Irf 510: IRF510 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

IRF510 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

Технические характеристики полевого транзистора IRF510 говорят о том, что он является мощным N-канальный (MOSFET) устройством, произведенный известной американской компанией International Rectifier (IR). У него изолированный затвор. Предназначен для применения в схемах, где имеет значение высокая скорость переключений и низкое сопротивление в открытом состоянии. Наиболее часто его можно встретить в импульсных блоках питания, приборах управления электродвигателями, ИБП. Изготавливаются различными производителями электронных компонентов по лицензии IR, используя технологию HEXFET®.

Цоколевка

У irf510 следующая распиновка. Почти все выпускающие этот транзистор компании, за редким исключением, оснащают его пластиковым корпусом ТО-220АВ, с встроенным радиатором. Если посмотреть на его маркировку, то у него имеется три жёстких вывода со следующим назначением: левый контакт — это затвор (G), посередине — сток (D), следующий — исток (S).

Технические данные

Как и все современные мощные MOSFET от IR, IRF510 обладает неплохими максимально допустимыми характеристиками. Он способен выдержать большие нагрузки, приближающиеся к предельным значениям эксплуатации. Рассмотрим их подробнее:

• напряжение между контактами стока-истока (V_DS ) — 100 В;
• рекомендуемый ток стока (I_D): при T_C до +25^ОС – 5.6 А; при T_C до +100^ОС – 4.0 А; импульсный (I_DM) – 20 А; пиковый, в лавинных условиях (I_AR) – 6 А;
• в открытом состоянии сопротивление R_DS(ON) до 0.54 Ом;
• отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_GS) ±20 В;
• рассеиваемая мощность (P_D) до 43 Вт;
• энергия единичного импульса (E_AS) – 4.3 мДж;
• возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
• температура хранения (T_J) от — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла (T_C) до +175 °C;
• время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C.

International Rectifier (с 2014 г.) поглотил американский производитель радиоэлементов Infineon Technologie.

Не рекомендуется превышать указанные значения и допускать длительные периоды эксплуатации в таких режимах. В подобных тяжёлых условиях устройство в итоге быстро выйдет из строя. Это правило относится и к электрическим характеристикам irf510. Приведём их ниже.

Все данные приведены с учётом температуры окружающей среды не более 25°C, если не указано иного.

Аналоги

Для IRF510 тяжело найти полноценный аналог. В первую очередь можно порекомендовать полностью идентичную по своим параметрам модель от Vishay Siliconix — SiHF510. Это копия рассматриваемого транзистора, как по своим параметрам, так и физическим свойствам. К тому же усовершенствованная.

Конечно, существуют и другие компании, выпускавшие похожие по своим свойствам устройства, но их сейчас достаточно тяжело найти в продаже. К ним можно отнести: 2SK2399 (Toshiba), PHP6N10E (Philips), RFP2N08 (Fairchild Semiconductor ), STP7NE10 (STMicroelectronics). От российских производителей, в качестве замены, следует рассмотреть: КП510 и КП743А. Перед использованием аналогов внимательно ознакомьтесь с их даташит.

Производители

Символы IRF в названии силовой электроники известны во всем мире. Они стали де-факто стандартом в маркировке электронных компонентов от многих компаний. Так его обозначают такие производители: Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Harris Company, Inchange Semiconductor, Intersil Corporation, New Jersey Semi-Conductor Products, Supertex Inc. На отечественном рынке наиболее распространены изделия выпускаемые американской Vishay Siliconix и немецкой Infineon Technologie. Выбрав ссылку c именем компании, можно скачать datasheet на транзистор IRF510.

характеристики, аналоги, цоколевка и datasheet

В данном разделе приведём технические характеристики MOSFET транзистора IRF510. Разработан данный полевик специально для использования там, где важна высокая скорость переключения. Например, его можно встретить в импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями постоянного и переменного тока и в других импульсных схемах. Этим устройством можно управлять напрямую от интегральных микросхем или микроконтроллеров.

Цоколевка

Большинство компаний занимающихся выпуском данного прибора изготавливают его в корпусе ТО-220АВ. На рисунке ниже изображена цоколевка IRF510 (расположение ножек) транзистора. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Этот прибор в других корпусах не производится.

Технические характеристики IRF510

• предельно допустимое напряжение между стоком и истоком V_DS = 100 В;
• допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком V_GS = ±20 В;
• максимально возможный постоянный ток стока при температуре +25 ^ОС I_D = 5,6 А;
• предельно возможный пиковый (импульсный) ток стока I_DМ = 20 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (P_D) — 43 Вт;
• температура хранения от — — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла – +175 °C;

Кроме рассмотренных выше максимально допустимых параметров, разработчику нужно также знать и электрические характеристики используемого прибора. Фирмы, выпускающие рассматриваемое нами устройство размещают их сразу после предельно допустимых. Значения, приведённые в таблице ниже, были измерены при температуре +25^ОС. Значения остальных физических величин, при которых производились измерения, приведены в отдельном столбце.

В документации от производителей можно также найти тепловые характеристики. Их нужно учитывать при выборе системы охлаждения для проектируемого устройства.

Аналоги

Транзисторы считающиеся полными аналогами IRFP260N, это те, которые подходят как по своим предельно допустимым и электрическим характеристикам, так и по расположению выводов:

• D84BL1;
• D84BL2;
• MTP4N08;
• MTP4N10.

Существуют также приборы, у которых расположение ножек полностью идентично, но имеются незначительные различия в электрических величинах. Прежде чем использовать такие устройства нужно определить в какой схеме, и для каких целях будет использоваться устройство. Список ближайших аналогов:

• RFP6P08;
• RFP6P10;
• STP7NE10.

В случае, если найти один из перечисленных выше устройств проблематично, можно попытаться заменить его на функциональный аналог. В этом случае транзисторы входят в одну функциональную группу и обладают похожими характеристиками. В таком случае, при замене, может потребуется изменить положение элемента на монтажной плате. Перечислим данные приборы:

• 2SK2399;
• RFP2N08;
• RFP2N08L;
• RFP2N10;
• RFP2N10L;
• 2SK2399.

Отечественная промышленность также выпускает похожие изделия: КП510 и КП743А.

Производители

Ниже представлен список компаний производителей и их datasheet на IRF510:

На Российском рынке можно встретить продукцию таких зарубежных фирм:

Усилитель на irf 510

Перейти к содержимому. У вас отключен JavaScript. Некоторые возможности системы не будут работать. Пожалуйста, включите JavaScript для получения доступа ко всем функциям.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Усилитель трансивера Mini Yes

Усилитель мощности на IRF510

В нём применены недорогие полевые транзисторы с изолированным затвором IRF На диапазоне 10,1 МГц эти параметры обеспечены при входной мощности мВт. Измеренные на двухтональном сигнале интермодуляционные искажения — не хуже 30 дБ по отношению к несущей. Подавление гармонических составляющих в выходном сигнале — не хуже 50 дБ по отношению к несущей. Усилитель отличается высокой надёжностью, не возбуждается при любом значении КСВ нагрузки и при полной выходной мощности выдерживает замыкание выхода.

Схема усилителя показана на рис. Отрицательная обратная связь через резисторы R3 и R4 стабилизирует работу усилителя и расширяет его рабочую частотную полосу. Напряжение питания на стоки транзисторов усилителя подается через симметрирующий трансформатор Т2.

В цепь, задающую напряжение смещения на затворах транзисторов усилителя, включен стабилитрон VD1 на напряжение стабилизации 3,3 В.

Однако основное его назначение — не стабилизация напряжения, а регулирование напряжения смещения в зависимости от температуры теплоотводов транзисторов усилителя. При повышении температуры напряжение смещения уменьшается, снижая ток покоя через транзисторы. Стабилитрон VD1 установлен так, чтобы был обеспечен тепловой но не электрический! Для этого использована теплопроводящая паста Напряжение питания усилителя — 13 В.

Начальный ток покоя транзисторов устанавливают в пределах … мА подстроечным резистором R2. Ток, потребляемый усилителем от источника питания, при входной мощности мВт и подключенном к его выходу эквиваленте антенны сопротивлением 50 Ом должен быть близок к 1А. Корректно выбранные по размерам теплоотводы после нескольких минут работы должны нагреваться до приемлемой по касанию рукой температуры.

Чертеж платы изображен на рис. С одной стороны платы вырезаны монтажные площадки, к которым припаивают выводы всех элементов усилителя. Вторая сторона платы, используемая как общий провод и экран, соединена с рабочей стороной в нескольких точках, обозначенных буквами X.

Все обмотки содержат по 11 витков провода диаметром 0,5 мм у Т1 и диаметром 0,64 мм у Т2 и ТЗ. Индуктивность, число витков катушек и емкость конденсаторов выходного ФНЧ для различных диапазонов указаны в таблице. Ферритовые магнитопроводы здесь неприменимы, поэтому в отсутствие колец из карбонильного железа катушки можно выполнить бескаркасными.

В этом случае придётся, по-видимому, несколько увеличить размеры платы, чтобы разместить на ней такой ФНЧ. При отсутствии конденсаторов фильтра нужной емкости их можно набирать из нескольких. Тип стабилитрона в первоисточнике не указан. Плата, чертеж которой изображен на рис. В многодиапазонной конструкции на плате устанавливают ФНЧ только для самого высокочастотного диапазона, а детали ФНЧ остальных диапазонов монтируют отдельно с соответствующими элементами коммутации.

Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Добавить комментарий Отменить ответ Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться.

КВ-усилитель мощности на IRF520

Данный широкополосный усилитель мощности позволяет получить пиковую мощность около Вт на нагрузке 50 Ом при входном напряжении около мВ. Неравномерность амплитудно — частотной характеристики УМ — не более 0,5 дБ в полосе частот от 1 до 30 МГц. В цепь коллектора транзистора включен широкополосный трансформатор. Ток покоя каскада 20 — 30 мА.

Усилитель мощности на двух транзисторах IRF Предлагаемая схема УМ на двух IRF которая, обеспечивает 40 Вт на выходе (при Рвх = 1 Вт) на.

Двухтактный усилитель мощности для QRP

Мной была повторена схема приведенная ниже. РА был собран без переделок. Транзисторы специально не подбирались. Просто экспериментировал, вернее интересовала самая лучшая отдача мощности на 21 и 28 Мгц. Все работали, но если на НЧ диапазонах мощность подводилась под ватт, то на 21 Мгц спадала до 80 ватт, а на 28 Мгц, до 60 ватт. Питание 13,6в, больше не подавал, хотя можно эти полевики питать и в два, три раза большим напряжением для оживления «пятнашки» и «десятки». Остановился на IRF Прелесть этого РА в том, что он раскачивается очень маленькой мощностью; ватт. С QRP трансивером, просто «бомба. До «двадцатки», гарантированные ватт, а что еще нужно?

Усилитель мощности «Дружба-М» на плате UM-U-IRF на 20-30Вт.

Никак ни мог определиться с РА для завалявшегося Радио в виде набора Электроника-контур При этом драйвер предложенный Андреем был отпилен от платы усилителя. Потребовалось лишь уменьшить усиление рабочего драйвера и получить отличный усилитель с выходной мощностью 17 Вт при напряжении 13 В. Резистором в цепи затвора VT1 можно регулировать выходную мощность в этом случае надо установить делитель и переменный резистор , или подключить к ALC как в оригинале. Входной контур на пятисекционных катушках от приемника, для 1.

В нём применены недорогие полевые транзисторы с изолированным затвором IRF На диапазоне 10,1 МГц эти параметры обеспечены при входной мощности мВт.

Уважаемый Пользователь!

Форум радиолюбителей Красноярского края Форум 24dx. Список форумов Железо и программное обеспечение Оборудование. Усилитель на IRF Вернуться к началу. Допустим, я хочу снять с одного IRF около 5 Вт полезной мощности. А импульс тока стока Iст.

Линейный КВ усилитель на мосфетах 170 Вт

Смотря как на это посмотреть. Если работать до 7мГц, пойдут оба вида. Они чаще всего горят от перегрева. В момент перегрева быстро начинает расти ток покоя, если его вовремя не убрать, то транзисторы прикажут долго жить. Что касается входной емкости транзисторов, то это так же очень важный параметр.

Усилитель мощности на IRF для Радио Никак ни мог определиться с РА для завалявшегося Радио в виде набора Электроника-контур

Никак ни мог определиться с РА для завалявшегося Радио в виде набора Электроника-контур При этом драйвер предложенный Андреем был отпилен от платы усилителя. Потребовалось лишь уменьшить усиление рабочего драйвера и получить отличный усилитель с выходной мощностью 17 Вт при напряжении 13 В.

Технический портал радиолюбителей России. Фотогалерея Обзоры Правила Расширенный поиск. Уважаемые посетители! RU существует исключительно за счет показа рекламы.

Обратите внимание , неплохой набор , на SD — ватт : EB

Усилитель мощности на IRF для Радио Никак ни мог определиться с РА для завалявшегося Радио в виде набора Электроника-контур При этом драйвер предложенный Андреем был отпилен от платы усилителя. Потребовалось лишь уменьшить усиление рабочего драйвера и получить отличный усилитель с выходной мощностью 17 Вт при напряжении 13 В. Резистором в цепи затвора VT1 можно регулировать выходную мощность в этом случае надо установить делитель и переменный резистор , или подключить к ALC как в оригинале. Входной контур на пятисекционных катушках от приемника, для 1.

Резистором в цепи затвора VT1 можно регулировать выходную мощность в этом случае надо установить делитель и переменный резистор , или подключить к ALC как в оригинале. Входной контур на пятисекционных катушках от приемника, для 1. Резисторы обозначенные пунктиром на затворах выходных транзисторов на мой взгляд могут пригодиться для уменьшения усиления у меня их нет -можно на монтаже установить перемычки.

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

Усилитель мощности на IRF510 для КВ трансивера.

Представляю Вашему вниманию усилитель мощности для КВ трансивера на полевых транзисторах IRF510.

 При входной мощности порядка 1 ватта, на выходе легко получается 100-150 ватт.

сразу прошу извинения за качество схемы.

Усилитель двухкаскадный. Оба каскада выполнены на популярных и дешёвых ключевых мосфетах,что выгодно отличает данную конструкцию от многих других.Первый каскад — однотактный. Согласование по входу с источником сигнала 50 Ом достигнуто не самым лучшим, но простым способом — применением на входе резистора R4 номиналом 51 Ом. Нагрузкой каскада является первичная обмотка междукаскадного согласующего трансформатора. Каскад охвачен цепью отрицательной обратной связи для выравнивания частотной характеристики. L1, входящая в эту цепь, уменьшает ООС в области высших частот и тем самым поднимает усиление. Такую же цель преследует установка C1 параллельно резистору в истоке транзистора. Второй каскад — двухтактный. С целью минимизации гармоник применено раздельное смещение плеч каскада. Каждое плечо также охвачено цепью ООС. Нагрузка каскада — трансформатор Tr3, а согласование и переход на несимметричную нагрузку обеспечивает Tr2. Смещение каждого каскада и соответственно — ток покоя, выставляются раздельно при помощи подстроечных резисторов. Напряжение на эти резисторы подаётся через ключ PTT на транзисторе Т6. Переключение на TX происходит при замыкании точки PTT на землю. Напряжение смещения стабилизировано на уровне 5в интегральным стабилизатором. В целом очень несложная схема с хорошими эксплуатационными характеристиками.

Теперь о деталях. Все транзисторы усилителя — IRF510. Можно применить и другие, но с ними можно ожидать увеличения завала усиления в области частот выше 20Мгц, так как входная и проходная ёмкости транзисторов IRF-510 наиболее низкие из всей линейки ключевых мосфетов. Если удастся найти транзисторы MS-1307, то можно рассчитывать на значительное улучшение работы усилителя в области высших частот. Но вот дорогие они… Индуктивность дросселей Др1 и Др2 некритична — они намотаны на кольцах из феррита 1000НН проводом 0.8 в один слой до заполнения. Всё конденсаторы — smd. Конденсаторы С5,С6 и особенно — С14, С15 должны иметь достаточную реактивную мощность. При необходимости можно применить несколько конденсаторов,включённых в параллель. Для обеспечения качественной работы усилителя необходимо особое внимание уделить изготовлению трансформаторов. Тr3 намотан на кольце из феррита 600НН внешним диаметром 22мм и содержит 2 обмотки по 7 витков. Наматывается в два провода, которые слегка скручиваются. Провод — ПЭЛ-2 0.9.

Тr1 и Tr2 — выполнены по классической конструкции одновиткового ШПТ (aka «бинокль»). Tr1 выполнен на 10 кольцах (2 столба по 5) из феррита 1000НН диаметром 12мм. Обмотки выполнены толстым проводом МГТФ. Первая содержит 5 витков,вторая — 2 витка. Хорошие результаты даёт выполнение обмоток из нескольких включенных в параллель проводов меньшего сечения. Tr2 выполнен с использованием ферритовых трубочек,снятых с сигнальных шнуров мониторов. Внутрь их отверстий плотно вставлены медные трубки,которые и образуют один виток — первичную обмотку. Внутри намотана вторичная обмотка, которая содержит 4 витка и выполнена проводом МГТФ. (7 проводов в параллель). В данной схеме отсутствуют элементы защиты выходного каскада от высокого КСВ, кроме встроенных конструктивных диодов, которые эффективно защищают транзисторы от «мгновенных» перенапряжений на стоках. Защитой от КСВ занимается отдельный узел, построенный на базе КСВ-метра и снижающий питающее напряжение при росте КСВ выше определённого предела. Эта схема — тема отдельной статьи. Резисторы R1-R4,R7-R9,R17,R10,R11 — типа МЛТ-1.R6 — МЛТ-2. R13,R12 — МЛТ-0.5. Остальные — smd 0.25 вт.

Немного о конструктивен:

Усилитель должен быть смонтирован на достаточно большом радиаторе, принудительное воздушное охлаждение весьма желательно. Вся схема располается на печатной плате из двухстороннего стеклотекстолита, где одна сторона используется как сплошной экран, а на второй сформированы резаком дорожки. Выводы резисторов должны быть максимально короткими для уменьшения паразитных индуктивностей. Особенно это касается резисторов в истоках транзисторов. Иногда даже полезно удалить их начисто,а пайку осуществлять прямо за колпачки выводов. При испытании двухтоновым сигналом усилитель развил мощность до 150 ватт при сохранении высокой линейности и имеет завал АЧХ на наивысшей частоте КВ диапазона около 4дб относительно 3Мгц. Настройка сводится к установке токов покоя каскадов по наименьшей величине гармоник. При отсутствие приборов это можно сделать, прослушивая частоты второй-третьей гармоники приёмником.

Транзистор%20эквивалент%20irf510 Спецификация и примечания по применению

хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
КХ520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
МОП-транзистор FTR 03-E Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ-трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 TRANSISTOR GUIDE Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н.э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012 Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Резюме: транзистор Дарлингтона KD224510 250A Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур схема KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Модуль gsm с микроконтроллером p-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-channel Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Технический паспорт силового транзистора для телевизора Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

IRF510 IRF 510 100 В 5.6A 43W Power MOSFET 3-контактный IC

Описание: IRF510 N-канальный МОП-транзистор

IRF510PBF IRF510 IRF 510 100 В 5,6 А 43 Вт TO-220 N-канальный силовой МОП-транзистор 3-контактный силовой транзистор с полевым эффектом IC Электронные компоненты

IRF510 — это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с лучшим сочетанием быстрого переключения и низкого сопротивления в открытом состоянии . Этот компонент доступен по более низкой цене. Следовательно, он широко используется в промышленных приложениях для уровней рассеивания мощности до 43 Вт .

IRF510 MOSFET способен выдерживать напряжение сток-исток V _DS до 100 В и непрерывный ток стока I _D до 5,6 А. Он выдерживает ток 20А в импульсном режиме и относится к корпусу ТО-220АБ. Он предназначен для приложений, требующих высокоскоростного переключения, таких как драйверы двигателей, переключающие преобразователи и регуляторы и т. д.

Описание выводов IRF510

№ контакта	Название контакта	Описание контакта
1	Ворота	Управление смещением MOSFET
2	Слив	Втекающий ток через Drain
3	Источник	Утечка тока через источник

Особенности

• Динамический рейтинг dv/dt
• Одноимпульсный лавинный номинал
• Высокое входное сопротивление
• Линейная передаточная характеристика
• Высокоскоростная скорость переключения (в наносекундах)
• Простота параллельного подключения
• Рабочая температура до 175˚C
• Низкое тепловое сопротивление

Приложения

Приложения IRF510 перечислены ниже.

• ИБП (источник бесперебойного питания)
• Зарядное устройство и система управления
• Цепь драйвера двигателя
• Телекоммуникационные и компьютерные приложения
• Солнечный ИБП
• Приложения с быстрым переключением
• Импульсный преобразователь и регуляторы

Технические характеристики

• Полярность транзистора: N-канальный
• Напряжение сток-исток В _DS : 100 В
• Ток сток-исток I _D : 5.6А
• Сопротивление в открытом состоянии (сопротивление сток-исток) R _DS : 0,54 Ом
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до 175°C
• Заряд затвора Q _г : 8,3 нКл
• Напряжение затвор-исток В _GS : ±20 В
• Максимальная рассеиваемая мощность: 43 Вт
• Максимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
• Тип упаковки: ТО-220АБ

Примечание. Дополнительные технические характеристики можно найти в техническом описании IRF510 , прикрепленном в конце этой страницы.

IRF510 Эквивалент

IRF512, IRF120, IRF522, IRF520, IRF634, IRF532

Характеристики переключения

• Время задержки включения t _d(on) : 6,9 нс
• Время задержки выключения t _d(off) : 15 нс
• Время нарастания t _r : 16 нс
• Время спада t _f : 9,4 нс

Комплектация:

• 1 x IRF510 N-канальный МОП-транзистор

МОП-транзистор IRF510 — 100 В 5.6A N-Channel Power MOSFET купить онлайн по низкой цене в Индии

Мощные полевые МОП-транзисторы третьего поколения

IRF510 обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. Корпус TO-220AB обычно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.

• Легкость параллельно

• Простые требования к диску

подробные характеристики: —

27 7 ° C
7

Связанные документы: —

Irf510 DataShet

1 канал	1 канал
	N-канал
Напряжение пробоя сток-исток (Vds)	100 В
Непрерывный ток стока (Id)	5.6a
Стойкость сливного источника (RDS на)	540MOHMS	540227
Ворота-источник напряжения (VGS)	20V
20V
1 Зарядка ворот (QG)	8,3 NC
Рабочий диапазон рабочих температур	-55 — 175 ° C	-55 — 175 ° C
	43W
43W

Торговая марка/Производитель	Общий
Страна происхождения	Китай
Адрес упаковщика/импортера	Constflick Technologies Limited, здания № 13 и 14, 3-й этаж, 2-й главный, Сиддайя-роуд, Бангалор, штат Карнатака, 560027, Индия.
ППМ	рупий. 59 (включая все налоги)

* Изображения продукта показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.

Спецификация IRF510 — Технические характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора:

STGWA60NC60WDR : Igbt — один дискретный полупроводниковый продукт 130A 600V 340W Standard; БТИЗ 130А 600В ТО-247.s: Тип ввода: Стандартный; Пробойное напряжение коллектор-эмиттер (макс.): 600 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 130A; Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic: 2,6 В @ 15 В, 40 А; Мощность — макс.: 340 Вт; Тип крепления: Сквозное отверстие; Пакет/кейс: ТО-247-3 ; Упаковка: туба; Вести.

IXFB44N100P : Fet — однодисковое полупроводниковое изделие 44A 1000В (1кВ) 1250Вт сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 1000 В 44 А ПЛЮС264. s: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 1000 В (1 кВ); Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 44A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 мОм @ 500 мА, 10 В; Входная емкость (Ciss).

IXTP102N15T : Fet — однодисковое полупроводниковое изделие 102A 150V 455W Сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 150V 102A TO-220. s: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 150 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 102A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 мОм @ 500 мА, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 5220 пФ.

CPH6444-TL-E : Fet — однодисковый полупроводниковый продукт 4,5 А, 60 В, 1,6 Вт, поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 60 В 4.5А КПН6. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 60 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 4,5 А; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 мОм @ 2A, 10В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 505 пФ при 20 В; Власть.

IXTQ200N085T : Fet — однодисковый полупроводниковый продукт 200A 85V 480W Сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 85V 200A TO-3P. s: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 85 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 200A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 мОм @ 25 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 7600 пФ при 25 В; Власть.

SCh2334-TL-H : Fet — однодисковый полупроводниковый продукт 1,6 А 12 В 800 мВт для поверхностного монтажа; MOSFET P-CH 12V 1.6A SCH6. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: MOSFET P-Channel, оксид металла; Напряжение сток-исток (Vdss): 12 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 °C: 1,6 А; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 мОм @ 800 мА, 4,5 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 120 пФ при 6 В; Власть.

BYD33DGPHE3/54 : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 1A 200V Standard; ДИОД 1А 200В 150НС ДО-204АЛ.s: Тип диода: стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 200 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 1A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: — ; Время обратного восстановления (trr): — ; Ток — обратная утечка @ Vr: — ; Скорость: стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА.

SBYV28-100-E3/73 : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 3,5 А, 100 В, стандарт; ДИОД 3,5А 100В 20НС ДО-201АД. s: Тип диода: стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 100 В; Текущий — средний выпрямленный (Io): 3.5А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1,1 В @ 3,5 А; Время обратного восстановления (trr): 20 нс; Ток — обратная утечка @ Vr: 5A @ 100V; Скорость:.

VB30100SG-E3/4W : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 30A 100V Schottky; ДИОД ШОТТКИ 30А 100В К-263АВ. s: Тип диода: Шоттки; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 100 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 30А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1 В @ 30 А; Время обратного восстановления (trr): — ; Ток — обратная утечка @ Vr: 350A @ 100V; Скорость: Быстро.

BAW56TA : Диоды, выпрямители — матричный дискретный полупроводниковый продукт 300 мА (постоянный ток), 75 В, стандарт; DIODE SW FAST DUAL CA SOT23-3. s: Тип диода: стандартный; Конфигурация диода: 1 пара общего анода; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 75 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 300 мА (постоянный ток); Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1,25 В @ 150 мА; Ток — обратная утечка.

1SV284TPh4F : Диод с переменной емкостью (варикапы, варакторы) Дискретный полупроводниковый продукт 10 В Одиночный; ДИОД VARICAP VCO UHF ESC.s: Пакет/кейс: SC-79, SOD-523; Упаковка: лента и катушка (TR); Емкость при Vr, Ф: 8,5 пФ при 4 В, 1 МГц; Q @ Vr, F: — ; Коэффициент емкости: 2 ; Напряжение — пиковое обратное (макс.): 10 В; Тип диода: одиночный; Тип монтажа: поверхностный монтаж.

BZT52C10T-TP : диод — стабилитрон — однодисковый полупроводниковый продукт 200 нА при 7 В 10 В 100 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР 100МВт 10В СОД-523. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 10 В; Мощность — макс.: 100 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 900 мВ @ 10 мА; Ток — обратная утечка при Vr: 200 нА при 7 В; Допуск: 6%; Тип монтажа: поверхностный монтаж.

MAZ8043GML : Диод — Зенер — Однодисковый полупроводниковый продукт 10 А при 1 В 4,3 В 150 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР 4.3В 150МВт S-MINI 2П. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 4,3 В; Мощность — макс.: 150 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 130 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1 В @ 10 мА; Ток — обратная утечка @ Vr: 10A @ 1V; Толерантность: — ; Тип монтажа: поверхностный монтаж.

S6006VS2 : Scr — один дискретный полупроводниковый продукт 6A 600V чувствительный затвор; SCR SENSITIVE 600V 6A TO-251AA.s: Тип SCR: чувствительный вентиль; Напряжение — выключенное состояние: 600 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 6A; Ток во включенном состоянии (It (AV)) (макс.): 3,8 А; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 200 А; Ток — удержание (Ih) (макс.): 6 мА; Ток — бесповторный скачок напряжения 50, 60 Гц.

BT136X-600E,127 : Triac Discrete Semiconductor Product 4A 600V Logic — Sensitive Gate; Симистор 600В 4А SOT186A. s: тип симистора: логический — чувствительный вентиль; Конфигурация: Одноместный; Напряжение — выключенное состояние: 600 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 4A; Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.): 1.5В ; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 10 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 15 мА; Текущий.

Распиновка транзистора IRF510

, эквивалент, использование, характеристики и другие сведения

Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора IRF510, эквивалент, использование, особенности и другие подробности об этом MOSFET-устройстве в корпусе TO-220.

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: TO-220
• Тип транзистора: Канал N
• Максимальное напряжение от стока к источнику: 100 В
• Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
• Максимальный постоянный ток утечки: 5.6А
• Максимальный импульсный ток стока: 20 А
• Макс. рассеиваемая мощность: 43 Вт
• Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть:  от -55 до +170 °С

 

Замена и аналог:

ИРФ512, ИРФ120, ИРФ122, ИРФ522, ИРФ513 (сток-исток = 80В), ИРФ511 (сток-исток = 80В), 2СК2399, ИРФ520, 2СК551, БУК442-100Б, БУК452-100А, БУК452-100Б, ИРФ532, ИРФИ521 , МТР10Н10Е, ИРФ634.

 

IRF510 MOSFET Объяснение / Описание:

Если вам нужен высокоскоростной малоамперный МОП-транзистор с выходной нагрузкой до 5,6 А, напряжением нагрузки до 100 В и минимальным напряжением насыщения от 2 до 4 В, то IRF510 может быть хорошим выбором для вашего приложения или схемы. Он также обладает высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для использования в различных приложениях, где высокая скорость переключения является ключевым требованием. Кроме того, что касается импульсной способности, он может выдерживать пиковый амперный импульс 20А.

Кроме того, он также может быть использован в качестве усилителя и способен обеспечить выходную мощность 43 Вт. С такой большой способностью рассеивания мощности его можно использовать для создания приложений для усиления звука.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

IRF510 может использоваться в различных нормальных и высокоскоростных приложениях, таких как преобразователи постоянного тока в постоянный, ИБП, источники питания и т. д. Его также можно использовать для управления переключателями реле высокой мощности с очень малой мощностью, мощными транзисторами или любыми приложениями, требующими скорости. коммутация с малой мощностью затвора.Кроме того, из-за его низких требований к мощности затвора им можно управлять напрямую от ИС, микроконтроллеров и многих электронных платформ, таких как arduino, raspberry pi и т. д. Помимо этого, его также можно использовать для создания схем усилителей звука высокой мощности или его также можно использовать. как отдельный усилитель для динамиков.

 

Приложения:

Быстрое переключение

Источники бесперебойного питания

Зарядные устройства и системы управления

Зарядные устройства и приложения для солнечных батарей

Солнечные источники бесперебойного питания

Цепи драйвера двигателя

Компьютерные и телекоммуникационные приложения

 

Как безопасно длительно бегать по трассе:

Чтобы обеспечить долгосрочную производительность IRF510, рекомендуется использовать его как минимум на 20% ниже максимальных значений.Максимальный ток стока этого МОП-транзистора составляет 5,6 А, поэтому не подключайте нагрузку более 4,5 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В для безопасного пребывания ниже 80 В. Напряжение затвор-исток не должно превышать ±20 В. При работе с транзистором всегда используйте подходящий радиатор и всегда храните и работайте при температуре от -55 до +175 градусов по Цельсию.

 

Технический паспорт:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF510_FairchildSemiconductor.pdf

brainwagon » Об использовании IRF510 в качестве коммутатора…

Этот пост начинается с предостережения: несмотря на то, что я довольно опытный программист и инженер-программист, на самом деле я немного новичок, когда дело доходит до электроники. Я полностью самоучка, и из-за присущей мне лени мне трудно выучить что-либо до того, как мне это действительно понадобится. Это означает, что я часто немного забиваюсь, и только потом начинаю разбираться и выяснять, куда меня завели мои предубеждения и непонимания.

Это случилось с проектом, над которым я работал прошлой ночью.

Основная идея заключается в том, что я хотел использовать ШИМ для управления мощным (1 Вт) светодиодом Cree. У меня программа прекрасно работала на моем маленьком ATtiny13, и если я подключил обычный (20 мА) светодиод к контакту через токоограничивающий резистор, все было хорошо. Но я знал, что Arduino не может обеспечить ток, необходимый для освещения Cree, поэтому мне понадобился переключатель.

Итак, я отправляюсь на территорию, где раньше не был.

В моем ящике для мусора лежит куча IRF510. Я думаю про себя, они могут работать с большой мощностью, я мог бы использовать их для переключения светодиода. Итак, я подключил его. Я включил светодиод последовательно с резистором на 100 Ом для безопасности и подключил его через исток/сток MOSFET к источнику питания 9 В. Я подал напряжение с ШИМ на микроконтроллере на затвор, а от затвора к земле добавил резистор 10К. Я включил его, и… ну… это сработало!

Затем я решил снизить номинал токоограничивающего резистора.Самым простым способом на макетной плате было запараллелить еще один резистор на 100 Ом. Конечно же, когда я включил этот резистор, светодиод стал заметно ярче. Хорошая сделка, думаю, я.

Но потом я пошел дальше. Я питал ATtiny13 от источника 5 В на моем USB-порту. Я не очень хотел делать это в окончательной конфигурации. У меня не было запасного регулируемого источника питания на 5 В, но я знаю, что ATtiny может работать при напряжении до 2,8 В. У меня была пара свежих батарей типа АА, поэтому я вставил их, и, конечно же, процессор загрузился и работал нормально.

Но потом я заметил, что общая яркость светодиодного дисплея показалась довольно слабой. И когда я добавил дополнительное сопротивление, чтобы снизить ограничение по току, светодиоды не стали ярче.

Мне потребовалось всего несколько минут, чтобы понять, в чем дело: напряжение, управляющее затвором МОП-транзистора, было недостаточно сильным, чтобы полностью открыть МОП-транзистор. Сам MOSFET должен ограничивать ток.

Это заставило меня вернуться в Интернет, чтобы посмотреть таблицы данных (что меня в основном смутило), но одна вещь стала ясной: IRF510 не должен был управляться логическими уровнями .Важная цифра, по-видимому, указана как сопротивление стока к источнику (rDS(ON)). Для напряжения затвор-исток 10 В и тока стока 3,4 А сопротивление обычно составляет около 0,4 Ом. Но если напряжение затвор-исток составляет всего 5 В, что произойдет? Что, если напряжение от затвора до истока всего 3 В?

Я еще немного посмотрел на техпаспорт Fairchild. Рисунок 6 был показательным: на нем был показан график характеристик насыщения IRF510 при различных уровнях напряжения затвор/исток в диапазоне от 4 В до 10 В.Для каждого значения V _GS график показывает зависимость между V _DS и I _D , током через сток. Для V _GS на 5 В кривая очень плоская, около 1 ампера. Но если вы посмотрите на кривую около 4 В, то увидите, что она равна прямо на нуле . Другими словами, MOSFET вообще не переключает ток. И кто знает, что происходит ниже этого.

Когда я запускаю свою схему при напряжении 3 В, я почти не щекочу выход.На самом деле в спецификациях написано, что он вообще не должен работать на 3В. Моя гипотеза состоит в том, что это просто случайность: мой транзистор на самом деле просто проводит вниз при таком уровне напряжения. (Подходящей спецификацией может быть V _GS(TH) , пороговое значение от вентиля к истоку, которое указано в диапазоне от 2,0 до 4,0 В)

Интересно.

К тому времени, как я во всем этом разобрался, я начал возиться с LTSpice. Я немного научился, но было бы действительно полезно, если бы у меня была модель светодиода, который я использую.Но я обнаружил, что, возясь с напряжением питания светодиода и напряжением затвора/истока, я мог эмулировать некоторые функции, которые я видел в моей реальной схеме. Кажется возможным ограничить ток светодиода до 200 мА или около того с помощью 5V V _GS , но он не достигнет такого уровня тока только с 3V V _GS .

Таким образом, казалось бы, очень простой проект по электронике превращается в урок. Я могу пойти по ряду возможных путей, чтобы заставить его работать:

• Я мог бы попытаться заставить его работать с логическим уровнем 5 В, все еще используя IRF510.Подозреваю, что раз мне не нужен полный ампер тока через сток, то это по крайней мере возможно. Я планирую использовать 6В фонарную батарею для питания светодиодов. Я мог бы подать 5 В на затвор и эмпирически проверить ток через светодиод, просто измерив его мультиметром и регулируя токоограничивающий резистор, пока не получу желаемый ток.
• Я мог бы отправить на обычный Darlington (может быть, TIP120 или аналогичный, который можно купить даже в магазине Radio Shack). Это позволит мне запустить процессор всего от двух батарей, но на управление Darlington будет уходить гораздо больше энергии, чем потребляется всей остальной частью чипа.Я мог бы, конечно, использовать Darlington на 5V, а также просто отлично.
• Я упоминал общую мощность? Было бы здорово, если бы эта штука могла питаться от фонаря на 6 В, но если я хочу питать чип от 5 В, любой из обычных 7805, которые у меня есть в коробке, не будет работать (напряжение падения будет слишком высоким). . Может просто питание стабилитрона?

Я должен напомнить себе: такие проекты, как музыкальные гаммы для начинающего пианиста.

Radio Shack IRF-510 в Cobra 29 Impressions

Я просто не мог сопротивляться….

Прочитав всю шумиху о МОП-транзисторах, я решил попробовать один из них в своей Cobra 29.

Раньше я собирал серьезные Cobra 29, используя 2SC1969, 2SC1307, 2SC2312 и т. д…. но это было МНОГО. работы, чтобы правильно настроить финальную часть, привести в порядок аудиоцепь и все, что нужно. Раньше требовалось от 12 до 15 компонентов, а на выполнение модов уходило более 2 часов. НО… (постучите по дереву), у меня ВСЕГДА были довольные клиенты (пока они не пытались запустить буровую установку от источника питания на 3 ампера!)

Примечание: (НЕТ… Я никогда не обрезал D11…. прежде чем вы даже спросите)

В любом случае…. Я просто ДОЛЖЕН был попробовать мод MOSFET на моей ЛЮБИМОЙ Cobra 29: Совершенно новый, все еще в коробке, 2003 Cobra 29-LTD Классическое издание Harley Davidson. Этот был сделан в КИТАЕ.

Не имея IRF-520 или ERF-2030 в наличии на месте, и не желая тратить на доставку одного компонента больше, чем стоимость (читай: скряга)… Я пошел в местный магазин радио и обнаружил, что они продают IRF-510 (версия 15 Вт) всего за 1 доллар.99. Я подумал, какого черта….

(Да, я понимаю, что IRF-520 или ERF-2030 более надежны и могут рассеивать больше энергии, НО это был чисто эксперимент.)

Итак, вот процедура, которую я использовал (некоторые из них соответствуют моим старым дням 2SC1969:

1. Достал радио из коробки, подключил его к источнику питания 13,8 В, катализатору Wawase JBC-1000-SM ​​и фиктивной нагрузке и начал принимать Затем я подключил его к пиковому ваттметру и измерителю модуляции и закончил первоначальные тесты.
2. Сняты крышки радио и настроена АМС на максимальную модуляцию.
3. Удален TR14 (стандартный финальный вариант 2078) и следующие дополнительные компоненты: JP36, R55, R56, C61 и L14’S тюнинг-слаг.
4. Изготовлен «дискретный» компонент EN-1230 с использованием 1 диода 1N4148/1N914 + 1 угольного резистора 470 Ом 1/2 Вт + 1 резистора 1/2 Вт 3,3 кОм. Поставил такой же (положительным проводом к R123) вместо снятого R56.
5. Установил угольный резистор 47 Ом мощностью 1 Вт на электролитический конденсатор 220 мкФ 35 В постоянного тока с отрицательным выводом вместо снятого JP36.
6. Включил магнитолу, повернул регулятор динамика на МИНИМУМ и записал мощность мертвого ключа.
7. Обесточил радио и снял заводскую заглушку на 33 пФ, установленную на C62, и заменил ее на заглушку на 100 пФ (чтобы посмотреть, поднимет ли она мой мертвый ключ … это НЕ ….), поэтому я переустановил 33 пФ. заглушка C62
8. Экспериментировал с различными настройками конденсатора на C59 (мод требует 68 пФ, а у меня его не было). Остановился на слюде 39 пФ, которая обеспечивает приблизительно 309 пФ общей емкости… (более высокие значения уменьшили мои пики и сделали мой звук со штатным микрофоном дрянным.) Но вы можете полностью пропустить это дополнение на многих радиоприемниках или просто добавить требуемые 68 пФ дополнительной емкости.
9. Подключил радио (без крышек) обратно к испытательному оборудованию и фиктивной нагрузке и снова повернул регулятор Dynamike на MAX.
10. Говоря: «ХЕЕЕЕЕЕЕЕЕЕЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛОООООООООООООООООООООООООООООООООООООООООООО, и/или насвистывая в микрофон, отрегулируйте мощность вперед на максимум с помощью L12, 13, 17 и 20.
11. Проверено на наличие гармоник в диапазоне 54 МГц отдельным приемником… минимально.

Хотите знать, сработало ли это?????

Вот РЕЗУЛЬТАТЫ ДО и ПОСЛЕ: (До этого была СТОКОВАЯ радиостанция)

ДО: РЧ-выход Deadkey Приблизительно 3,2 Вт ПОСЛЕ: Приблизительно 2,5 Вт
ДО: RMS Swing Watts Приблизительно 3,5 Вт ПОСЛЕ: Приблизительно 12,5 Вт
ДО: Процентная AM-модуляция 80%, динамическая при максимуме ПОСЛЕ: 100+++ процентов… Метр штифтов на свистки
ДО: Пиковая мощность (PEP) Swing Watts Приблизительно 9,1 PEP ПОСЛЕ: Почти 40 Вт!!!

Я не мог в это поверить…. как 15Вт Mosfet (знаю, знаю, это из-за мода конденсатора на JP36) выдавал почти 40Вт??? Должно быть что-то не так с моим ваттметром PEP, поэтому я поместил его на измеритель PEAK моего MFJ 962D (низкая настройка) и знаете что??? 45 ПИКОВЫХ ВАТТ на свистки (с неповрежденными ЗАПАСНЫМ МАЙКОМ и D11!!!)

Не может быть….. Не может быть………. это всего лишь устройство мощностью 15 Вт ….. должно быть, плохие измерители … давайте проверим настройку 20 Вт измерителя КСВ/мощности Radio Shack …… PEGS IT. Хорошо, хорошо… давайте переключимся на шкалу 200 Вт: черт… ВСЕ ЕЩЕ близко к 40 Вт.

Итак, пока у меня открыто радио, я заменяю D5, D6 и D24 на NTE583, подключаю антенну и внешний динамик и настраиваю усиление VR1 RX почти до максимума… затем немного уменьшаю (на мой вкус) …. и получить радиопроверку.

Местные жители ПОРАЖЕНЫ! Я думаю: «Правильно, правильно…. Мне нужно услышать это самому»…. так что я даю взятку своей 13-летней, чтобы она села на буровую, и я выхожу на мобильный через несколько кварталов и звоню ей.

Все, что я могу сказать, это: » СВЯТАЯ МОЛИ!!!» Даже со штатным заводским микрофоном это БУМ!

Итак, я провел еще кучу тестов и экспериментов (а я провел много по пути), и все, что я могу сказать, это ВАУ!

Я посмотрел на сигнале на Catalyzer, и это не так уж плохо, пока вы не свистите или не подключите powermike … тогда это просто становится неприятно. Пока вы держите модуляцию как можно ближе к 100% (на самом деле немного выше из-за конденсатора / мод резистора через JP36) это не так уж плохо.

Итак… Я немедленно заказал дюжину IRF520, чтобы начать экспериментировать с другими установками. Я даже никогда не проверял транзистор драйвера, чтобы узнать, является ли он 2028 (что я подозреваю) или эквивалентом 1957/2314. Если это более мощный 1957 или 2314, возможно (если это еще не сделано) установить IRF520 или ERF-2030 на территорию 50 Вт! Большинство Экспортов не могут даже ЭТОГО!

Я уже «верю» в МОП-транзисторы на ВЧ? Я был бы дураком, если бы НЕ … большинство коммерческих и КВ-трансиверов, производимых в настоящее время, имеют выводы MOSFET.

Считаю ли я, что моды MOSFET «лучше» в Cobra 29, чем старые «проверенные и надежные моды 2SC1969 (или другие NPN) «прошлого года»??? …. жюри все еще нет … я дам вам знать после того, как я некоторое время поэкспериментирую с IRF520, ERF-2030 и несколькими RD16HHF1……..

В настоящее время я все еще склонен отдавать предпочтение моду NPN (2SC1969), потому что Вы можете вольтировать финал для более высокого мертвого ключа. Я построил несколько 1969 29, которые будут мертвыми ключами 8-10 Вт и качаться до более 20 (среднеквадратичное значение) с пиками чертовски около 50 при полной модуляции (опять же, с D11 INTACT !, или еще они будут визжать, как маленькие поросята, когда владелец подключит микрофон, который он только что купил на какой-нибудь стоянке грузовиков).

Возможно, как только я получу мертвую клавишу там, где я хочу, с «правильным» МОП-транзистором, а не только с RadioShack IRF-510, я смогу продолжить разработку модификации для Cobra 29, которую я хотел бы назвать » Радио «Готовность к соревнованиям».

No related posts.