазаэри, Ф. Белландо, И. Столичнов, К.К. Энц, А.М. Ионеску, на 47-й Европейской конференции по исследованию твердотельных устройств (ESSDERC) 78–81

  • Т.С. Boske, J. Muller, D. Brauhaus, U. Schroder, U. Bottger, Appl. физ.лат. 99 , 102903 (2011)

    Артикул Google ученый

  • P. Polakowski, J. Muller, Appl. физ. лат. 106 , 232905 (2015)

    Артикул Google ученый

  • Дж. Мюллер, У. Шредер, Т.С. Boske, I. Muller, U. Bottger, L. Wilde, J. Sundqvist, M. Lemberger, P. Kucher, T. Mikolajick, L. Frey, J. Appl. физ. 110 , 114113 (2011)

    Артикул Google ученый

  • Т.S. Boske, S. Teichert, D. Brauhaus, J. Muller, U. Schroder, U. Bottger, T. Mikolajick, Appl. физ. лат. 99 , 112904 (2011)

    Артикул Google ученый

  • М.Х. Ли, С.Т. Фан, Ч.Х. Тан, П.Г. Чен, Ю.К. Чоу, Х. Х. Чен, Дж. Ю. Куо, М.Дж. Се, С.Н. Лю, М.Х. Ляо, Калифорния Йонг, К.С. Ли, М.К. Чен, К. В. Лю, IEEE IEDM 12 , 1 (2016)

    Google ученый

  • А.Шарма, К. Рой, IEEE Electron Dev. лат. 38 , 1165–1167 (2017)

    Артикул Google ученый

  • Э. Ко, Х. Ли, Ю. Го, С. Чжон, К. Шин, Дж. Электрон Дев. соц. 5 , 306–309 (2017)

    Google ученый

  • М.Х. Ли, П.Г. Чен, С.Т. Изысканный. Куо, Х.Х.Чен, С.С.Гу, Ю.К. Чоу, Ч.Х. Тан, Р.К. Хонг, З.Ю. Ван, М.Х. Ляо, К.С. Ли, М.К.Chen, CW Liu, IEEE VLSI-TSA 7942466(2017)

  • S. Kasamatsu, S. Watanabe, C.S. Hwang, S. Han, Adv. Матер. 28 , 335–340 (2016)

    Статья Google ученый

  • Ю.Х. Шин, И. Гринберг, И.В.Чен, А.М. Rappe, Nature 449 , 881–884 (2007)

    Статья Google ученый

  • Ю.Л. Ли, С.Ю. Ху, З.К. Лю, Л.К. Чен, Acta Mater. 50 , 395–411 (2002)

    Статья Google ученый

  • Y. Ishibashi, Y. Takagi, J. Phys. соц. Япония 31 , 506–510 (1971)

    Статья Google ученый

  • Д. Дамьянович, прог. физ. 61 , 1267–1324 (1998)

    Артикул Google ученый

  • М.Доубер, К.М. Rabe, JF Scott, Rev. Mod. физ. 77 , 1083–1128 (2005)

    Статья Google ученый

  • А.И. Хан, У. Радхакришана, К. Чаттерджи, С. Салахуддин, Д.А. Антониадис, IEEE Trans. Избрать. Дев. 63 , 4416–4422 (2016)

    Артикул Google ученый

  • С. Хандельвал, Дж. П. Дуарте, А.И. Хан, С. Салахуддин, К. Ху, IEEE Electron Dev.лат. 38 , 142–144 (2017)

    Статья Google ученый

  • SC Chang, UE Авци, Д.Э. Никонов, И.А. Янг, IEEE J. Elxplor. Твердотельные вычисления. Дев. Цирк. 3 , 56–64 (2017)

    Google ученый

  • Х. Ли, Ю. Юн, К. Шин, IEEE Electron Dev. лат. 38 , 669–672 (2017)

    Статья Google ученый

  • Г.Пахва, Т. Датта, А. Агарвал, С. Хандельвал, С. Салахуддин, К. Ху, Ю.С. Чаухан, IEEE Trans. Избрать. Дев. 63 , 4981–4985 (2016)

    Артикул Google ученый

  • Г. Пахва, Т. Датта, А. Агарвал, С. Ханделвал, С. Салахуддин, К. Ху, Ю.С. Чаухан, IEEE Trans. Избрать. Дев. 63 , 4986–4992 (2016)

    Артикул Google ученый

  • С. Смит, К.Чаттерджи, С. Салахуддин, IEEE Trans. Избрать. Дев. 65 , 295–298 (2018). https://doi.org/10.1109/TED.2017.2772780

  • Ю. Ли, К. Яо, Г. С. Смудра, IEEE Trans. Избрать. Дев. 64 , 2403–2408 (2017)

    Артикул Google ученый

  • Г. Пахва, Т. Датта, А. Агарвал, Ю.С. Чаухан, IEEE Trans. Электрон Дев. 64 , 1366–1374 (2017)

    Статья Google ученый

  • Т. Датта, Г. Пахва, А. Агарвал, Ю. С. Чаухан, IEEE Electron Dev.лат. 39 , 147–150 (2018). https://doi.org/10.1109/LED.2017.2770158

  • Т. Датта, Г. Пахва, А.Р. Триведи, С. Синха, А. Агарвал, Ю.С. Чаухан, IEEE Electron Dev. лат. 38 , 1161–1164 (2017)

    Статья Google ученый

  • Ю. Ли, Ю. Канг, С. Гонг, IEEE Trans. Электрон Дев. 64 , 4317–4321 (2017)

    Артикул Google ученый

  • С.К. Самал, С. Хандельвал, А.И. Хан, С. Салахуддин, К. Ху, С.К. Лим, в 2017 г. международный симпозиум IEEE/ACM по маломощной электронике и дизайну (ISLPED)

  • FJ Morin, Phys. Преподобный Летт. 3 , 34–36 (1959)

    Статья Google ученый

  • И.С. Иноуэ, М. Дж. Розенберг, Adv. Функц. Матер. 18 , 2289–2292 (2008)

    Статья Google ученый

  • стр.Марков, Р.Е. Марвел, Х.Дж. Конли, К.Дж. Миллер, Р.Ф. Хаглунд-младший, С.М. Weiss, ACS Photonics 2 , 1175–1182 (2015)

    Статья Google ученый

  • Ю. Мураока, З. Хирои, заявл. физ. лат. 80 , 583–585 (2002)

    Статья Google ученый

  • J. Leroy, A. Crunteanu, A. Bessaudou, F. Cosset, C. Champeaux, J.C. Orlianges, Appl. физ.лат. 100 , 213507 (2012)

    Артикул Google ученый

  • А. Гупта, Р. Аггарвал, П. Гупта, Т. Датта, Р.Дж. Нараян, Дж. Нараян, Appl. физ. лат. 95 , 111915 (2009)

    Артикул Google ученый

  • Г. Сео, Б.Дж. Ким, Ю.В. Ли, Х.Т. Ким, заявл. физ. лат. 100 , 011908 (2012)

    Артикул Google ученый

  • Дж.Юн, Г. Ли, К. Пак, Б.С. Mun, H. Ju, Appl. физ. лат. 105 , 083503 (2014)

    Артикул Google ученый

  • Х. Пайк, Дж.А. Мойер, Т. Спила, Дж.В. Ташман, Дж.А. Манди, Э. Фриман, Н. Шукла, Дж. М. Лапано, Р. Энгель-Герберт, В. Зандер, Дж. Шуберт, Д.А. Мюллер, С. Датта, П. Шиффер, Д.Г. Шлом, заявл. физ. лат. 107 , 163101 (2015)

    Артикул Google ученый

  • Ф.Х. Чен, Л.Л. Фан, С. Чен, Г.М. Ляо, Ю.Л. Чен, П. Ву, Л. Сонг, Ч. В. Цзоу, З.Ю. Ву, заявл. Матер. Интер. 7 , 6875–6881 (2015)

    Артикул Google ученый

  • В. А. Витале, К. Ф. Молдован, М. Таманьоне, А. Паоне, А. Шулер, А.М. Ионеску, IEEE Electron Dev. лат. 36 , 972–974 (2015)

    Статья Google ученый

  • С. Лю, С.М.Садаф, С. Парк, С. Ким, Э. Ча, Д. Ли, Г.Ю. Юнг, Х. Хван, IEEE Electron Dev. лат. 34 , 235–237 (2013)

    Статья Google ученый

  • А. Пракаш, Дж. Пак, Дж. Сонг, Дж. Ву, Э.Дж. Ча, Х. Хван, IEEE Electron Dev. лат. 36 , 32–34 (2015)

    Статья Google ученый

  • Д. Рузметов, Г. Гопалакришнан, Дж. Денг, В. Нараянамурти, С.Ramanathan, J. Appl. физ. 106 , 083702 (2009)

    Артикул Google ученый

  • Дж.Х. Парк, Дж. М. Кой, Т.С. Касирга, К. Хуанг, З. Фей, С. Хантер, Д. Х. Кобден, Nature 500 , 431–434 (2013)

    Статья Google ученый

  • Д.М. Ньюнс, Дж.А. Мисевич, К.С. Цуэй, А. Гупта, Б.А. Скотт, А. Шротт, Appl. физ. лат. 73 , 780–782 (1998)

    Артикул Google ученый

  • З.Yang, Y. Zhou, S. Ramanathan, J. Appl. физ. 111 , 014506 (2012)

    Артикул Google ученый

  • Х. Цзи, Дж. Вей, Д. Нательсон, Нано Летт. 12 , 2988–2992 (2012)

    Артикул Google ученый

  • Y. Zhou, S. Ramanathan, J. Appl. физ. 111 , 084508 (2012)

    Артикул Google ученый

  • Н.Шукла, А.В. Татачари, А. Агравал, Х. Пайк, А. Азиз, Д.Г. Шлом, С.К. Гупта, Р. Энгель-Герберт, С. Датта, Нат. общ. 6 , 7812 (2015)

    Артикул Google ученый

  • Ж. Фружье, Н. Шукла, Д. Денг, М. Джерри, А. Азиз, Л. Лю, Г. Лавалле, Т.С. Майер, С. Гупта, С. Датта, на симпозиуме IEEE по технологиям СБИС. 228–229(2016)

  • А. Азиз, Н. Шукла, С. Датта, С.К. Гупта, IEEE Trans. Избрать. Дев. 64 , 1350–1357 (2017)

    Артикул Google ученый

  • А. Азиз, Н. Шукла, С. Датта, С.К. Гупта, IEEE Trans. Избрать. Дев. 64 , 1358–1365 (2017)

    Статья Google ученый

  • Х. Сунь, К. Лю, К. Ли, С. Лонг, Х. Лв, К. Би, З. Хо, Л. Ли, М. Лю, Adv. Функц. Матер. 24 , 5679–5686 (2014)

    Артикул Google ученый

  • Дж.Сон, Дж. Ву, С. Ли, А. Пракаш, Дж. Ю, К. Мун, Х. Хван, Избран. Дев. лат. 37 , 932–934 (2016)

    Статья Google ученый

  • С. Лим, Дж. Ю, Дж. Сонг, Дж. Ву, Дж. Пак, Х. Хван, IEEE IEDM 34 , 7 (2016)

    Google ученый

  • Н. Шукла, Б. Грисафе, Р.К. Гош, Н. Джао, А. Азиз, Дж. Фружье, М. Джерри, С. Сонде, С. Рувимов, Т.Орлова, С. Гупта, С. Датта, IEEE IEDM 34 , 6 (2016)

    Google ученый

  • Дж. Пак, Д. Ли, Дж. Ю, Х. Хван, IEEE IEDM 23 , 7 (2017)

    Google ученый

  • К. Юн, Дж.Х. Ли, С. Ли, Дж.Х. Чон, Дж.Т. Джанг, Д.Х. Ким, Ю.Х. Ким, Б.Х. Парк, Нано Летт. 17 , 1949–1955 (2017)

    Статья Google ученый

  • Дж.Шин, Э. Ко, К. Шин, IEEE Trans. Избрать. Дев. 65 , 19–22 (2018)

    Статья Google ученый

  • В.А. Витале, Э.А. Касу, А. Бисвас, Т. Рошка, К. Альпер, А. Краммер, Г.В. Луонг, К.Т. Чжао, С. Мантл, А. Шулер, А.М. Ионеску, научн. 7 , 355 (2017)

    Артикул Google ученый

  • Дж. Сонг, Дж. Пак, К. Мун, Дж. Ву, С. Лим, Дж.Ю, Д. Ли, Х. Хван, IEEE IEDM 25 , 3 (2016)

    Google ученый

  • W. Devulder, K. Opsomer, J. Meersschaut, D. Deduytsche, M. Jurczak, L. Goux, C. Detavernier, ACS Comb Sci. 17 , 334–340 (2015)

    Статья Google ученый

  • Простая схема с временной задержкой на МОП-транзисторах

    Мой сын хочет больше узнать о МОП-транзисторах. Я рекомендую попробовать создать схему с длительной временной задержкой.Он сказал, что это проще, чем транзисторы, может выдавать мощность и хорошо подходит для коммутации и усилителя.

    1. ВЫКЛ после задержки с использованием МОП-транзистора

    2. Включение после задержки с использованием МОП-транзистора

    Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор, сокращенно МОП-транзистор. Это один из самых важных транзисторов.

    Мы используем их в памяти микрокомпьютера, чтобы разместить большое количество полевых МОП-транзисторов на кремниевом серебре.

    Поскольку полевые МОП-транзисторы просты в изготовлении, они маленькие и потребляют намного меньше энергии.Так что новые типы силовых МОП-транзисторов очень полезны.

    Обычно я использую МОП-транзистор в качестве хорошего переключателя и очень хорошо усиливаю звук.

    Работа MOSFET

    Сыну рекомендую использовать номер MOSFET-IRF540N. Из-за высокой производительности, дешевый, простой в использовании. Он работает как транзистор, но имеет другие ножки.

    Внутренняя структура N-MOSFET по сравнению с NPN
    И P-MOSFET по сравнению с PNP.

    Когда затвор MOSFET имеет положительное напряжение, он будет притягивать электроны в область под затвором.Ток течет через исток и сток выше, чем напряжение затвора.

    Ниже, при использовании MOSFET для управления лампой. Мы используем меньшее напряжение на затворе, лампа намного ярче, если мы используем большее напряжение на затворе.

    Также мы можем использовать полевой МОП-транзистор — простой линейный диммер.

    Схема линейного диммера освещения с использованием мощного полевого МОП-транзистора

    Когда мы уменьшаем значение R2 (переменный резистор). Лампа тоже погаснет. В этой схеме используется N-Channel Power MOSFET.

    Мы соединяем R1, R2 и R3 в форме делителя напряжения.Если низкое напряжение на затворе MOSFET. Это приводит к тому, что он работает меньше. И ток, который течет в нагрузку, тоже ниже.

    Легко? Да, вы можете использовать в качестве нагрузки лампу или катушку. Если вы используете блок питания 6V. Вы можете использовать лампочки от 4В до 6В.

    В любом случае, вернемся к обучению, чтобы продолжить:

    ВЫКЛ После схемы задержки с использованием МОП-транзистора

    Мы нажимаем S2 (нажать нижний переключатель), чтобы закрыть. Ток будет течь для зарядки C1, теперь падение напряжения на затворе равно напряжению батареи (9В).Это заставляет МОП-транзистор работать, ток проходит через исток к стоку МОП-транзистора, звучит зуммер.

    Затем отпускаем S1 (ОТКРЫТЬ). Включится звуковой сигнал. После того, как C1 разрядится внутри или через R1 (опционально), Q1 выключится и отключит зуммер. Возможна длительная задержка управления с помощью C1 и R1, 100 мкФ в течение часа.

    Если время очень долгое, но нам нужно остановиться раньше времени. Мы ставим S2 для сброса или короткого замыкания, ток в C1 равен нулю в первую очередь.

    ПРИМЕЧАНИЕ: В качестве нагрузки мы используем пьезозуммер (или портативное радио, свет, светодиод и т. д.). Не превышайте номинальную мощность Q1. Используйте резистор серии R2, чтобы уменьшить ток через Q1 и нагрузку. Ниже мы тестируем его, используя светодиод в качестве нагрузки.

    Как проверить

    Мой сын тестирует эту схему на макетной плате, она работает.

    Схема задержки после выключения на макетной плате с использованием MOSFET
    Детали, которые вам потребуются

    Q1: IRF540N, TO-220 MOSFET N-Channel 33A 100V
    C1: 100 мкФ 25V, электролитические конденсаторы
    R1: 10M, 1/4W Допуск резисторов %
    R2: 390 Ом, 1/4 Вт Допустимое отклонение резисторов: 5%
    BZ1: Пьезоэлектрический преобразователь
    LED1: Светодиод по вашему желанию

    Тестирование

    1.Включите в цепь батарею 9 В
    2. Измерьте напряжение на C1, теперь оно равно нулю
    3. Нажмите S1, напряжение на C1 составляет около 9 В той же батареи
    4. Загорится LED1
    5. Проходит время, напряжение C1 постепенно уменьшается
    6. Когда напряжение падает ниже 3V LED1, он постепенно тускнеет. Пока LED1 полностью не погаснет.
    7. При этом нажимаем S2, это дает LED1 погаснуть как сброс.

    On After Delay с MOSFET

    Это схема ON After Delay. Выше мы используем МОП-транзистор, как в схеме для переключателя задержки, что проще, чем транзистор.

    Теперь мы добавляем Q2, чтобы инвертировать состояние Q1. Таким образом, зуммер звучит по истечении времени задержки.

    Как это работает

    Когда мы нажимаем S1 (ЗАКРЫТЬ), электрический звонок внезапно перестанет звучать, а также над цепью теперь напряжение C1 такое высокое, что Q1 MOSFET активен. Напряжение на Drain-Source равно нулю.

    Транзистор Q2 NPN не имеет тока смещения к базе, поэтому ток не проходит через коллектор-эмиттер. При этом электроника не звонит.

    Далее, мы выпустили S1, но все еще нет звука.

    Со временем постепенно. МОП-транзистор постепенно меньше работает. Так что напряжение Drain-Source выше.

    Активирует транзистор Q2, база смещена для управления большим током коллектора-эмиттера для включения зуммера.

    Примечание: Резисторы R2 используются для уменьшения популярности электрического звонка, резисторы R1 добавляются для уменьшения времени простоя и уменьшения шума для полевого МОП-транзистора. Q2 использует 2N2222 или BC549 или C1815 все транзисторы NPN

    Детали, которые вам понадобятся

    Q1: IRF540N, TO-220 MOSFET N-Channel 33A 100V
    Q2: 2N2222, 75V 0.6A TO-18 Транзистор NPN
    C1: 100 мкФ 25 В, электролитические конденсаторы
    R1: 10 МОм, 1/4 Вт Допуск резисторов: 5 %
    R2: 390 Ом, 1/4 Вт Допуск резисторов: 5 %
    BZ1: Пьезоэлектрический преобразователь

    Не только что мы также изучаем задержку полевого транзистора

    Базовая схема таймера с использованием полевого транзистора

    Это простая схема с временной задержкой с использованием полевого транзистора. Что он будет сигнализировать со звуком зуммера. В схемах есть несколько частей. И важным компонентом является 2N3819-FET — малосигнальный N-канальный транзистор.

    Также с помощью заряда конденсатора и разряда через резисторы. Затем используйте напряжение на них, чтобы включить затвор 2N3819. Будет звучать зуммер или выход будет высоким в течение длительного времени из-за его емкости.

    Идеально подходит для изучения простых таймеров. Вы можете сделать это в цепях с двухкратной задержкой, используя JFET—VHF/UHF Amplifier N-Channel,

    Как это работает

    Этот электронный звонок звучит до тех пор, пока время задержки не превысит 1,5 минуты.

    Прежде всего, включите выключатель питания (S2).Затем тумблер S1 в положении сброса вызывает громкий электрический звонок или зуммер.

    Если мы переключим S1 и вернемся в установленное время, электрический звонок замолчит, пока не завершится установка времени.

    Мы снова остановим электрический звонок. Если друзья меняют номинал конденсатора С1 или резистора R1 для задержки, давно идут вверх. И уменьшайте R2, пока остаетесь в положении Reset, чтобы Reset быстро повышался.

    Мы надеемся, что друзья получат удовольствие от очень простого таймера будильника Basic Timer Circuit.

    Детали, которые вам понадобятся

    Q1: 2N3819 JFET 2N3819-JFET Малый сигнальный N-канальный транзистор
    BZ1: Электронный звонок или пьезо-зуммер 3 В
    R1: Резисторы 1K 0,25 Вт
    R2: Потенциометр 7VuF 15 C: Электролитический конденсатор


    S1: ползунковый переключатель SPDT

    10-минутный таймер задержки полевого транзистора

    Эта схема использует базовую функцию полевого транзистора 2N3819. Который действует как переключатель. В проводке и не в проводке. Он работает вразрез с транзистором.

    Схема может использоваться для задержки цикла мала.Такие как задержка, 9-вольтовая лампочка или моторная задержка на любой постоянный ток 9 вольт. При включении питания цепь FET Q1 работает. D и S стоят ножками мебели на щипце Q1 и будут течь вместе, ток течет через R2, поэтому течет от ножек через ножку и S.D, а через R4 на землю.

    Таким образом, ток не течет через резистор R3, и транзистор Q2 не проводит ток. В результате на выходе появляется напряжение 12 вольт, но когда я нажимаю переключатель S1, ток полностью поступает в конденсатор C1.

    Затем перейдите к ногам G полевого транзистора. Q1 перестал работать. Следовательно, ток, протекающий через R2, вместо этого течет на R3, а на смещение транзистора Q2 работать на выходной транзистор Q2 не получается в течение 10 минут, т.к. С1 разряжен.

    S2 — это переключатель сброса. При действии шока C1, чтобы разрядить в ближайшее время. Что время задержки зависит от C1. Если он будет задерживаться намного дольше, если меньше, у него будет меньше задержки.

    Детали, которые вам понадобятся

    Q1: 2N3819 JFET 2N3819-JFET Малосигнальный N-канальный транзистор
    Q2: 2N3906_40V 0.2A BJT PNP Транзистор
    BZ1: Электронный звонок или 3 В Пьезо-зуммер
    R1: 3,3 МОм 0,25 Вт Резисторы
    R2, R3, R6: 10 кОм 0,25 Вт Резисторы
    R4: 470 Ом 0,25 Вт Резисторы
    R7: 2,51 Ом Резисторы 0. C1: 100 мкФ, 16 В, электролитический конденсатор
    S1: нормально разомкнутый кнопочный переключатель

    Простая схема задержки отключения с помощью 2N4871

    Эта схема предотвращает скачки напряжения. При открытом выключении или сбое питания. Повреждения электроприборов. Цепь переключится на использование за короткий период до включения цепи повышения мощности.

    При поднятии питания 9-вольтовой цепи то. Задержка цепи. Продолжительность зарядки C1. VR1 регулируется со временем.

    Когда C1 полностью заряжен, давление будет смещать контакт G полевого транзистора 2N4891. Q1 для выполнения работы, чтобы запустить контакт G SCR.

    Далее сработает реле SCR, чтобы отключить контур потока. Если вы хотите отложить это дольше, добавьте C1.

    ПОЛУЧИТЬ ОБНОВЛЕНИЕ ПО ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЕ

    Я всегда стараюсь, чтобы электроника Обучение было легким .

    Принципы и схемы полевых транзисторов

    — Часть 4


    Практические схемы и приложения силовых полевых транзисторов VMOS.

    Часть 1 этой серии разъясняет (среди прочего) основные принципы работы этих мощных полевых транзисторов с расширенным режимом, известных как VFET или VMOS. В этом заключительном эпизоде ​​серии эти устройства рассматриваются более подробно и демонстрируются практические способы их использования.

    A VMOS ВВЕДЕНИЕ

    VFET можно для большинства практических целей просто рассматривать как мощную версию обычного MOSFET с улучшенным режимом.Конкретная форма конструкции VFET, показанная в Рисунок 17 в Часть 1 этой серии, была впервые предложена Siliconix в середине 1970-х годов, и устройства, использующие эту конструкцию, продаются под торговым названием «VMOS power FETs» (вертикально- структурированные силовые полевые транзисторы на основе оксида металла и кремния). Это название «VMOS» традиционно связано с V-образной канавкой, образовавшейся в конструкции оригинальных (1976 г.) версий устройства.

    РИСУНОК 1.Символ мощного полевого транзистора Siliconix VMOS со встроенной защитой затвора на стабилитроне. РИСУНОК 2.
    Основные параметры пяти популярных n-канальных мощных полевых транзисторов Siliconix VMOS.

     

    РИСУНОК 3. Схема
    и штыревые соединения
    мощного полевого транзистора VN66AF в корпусе TO202.

    Мощные полевые транзисторы Siliconix VMOS, вероятно, являются наиболее известным типом VFET.Они доступны только как n-канальные устройства и обычно включают встроенный стабилитрон, который обеспечивает высокую степень защиты затвора от случайного повреждения; На рис. 1 показан стандартный символ, используемый для обозначения такого устройства, а на рис. 2 перечислены основные характеристики пяти самых популярных членов семейства VMOS; обратите внимание, в частности, на очень высокие максимальные рабочие частоты этих устройств.

    Другие известные семейства силовых МОП-транзисторов с «вертикальной структурой» производятся компаниями Hitachi, Supertex, Farranti и т. д.Некоторые из этих мощных полевых МОП-транзисторов V-типа доступны как в n-канальной, так и в p-канальной версиях и используются в различных высокопроизводительных дополнительных усилителях мощности звука.

    VN66AF

    РИСУНОК 4. Основные статические и динамические характеристики VN66AF.

    Лучший способ познакомиться с VMOS — это «поиграть» с ней, и легко доступный Siliconix VN66AF идеально подходит для этой цели.Обычно он размещается в пластиковом корпусе типа TO202 с металлическим язычком, контуры и штыревые соединения которого показаны на рис. 3 .

    На рис. 4 перечислены основные статические и динамические характеристики VN66AF. Здесь следует отметить, что входной сигнал (затвор-источник) не должен превышать номинальное значение стабилитрона устройства 15 В и что устройство имеет типичную динамическую входную емкость 50 пФ. Эта емкость определяет динамическое входное сопротивление VN66AF; статическое входное сопротивление порядка миллиона МОм. На рисунках 5 и 6 показаны типичные характеристики выхода и насыщения VN66AF. Обратите внимание на следующие особенности этих графиков.

    1. Устройство пропускает незначительный ток стока, пока напряжение затвора не достигнет порогового значения около 1 В; ток стока затем увеличивает нелинейность, когда напряжение затвора изменяется примерно до 4 В, и в этот момент значение тока стока составляет около 400 мА; устройство имеет квадратичную передаточную характеристику ниже 400 мА.
    2. Устройство имеет очень линейную передаточную характеристику выше 400 мА (4 В на затворе) и, таким образом, обеспечивает хорошие результаты в качестве усилителя мощности класса А с низким уровнем искажений.
    3. Ток стока почти полностью контролируется напряжением затвора и почти не зависит от напряжения стока, пока устройство не находится в состоянии насыщения. Не показанный на диаграмме момент заключается в том, что при заданном значении напряжения затвора ток стока имеет отрицательный температурный коэффициент около 0,7% на °C, так что ток стока уменьшается с повышением температуры. Эта характеристика дает достаточную степень защиты от теплового разгона.
    4. Когда устройство насыщается (полностью включено), путь сток-исток действует как почти чистое сопротивление, значение которого контролируется напряжением затвора.Сопротивление обычно составляет 2R0, когда на затвор подается 10 В, и 10R, когда на затвор подается 2 В. Сопротивление устройства в выключенном состоянии составляет порядка мегаом. Эти особенности делают устройство очень подходящим для использования в качестве высокоскоростного аналогового переключателя питания с малыми искажениями.
    РИСУНОК 5. Типичные выходные характеристики VN66AF. РИСУНОК 6. Типичные характеристики насыщения VN66AF.


    ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ

    VMOS может использоваться в самых разных цифровых и аналоговых приложениях.Его восхитительно легко использовать в приложениях цифровой коммутации и усиления; На рис. 7 показаны основные соединения. Нагрузка подключается между стоком и положительной шиной питания, а цифровой входной сигнал подается непосредственно на клемму затвора. Отключение происходит, когда вход опускается ниже порогового значения затвора (обычно около 1,2 В). Ток включения стока определяется пиковой амплитудой сигнала затвора, как показано на рис. 5 , если не происходит насыщения. В большинстве цифровых приложений ток включения следует выбирать таким образом, чтобы обеспечить насыщение.

    Статическое входное сопротивление VMOS практически бесконечно, поэтому для поддержания VN66AF во включенном или выключенном состоянии требуется нулевая мощность привода. Однако мощность привода необходима для переключения устройства из одного состояния в другое; эта мощность потребляется при зарядке или разрядке входной емкости 50 пФ VN66AF.

    Время нарастания и спада выходного сигнала схемы Рисунок 7 (при нулевом времени нарастания и спада на входе) определяется импедансом источника входного сигнала, входной емкостью и прямой крутизной проводимости устройства VMOS, а также стоимость R L .Если R L больше по сравнению с R S , VN66AF дает время нарастания и спада примерно 0,11 нс на ом значения R S . Таким образом, импеданс источника 100 Ом дает время нарастания или спада 11 нс. Если R L невелик по сравнению с R S , эти времена могут быть значительно изменены.

    РИСУНОК 7. Базовый цифровой коммутатор или усилитель VMOS. РИСУНОК 8.Методы управления VMOS из CMOS. РИСУНОК 9. Метод управления VMOS из TTL.


    При работе с VN66AF в цифровых приложениях следует учитывать, что номинальные параметры стабилитрона в прямом и обратном направлении никогда не должны превышаться. Кроме того, из-за очень высокой частотной характеристики VMOS устройство подвержено нежелательным колебаниям, если его схема плохо спроектирована. Выводы затвора должны быть короткими или защищены ферритовой бусиной или небольшим резистором последовательно с затвором.

    VMOS может быть подключен непосредственно к выходу CMOS IC, как показано на рис. 8 . Можно ожидать время нарастания и спада выходного сигнала около 60 нс из-за ограниченных выходных токов, доступных для одного вентиля CMOS и т. д. Время нарастания и спада можно уменьшить, управляя VMOS несколькими вентилями CMOS, подключенными параллельно, или с помощью специального сильноточного драйвера.

    VMOS можно подключить к выходу TTL с помощью подтягивающего резистора на выходе TTL, как показано на рис. 9 .Выхода 5 В TTL этой схемы достаточно для подачи 600 мА через один VN66AF. Более высокие выходные токи можно получить, подключив каскад сдвига уровня между выходом TTL и входом VMOS или подключив несколько устройств VMOS параллельно, как показано на рис. 10 .

    РИСУНОК 10. Способ повышения производительности
    Рис. 9 путем включения трех VN66AF в параллель.
    РИСУНОК 11.Если индуктивные нагрузки, такие как реле (a) или звонки, зуммеры или громкоговорители (b), используются в цифровых коммутационных схемах, защитные диоды
    должны быть подключены, как показано на рисунке.


    При использовании VMOS в приложениях с цифровой коммутацией обратите внимание на то, что если используются нагрузки с индуктивным стоком, такие как реле, звонки или зуммеры с автоматическим прерыванием или динамики с подвижной катушкой, фиксирующие диоды должны быть подключены, как показано на Рисунок 11 , чтобы погасить индуктивную обратную ЭДС и, таким образом, защитить устройство VMOS от повреждений.

    НЕКОТОРЫЕ ЦИФРОВЫЕ ДИЗАЙНЫ

    На рисунках 12 с по 15 показано несколько простых, но полезных цифровых приложений VN66AF. Выключатель питания, активируемый водой или касанием Рисунок 12 , не может быть проще: когда сенсорные контакты и датчики воды разомкнуты, на затворе VN66AF присутствует нулевое напряжение, поэтому устройство пропускает нулевой ток. Когда сопротивление (от нуля до 10 мОм) прикладывается к контактам (при контакте с сопротивлением кожи) или датчикам (при контакте с водой), за счет действия делителя потенциала создается значительное напряжение затвора, и VN66AF пропускает большой ток стока, таким образом активация звонка, зуммера или реле.

    РИСУНОК 12. Выключатель питания, активируемый водой или касанием. РИСУНОК 13. Выключатель питания с задержкой выключения.


    В управляемой вручную схеме задержки выключения Рисунок 13 , C1 быстро заряжается через R1, когда кнопочный переключатель PB1 замкнут, и медленно разряжается через R2, когда PB1 разомкнут. Таким образом, нагрузка активируется, как только PB1 закрывается, но не деактивируется в течение примерно 10 секунд после отпускания PB1.

    В простой схеме таймера с релейным выходом Рисунок 14 устройство VMOS управляется выходом моностабильного или одновибратора с ручным запуском, разработанного на основе двух затворов CMOS IC 4001B; реле включается, как только PB1 закрывается, а затем снова автоматически выключается через некоторое предварительно установленное «время задержки». Задержка варьируется от нескольких секунд до нескольких минут через RV1.

    РИСУНОК 14.Простая схема таймера с релейным выходом. РИСУНОК 15. Трель-тональная сигнализация мощностью шесть ватт.


    Наконец, На рис. 15 показана практическая схема недорогого, но очень впечатляющего генератора сигналов тревоги, который издает звук «ди-да», похожий на звук сирены британской полицейской машины. Сигнализацию можно включить замыканием PB1 или подачей «высокого» напряжения на переход R1-R2. В схеме используется динамик 8R0, который выдает примерно шесть ватт выходной мощности.

    КОНТРОЛЛЕРЫ ЛАМП ПОСТОЯННОГО ТОКА

    РИСУНОК 16. Простой диммер лампы постоянного тока. РИСУНОК 17. Выключатель лампы плавного пуска.
    РИСУНОК 18. Высокоэффективный диммер лампы постоянного тока.

    На рисунках 16 с по 18 показаны три простые, но полезные схемы управления лампой постоянного тока, которые можно использовать для управления яркостью любой лампы на 12 В с номинальной мощностью до шести ватт.Мощный полевой транзистор VMOS для многих целей можно рассматривать как генератор постоянного тока, управляемый напряжением; таким образом, в (рис. 16 ) ток стока VMOS (и, следовательно, яркость лампы) напрямую управляется переменным напряжением ползунка RV1. Таким образом, схема работает как ручной диммер лампы.

    Схема Рисунок 17 представляет собой простую модификацию вышеописанной схемы, действие которой заключается в том, что лампа медленно включается, когда переключатель замкнут, поскольку C1 заряжается через R3, и медленно выключается, когда переключатель размыкается, когда C1 разряжается. через R3.

    Схема Рисунок 18 представляет собой эффективный «цифровой» диммер лампы, который регулирует яркость лампы, не вызывая значительных потерь мощности на устройстве VMOS. Два CMOS-вентилятора 4011B образуют нестабильный мультивибратор с соотношением метка/пространство, которое полностью регулируется от 10:1 до 1:10 с помощью RV1; его выход подается на затвор VN66AF и позволяет изменять среднюю яркость лампы от практически полностью выключенного до полностью включенного. В этой схеме устройство VMOS попеременно полностью включается и полностью выключается, поэтому потери мощности пренебрежимо малы.

    ЛИНЕЙНЫЕ ЦЕПИ

    Мощные полевые транзисторы

    VMOS при подходящем смещении могут легко использоваться как в линейном режиме с общим истоком, так и с общим стоком (повторитель напряжения). Коэффициент усиления по напряжению в режиме общего источника равен произведению R L и g M устройства или прямой крутизне. В случае VN66AF это дает усиление по напряжению 0,25 на Ом значения R L , т. е. усиление x4 при нагрузке 16R или x25 при нагрузке 100R. Коэффициент усиления по напряжению в режиме общего стока чуть меньше единицы.

    Мощный полевой транзистор VMOS может быть смещен в режим линейного общего истока с помощью стандартного метода смещения полевого МОП-транзистора , показанного на рис. петля и устанавливает стационарное напряжение стока примерно на половину значения питания, чтобы можно было приспособиться к максимальным колебаниям уровня сигнала до того, как произойдет ограничение.

    РИСУНОК 19.Метод смещения для линейной операции с общим источником. РИСУНОК 20. Методы смещения для линейного режима работы с общим стоком (повторителя напряжения). РИСУНОК 21. Простой аудиоусилитель мощности класса А дает 1% THD при 1 Вт.


    Когда — в цепи Рис. 19 — сопротивление R3 равно нулю, схема имеет входной импеданс, который из-за эффектов отрицательной обратной связи по переменному току примерно равен параллельным значениям резисторов R1 и R2. разделить на коэффициент усиления цепи (R L x g M .Если R3 имеет конечное значение, входной импеданс будет немного меньше, чем значение R3, если только не установлен конденсатор C2, развязывающий обратную связь по переменному току, и в этом случае входное сопротивление будет немного больше, чем значение R3.

    На рис. 20 показано, как сместить VN66AF для работы с общим стоком (повторитель напряжения). Делитель потенциала R1-R2 устанавливает затвор VMOS на значение покоя, немного превышающее половину напряжения питания. Когда значение R3 равно нулю, входное сопротивление схемы равно параллельным значениям R1 и R2.Когда значение R3 конечно, входной импеданс равен значению R3 плюс параллельные значения R1-R2. Входное сопротивление можно увеличить до значения, во много раз превышающего R3, добавив в цепь «загрузочный» конденсатор C2.

    Наконец, . На рис. 21 показан практический пример линейного приложения VMOS. Схема подключена как усилитель мощности класса А, который, благодаря превосходной линейности VN66AF, дает очень мало искажений для такой простой конструкции. В этом приложении VN66AF должен быть установлен на хороший радиатор.Когда конструкция используется с чисто резистивной нагрузкой 8R0, полоса пропускания усилителя увеличивается до 10 МГц. НВ


    Прочие детали из серии Принципы и схемы полевых транзисторов

    Основы

    FET (полевой транзистор). (Часть 1 из 4)
    Практические схемы JFET. (Часть 2 из 4)
    Практические схемы MOSFET и CMOS. (часть 3 из 4)
    Практические схемы силовых полевых транзисторов VMOS и приложения. (Часть 4 из 4)

    Монослойные полевые транзисторы MoS2 на пределе масштабирования

    Открытие графена в 2004 году вызвало большой интерес к двумерным (2D) материалам.В последние годы полупроводниковые 2D-материалы, в частности, находятся в центре внимания из-за их потенциального использования в электронике и оптоэлектронике. С точки зрения полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник, их атомная толщина обеспечивает улучшенный электростатический контроль, а их самопассивирующая поверхность снижает потенциальное присутствие ловушек заряда. Самое главное, наличие запрещенной зоны, в отличие от графена, способствует высокому коэффициенту включения/выключения в логических устройствах. Среди этих полупроводниковых материалов дихалькогениды переходных металлов (ДПМ) с их большим разнообразием выравнивания зон и ширины запрещенной зоны привлекли большое внимание в связи с их возможным использованием в транзисторах, как в виде монослойных материалов, так и в сочетании с ван-дер-ваальсовыми гетероструктурами.Для таких приложений качество ДПМ является приоритетным, так как наличие дефектов может существенно повлиять на транспорт электронов, что приведет к ухудшению характеристик. В настоящей диссертации сообщается о влиянии различных дефектов, которые часто наблюдаются в экспериментальных образцах, на транспортные свойства. TMD. Исследование основано на моделировании квантового переноса, которое сочетает в себе атомистическое описание системы с сильной связью и формализм функции Грина. В первой части диссертации кратко представлены 2D-материалы, включая их свойства, синтез и приложения.Также подробно описаны основы имитационного подхода. В частности, представлен тщательный обзор модельных гамильтонианов для TMD с особым акцентом на модели сильной связи. Кроме того, кратко рассматривается формализм функции Грина, который представляет собой методологию, принятую для моделирования квантового переноса, выполненного в настоящей диссертации. Во второй части диссертации моделируются два типа типичных дефектов TMD, а результаты интерпретируются физически. Первое исследование касается шероховатости краев лент MoS2, которые играют важную роль в миниатюризации транзисторов на основе TMD.Второе исследование сосредоточено на двойных границах зерен, которые часто присутствуют в поликристаллическом MoS2, полученном методами крупномасштабного синтеза, такими как химическое осаждение из паровой фазы или молекулярно-лучевая эпитаксия. Учитывается также роль спин-орбитальной связи, которая в ДПМ существенно велика. Результаты этих исследований количественно проанализированы с точки зрения квазибаллистических, диффузионных и локализованных режимов переноса. Основным результатом этой диссертации является лучшее понимание и прогнозирование влияния дефектов на транспортные свойства ДПМ с возможным применением в разработка эффективных устройств на основе TMD.

    transition-delay — CSS: Каскадные таблицы стилей

    Свойство CSS transition-delay определяет продолжительность ожидания перед запуском эффекта перехода свойства при изменении его значения.

    Задержка может быть нулевой, положительной или отрицательной:

    • Значение 0 с (или 0 мс ) немедленно запустит эффект перехода.
    • Положительное значение задержит начало эффекта перехода на указанный период времени.
    • Отрицательное значение запустит эффект перехода немедленно и в середине эффекта. Другими словами, эффект будет анимирован так, как если бы он уже выполнялся в течение заданного промежутка времени.

    Можно указать несколько задержек, что полезно при переходе между несколькими свойствами. Каждая задержка будет применена к соответствующему свойству, указанному в свойстве свойства перехода , которое действует как основной список. Если указано меньше задержек, чем в основном списке, список значений задержки будет повторяться до тех пор, пока их не будет достаточно.Если задержек больше, список значений задержек будет усечен, чтобы соответствовать количеству свойств. В обоих случаях объявление CSS остается в силе.

     
    задержка перехода: 3 с;
    задержка перехода: 2 с, 4 мс;
    
    
    задержка перехода: наследовать;
    переход-задержка: начальная;
    переход-задержка: возврат;
    задержка перехода: обратный уровень;
    задержка перехода: не установлена;
      

    Значения

    <время>

    Обозначает время ожидания между изменением значения свойства и началом эффекта перехода.

    Пример, показывающий различные задержки

    HTML
      
    0,5 секунды
    2 секунды
    4 секунды
    УСБ
      .box {
      поле: 20 пикселей;
      отступ: 10 пикселей;
      отображение: встроенный блок;
      ширина: 100 пикселей;
      высота: 100 пикселей;
      цвет фона: красный;
      размер шрифта: 18px;
      свойство перехода: цвет фона, размер шрифта, преобразование, цвет;
      функция синхронизации перехода: легкость входа-выхода;
      продолжительность перехода: 3 с;
    }
    
    .преобразованное состояние {
      преобразование: поворот (270 градусов);
      цвет фона: синий;
      цвет: желтый;
      размер шрифта: 12px;
      свойство перехода: цвет фона, размер шрифта, преобразование, цвет;
      функция синхронизации перехода: легкость входа-выхода;
      продолжительность перехода: 3 с;
    }
    
    .задержка-1 {
      задержка перехода: 0,5 с;
    }
    
    .задержка-2 {
      задержка перехода: 2 с;
    }
    
    .задержка-3 {
      задержка перехода: 4 с;
    }
      
    JavaScript
      изменение функции () {
      const elements = document.querySelectorAll("div.box");
      for (пусть элемент элементов) {
        элемент.classList.toggle («преобразованное состояние»);
      }
    }
    
    const changeButton = document.querySelector("#change");
    changeButton.addEventListener («щелчок», изменение);
      
    Результат

    Таблицы BCD загружаются только в браузере

    %PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 7 0 объект /Заголовок /Тема /Автор /Режиссер /Ключевые слова /CreationDate (D:20220317125126-00'00') /ModDate (D:20140714104804+09'00') >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9 0 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > эндообъект 24 0 объект > эндообъект 25 0 объект > эндообъект 26 0 объект > эндообъект 27 0 объект > эндообъект 28 0 объект > эндообъект 29 0 объект > эндообъект 30 0 объект > эндообъект 31 0 объект > эндообъект 32 0 объект > эндообъект 33 0 объект > эндообъект 34 0 объект > эндообъект 35 0 объект > эндообъект 36 0 объект > эндообъект 37 0 объект > эндообъект 38 0 объект > эндообъект 39 0 объект > эндообъект 40 0 объект > эндообъект 41 0 объект > эндообъект 42 0 объект > эндообъект 43 0 объект > эндообъект 44 0 объект > эндообъект 45 0 объект > эндообъект 46 0 объект > эндообъект 47 0 объект > эндообъект 48 0 объект > эндообъект 49 0 объект > эндообъект 50 0 объект > эндообъект 51 0 объект > эндообъект 52 0 объект > эндообъект 53 0 объект > эндообъект 54 0 объект > эндообъект 55 0 объект > эндообъект 56 0 объект > эндообъект 57 0 объект > эндообъект 58 0 объект > эндообъект 59 0 объект > эндообъект 60 0 объект > эндообъект 61 0 объект > эндообъект 62 0 объект > эндообъект 63 0 объект > эндообъект 64 0 объект > эндообъект 65 0 объект > эндообъект 66 0 объект > эндообъект 67 0 объект > эндообъект 68 0 объект > эндообъект 69 0 объект > эндообъект 70 0 объект > эндообъект 71 0 объект > эндообъект 72 0 объект > эндообъект 73 0 объект > эндообъект 74 0 объект > эндообъект 75 0 объект > эндообъект 76 0 объект > эндообъект 77 0 объект > эндообъект 78 0 объект > эндообъект 79 0 объект > эндообъект 80 0 объект > эндообъект 81 0 объект > эндообъект 82 0 объект > эндообъект 83 0 объект > эндообъект 84 0 объект > эндообъект 85 0 объект > эндообъект 86 0 объект > эндообъект 87 0 объект > эндообъект 88 0 объект > эндообъект 89 0 объект > эндообъект 90 0 объект > эндообъект 91 0 объект > эндообъект 92 0 объект > эндообъект 93 0 объект > эндообъект 94 0 объект > эндообъект 95 0 объект > эндообъект 96 0 объект > эндообъект 97 0 объект > эндообъект 98 0 объект > эндообъект 99 0 объект > эндообъект 100 0 объект > эндообъект 101 0 объект > эндообъект 102 0 объект > эндообъект 103 0 объект > эндообъект 104 0 объект > эндообъект 105 0 объект > эндообъект 106 0 объект > эндообъект 107 0 объект > эндообъект 108 0 объект > эндообъект 109 0 объект > эндообъект 110 0 объект > эндообъект 111 0 объект > эндообъект 112 0 объект > эндообъект 113 0 объект > эндообъект 114 0 объект > эндообъект 115 0 объект > эндообъект 116 0 объект > эндообъект 117 0 объект > эндообъект 118 0 объект > эндообъект 119 0 объект > эндообъект 120 0 объект > эндообъект 121 0 объект > эндообъект 122 0 объект > эндообъект 123 0 объект > эндообъект 124 0 объект > эндообъект 125 0 объект > эндообъект 126 0 объект > эндообъект 127 0 объект > эндообъект 128 0 объект > эндообъект 129 0 объект > эндообъект 130 0 объект > эндообъект 131 0 объект > эндообъект 132 0 объект > эндообъект 133 0 объект > эндообъект 134 0 объект > эндообъект 135 0 объект > эндообъект 136 0 объект > эндообъект 137 0 объект > эндообъект 138 0 объект > эндообъект 139 0 объект > эндообъект 140 0 объект > эндообъект 141 0 объект > эндообъект 142 0 объект > эндообъект 143 0 объект > эндообъект 144 0 объект > эндообъект 145 0 объект > эндообъект 146 0 объект > эндообъект 147 0 объект > эндообъект 148 0 объект > эндообъект 149 0 объект > эндообъект 150 0 объект > эндообъект 151 0 объект > эндообъект 152 0 объект > эндообъект 153 0 объект > эндообъект 154 0 объект > эндообъект 155 0 объект > эндообъект 156 0 объект > эндообъект 157 0 объект > эндообъект 158 0 объект > эндообъект 159 0 объект > эндообъект 160 0 объект > эндообъект 161 0 объект > эндообъект 162 0 объект > эндообъект 163 0 объект > эндообъект 164 0 объект > эндообъект 165 0 объект > эндообъект 166 0 объект > эндообъект 167 0 объект > эндообъект 168 0 объект > эндообъект 169 0 объект > эндообъект 170 0 объект > эндообъект 171 0 объект > эндообъект 172 0 объект > эндообъект 173 0 объект > эндообъект 174 0 объект > эндообъект 175 0 объект > эндообъект 176 0 объект > эндообъект 177 0 объект > эндообъект 178 0 объект > эндообъект 179 0 объект > эндообъект 180 0 объект > эндообъект 181 0 объект > эндообъект 182 0 объект > эндообъект 183 0 объект > эндообъект 184 0 объект > эндообъект 185 0 объект > эндообъект 186 0 объект > эндообъект 187 0 объект > эндообъект 188 0 объект > эндообъект 189 0 объект > эндообъект 190 0 объект > эндообъект 191 0 объект > эндообъект 192 0 объект > эндообъект 193 0 объект > эндообъект 194 0 объект > эндообъект 195 0 объект > эндообъект 196 0 объект > эндообъект 197 0 объект > эндообъект 198 0 объект > эндообъект 199 0 объект > эндообъект 200 0 объект > эндообъект 201 0 объект > эндообъект 202 0 объект > эндообъект 203 0 объект > эндообъект 204 0 объект > эндообъект 205 0 объект > эндообъект 206 0 объект > эндообъект 207 0 объект > эндообъект 208 0 объект > эндообъект 209 0 объект > эндообъект 210 0 объект > эндообъект 211 0 объект > эндообъект 212 0 объект > эндообъект 213 0 объект > эндообъект 214 0 объект > эндообъект 215 0 объект > эндообъект 216 0 объект > эндообъект 217 0 объект > эндообъект 218 0 объект > эндообъект 219 0 объект > эндообъект 220 0 объект > /ProcSet [/PDF /Text /ImageC /ImageB /ImageI] >> эндообъект 221 0 объект > поток xڝXn6)H~cEE{[4z/ %EQ=N6IdONa!)Og>Ϗ;Y70=3ht&>Mc1bFG3+}g542=I1D{'ɯoXБ!foP-Ye'xl}u,ΐG'mxh3de|ػKJ)af&

    .

    0 comments on “Реле времени на полевом транзисторе своими руками: Реле времени на полевом транзисторе своими руками

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.