Транзистор как усилитель: Усилители сигналов на транзисторах (для МК)

Усилители на МОП-транзисторах » Вот схема!


Полевые транзисторы, которые ещё совсем недавно называли «Заменители радиоламп», продолжают свое победное шествие в различных отраслях радиотехники Бесспорно царствование полевых транзисторов на месте мощных силовых ключей, СВЧ-радиоэлектроники в микропроцессорах, различных видах памяти. Но и нет никаких препятствий успешно использовать полевые транзисторы в тех узлах, где более привычным кажется применение из биполярных собратьев по усилению и коммутации сигналов.

На рис. 1 показан простейший однокаскадный инвертирующий усилитель, выполненный на маломощном р-канальном полевом транзисторе обогащенного типа. Усилитель на низких частотах обладает входным сопротивлением около 5 МОм. с указанными на схеме типом транзистора и номиналом резистора R4 коэффициент усиления по напряжению достигает 60. что составит коэффициент усиления по мощности более 80000!

Напряжение автоматического смещения на затвор VT1 поступает с его стока через высокоомные резисторы R1, R3. Конденсатор С1 устраняет отрицательную обратную связь по переменному напряжению, что ведет к увеличению чувствительности этого каскада.

Одной из немаловажных особенностей входных усилителей, построенных на МОП-транзисторов, является то, что их входное сопротивление не зависит от полярности волны входного сигнала, что искажает его значительно меньше, чем это происходит в аналогичных усилительных каскадах. собранных на биполярном транзисторе.

Рисунок 2
На рис. 2 показан вариант однокаскадного МОП-усилителя, нагруженного на динамическую головку. Для согласования относительно высокого выходного сопротиапения усилительного каскада и низкого сопротивления динамической головки используется понижающий трансформатор Т1.

Основное отличие от предыдущей схемы, наличие резистора R4, от сопротивления которого зависит коэффициент ООС по переменному напряжению. Чем больше сопротивление этого резистора, тем большей ООС охвачен усилитель, тем меньше вносимые им искажения в сигнал, но тем меньше усиление. На величину ООС также влияет выходное сопротивление источника сигнала.

Рисунок 3
На рис. 3 приводится схема простого генератора звукового сигнала, в который был преобразован усилитель по схеме на рис. 2. Чтобы возникла генерация, усилитель необходимо охватить положительной обратной связью по переменному напряжению, что достигается подключением конденсатора С1 к одному из выводов вторичной обмотки трансформатора.

На рис. 4 вы видите схему на двух аналогичных р-канальных полевых транзисторах Это устройство представляет собой простейшую одноканальную светомузыкальную установку. которую, например, можно использовать для светодинамичесхого освещения салона автомобиля во время стоянки или освещения полянки во время пикника.

Простой транзисторный усилитель класса «А. Описание работы усилителя мощности звука на транзисторах MOSFET Унч на 2 транзисторах разной проводимости схема

Усилитель на транзисторах, несмотря на свою уже долгую историю, остается излюбленным предметом исследования как начинающих, так и маститых радиолюбителей. И это понятно. Он является непременной составной частью самых массовых и усилителей низкой (звуковой) частоты. Мы рассмотрим, как строятся простейшие усилители на транзисторах.

Частотная характеристика усилителя

В любом теле- или радиоприемнике, в каждом музыкальном центре или усилителе звука можно найти транзисторные усилители звука (низкой частоты — НЧ). Разница между звуковыми транзисторными усилителями и другими видами заключается в их частотных характеристиках.

Звуковой усилитель на транзисторах имеет равномерную частотную характеристику в полосе частот от 15 Гц до 20 кГц. Это означает, что все входные сигналы с частотой внутри этого диапазона усилитель преобразует (усиливает) примерно одинаково. На рисунке ниже в координатах «коэффициент усиления усилителя Ку — частота входного сигнала» показана идеальная кривая частотной характеристики для звукового усилителя.

Эта кривая практически плоская с 15 Гц по 20 кГц. Это означает, применять такой усилитель следует именно для входных сигналов с частотами между 15 Гц и 20 кГц. Для входных сигналов с частотами выше 20 кГц или ниже 15 Гц эффективность и качество его работы быстро уменьшаются.

Вид частотной характеристики усилителя определяется электрорадиоэлементами (ЭРЭ) его схемы, и прежде всего самими транзисторами. Звуковой усилитель на транзисторах обычно собран на так называемых низко- и среднечастотных транзисторах с суммарной полосой пропускания входных сигналов от десятков и сотен Гц до 30 кГц.

Класс работы усилителя

Как известно, в зависимости от степени непрерывности протекания тока на протяжении его периода через транзисторный усилительный каскад (усилитель) различают следующие классы его работы: «А», «B», «AB», «C», «D».

В классе работы ток «А» через каскад протекает на протяжении 100 % периода входного сигнала. Работу каскада в этом классе иллюстрирует следующий рисунок.

В классе работы усилительного каскада «AB» ток через него протекает более чем 50 %, но менее чем 100 % периода входного сигнала (см. рисунок ниже).

В классе работы каскада «В» ток через него протекает ровно 50 % периода входного сигнала, как это иллюстрирует рисунок.

И наконец в классе работы каскада «C» ток через него протекает менее чем 50 % периода входного сигнала.

НЧ-усилитель на транзисторах: искажения в основных классах работы

В рабочей области транзисторный усилитель класса «А» обладает малым уровнем нелинейных искажений. Но если сигнал имеет импульсные выбросы по напряжению, приводящие к насыщению транзисторов, то вокруг каждой «штатной» гармоники выходного сигнала появляются высшие гармоники (вплоть до 11-й). Это вызывает феномен так называемого транзисторного, или металлического, звука.

Если НЧ-усилители мощности на транзисторах имеют нестабилизированное питание, то их выходные сигналы модулируются по амплитуде вблизи частоты сети. Это ведет к жёсткости звука на левом краю частотной характеристики. Различные же способы стабилизации напряжения делают конструкцию усилителя более сложной.

Типовой КПД однотактного усилителя класса А не превышает 20 % из-за постоянно открытого транзистора и непрерывного протекания постоянной составляющей тока. Можно выполнить усилитель класса А двухтактным, КПД несколько повысится, но полуволны сигнала станут более несимметричными. Перевод же каскада из класса работы «А» в класс работы «АВ» повышает вчетверо нелинейные искажения, хотя КПД его схемы при этом повышается.

В усилителях же классов «АВ» и «В» искажения нарастают по мере снижения уровня сигнала. Невольно хочется врубить такой усилитель погромче для полноты ощущений мощи и динамики музыки, но зачастую это мало помогает.

Промежуточные классы работы

У класса работы «А» имеется разновидность — класс «А+». При этом низковольтные входные транзисторы усилителя этого класса работают в классе «А», а высоковольтные выходные транзисторы усилителя при превышении их входными сигналами определенного уровня переходят в классы «В» или «АВ». Экономичность таких каскадов лучше, чем в чистом классе «А», а нелинейные искажения меньше (до 0,003 %). Однако звук у них также «металлический» из-за наличия высших гармоник в выходном сигнале.

У усилителей еще одного класса — «АА» степень нелинейных искажений еще ниже — около 0,0005 %, но высшие гармоники также присутствуют.

Возврат к транзисторному усилителю класса «А»?

Сегодня многие специалисты в области качественного звуковоспроизведения ратуют за возврат к ламповым усилителям, поскольку уровень нелинейных искажений и высших гармоник, вносимых ими в выходной сигнал, заведомо ниже, чем у транзисторов. Однако эти достоинства в немалой степени нивелируются необходимостью согласующего трансформатора между высокоомным ламповым выходным каскадом и низкоомными звуковыми колонками. Впрочем, с трансформаторным выходом может быть сделан и простой усилитель на транзисторах, что будет показано ниже.

Существует и точка зрения, что предельное качество звучания может обеспечить только гибридный лампово-транзисторный усилитель, все каскады которого являются однотактными, не охвачены и работают в классе «А». То есть такой повторитель мощности представляет собой усилитель на одном транзисторе. Схема его может иметь предельно достижимый КПД (в классе «А») не более 50 %. Но ни мощность, ни КПД усилителя не являются показателями качества звуковоспроизведения. При этом особое значение приобретают качество и линейность характеристик всех ЭРЭ в схеме.

Поскольку однотактные схемы получают такую перспективу, мы рассмотрим ниже их возможные варианты.

Однотактный усилитель на одном транзисторе

Схема его, выполненная с общим эмиттером и R-C-связями по входному и выходному сигналам для работы в классе «А», приведена на рисунке ниже.

На ней показан транзистор Q1 структуры n-p-n. Его коллектор через токоограничивающий резистор R3 присоединен к положительному выводу +Vcc, а эмиттер — к -Vcc. Усилитель на транзисторе структуры p-n-p будет иметь такую же схему, но выводы источника питания поменяются местами.

C1 — разделительный конденсатор, посредством которого источник переменного входного сигнала отделяется от источника постоянного напряжения Vcc. При этом С1 не препятствует прохождению переменного входного тока через переход «база — эмиттер транзистора Q1». Резисторы R1 и R2 совместно с сопротивлением перехода «Э — Б» образуют Vcc для выбора рабочей точки транзистора Q1 в статическом режиме. Типичной для этой схемы является величина R2 = 1 кОм, а положение рабочей точки — Vcc/2. R3 является нагрузочным резистором коллекторной цепи и служит для создания на коллекторе переменного напряжения выходного сигнала.

Предположим, что Vcc = 20 В, R2 = 1 кОм, а коэффициент усиления по току h = 150. Напряжение на эмиттере выбираем Ve = 9 В, а падение напряжения на переходе «Э — Б» принимаем равным Vbe = 0,7 В. Эта величина соответствует так называемому кремниевому транзистору. Если бы мы рассматривали усилитель на германиевых транзисторах, то падение напряжения на открытом переходе «Э — Б» было бы равно Vbe = 0,3 В.

Ток эмиттера, примерно равный току коллектора

Ie = 9 B/1 кОм = 9 мА ≈ Ic.

Ток базы Ib = Ic/h = 9 мА/150 = 60 мкА.

Падение напряжения на резисторе R1

V(R1) = Vcc — Vb = Vcc — (Vbe + Ve) = 20 В — 9,7 В = 10,3 В,

R1 = V(R1)/Ib = 10,3 В/60 мкА = 172 кОм.

С2 нужен для создания цепи прохождения переменной составляющей тока эмиттера (фактически тока коллектора). Если бы его не было, то резистор R2 сильно ограничивал бы переменную составляющую, так что рассматриваемый усилитель на биполярном транзисторе имел бы низкий коэффициент усиления по току.

В наших расчетах мы принимали, что Ic = Ib h, где Ib — ток базы, втекающий в нее из эмиттера и возникающий при подаче на базу напряжения смещения. Однако через базу всегда (как при наличии смещения, так и без него) протекает еще и ток утечки из коллектора Icb0. Поэтому реальный ток коллектора равен Ic = Ib h + Icb0 h, т.е. ток утечки в схеме с ОЭ усиливается в 150 раз. Если бы мы рассматривали усилитель на германиевых транзисторах, то это обстоятельство нужно было бы учитывать при расчетах. Дело в том, что имеют существенный Icb0 порядка нескольких мкА. У кремниевых же он на три порядка меньше (около нескольких нА), так что в расчетах им обычно пренебрегают.

Однотактный усилитель с МДП-транзистором

Как и любой усилитель на полевых транзисторах, рассматриваемая схема имеет свой аналог среди усилителей на Поэтому рассмотрим аналог предыдущей схемы с общим эмиттером. Она выполнена с общим истоком и R-C-связями по входному и выходному сигналам для работы в классе «А» и приведена на рисунке ниже.

Здесь C1 — такой же разделительный конденсатор, посредством которого источник переменного входного сигнала отделяется от источника постоянного напряжения Vdd. Как известно, любой усилитель на полевых транзисторах должен иметь потенциал затвора своих МДП-транзисторов ниже потенциалов их истоков. В данной схеме затвор заземлен резистором R1, имеющим, как правило, большое сопротивление (от 100 кОм до 1 Мом), чтобы он не шунтировал входной сигнал. Ток через R1 практически не проходит, поэтому потенциал затвора при отсутствии входного сигнала равен потенциалу земли. Потенциал же истока выше потенциала земли за счет падения напряжения на резисторе R2. Таким образом, потенциал затвора оказывается ниже потенциала истока, что и нужно для нормальной работы Q1. Конденсатор C2 и резистор R3 имеют такое же назначение, как и в предыдущей схеме. Поскольку эта схема с общим истоком, то входной и выходной сигналы сдвинуты по фазе на 180°.

Усилитель с трансформаторным выходом

Третий одноступенчатый простой усилитель на транзисторах, показанный на рисунке ниже, также выполнен по схеме с общим эмиттером для работы в классе «А», но с низкоомным динамиком он связан через согласующий трансформатор.

Первичная обмотка трансформатора T1 является нагрузкой коллекторной цепи транзистора Q1 и развивает выходной сигнал. T1 передает выходной сигнал на динамик и обеспечивает согласование выходного полного сопротивления транзистора с низким (порядка нескольких Ом) сопротивлением динамика.

Делитель напряжения коллекторного источника питания Vcc, собранный на резисторах R1 и R3, обеспечивает выбор рабочей точки транзистора Q1 (подачу напряжения смещения на его базу). Назначение остальных элементов усилителя такое же, как и в предыдущих схемах.

Двухтактный звуковой усилитель

Двухтактный НЧ-усилитель на двух транзисторах расщепляет входной частоты на две противофазные полуволны, каждая из которых усиливается своим собственным транзисторным каскадом. После выполнения такого усиления полуволны объединяются в целостный гармонический сигнал, который и передается на акустическую систему. Подобное преобразование НЧ-сигнала (расщепление и повторное слияние), естественно, вызывает в нем необратимые искажения, обусловленные различием частотных и динамических свойств двух транзисторов схемы. Эти искажения снижают качество звука на выходе усилителя.

Двухтактные усилители, работающие в классе «А», недостаточно хорошо воспроизводят сложные звуковые сигналы, так как в их плечах непрерывно протекает постоянный ток повышенной величины. Это приводит к несимметрии полуволн сигнала, фазовым искажениям и в конечном итоге к потере разборчивости звука. Нагреваясь, два мощных транзистора увеличивают вдвое искажения сигнала в области низких и инфранизких частот. Но все же основным достоинством двухтактной схемы является ее приемлемый КПД и повышенная выходная мощность.

Двухтактная схема усилителя мощности на транзисторах показана на рисунке.

Это усилитель для работы в классе «А», но может быть использован и класс «АВ», и даже «В».

Бестрансформаторный транзисторный усилитель мощности

Трансформаторы, несмотря на успехи в их миниатюризации, остаются все же самыми громоздкими, тяжелыми и дорогими ЭРЭ. Поэтому был найден путь устранения трансформатора из двухтактной схемы путем выполнения ее на двух мощных комплементарных транзисторах разных типов (n-p-n и p-n-p). Большинство современных усилителей мощности используют именно этот принцип и предназначены для работы в классе «В». Схема такого усилителя мощности показана на рисунке ниже.

Оба ее транзистора включены по схеме с общим коллектором (эмиттерного повторителя). Поэтому схема передает входное напряжение на выход без усиления. Если входного сигнала нет, то оба транзистора находятся на границе включенного состояния, но при этом они выключены.

Когда гармонический сигнал подан на вход, его положительная полуволна открывает TR1, но переводит p-n-p транзистор TR2 полностью в режим отсечки. Таким образом, только положительная полуволна усиленного тока протекает через нагрузку. Отрицательная полуволна входного сигнала открывает только TR2 и запирает TR1, так что в нагрузку подается отрицательная полуволна усиленного тока. В результате на нагрузке выделяется полный усиленный по мощности (за счет усиления по току) синусоидальный сигнал.

Усилитель на одном транзисторе

Для усвоения вышеизложенного соберем простой усилитель на транзисторах своими руками и разберемся, как он работает.

В качестве нагрузки маломощного транзистора Т типа BC107 включим наушники с сопротивлением 2-3 кОм, напряжение смещения на базу подадим с высокоомного резистора R* величиной 1 МОм, развязывающий электролитический конденсатор C емкостью от 10 мкФ до 100 мкФ включим в базовую цепь Т. Питать схему будем от батареи 4,5 В/0,3 А.

Если резистор R* не подключен, то нет ни тока базы Ib, ни тока коллектора Ic. Если резистор подключен, то напряжение на базе поднимается до 0,7 В и через нее протекает ток Ib = 4 мкА. Коэффициент усиления транзистора по току равен 250, что дает Ic = 250Ib = 1 мА.

Собрав простой усилитель на транзисторах своими руками, можем теперь его испытать. Подключите наушники и поставьте палец на точку 1 схемы. Вы услышите шум. Ваше тело воспринимает излучение питающей сети на частоте 50 Гц. Шум, услышанный вами из наушников, и является этим излучением, только усиленным транзистором. Поясним этот процесс подробнее. Напряжение переменного тока с частотой 50 Гц подключено к базе транзистора через конденсатор С. Напряжение на базе теперь равно сумме постоянного напряжения смещения (приблизительно 0,7 В), приходящего с резистора R*, и напряжения переменного тока «от пальца». В результате ток коллектора получает переменную составляющую с частотой 50 Гц. Этот переменный ток используется для сдвига мембраны динамиков вперед-назад с той же частотой, а это означает, что мы сможем услышать тон 50 Гц на выходе.

Слушать уровень шума 50 Гц не очень интересно, поэтому можно подключить к точкам 1 и 2 низкочастотные источника сигнала (CD-плеер или микрофон) и слышать усиленную речь или музыку.

Схема № 2

Схема второго нашего усилителя значительно сложнее, но зато позволяет получить и более качественной звучание. Достигнуто это за счет более совершенной схемотехники, большего коэффициента усиления усилителя (и, следовательно, более глубокой обратной связи), а также возможностью регулировать начальное смещение транзисторов выходного каскада.

Схема нового варианта усилителя приведена на рис. 11.20. Этот усилитель, в отличие от своего предшественника, питается от двухполярного источника напряжения.

Входной каскад усилителя на транзисторах VT1-VT3 образует т. н. дифференциальный усилитель. Транзистор VT2 в дифференциальном усилителе является источником тока (довольно часто в дифференциальных усилителях в качестве источника тока ставят обычный резистор достаточно большого номинала). А транзисторы VT1 и VT3 образуют два пути, по которым ток из источника уходит в нагрузку.

Если ток в цепи одного транзистора увеличится, то ток в цепи другого транзистора уменьшится на точно такую же величину — источник тока поддерживает сумму токов обоих транзисторов постоянной.

В итоге транзисторы дифференциального усилителя образуют почти «идеальное» устройство сравнения, что важно для качественной работы обратной связи. На базу одного транзистора подается усиливаемый сигнал, на базу другого — сигнал обратной связи через делитель напряжения на резисторах R6, R8.

Противофазный сигнал «расхождения» выделяется на резисторах R4 и R5, и поступает на две цепочки усиления:

  • транзистор VT7;
  • транзисторы VT4-VT6.

Когда сигнал рассогласования отсутствует, токи обоих цепочек, т. е. транзисторов VT7 и VT6, равны, и напряжение в точке соединения их коллекторов (в нашей схеме такой точкой можно считать транзистор VT8) в точности равно нулю.

При появлении сигнала рассогласования токи транзисторов становятся разными, и напряжение в точке соединения становится больше или меньше нуля. Это напряжение усиливается составным эмиттерным повторителем, собранным на комплементарных парах VT9, VT10 и VT11, VT12, и поступает на АС — это выходной сигнал усилителя.

Транзистор VT8 используется для регулировки т. н. тока «покоя» выходного каскада. Когда движок подстроечного резистора R14 находится в верхнем по схеме положении, транзистор VT8 полностью открыт. При этом падение напряжение на нем близко к нулю. Если же перемещать движок резистора в нижнее положение, падение напряжения на транзисторе VT8 будет увеличиваться. А это равносильно внесению сигнала смещения в базы транзисторов выходного эмиттерного повторителя. Происходит смещение режима их работы от класса С до класса В, а в принципе — и до класса А. Это, как мы уже знаем, один из способов улучшения качества звука — не следует полагаться в этом только на действие обратной связи.

Плата . Усилитель собран на плате из одностороннего стеклотекстолита толщиной 1.5 мм размерами 50×47.5 мм. Разводку печатной платы в зеркальном изображении и схему расположения деталей можно скачать . Работу усилителя смотрим на . Внешний вид усилителя приведен на рис. 11.21.

Аналоги и элементная база . При отсутствии необходимых деталей транзисторы VT1, VT3 можно заменить любыми малошумящими с допустимым током не менее 100 мА, допустимым напряжением не ниже напряжения питания усилителя и как можно большим коэффициентом усиления.

Специально для таких схем промышленностью выпускаются транзисторные сборки, представляющие собой пару транзисторов в одном корпусе с максимально подобными характеристиками — это был бы идеальный вариант.

Транзисторы VT9 и VT10 обязательно должны быть комплементарными, также как и VT11, и VT12. Они должны быть рассчитаны на напряжение не менее удвоенного напряжения питания усилителя. Не забыли, уважаемый радиолюбитель, что усилитель питается от двухполярного источника напряжения?

Для зарубежных аналогов комплементарые пары обычно указываются в документации на транзистор, для отечественных приборов — придется попотеть в Инете! Транзисторы выходного каскада VT11, VT12 дополнительно должны выдерживать ток, не меньший:

I в = U / R, А,

U — напряжение питания усилителя,
R — сопротивление АС.

Для транзисторов VT9, VT10 допустимый ток должен быть не менее:

I п = I в / B, А ,

I в — максимальный ток выходных транзисторов;
B — коэффициент усиления выходных транзисторов.

Обратите внимание, что в документации на мощные транзисторы иногда приводятся два коэффициента усиления — один для режима усиления «малого сигнала», другой — для схемы с ОЭ. Вам нужен для расчета не тот, который для «малого сигнала». Обратите внимание также на особенность транзисторов КТ972/КТ973 — их коэффициент усиления составляет более 750.

Найденный вами аналог должен обладать не меньшим коэффициентом усиления — это существенно для данной схемы. Остальные транзисторы должны иметь допустимое напряжение не менее удвоенного напряжения питания усилителя и допустимый ток не мене 100 мА. Резисторы — любые с допустимой рассеиваемой мощностью не менее 0.125 Вт. Конденсаторы — электролитические, с емкостью не менее указанной и рабочим напряжением не менее напряжения питания усилителя.

Продолжение читайте

Редакция сайта «Две Схемы» представляет простой, но качественный усилитель НЧ на транзисторах MOSFET. Его схема должна быть хорошо известна радиолюбителям аудиофилам, так как ей уже лет 20. Схема является разработкой знаменитого Энтони Холтона, поэтому её иногда так и называют — УНЧ Holton. Система усиления звука имеет низкие гармонические искажения, не превышающие 0,1%, при мощности на нагрузку порядка 100 Ватт.

Данный усилитель является альтернативой для популярных усилителей серии TDA и подобных попсовых, ведь при чуть большей стоимости можно получить усилитель с явно лучшими характеристиками.

Большим преимуществом системы является простая конструкция и выходной каскад, состоящий из 2-х недорогих МОП-транзисторов. Усилитель может работать с динамиками сопротивлением как 4, так и 8 Ом. Единственной настройкой, которую необходимо выполнить во время запуска — будет установка значения тока покоя выходных транзисторов.

Принципиальная схема УМЗЧ Holton


Усилитель Холтон на MOSFET — схема

Схема является классическим двухступенчатым усилителем, он состоит из дифференциального входного усилителя и симметричного усилителя мощности, в котором работает одна пара силовых транзисторов. Схема системы представлена выше.

Печатная плата


Печатная плата УНЧ — готовый вид

Вот архив с PDF файлами печатной платы — .

Принцип работы усилителя

Транзисторы Т4 (BC546) и T5 (BC546) работают в конфигурации дифференциального усилителя и рассчитаны на питание от источника тока, построенного на основе транзисторов T7 (BC546), T10 (BC546) и резисторах R18 (22 ком), R20 (680 Ом) и R12 (22 ком). Входной сигнал подается на два фильтра: нижних частот, построенный из элементов R6 (470 Ом) и C6 (1 нф) — он ограничивает ВЧ компоненты сигнала и полосовой фильтр, состоящий из C5 (1 мкф), R6 и R10 (47 ком), ограничивающий составляющие сигнала на инфранизких частотах.

Нагрузкой дифференциального усилителя являются резисторы R2 (4,7 ком) и R3 (4,7 ком). Транзисторы T1 (MJE350) и T2 (MJE350) представляют собой еще один каскад усиления, а его нагрузкой являются транзисторы Т8 (MJE340), T9 (MJE340) и T6 (BD139).

Конденсаторы C3 (33 пф) и C4 (33 пф) противодействуют возбуждению усилителя. Конденсатор C8 (10 нф) включенный параллельно R13 (10 ком/1 В), улучшает переходную характеристику УНЧ, что имеет значение для быстро нарастающих входных сигналов.

Транзистор T6 вместе с элементами R9 (4,7 ком), R15 (680 Ом), R16 (82 Ом) и PR1 (5 ком) позволяет установить правильную полярность выходных каскадов усилителя в состоянии покоя. С помощью потенциометра необходимо установить ток покоя выходных транзисторов в пределах 90-110 мА, что соответствует падению напряжения на R8 (0,22 Ом/5 Вт) и R17 (0,22 Ом/5 Вт) в пределах 20-25 мВ. Общее потребление тока в режиме покоя усилителя должен быть в районе 130 мА.

Выходными элементами усилителя являются МОП-транзисторы T3 (IRFP240) и T11 (IRFP9240). Транзисторы эти устанавливаются как повторитель напряжения с большим максимальным выходным током, таким образом, первые 2 каскада должны раскачать достаточно большую амплитуду для выходного сигнала.

Резисторы R8 и R17 были применены, в основном, для быстрого измерения тока покоя транзисторов усилителя мощности без вмешательства в схему. Могут они также пригодиться в случае расширения системы на еще одну пару силовых транзисторов, из-за различий в сопротивлении открытых каналов транзисторов.

Резисторы R5 (470 Ом) и R19 (470 Ом) ограничивают скорость зарядки емкости проходных транзисторов, а, следовательно, ограничивают частотный диапазон усилителя. Диоды D1-D2 (BZX85-C12V) защищают мощные транзисторы. С ними напряжение при запуске относительно источников питания у транзисторов не должно быть больше 12 В.

На плате усилителя предусмотрены места для конденсаторов фильтра питания С2 (4700 мкф/50 в) и C13 (4700 мкф/50 в).


Самодельный транзисторный УНЧ на МОСФЕТ

Управление питается через дополнительный RC фильтр, построенный на элементах R1 (100 Ом/1 В), С1 (220 мкф/50 в) и R23 (100 Ом/1 В) и C12 (220 мкф/50 в).

Источник питания для УМЗЧ

Схема усилителя обеспечивает мощность, которая достигает реальных 100 Вт (эффективное синусоидальная), при входном напряжении в районе 600 мВ и сопротивлением нагрузки 4 Ома.


Усилитель Холтон на плате с деталями

Рекомендуемый трансформатор — тороид 200 Вт с напряжением 2х24 В. После выпрямления и сглаживания должно получиться двух полярное питание усилители мощности в районе +/-33 Вольт. Представленная здесь конструкция является модулем монофонического усилителя с очень хорошими параметрами, построенного на транзисторах MOSFET, который можно использовать как отдельный блок или в составе .

После освоения азов электроники, начинающий радиолюбитель готов паять свои первые электронные конструкции. Усилители мощности звуковой частоты, как правило самые повторяемые конструкции. Схем достаточно много, каждая отличается своими параметрами и конструкцией. В этой статье будут рассмотрены несколько простейших и полностью рабочих схем усилителей, которые успешно могут быть повторены любым радиолюбителем. В статье не использованы сложные термины и расчеты, все максимально упрощено, чтобы не возникло дополнительных вопросов.

Начнем с более мощной схемы.
Итак, первая схема выполнена на известной микросхеме TDA2003. Это монофонический усилитель с выходной мощностью до 7 Ватт на нагрузку 4 Ом. Хочу сказать, что стандартная схема включения этой микросхемы содержит малое количество компонентов, но пару лет назад мною была придумана иная схема на этой микросхеме. В этой схеме количество комплектующих компонентов сведено к минимуму, но усилитель не потерял свои звуковые параметры. После разработки данной схемы, все свои усилители для маломощных колонок стал делать именно на этой схеме.

Схема представленного усилителя имеет широкий диапазон воспроизводимых частот, диапазон питающих напряжений от 4,5 до 18 вольт (типовое 12-14 вольт). Микросхему устанавливают на небольшой теплоотвод, поскольку максимальная мощность достигает до 10 Ватт.

Микросхема способна работать на нагрузку 2 Ом, это значит, что к выходу усилителя можно подключать 2 головки с сопротивлением 4 Ом.
Входной конденсатор можно заменить на любой другой, с емкостью от 0,01 до 4,7 мкФ (желательно от 0,1 до 0,47 мкФ), можно использовать как пленочные, так и керамические конденсаторы. Все остальные компоненты желательно не заменять.

Регулятор громкости от 10 до 47 кОм.
Выходная мощность микросхемы позволяет применять его в маломощных АС для ПК. Очень удобно использовать микросхему для автономных колонок к мобильному телефону и т.п.
Усилитель работает сразу после включения, в дополнительной наладке не нуждается. Советуется минус питания дополнительно подключить к теплоотводу. Все электролитические конденсаторы желательно использовать на 25 Вольт.

Вторая схема собрана на маломощных транзисторах, и больше подойдет в качестве усилителя для наушников.

Это наверное самая качественная схема такого рода, звук чистый, чувствуются весь частотный спектр. С хорошими наушниками, такое ощущение, что у вас полноценный сабвуфер.

Усилитель собран всего на 3-х транзисторах обратной проводимости, как самый дешевый вариант, были использованы транзисторы серии КТ315, но их выбор достаточно широк.

Усилитель может работать на низкоомную нагрузку, вплоть до 4-х Ом, что дает возможность, использовать схему для усиления сигнала плеера, радиоприемника и т.п. В качестве источника питания использована батарейка типа крона с напряжением 9 вольт.
В окончательном каскаде тоже применены транзисторы КТ315. Для повышения выходной мощности можно применить транзисторы КТ815, но тогда придется увеличить напряжение питания до 12 вольт. В этом случае мощность усилителя будет достигать до 1 Ватт. Выходной конденсатор может иметь емкость от 220 до 2200 мкФ.
Транзисторы в этой схеме не нагреваются, следовательно, какое-либо охлаждение не нужно. При использовании более мощных выходных транзисторов, возможно, понадобятся небольшие теплоотводы для каждого транзистора.

И наконец — третья схема. Представлен не менее простой, но проверенный вариант строения усилителя. Усилитель способен работать от пониженного напряжения до 5 вольт, при таком случае выходная мощность УМ будет не более 0,5 Вт, а максимальная мощность при питании 12 вольт достигает до 2-х Ватт.

Выходной каскад усилителя построен на отечественной комплементарной паре. Регулируют усилитель подбором резистора R2. Для этого желательно использовать подстроечный регулятор на 1кОм. Медленно вращаем регулятор до тех пор, пока ток покоя выходного каскада не будет 2-5 мА.

Усилитель не обладает высокой входной чувствительностью, поэтому желательно перед входом применить предварительный усилитель.

Немало важную роль в схеме играет диод, он тут для стабилизации режима выходного каскада.
Транзисторы выходного каскада можно заменить на любую комплементарную пару соответствующих параметров, например КТ816/817. Усилитель может питать маломощные автономные колонки с сопротивлением нагрузки 6-8 Ом.

Список радиоэлементов
Обозначение Тип Номинал Количество Примечание Магазин Мой блокнот
Усилитель на микросхеме TDA2003
Аудио усилитель

TDA2003

1 В блокнот
С1 47 мкФ х 25В 1 В блокнот
С2 Конденсатор 100 нФ 1 Пленочный В блокнот
С3 Электролитический конденсатор 1 мкФ х 25В 1 В блокнот
С5 Электролитический конденсатор 470 мкФ х 16В 1 В блокнот
R1 Резистор

100 Ом

1 В блокнот
R2 Переменный резистор 50 кОм 1 От 10 кОм до 50 кОм В блокнот
Ls1 Динамическая головка 2-4 Ом 1 В блокнот
Усилитель на транзисторах схема №2
VT1-VT3 Биполярный транзистор

КТ315А

3 В блокнот
С1 Электролитический конденсатор 1 мкФ х 16В 1 В блокнот
С2, С3 Электролитический конденсатор 1000 мкФ х 16В 2 В блокнот
R1, R2 Резистор

100 кОм

2 В блокнот
R3 Резистор

47 кОм

1 В блокнот
R4 Резистор

1 кОм

1 В блокнот
R5 Переменный резистор 50 кОм 1 В блокнот
R6 Резистор

3 кОм

1 В блокнот
Динамическая головка 2-4 Ом 1 В блокнот
Усилитель на транзисторах схема №3
VT2 Биполярный транзистор

КТ315А

1 В блокнот
VT3 Биполярный транзистор

КТ361А

1 В блокнот
VT4 Биполярный транзистор

КТ815А

1 В блокнот
VT5 Биполярный транзистор

КТ816А

1 В блокнот
VD1 Диод

Д18

1 Или любой маломощный В блокнот
С1, С2, С5 Электролитический конденсатор 10 мкФ х 16В 3

Простейший усилитель на транзисторах может быть хорошим пособием для изучения свойств приборов. Схемы и конструкции достаточно простые, можно самостоятельно изготовить устройство и проверить его работу, произвести замеры всех параметров. Благодаря современным полевым транзисторам можно изготовить буквально из трех элементов миниатюрный микрофонный усилитель. И подключить его к персональному компьютеру для улучшения параметров звукозаписи. Да и собеседники при разговорах будут намного лучше и четче слышать вашу речь.

Частотные характеристики

Усилители низкой (звуковой) частоты имеются практически во всех бытовых приборах — музыкальных центрах, телевизорах, радиоприемниках, магнитолах и даже в персональных компьютерах. Но существуют еще усилители ВЧ на транзисторах, лампах и микросхемах. Отличие их в том, что УНЧ позволяет усилить сигнал только звуковой частоты, которая воспринимается человеческим ухом. Усилители звука на транзисторах позволяют воспроизводить сигналы с частотами в диапазоне от 20 Гц до 20000 Гц.

Следовательно, даже простейшее устройство способно усилить сигнал в этом диапазоне. Причем делает оно это максимально равномерно. Коэффициент усиления зависит прямо от частоты входного сигнала. График зависимости этих величин — практически прямая линия. Если же на вход усилителя подать сигнал с частотой вне диапазона, качество работы и эффективность устройства быстро уменьшатся. Каскады УНЧ собираются, как правило, на транзисторах, работающих в низко- и среднечастотном диапазонах.

Классы работы звуковых усилителей

Все усилительные устройства разделяются на несколько классов, в зависимости от того, какая степень протекания в течение периода работы тока через каскад:

  1. Класс «А» — ток протекает безостановочно в течение всего периода работы усилительного каскада.
  2. В классе работы «В» протекает ток в течение половины периода.
  3. Класс «АВ» говорит о том, что ток протекает через усилительный каскад в течение времени, равного 50-100 % от периода.
  4. В режиме «С» электрический ток протекает менее чем половину периода времени работы.
  5. Режим «D» УНЧ применяется в радиолюбительской практике совсем недавно — чуть больше 50 лет. В большинстве случаев эти устройства реализуются на основе цифровых элементов и имеют очень высокий КПД — свыше 90 %.

Наличие искажений в различных классах НЧ-усилителей

Рабочая область транзисторного усилителя класса «А» характеризуется достаточно небольшими нелинейными искажениями. Если входящий сигнал выбрасывает импульсы с более высоким напряжением, это приводит к тому, что транзисторы насыщаются. В выходном сигнале возле каждой гармоники начинают появляться более высокие (до 10 или 11). Из-за этого появляется металлический звук, характерный только для транзисторных усилителей.

При нестабильном питании выходной сигнал будет по амплитуде моделироваться возле частоты сети. Звук станет в левой части частотной характеристики более жестким. Но чем лучше стабилизация питания усилителя, тем сложнее становится конструкция всего устройства. УНЧ, работающие в классе «А», имеют относительно небольшой КПД — менее 20 %. Причина заключается в том, что транзистор постоянно открыт и ток через него протекает постоянно.

Для повышения (правда, незначительного) КПД можно воспользоваться двухтактными схемами. Один недостаток — полуволны у выходного сигнала становятся несимметричными. Если же перевести из класса «А» в «АВ», увеличатся нелинейные искажения в 3-4 раза. Но коэффициент полезного действия всей схемы устройства все же увеличится. УНЧ классов «АВ» и «В» характеризует нарастание искажений при уменьшении уровня сигнала на входе. Но даже если прибавить громкость, это не поможет полностью избавиться от недостатков.

Работа в промежуточных классах

У каждого класса имеется несколько разновидностей. Например, существует класс работы усилителей «А+». В нем транзисторы на входе (низковольтные) работают в режиме «А». Но высоковольтные, устанавливаемые в выходных каскадах, работают либо в «В», либо в «АВ». Такие усилители намного экономичнее, нежели работающие в классе «А». Заметно меньшее число нелинейных искажений — не выше 0,003 %. Можно добиться и более высоких результатов, используя биполярные транзисторы. Принцип работы усилителей на этих элементах будет рассмотрен ниже.

Но все равно имеется большое количество высших гармоник в выходном сигнале, отчего звук становится характерным металлическим. Существуют еще схемы усилителей, работающие в классе «АА». В них нелинейные искажения еще меньше — до 0,0005 %. Но главный недостаток транзисторных усилителей все равно имеется — характерный металлический звук.

«Альтернативные» конструкции

Нельзя сказать, что они альтернативные, просто некоторые специалисты, занимающиеся проектировкой и сборкой усилителей для качественного воспроизведения звука, все чаще отдают предпочтение ламповым конструкциям. У ламповых усилителей такие преимущества:

  1. Очень низкое значение уровня нелинейных искажений в выходном сигнале.
  2. Высших гармоник меньше, чем в транзисторных конструкциях.

Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства, — обязательно нужно ставить устройство для согласования. Дело в том, что у лампового каскада очень большое сопротивление — несколько тысяч Ом. Но сопротивление обмотки динамиков — 8 или 4 Ома. Чтобы их согласовать, нужно устанавливать трансформатор.

Конечно, это не очень большой недостаток — существуют и транзисторные устройства, в которых используются трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы. Некоторые специалисты утверждают, что наиболее эффективной схемой оказывается гибридная — в которой применяются однотактные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады функционируют в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, применяется в качестве повторителя усилитель мощности на транзисторе.

Причем КПД у таких устройств достаточно высокий — порядка 50 %. Но не стоит ориентироваться только на показатели КПД и мощности — они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем. Намного большее значение имеют линейность характеристик и их качество. Поэтому нужно обращать внимание в первую очередь на них, а не на мощность.

Схема однотактного УНЧ на транзисторе

Самый простой усилитель, построенный по схеме с общим эмиттером, работает в классе «А». В схеме используется полупроводниковый элемент со структурой n-p-n. В коллекторной цепи установлено сопротивление R3, ограничивающее протекающий ток. Коллекторная цепь соединяется с положительным проводом питания, а эмиттерная — с отрицательным. В случае использования полупроводниковых транзисторов со структурой p-n-p схема будет точно такой же, вот только потребуется поменять полярность.

С помощью разделительного конденсатора С1 удается отделить переменный входной сигнал от источника постоянного тока. При этом конденсатор не является преградой для протекания переменного тока по пути база-эмиттер. Внутреннее сопротивление перехода эмиттер-база вместе с резисторами R1 и R2 представляют собой простейший делитель напряжения питания. Обычно резистор R2 имеет сопротивление 1-1,5 кОм — наиболее типичные значения для таких схем. При этом напряжение питания делится ровно пополам. И если запитать схему напряжением 20 Вольт, то можно увидеть, что значение коэффициента усиления по току h31 составит 150. Нужно отметить, что усилители КВ на транзисторах выполняются по аналогичным схемам, только работают немного иначе.

При этом напряжение эмиттера равно 9 В и падение на участке цепи «Э-Б» 0,7 В (что характерно для транзисторов на кристаллах кремния). Если рассмотреть усилитель на германиевых транзисторах, то в этом случае падение напряжения на участке «Э-Б» будет равно 0,3 В. Ток в цепи коллектора будет равен тому, который протекает в эмиттере. Вычислить можно, разделив напряжение эмиттера на сопротивление R2 — 9В/1 кОм=9 мА. Для вычисления значения тока базы необходимо 9 мА разделить на коэффициент усиления h31 — 9мА/150=60 мкА. В конструкциях УНЧ обычно используются биполярные транзисторы. Принцип работы у него отличается от полевых.

На резисторе R1 теперь можно вычислить значение падения — это разница между напряжениями базы и питания. При этом напряжение базы можно узнать по формуле — сумма характеристик эмиттера и перехода «Э-Б». При питании от источника 20 Вольт: 20 — 9,7 = 10,3. Отсюда можно вычислить и значение сопротивления R1=10,3В/60 мкА=172 кОм. В схеме присутствует емкость С2, необходимая для реализации цепи, по которой сможет проходить переменная составляющая эмиттерного тока.

Если не устанавливать конденсатор С2, переменная составляющая будет очень сильно ограничиваться. Из-за этого такой усилитель звука на транзисторах будет обладать очень низким коэффициентом усиления по току h31. Нужно обратить внимание на то, что в вышеизложенных расчетах принимались равными токи базы и коллектора. Причем за ток базы брался тот, который втекает в цепь от эмиттера. Возникает он только при условии подачи на вывод базы транзистора напряжения смещения.

Но нужно учитывать, что по цепи базы абсолютно всегда, независимо от наличия смещения, обязательно протекает ток утечки коллектора. В схемах с общим эмиттером ток утечки усиливается не менее чем в 150 раз. Но обычно это значение учитывается только при расчете усилителей на германиевых транзисторах. В случае использования кремниевых, у которых ток цепи «К-Б» очень мал, этим значением просто пренебрегают.

Усилители на МДП-транзисторах

Усилитель на полевых транзисторах, представленный на схеме, имеет множество аналогов. В том числе и с использованием биполярных транзисторов. Поэтому можно рассмотреть в качестве аналогичного примера конструкцию усилителя звука, собранную по схеме с общим эмиттером. На фото представлена схема, выполненная по схеме с общим истоком. На входных и выходных цепях собраны R-C-связи, чтобы устройство работало в режиме усилителя класса «А».

Переменный ток от источника сигнала отделяется от постоянного напряжения питания конденсатором С1. Обязательно усилитель на полевых транзисторах должен обладать потенциалом затвора, который будет ниже аналогичной характеристики истока. На представленной схеме затвор соединен с общим проводом посредством резистора R1. Его сопротивление очень большое — обычно применяют в конструкциях резисторы 100-1000 кОм. Такое большое сопротивление выбирается для того, чтобы не шунтировался сигнал на входе.

Это сопротивление почти не пропускает электрический ток, вследствие чего у затвора потенциал (в случае отсутствия сигнала на входе) такой же, как у земли. На истоке же потенциал оказывается выше, чем у земли, только благодаря падению напряжения на сопротивлении R2. Отсюда ясно, что у затвора потенциал ниже, чем у истока. А именно это и требуется для нормального функционирования транзистора. Нужно обратить внимание на то, что С2 и R3 в этой схеме усилителя имеют такое же предназначение, как и в рассмотренной выше конструкции. А входной сигнал сдвинут относительно выходного на 180 градусов.

УНЧ с трансформатором на выходе

Можно изготовить такой усилитель своими руками для домашнего использования. Выполняется он по схеме, работающей в классе «А». Конструкция такая же, как и рассмотренные выше, — с общим эмиттером. Одна особенность — необходимо использовать трансформатор для согласования. Это является недостатком подобного усилителя звука на транзисторах.

Коллекторная цепь транзистора нагружается первичной обмоткой, которая развивает выходной сигнал, передаваемый через вторичную на динамики. На резисторах R1 и R3 собран делитель напряжения, который позволяет выбрать рабочую точку транзистора. С помощью этой цепочки обеспечивается подача напряжения смещения в базу. Все остальные компоненты имеют такое же назначение, как и у рассмотренных выше схем.

Двухтактный усилитель звука

Нельзя сказать, что это простой усилитель на транзисторах, так как его работа немного сложнее, чем у рассмотренных ранее. В двухтактных УНЧ входной сигнал расщепляется на две полуволны, различные по фазе. И каждая из этих полуволн усиливается своим каскадом, выполненном на транзисторе. После того, как произошло усиление каждой полуволны, оба сигнала соединяются и поступают на динамики. Такие сложные преобразования способны вызвать искажения сигнала, так как динамические и частотные свойства двух, даже одинаковых по типу, транзисторов будут отличны.

В результате на выходе усилителя существенно снижается качество звучания. При работе двухтактного усилителя в классе «А» не получается качественно воспроизвести сложный сигнал. Причина — повышенный ток протекает по плечам усилителя постоянно, полуволны несимметричные, возникают фазовые искажения. Звук становится менее разборчивым, а при нагреве искажения сигнала еще больше усиливаются, особенно на низких и сверхнизких частотах.

Бестрансформаторные УНЧ

Усилитель НЧ на транзисторе, выполненный с использованием трансформатора, невзирая на то, что конструкция может иметь малые габариты, все равно несовершенен. Трансформаторы все равно тяжелые и громоздкие, поэтому лучше от них избавиться. Намного эффективнее оказывается схема, выполненная на комплементарных полупроводниковых элементах с различными типами проводимости. Большая часть современных УНЧ выполняется именно по таким схемам и работают в классе «В».

Два мощных транзистора, используемых в конструкции, работают по схеме эмиттерного повторителя (общий коллектор). При этом напряжение входа передается на выход без потерь и усиления. Если на входе нет сигнала, то транзисторы на грани включения, но все равно еще отключены. При подаче гармонического сигнала на вход происходит открывание положительной полуволной первого транзистора, а второй в это время находится в режиме отсечки.

Следовательно, через нагрузку способны пройти только положительные полуволны. Но отрицательные открывают второй транзистор и полностью запирают первый. При этом в нагрузке оказываются только отрицательные полуволны. В результате усиленный по мощности сигнал оказывается на выходе устройства. Подобная схема усилителя на транзисторах достаточно эффективная и способна обеспечить стабильную работу, качественное воспроизведение звука.

Схема УНЧ на одном транзисторе

Изучив все вышеописанные особенности, можно собрать усилитель своими руками на простой элементной базе. Транзистор можно использовать отечественный КТ315 или любой его зарубежный аналог — например ВС107. В качестве нагрузки нужно использовать наушники, сопротивление которых 2000-3000 Ом. На базу транзистора необходимо подать напряжение смещения через резистор сопротивлением 1 Мом и конденсатор развязки 10 мкФ. Питание схемы можно осуществить от источника напряжением 4,5-9 Вольт, ток — 0,3-0,5 А.

Если сопротивление R1 не подключить, то в базе и коллекторе не будет тока. Но при подключении напряжение достигает уровня в 0,7 В и позволяет протекать току около 4 мкА. При этом по току коэффициент усиления окажется около 250. Отсюда можно сделать простой расчет усилителя на транзисторах и узнать ток коллектора — он оказывается равен 1 мА. Собрав эту схему усилителя на транзисторе, можно провести ее проверку. К выходу подключите нагрузку — наушники.

Коснитесь входа усилителя пальцем — должен появиться характерный шум. Если его нет, то, скорее всего, конструкция собрана неправильно. Перепроверьте все соединения и номиналы элементов. Чтобы нагляднее была демонстрация, подключите к входу УНЧ источник звука — выход от плеера или телефона. Прослушайте музыку и оцените качество звучания.

Частота звуковой усилитель мощности транзистор 3A, 60V D2012 2SD2012

 

 


 


 

Примечание: Все цены можно вести переговоры.Plz свяжитесь с нами для получения наиболее выгодной цене!
 

 



 описание продукта

 

Частота звуковой усилитель мощности приложений
Высокий ток постоянного тока получить
Низкое напряжение насыщения
Высокой Мощности
 

 

Другие категории

Компания выделяет

Упаковка и доставка

1.Express: DHL и UPS / TNT / FedEx / EMS / Aramex / ABX и т.д.
2.AirPost: Post-NL / Сингапур должность / ePacket / CDEK / Hongkong Post /
  DHL Электронная коммерция / PTT и т.д.
3.обычной электронной почты: Китай Post и т.д.
  По морскому праву(дайте нам знать свой порт назначения )
  По воздуху (дайте нам знать свой воздушный порт )
  Express (дайте нам знать вашего конкретного адреса , код post )

 


4.Обычно  за 1-3 рабочих дней после оплаты ;
5.Пакет будет  в  хорошем состоянии с помощью подходящего размера для сохранения  грузовые перевозки;
6.Customer доставка счета являются приемлемыми;
7.Если с объявленной ценностью для таможенной очистки  ,  обратите внимание на нас перед отгрузкой.

 

Часто задаваемые вопросы

1.Кто вы?

Мы производителя высокого качества в Китае собственные микросхемы IC входит,транзистор,нагревательных элементов отопления салона,конденсаторы,памяти,IGBT,Mosfet,Traic/SCR,оптоэлектронные компоненты.
Почти все компоненты электроники в нашей продукции.

 

2.Вы также продажа оригинальных запасных частей?
Да, мы также поставки оригинальных материалов bcz все наши разработаны микросхемы на основе оригинала
Так мы сотрудничаем с некоторые оригинальные конструкции и развития Департамента, что у нас есть хорошие источники оригинала.

3.Каковы ваши преимущества?
Нашей высококачественной продукции с разумной ценой может полностью заменить оригинальные детали.

4.Вы можете предоставить OEM Service?
Да, мы можем, если у вас есть проекты и просить plz свяжитесь с нами.

5.можно купить все im requireing компонентов от вас?
Конечно да,из списка Bom котировки до двери до двери express service,Мы профессиональных продаж
Для соединения с вами все время.

 

—  Пожалуйста свяжитесь с нами, если вам требуется техническое описание .
 

 

 


 

Усилитель мощности на биполярных транзисторах

Предлагаемый усилитель имеет низкий уровень нелинейных искажений и способен обеспечить номинальную мощность до 70 Вт в нагрузке сопротивлением 4 Ом. Автор отказался от электронной защиты мощных транзисторов и АС, ограничившись включением плавких вставок в цепи питания, в целях исключения возможного срабатывания защиты на комплексной нагрузке. Впрочем, для повышения надёжности и мощности на плате предусмотрено размещение элементов для дополнительной пары мощных транзисторов.

Многие знают, как бывает трудно выбрать схему усилителя мощности среди большого разнообразия. Предлагаемый здесь УМЗЧ разрабатывался для широкого круга радиолюбителей, имеет достойные внимания технические характеристики и обеспечивает естественное и детальное звучание. Он относительно не сложен в сборке и настройке, не требователен к деталям, устойчив и надёжен.

Схема одного канала усилителя мощности показана на рис. 1. Параметры, приведённые ниже, измерены при использовании стабилизированного блока питания.

Технические характеристики

Номинальная выходная мощность, Вт,

на нагрузке сопротивлением 4 Ом…………….70

8 Ом…………………..40

Неравномерность АЧХ в полосе частот20…20000 Гц,

дБ……………………..±0,5

Напряжение шума и фона при замкнутом входе, мВ,

не более ………………….1

Коэффициент гармонических искажений при номинальной выходной мощности в полосе 20…20000 Гц, %,

не более ……………….0,003

Номинальное входное напряжение, мВ …………….550

Входное сопротивление, кОм…….68

Выходное сопротивление (с цепью R29L1), Ом …………0,04

Входной сигнал через цепи ФВЧ C1R2 и ФНЧ R1C2 поступает на дифференциальный каскад на транзисторах VT2, VT3, в эмиттерную цепь которых включён источник стабильного тока на транзисторе VT1. В коллекторных цепях каскада применено токовое зеркало на транзисторах VT4, VT5. Далее сигнал следует на усилитель напряжения (УН) на транзисторе VT8 с буферной нагрузкой в виде эмиттерного повторителя на транзисторе VT9. Буфер в этом случае позволяет разгрузить УН и ввести компенсационную ОС, уменьшающую нелинейные искажения. Далее усиленный по напряжению сигнал поступает на выходной каскад.

Выходной каскад, собранный на транзисторах VT10-VT15, представляет собой трёхступенчатый эмиттер-ный повторитель. Транзистор VT7 задаёт его ток покоя и осуществляет термокомпенсацию смещения для мощных транзисторов. Транзистор VT6 является источником стабильного тока для эмиттерного повторителя и цепи смещения на VT7. Цепь R28C15 предохраняет УМЗЧ от самовозбуждения на высоких частотах. Цепь L1R29 повышает устойчивость усилителя при ёмкостном характере нагрузки. Диоды VD7, VD8 защищают выходные транзисторы от напряжения обратной полярности, а резисторы R26, R27 повышают термостабильность режима. Конденсатор С7 — фазокорректирующий, он обеспечивает устойчивость усилителя при охвате его общей обратной связью (ООС).

В усилителе можно использовать следующие детали. Резисторы R26, R27 — керамические мощностью 5 Вт, R28, R29 — МЛТ-1, остальные — МЛТ-0,125 или МЛТ-0,25. Резисторы R6, R7, R10, R11 следует подбирать с отклонением не более ±2%.

 

Рис. 1

 

Конденсаторы С1, С5, С8, С11-С14 — К73-17; С4, СЮ, С15 — КМ-5, КМ-6 или К10-47; С2, С7 — керамические с нормированным ТКЕ, например, групп М75-М750. Диоды КД521В можно заменить на 1N4148. Возможные замены транзисторов: BD139 — на КТ817Г; BD140 — на КТ816Г. Мощные транзисторы 2SC5200, 2SA1943 заменимы на КТ8101, КТ8102; в крайнем случае возможно применение КТ819ГМ, КТ818ГМ. Катушка L1 — однослойная, с внутренним диаметром 10 мм, содержит 8 витков любого медного провода в лаковой изоляции диаметром по меди 0,7 мм.

Рис. 2(а,б)

Усилитель собран на печатной плате размерами 125×110 мм. Один из её вариантов показан на рис. 2,а, а соответствующее расположение деталей — на рис. 2,6. На плате предусмотрено место под вторую пару выходных транзисторов. Это может быть необходимо, например, при увеличении выходной мощности или при использовании менее мощных транзисторов. В целом усилитель не требует особого монтажа, следует лишь придерживаться общеизвестных правил. Провода подключения блока питания и нагрузки сечением не менее 2,5 мм2 должны быть свиты по всей длине с шагом 10… 15 мм, их монтируют без жгутов. Вход усилителя подключают экранированным проводом.

Мощные транзисторы устанавливают на теплоотвод с поверхностью около 800 см2 (в расчёте на один канал) через слюдяные прокладки. Для увеличения теплопроводности следует воспользоваться термопастой. Транзисторы VT12, VT13 также нужно устанавливать с небольшими теплоотводами площадью 10…15 см2. Транзистор VT7, используемый как термозависимый источник напряжения смещения, должен быть размещён рядом с корпусом одного из мощных транзисторов и иметь с ним хороший тепловой контакт. Усилитель желательно смонтировать на шасси из немагнитного металла, соединённого с общим проводом в одной точке.

После проверки правильности монтажа вход усилителя замыкают накоротко, движок подстроечного резистора R17 устанавливают в верхнее по схеме положение и к выходу подключают осциллограф. Вместо плавких вставок (предохранителей) впаивают токоограничивающие резисторы мощностью 1…2Вт сопротивлением 30… 50 Ом. Подав питание, проверяют отсутствие постоянного напряжения на выходе усилителя (допустимое значение ±15 мВ) и отсутствие самовозбуждения. Далее выпаивают защитные резисторы и устанавливают на свои места плавкие вставки. Затем под-строечным резистором R17 доводят ток покоя выходных транзисторов до 100 мА, ориентируясь по падению напряжения на резисторах R26, R27, равному 20 мВ. После прогрева усилителя в течение 10 мин подстраивают ток покоя. На этом налаживание можно считать законченным.

При выборе БП следует иметь в виду, что импульсный преобразователь в блоке, хотя и имеет меньшие габариты и вес, но является сильным источником помех в широкой полосе частот, борьба с которыми не всегда оправдана. Поэтому часто предпочтительней использовать обычный сетевой трансформатор с выпрямителем. Трансформатор должен иметь мощность не менее 150 Вт в расчёте на один канал, это способствует меньшей «просадке» напряжения питания на максимальной мощности усилителя. Диоды должны быть рассчитаны на прямой ток не менее 10 А, например, КД2999А, КД2999Б. Они имеют малое падение прямого напряжения, соответственно уменьшается тепловыделение и повышается КПД блока питания в целом.

При желании данный усилитель можно оснастить токовой защитой выходных транзисторов, например, описанной в статье П. Зуева «Усилитель с многопетлевой ООС» («Радио», 1984, № 11, с. 29-32; № 12, с. 42, 43).

Автор: В. Гречишкин, г. Богородицк, Тульская область

 

ТРАНЗИСТОР

Транзистор (от английских слов transfer — переносить и resistor — сопротивление) — электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний различных частот.

Изобретен в 1948 г. американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином.

Наиболее массовый транзистор представляет собой пластинку германия, кремния или другого полупроводника размером примерно 2×2 мм, обладающего электронной (п-ти-па) или дырочной (р-типа) электропроводностью, в объеме которой искусственно созданы две области, противоположные по электрической проводимости. Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два р-п перехода, каждый из которых обладает такими же электрическими свойствами, как и полупроводниковый диод. Если сама пластинка полупроводника обладает электропроводностью n-типа, а созданные в ней области — электропроводностью р-типа, такой транзистор будет структуры р-п-р. Если, наоборот, электропроводность пластинки р-типа, а электропроводность ее областей n-типа, структура такого транзистора п-р-п.

Независимо от структуры транзистора пластинку полупроводника называют базой Б, область меньшего объема — эмиттером Э, а область большего объема — коллектором К. Электронно-дырочный переход между коллектором и базой называют коллекторным, между эмиттером и базой — эмиттерным.

Условные графические изображения на схемах транзисторов разных структур независимо от технологии изготовления приборов отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая эмиттер, у транзистора структуры р-п-р обращена к базе, а у транзистора п-р-п — от базы. Стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.

Простейший усилитель колебаний звуковой частоты можно собрать по схеме, показанной на рис. 3. Зажимы «Вход», куда подводится усиливаемый сигнал, являются входом усилителя, а участок коллекторной цепи, в которую включены телефоны BF, — выходом усилителя. Транзистор VT включен по схеме общего эмиттера, т. е. способом, при котором эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей усилителя. Транзистор при таком включении обеспечивает наибольшее усиление сигнала.

Батарея GB напряжением 4,5—9 В служит источником питания транзистора. Поскольку в усилителе используется транзистор структуры р-п-р, батарея положительным полюсом соединена с эмиттером, а отрицательным — с коллектором (через телефоны). Между базой транзистора и минусовым проводником питания включен резистор R, сопротивление которого подбирают при налаживании усилителя (на схемах обозначают звездочкой). Через него на базу (относительно эмиттера) подается небольшое напряжение (для германиевых транзисторов 0,1—0,2 В, для кремниевых — 0,6—0,7 В), называемое напряжением смещения, которое открывает транзистор, устанавливая его в режим усиления. Без напряжения смещения транзистор искажает усиливаемый сигнал.

На вход усилителя можно включить звукосниматель электропроигрывающего устройства (см. Электрофон) и проиграть грампластинку. Слабый сигнал звуковой частоты, созданный звукоснимателем, транзистор усилит, и в телефонах на выходе усилителя достаточно громко мы услышим звуки мелодии или голос певца, записанные на грампластинку. Такой усилитель можно подключить к выходу простейшего радиоприемника — детекторного. И в этом случае транзистор усилит сигнал звуковой частоты, а телефоны преобразуют его в звуковые колебания.

Принципиально так работает и простейший усилитель радиочастоты. Только в этом случае транзистор должен быть высокочастотным, а его нагрузкой — резистор, высокочастотный трансформатор или .

Вполне вероятно, что транзистор усилителя может быть структуры п-р-п, надо только изменить полярность включения питающей его батареи.

Транзисторы структур р-п-р и п-р-п называют биполярными, так как в их работе участвуют и положительные носители тока — «дырки», и отрицательные — электроны. Наряду с биполярными транзисторами (их часто называют обычными) все большее распространение получают униполярные, в которых работают носители тока одного знака — только электроны или только «дырки». Управляет таким транзистором электрическое поле, создаваемое напряжением входного сигнала. Отсюда второе, наиболее распространенное название униполярных транзисторов — полевые.

К семейству транзисторов относятся также фототранзисторы, двухбазовые диоды и некоторые другие полупроводниковые приборы.

В микроэлектронике на одном кристалле полупроводника изготовляется большое количество транзисторов, составляющих интегральную микросхему.

  • Предыдущее: ТРАМПЛИН
  • Следующее: ТРАНЗИСТОР. История

Усилитель мощности Ultra-LD 200W (Часть II)

В первой части этого цикла статей мы представили принципиальную схему усилителя мощности Ultra-LD 200W. Подробно были рассмотрены схемотехнические и конструкторские приёмы, направленные на достижение, можно сказать, экстремально низких значений шума и искажений. Следует отметить, что усилитель выполнен по архитектуре Лина, но каждый узел в нём тщательно проработан и оптимизирован известным австралийским инженером Дугласом Селфом.

В этой части мы рассмотрим вопросы сборки усилителя. Хотя конструкция усилителя относительно простая, для получения заявленных параметров следует уделить особое внимание некоторым аспектам, на которых мы и остановимся подробно.

Для начала напомним принципиальную схему усилителя мощности Ultra-LD 200W:

Принципиальная схема усилителя (увеличение по клику)

 

Качество транзисторов

Чтобы получить от усилителя заявленные высокие параметры, в первую очередь необходимо использовать качественные комплектующие. Выходные транзисторы NJL3281D и NJL1302D должны иметь маркировку On Semiconductor, а малошумящие транзисторы 2SA970 — маркировку Toshiba. Остерегайтесь подделок!

Остальные транзисторы, используемые в усилителе, настоятельно рекомендуется применить от известных производителей, таких как Philips (NXP Semiconductors), On Semiconductor и ST Microelectronics. В крайнем случае постарайтесь найти качественные транзисторы хотя бы для драйверного каскада MJE15030 и MJE15031.

Печатная плата

Двухсторонняя печатная плата имеет размеры 135 × 115мм. Скачать чертёж в формате pdf. Расположение элементов показано на рисунке:

Печатная плата усилителя (увеличение по клику)

Оранжевым цветом показаны проводники с одной стороны платы, серым — проводники с нижней стороны платы.

Заметим, что рисунки и фото немного отличаются от чертежей печатных плат в архиве, так как усилитель подвергся нескольким модификациям. Было увеличено количество переходов между слоями платы, так как пиковые токи могут быть довольно высокими.

Плата усилителя с радиатором (увеличение по клику)

Кроме того, это снижает вероятность выгорания переходных отверстий на плате в случае выхода из строя элементов выходного каскада. В этом случае ремонт платы будет очень затруднителен.

Также были добавлены переходные отверстия для малосигнальных цепей, которые могут показаться избыточными, но служат для выравнивания потенциалов.

Наконец, на плате был добавлен резистор 1Вт мощностью 390Ом, обеспечивающий выход на наушники. Из-за чего 2-х контактный разъём CON3 был заменён на 3-х контактный клеммный блок.

Также было сделано несколько небольших изменений, чтобы улучшить расположение компонентов.

Сборка

Все свободные отверстия платы должны быть предварительно пропаяны, для обеспечения надёжного контакта проводников с нижней и верхней стороны печатной платы. Для этого можно использовать обрезки выводов радиоэлементов или заранее приготовленную облуженную проволоку. Некоторые элементы усилителя требуют пайки с двух сторон платы.

Сборку следует начать с установки указанных выше перемычек между слоями платы. Не забудьте про контактную площадку под пятиваттными резисторами в верхнем левом углу платы.

После это установите два диода 1N4148 (D1 и D2), затем резисторы (кроме мощных пятиваттных) и конденсаторы. Настоятельно рекомендуем вам  проверять сопротивление каждого резистора с помощью цифрового мультиметра перед его установкой.

Убедитесь, что диоды и электролитические конденсаторы установлены с правильной полярностью. 

Пока лучше не устанавливать два электролитических конденсатора по 1000мкФ, чтобы облегчить монтаж транзисторов Q10 и Q11.

Напомним, что конденсатор емкостью 100пФ в цепи коллектора транзистора Q9 должен быть рассчитан на напряжение 100В.  Как вариант, можно использовать довольно распространённые высоковольтные конденсаторы на 3кВ.

После этого можно установить мощные резисторы. Их выводы следует согнуть под углом 90°  на расстоянии примерно 5мм от корпуса. Для обеспечения эффективного охлаждения не нужно их прижимать плотно к печатной плате. Следует обеспечить зазор не менее 1,5мм (при пайке подложите под них спичку). Смонтируйте резисторы так, чтобы надписи на них были на верхней стороне и сориентированы в одну сторону (как показано на фото). Это существенно облегчит проверку и ремонт усилителя.

Установите держатели для предохранителей. Следите, чтобы их ограничители были направлены в нужную сторону.

Малосигнальные транзисторы

Теперь можно установить на плату транзисторы в корпусах TO-92 —  2SA970s, BC546s, BC556s и BC639. Они обычно имеют прямые выводы, поэтому предварительно их надо сформировать. Как это сделать, показано на фото:



Если всё сделано правильно, между корпусами транзисторов и печатной платой должно быть 4мм. Транзисторы Q1 и Q2, Q3 и Q4, и Q5 и Q6 должны быть установлены плоской стороной корпуса друг к другу.

Транзисторы в корпусах TO-126 Q7 и Q9, предварительно крепятся на U-образные небольшие радиаторы TO-220, прежде чем они будут запаяны в печатную плату.

Важно центрировать эти радиаторы так, чтобы их рёбра не касались соседних элементов, а также соблюдать осторожность при настройке и проверке усилителя, чтобы случайно их не замкнуть щупами измерительного прибора.

Дроссель выходного фильтра

Дроссель выходного фильтра изготавливается из эмалированного медного провода диаметром 1мм и длиной 1,5м. Провод следует намотать на каркас с внутренним диаметром 10мм с диаметром «щёчек» 20мм. При равномерной намотке виток к витку у вас должно получиться 25 с половиной витков.  Сверху зафиксировать намотку можно с помощью изоленты или термоусадочной трубки. Будьте осторожны при усадке термоизоляции, так как высокие температуры могут повредить или деформировать каркас катушки.



Готовая катушка должна быть плотно установлена на печатную плату без зазоров. Перед этим необходимо зачистить от лака концы медной проволоки.

Подсказка: в качестве каркаса для катушки удобно использовать шпульки для швейных машин, которые легко найти в соответствующих магазинах.

Радиатор

Как показано на фотографиях, транзисторы драйверного и выходного каскадов смонтированы на большом ребристом радиаторе размерами: 200 × 75 × 48мм (L × H × D).

Для такого радиатора авторы дают два варианта крепления транзисторов.

В первом случае отверстия диаметром 3мм сверлятся насквозь и попадают между рёбрами радиатора. Транзисторы в этом случае крепятся с помощью винтов и гаек. Но! В этом случае нарушается эстетика конструкции — плату придётся сместить на 1 см в сторону и она будет расположена несимметрично относительно радиатора.

Во втором случае плата будет расположена симметрично, но отверстия попадают на ребра и просверлить их насквозь будет проблематично, да и внешний вид радиатора пострадает. Это особенно недопустимо, если радиаторы будут использоваться как боковые стенки усилителя. В этом случае придётся просверлить глухие отверстия диаметром 2,5мм и нарезать в них резьбу М3. Гайки в таком случае не потребуются.

Радиатор выходных транзисторов (Увеличение по клику)

На чертеже даны размеры для обоих вариантов. Выбор за вами.

После подготовки отверстий начните монтаж с установки транзисторов Q10 и Q11. Не забудьте, что они должны быть изолированы от радиатора — потребуются изоляционные прокладки и втулки (и то, и другое можно добыть из неисправных компьютерных блоков питания). Заверните крепящие транзисторы винты, но не затягивайте до конца. Вставьте выводы транзисторов в отверстия печатной платы, отрегулируйте их положение.

Монтаж транзисторов выходного каскада

Теперь можно установить четыре выходных транзистора (Q12 — Q15). Почему у них больше трёх выводов, читайте в первой части статьи. Эти транзисторы также должны быть изолированы от радиатора с помощью силиконовых изоляционных прокладок.

Начните с установки Q12. Вставьте выводы транзистора в отверстия печатной платы, отогните на себя, вставьте крепежные винт, оденьте на него силиконовую прокладку. Теперь можно заворачивать винт в радиатор. Аналогично крепятся остальные транзисторы.

Слегка прихватите припоем крайние выводы транзисторов Q12 и Q15. Отрегулируйте плату так, чтобы она плотно прижималась к радиатору, расстояние от платы до нижней грани радиаторы было 10мм, а от краёв платы до краёв радиатора по 32,5мм. Также проверьте, что плата расположена под углом 90° к радиатору и не провисает под собственным весом.

Если всё нормально, можно пропаять выводы транзисторов и только после этого затянуть винты, крепящие транзисторы. Если отверстия вашей платы не металлизированные, то выводы транзисторов придётся пропаять с двух сторон.

Обязательно проверьте мультиметром отсутствие короткого замыкания между коллекторами транзисторов и радиатором. При обнаружении замыкания проверьте и, при необходимости, замените изоляционную прокладку. Так как выходные транзисторы включены параллельно, для локализации места замыкания придётся откручивать от радиатора все по очереди.

Установите два электролитических конденсатора емкостью 1000мкФ 63 В и винтовые клеммы CON1 — CON3.

На этом сборка усилителя закончена.

Продолжение следует…

Статья подготовлена по материалам журнала «Практическая электроника каждый день»

Авторы: Лео Симпсон и Джон Кларк

Вольный перевод: Главный редактор «РадиоГазеты»

Похожие статьи:


Цепь с общим эмиттером – анализ измерительного прибора

Электронные транзисторы – это небольшие устройства, которые используются для управления протеканием тока в цепи.

Транзистор — очень важный электронный компонент, используемый в цепях, поскольку его можно модифицировать, чтобы он действовал как другие электронные компоненты, такие как переключатель, осциллятор и т. д.

Таким же образом мы можем использовать транзистор в качестве усилителя. Он используется, когда входной сигнал в цепи слабый.

Мы написали подробное и понятное руководство по электронному транзистору и работе с транзистором.Мы рекомендуем вам ознакомиться с этими статьями, прежде чем читать дальше.

Итак, здесь, в этой статье, мы собираемся объяснить Транзистор как усилитель.

Транзистор в качестве усилителя

Транзисторный усилитель представляет собой устройство, в котором мы конфигурируем транзистор NPN в конфигурации транзистора с общим эмиттером.

Транзисторная схема, которая может повысить силу входного сигнала в цепи, известна как транзисторный усилитель. Он также известен как транзистор с общим эмиттером или усилитель.

Объяснение работы транзисторного усилителя требует знаний об усилении и усилителе. Я настоятельно рекомендую прочитать наши статьи по теории схем усилителей. Устройство транзисторного усилителя

На приведенной выше схеме показано базовое расположение транзистора NPN в качестве транзисторного усилителя.

Как показано на рисунке выше, мы подаем входной сигнал, который имеет слабую силу, между переходом эмиттер-база и принимает выход через нагрузку R c , включенную в коллекторную цепь.

Для максимального усиления всегда убедитесь, что входная цепь смещена в прямом направлении, а выходная цепь смещена в обратном направлении.

Для этой цели мы подаем напряжение постоянного тока, т. е. В EE , во входную цепь в дополнение к сигналу, как показано на рисунке выше.

Это напряжение постоянного тока известно как напряжение смещения, и его величина такова, что оно всегда поддерживает прямое смещение входной цепи, несмотря на полярность сигнала.

Поскольку мы знаем, что входная цепь имеет низкое сопротивление, небольшое изменение напряжения сигнала, происходящее на входной цепи, приводит к заметному изменению тока эмиттера.

Из-за работы транзистора изменение тока эмиттера вызывает аналогичное изменение в цепи коллектора.

Теперь ток коллектора, протекающий через высокое сопротивление нагрузки R c , создает на нем большое напряжение.

Итак, слабый сигнал, подаваемый во входную цепь, проявляется в усиленном виде в коллекторной цепи. Таким образом, транзистор действует как усилитель.

Рекомендуем прочесть: Работа схемы транзисторного генератора и объяснение

Работа усилителя с общим эмиттером

Как правило, в большинстве электронных схем мы используем наиболее распространенную конфигурацию схемы для NPN-транзистора i.е. Схема усилителя с общим эмиттером.

Смещение транзисторного усилителя:

Рассмотрим схему однокаскадного усилителя с общим эмиттером. Это также широко известно как схема смещения делителя напряжения.

Эта система смещения в основном использует два резистора в качестве сети делителя напряжения поперек источника питания, с их центральной точкой он подает требуемое базовое напряжение смещения на транзистор. Этот тип смещения обычно используется при разработке схем усилителей на биполярных транзисторах.

 В этом типе смещения транзистор значительно снижает влияние коэффициента усиления тока β, удерживая базовое смещение на постоянном постоянном уровне напряжения и обеспечивая точную стабильность.

Базовое напряжение V b рассчитывается с помощью сети делителя потенциала, образованной двумя резисторами, и напряжения источника питания V cc .        Схема усилителя с общим эмиттером Схема

Как показано на рисунке выше, полное сопротивление равно сумме двух сопротивлений, т.е.е. Р 1 и Р 2 .

Уровень напряжения, генерируемый на соединении резисторов R 1 и R 2 , удерживает базовое напряжение постоянным на уровне ниже напряжения питания.

Опорное напряжение смещения можно рассчитать с помощью простой формулы делителя напряжения: то же напряжение питания также определяет максимальный ток коллектора при переключении транзистора «Полностью включен» i.е. в режиме насыщения.

Примечание: β имеет без единиц измерения , так как это фиксированное отношение двух токов, I c и I b , поэтому небольшое изменение тока базы вызовет большое изменение тока коллектора .

Характеристики транзистора с общим эмиттером

Как и другие транзисторы, транзистор CE также имеет различные характеристики, такие как коэффициент усиления, сопротивление, импеданс и т. д. В этом разделе мы будем отношение изменения входного напряжения к изменению выходного напряжения усилителя.Рассмотрим V из как Δ V L , а V из как Δ V B. излучатель в виде:

напряжение Gain = V из / V в

= Δ V л / Δ V B

= — Р л / Р Е

С помощью приведенного выше уравнения вы можете легко рассчитать коэффициент усиления по напряжению для схемы с общим эмиттером.

Как мы знаем, биполярные транзисторы также имеют небольшое внутреннее сопротивление, встроенное в их эмиттерную область, то есть R e . Когда внутреннее сопротивление эмиттера включено последовательно с внешним сопротивлением, модифицированное уравнение коэффициента усиления по напряжению дается следующим образом:

На низких частотах полное сопротивление в цепи эмиттера равно сумме внутреннего сопротивления и внешнего сопротивления, т.е.е. R E + R e

Для этой схемы усилителя с общим эмиттером усиление по напряжению на высоких и низких частотах определяется как:

На высоких частотах:

дается как:

Коэффициент усиления по напряжению = – R L / R E

На низкой частоте:

Коэффициент усиления по напряжению на низкой частоте определяется как:

2 900 / (R E + R e )

С помощью этих формул вы можете легко рассчитать коэффициент усиления по напряжению схемы усилителя.

Пример

Действие транзистора в качестве усилителя может быть более наглядным, если мы рассмотрим типовые значения схемы. Рассмотрим значение сопротивления нагрузки коллектора = 4 кОм. Теперь предположим, что изменение напряжения сигнала на 0,1 В приводит к изменению тока эмиттера на 1 мА.

Из-за работы транзистора очевидно, что изменение тока эмиттера равно изменению тока коллектора. Следовательно, изменение тока коллектора также будет примерно на 1 мА.

Этот ток коллектора, протекающий через нагрузку коллектора R c , создает напряжение, равное 4 кОм x 1 мА = 4 В. Таким образом, изменение сигнала на 0,1 В вызвало изменение выходной цепи на 4 В.

Следовательно, вы можете видеть, что транзистор смог повысить уровень напряжения сигнала с 0,1 В до 4 В, т. е. усиление напряжения в цепи равно 40.

Применение усилителя с общим эмиттером

используется для усиления сигнала.Наиболее распространенные применения:

  1. Коэффициент усиления по току усилителя CE больше, чем коэффициент усиления по напряжению. Поэтому они используются в качестве усилителя тока.
  2. В радиочастотных схемах.
  3. В цепях с более низкими значениями шума и его усиления.

Надеюсь, вам понравилась эта статья. Для любых предложений, пожалуйста, прокомментируйте ниже. Мы всегда ценим ваши предложения.

Поваренная книга биполярных транзисторов — часть 3


В прошлый раз в этой серии я описал практические способы использования биполярных транзисторов в полезных схемах с общим коллектором (повторители напряжения), включая драйверы реле, генераторы постоянного тока, линейные усилители и дополнительные эмиттерные повторители.Эта статья движется дальше и показывает различные способы использования биполярных транзисторов в простых, но полезных конфигурациях с общим эмиттером и общей базой.

ЦЕПИ УСИЛИТЕЛЯ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

Усилитель с общим эмиттером (также известный как схема с общим заземлением или заземленным эмиттером) имеет среднее значение входного импеданса и обеспечивает значительное усиление напряжения между входом и выходом. Вход схемы подается на базу транзистора, а выход берется с его коллектора — основные принципы работы схемы были кратко описаны во вступительной части этой серии из восьми частей.Усилитель с общим эмиттером может использоваться в самых разных цифровых и аналоговых усилителях напряжения. Этот раздел серии Cookbook начинается с рассмотрения «цифровых» прикладных схем.

ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ

На рис. 1 показан простой цифровой npn-усилитель, инвертор или переключатель с общим эмиттером, в котором входной сигнал имеет либо нулевое значение напряжения, либо значительное положительное значение, и подается на базу транзистора через последовательный резистор R b , а выходной сигнал снимается с коллектора транзистора.Когда вход равен нулю, транзистор отключается, а выход имеет полное положительное значение шины питания. Когда на входе высокий уровень, транзистор смещен, и ток коллектора протекает через резисторы R L , что приводит к низкому уровню на выходе. Если входное напряжение достаточно велико, транзистор Q1 полностью открыт, а выходной сигнал падает до значения «насыщения» в несколько сотен мВ. Таким образом, выходной сигнал представляет собой усиленную и инвертированную версию входного сигнала.

РИСУНОК 1. Цифровой инвертор/переключатель (npn)


In Рисунок 1 , резистор R b ограничивает входной базовый ток до безопасного значения.Входной импеданс схемы немного больше значения R b , что также влияет на время нарастания и спада выходного сигнала — чем больше значение R b , тем хуже они становятся. Эту загвоздку можно преодолеть, шунтировав R b «ускоряющим» конденсатором (обычно около 1n0), как показано на схеме пунктиром. На практике R b должно быть как можно меньше, в соответствии с требованиями безопасности и входного сопротивления, и не должно превышать R L x h fe .

На рис. 2 показана pnp-версия схемы цифрового инвертора/переключателя. Q1 полностью включается, его выходной сигнал на несколько сотен мВ ниже положительного значения источника питания, когда на входе нулевое напряжение, и выключается (с его выходным сигналом, равным 0 вольт), когда входной сигнал поднимается менее чем на 600 мВ от положительного источника питания. железнодорожное значение.

РИСУНОК 2. Цифровой инвертор/переключатель (pnp)


Чувствительность схемы , рис. 1 и 2, можно повысить, заменив Q1 парой транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона или суперальфа.В качестве альтернативы, неинвертирующий цифровой усилитель/переключатель с очень высоким коэффициентом усиления может быть изготовлен с использованием пары транзисторов, соединенных любым из способов, показанных на рисунках 3 или 4 .

В схеме Рисунок 3 используются два транзистора npn. Когда на входе нулевое напряжение, Q1 отключается, поэтому Q2 полностью включается через R2, а выход низкий (насыщенный). Когда вход «высокий», Q1 приводится в состояние насыщения и снижает базовое напряжение Q2 до уровня менее 600 мВ, поэтому Q2 отключается, а на выходе высокий уровень (на уровне V+).

РИСУНОК 3. Неинвертирующий цифровой усилитель/переключатель с очень высоким коэффициентом усиления на транзисторах npn


В схеме Рисунок 4 используется один транзистор npn и один транзистор pnp. Когда на входе ноль вольт, Q1 отключается, поэтому Q2 также отключается (через R2-R3), а на выходе ноль вольт. Когда вход «высокий», Q1 включается и переводит Q2 в состояние насыщения через R3. В этом случае выход принимает значение на несколько сотен мВ ниже положительного значения шины питания.

РИСУНОК 4. Альтернативный неинвертирующий цифровой усилитель/переключатель, использующий пару транзисторов npn-pnp


Рисунок 5 показывает (в базовой форме), как можно использовать дополнительную пару цепей Рисунок 4 для создания сети управления направлением вращения двигателя постоянного тока с использованием двойного источника питания. Схема работает следующим образом.

РИСУНОК 5. Цепь управления направлением вращения двигателя постоянного тока


Когда SW1 установлен в положение «Вперед», Q1 включается через R1 и тянет Q2 через R3, но Q3 и Q4 отключаются.Таким образом, «живая» сторона двигателя соединяется (через Q2) с положительной шиной питания в этом состоянии, и двигатель вращается в прямом направлении.

Когда SW1 установлен в положение «Выкл.», все четыре транзистора отключены, и двигатель не работает.

Когда SW1 установлен в положение «Reverse», Q3 смещается через R4 и подтягивает Q4 через R6, но Q1 и Q2 отключаются. Таким образом, «живая» сторона двигателя соединяется (через Q4) с отрицательной шиной питания в этом состоянии, и двигатель вращается в обратном направлении.

РЕЛЕ ДРАЙВЕРЫ

Базовые цифровые схемы на рисунках с 1 по 4 могут использоваться в качестве эффективных драйверов реле, если они снабжены подходящими схемами диодной защиты. На рисунках с 6 по 8 показаны примеры таких схем.

Схема Рис. 6 повышает чувствительность реле по току примерно в 200 раз (= коэффициент усиления по току транзистора Q1) и значительно повышает его чувствительность по напряжению. R1 обеспечивает защиту базового диска и при желании может быть больше 1k0.Реле включается положительным входным напряжением.

РИСУНОК 6. Простая схема управления реле


Чувствительность реле по току можно увеличить примерно в 20 000 раз, заменив Q1 парой транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона. На рис. 7 показан этот метод, используемый для создания цепи, которая может быть активирована путем размещения сопротивления менее 2 МОм на паре щупов из нержавеющей стали. Сопротивление контактов воды, пара и кожи ниже этого значения, поэтому эту простую небольшую схему можно использовать как релейный переключатель, активируемый водой, паром или касанием.

РИСУНОК 7. Сенсорный, водяной или паровой релейный переключатель


Рисунок 8 показывает еще один сверхчувствительный драйвер реле, основанный на схеме Рисунок 4 , которому требуется входное напряжение всего 700 мВ при 40 мкА для активации реле. Резистор R2 обеспечивает полное отключение Q1 и Q2 при разомкнутой цепи входных клемм.

РИСУНОК 8. Сверхчувствительный драйвер реле (требуется вход 700 мВ при 40 мкА)


ЛИНЕЙНЫЕ ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ

Схема с общим эмиттером может быть использована в качестве линейного усилителя переменного тока путем подачи постоянного тока смещения на его базу, так что его коллектор принимает стационарное значение напряжения половинного питания (чтобы компенсировать максимальные неискаженные колебания выходного сигнала), а затем подавая входной сигнал переменного тока к его базе и получение выходного переменного тока от его коллектора (как показано на рис. 9 ).

РИСУНОК 9. Простой усилитель с общим эмиттером npn


Первым шагом при проектировании схемы базового типа Рисунок 9 является выбор номинала нагрузочного резистора R2. Чем ниже это значение, тем выше будет верхняя частота среза усилителя (из-за меньшего шунтирующего влияния паразитной емкости на эффективное сопротивление нагрузки), но тем выше будет рабочий ток Q1 в состоянии покоя. На диаграмме R2 имеет компромиссное значение 5k6, что дает верхнюю частоту «3 дБ вниз» около 120 кГц и потребление тока покоя 1 мА от источника питания 12 В.

Чтобы сместить выход схемы Рис. . Формула для входного импеданса схемы (с учетом базы Q1) и коэффициента усиления по напряжению приведены на диаграмме. В показанном примере входной импеданс составляет примерно 5 кОм и шунтирован резистором R1 — коэффициент усиления по напряжению составляет около х200, или 46 дБ.

Точка покоя схемы зависит от значения h fe Q1.Эту слабость можно преодолеть, изменив схему, как показано на рис. Действие обратной связи таково, что любой сдвиг выходного уровня (из-за изменений h fe , температуры или значений компонентов) вызывает встречное изменение уровня смещения базового тока, таким образом стремясь отменить первоначальный сдвиг.

РИСУНОК 10. Усилитель с общим эмиттером со смещением обратной связи


Схема (рис. 10, ) имеет те же значения полосы пропускания и усиления по напряжению, что и схема (рис. 9, ), но имеет более низкое общее значение входного сопротивления. Это связано с тем, что действие обратной связи по переменному току уменьшает кажущийся импеданс резистора R1 (который шунтирует базовое сопротивление транзистора Q1 5 кОм) в 200 раз (= A В ), что дает общее входное сопротивление 2 кОм. При желании эффект шунтирования цепи смещения можно устранить, используя два резистора обратной связи и развязав их по переменному току, как показано на рис. 11 .

РИСУНОК 11. Усилитель со смещением обратной связи с развязкой по переменному току


Наконец, максимальная стабильность смещения обеспечивается схемой «смещения делителя потенциала» Рис. 12 . Здесь делитель потенциала R1-R2 устанавливает напряжение покоя, немного превышающее V+/3 на базе Q1, а действие повторителя напряжения приводит к тому, что на эмиттере Q1 появляется на 600 мВ меньше, чем это напряжение. Таким образом, V+/3 вырабатывается на эмиттерном резисторе R3 5k6, и (поскольку токи эмиттера и коллектора Q1 почти идентичны) аналогичное напряжение падает на R4, который также имеет значение 5k6, тем самым устанавливая коллектор на значение покоя 2V+. /3.R3 развязан по переменному току через C2, и схема обеспечивает усиление переменного напряжения 46 дБ.

РИСУНОК 12. Усилитель со смещением делителя напряжения


ВАРИАНТЫ ЦЕПИ

На рисунках с 13 по 16 показаны некоторые полезные варианты усилителей с общим эмиттером. На рис. 13 показана базовая конструкция, показанная на рис. 12, модифицированная для получения коэффициента усиления по переменному напряжению в 10 раз — коэффициент усиления фактически равен значению нагрузки коллектора R4, деленному на эффективное значение импеданса «эмиттера», которое в данном случае (поскольку R3 развязан последовательным -соединенные C2-R5) равняется значению импеданса перехода база-эмиттер, включенному последовательно с параллельными значениями R3 и R5, и составляет примерно 560 Ом, что дает усиление по напряжению в 10 раз.Альтернативные значения усиления можно получить, изменив значение R5.

РИСУНОК 13. Усилитель с общим эмиттером с фиксированным коэффициентом усиления (x10)


На рис. 14 показан полезный вариант вышеуказанной конструкции. В этом случае R3 равен R4 и не развязан, поэтому схема дает единичный коэффициент усиления по напряжению. Обратите внимание, однако, что эта схема дает два выходных сигнала с единичным усилением: выход эмиттера находится в фазе со входом, а сигнал коллектора — в противофазе.Таким образом, эта схема действует как фазовращатель с единичным усилением.

РИСУНОК 14. Фазоделитель с единичным усилением


На рис. 15 показан другой способ изменения коэффициента усиления схемы. Эта конструкция дает высокий коэффициент усиления по напряжению между коллектором Q1 и базой, но R2 обеспечивает обратную связь по переменному току с базой, а R1 подключается последовательно между входным сигналом и базой Q1 — чистый эффект заключается в том, что усиление схемы по напряжению (между входом и выходом) равно R2/R1, и в данном конкретном случае получается x10.

РИСУНОК 15. Альтернативный усилитель с фиксированным коэффициентом усиления (x10)


Наконец, Рисунок 16 показывает, как можно изменить конструкцию Рисунок 10 , чтобы обеспечить широкополосную работу путем подключения эмиттерного повторителя с буфером Q2 со связью по постоянному току между коллектором Q1 и выходной клеммой, чтобы свести к минимуму шунтирующие эффекты рассеяния емкость на R2 и, таким образом, расширить верхнюю полосу пропускания до нескольких сотен кГц.

РИСУНОК 16. Широкополосный усилитель


СХЕМЫ С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ

Однокаскадная схема усилителя с общим эмиттером не может обеспечить коэффициент усиления по напряжению намного больше 46 дБ при использовании резистивной нагрузки коллектора — если требуется более высокий коэффициент усиления, следует использовать многокаскадную схему. На рисунках с 17 по 19 показаны три полезных конструкции двухтранзисторных усилителей напряжения с высоким коэффициентом усиления.

Схема Рисунок 17 действует как пара усилителей с общим эмиттером с прямой связью, при этом выход Q1 подается непосредственно на базу Q2, и дает общий коэффициент усиления по напряжению 76 дБ (около x6150) и верхнюю частоту -3 дБ 35 кГц.Обратите внимание, что резистор смещения обратной связи R4 питается от развязанного по переменному току эмиттера транзистора Q2 (который «следует» за напряжением покоя коллектора Q1), а не напрямую от коллектора Q1, и, таким образом, цепь смещения эффективно развязана по переменному току.

РИСУНОК 17. Двухкаскадный усилитель с высоким коэффициентом усиления


Рисунок 18 показывает альтернативный вариант вышеупомянутой конструкции, использующий выходной каскад pnp — его производительность такая же, как у Рисунок 17 .

РИСУНОК 18. Альтернативный двухкаскадный усилитель с высоким коэффициентом усиления


Схема Рисунок 19 дает усиление по напряжению около 66 дБ. Q1 представляет собой усилитель с общим эмиттером с разделенной нагрузкой коллектора (R2-R3), а Q2 является эмиттерным повторителем и подает свой выходной сигнал переменного тока обратно на переход R2-R3 через C3, тем самым «самозагружая» значение R3 (как описано выше). в выпуске за последний месяц), так что он действует как высокое сопротивление переменного тока. Таким образом, Q1 дает очень высокий коэффициент усиления по напряжению.Полоса пропускания этой схемы простирается примерно до 32 кГц, но ее входное сопротивление составляет всего 330 Ом.

РИСУНОК 19. Усилитель с высоким коэффициентом усиления


СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЯ С ОБЩИМ ОСНОВАНИЕМ

В так называемом транзисторном усилителе с общей базой входной сигнал подается на эмиттер транзистора, а выходной сигнал снимается с коллектора транзистора. Усилитель с общей базой имеет очень низкий входной импеданс, дает близкое к единице усиление по току и высокое усиление по напряжению и используется в основном в широкополосных или высокочастотных усилителях напряжения. На рис. 20 показан пример усилителя с общей базой, дающего хороший широкополосный отклик.

РИСУНОК 20. Усилитель с общей базой


Цепь Рисунок 20 смещена так же, как Рисунок 12 . Однако обратите внимание, что база развязана по переменному току через C1, а входной сигнал подается на эмиттер через C3. Схема имеет очень низкий входной импеданс (равный входному сопротивлению перехода база-эмиттер транзистора Q1 с прямым смещением), дает такой же коэффициент усиления по напряжению, как и усилитель с общим эмиттером (около 46 дБ), обеспечивает нулевой фазовый сдвиг между входом и выходом и имеет полоса пропускания -3 дБ, простирающаяся до нескольких МГц.

На рис. 21 показан превосходный широкополосный усилитель — схема «каскода», которая обеспечивает преимущества широкой полосы пропускания усилителя с общей базой вместе со средним входным сопротивлением усилителя с общим эмиттером. Это достигается последовательным подключением Q1 и Q2, при этом Q1 подключается в режиме с общей базой, а Q2 — в режиме с общим эмиттером.

РИСУНОК 21. Широкополосный каскодный усилитель


Входной сигнал подается на базу Q2, который использует эмиттер Q1 в качестве нагрузки коллектора и, таким образом, дает единичное усиление по напряжению и очень широкую полосу пропускания, а Q1 дает усиление по напряжению около 46 дБ.Таким образом, полная схема имеет входное сопротивление около 1 кОм, коэффициент усиления по напряжению 46 дБ и полосу пропускания -3 дБ, которая простирается до нескольких МГц.

На рис. 22 показан близкий родственник усилителя с общей базой — фазовращатель с «длиннохвостой парой», который дает пару противофазных выходных сигналов при работе от несимметричного входного сигнала. Q1 и Q2 имеют общий эмиттерный резистор («хвост»), а точка смещения цепи устанавливается через RV1, так что два транзистора пропускают почти одинаковые токи коллектора (что дает нулевую разницу между двумя напряжениями коллектора) в условиях покоя.

РИСУНОК 22. Фазоделитель «Длиннохвостая пара»


База Q1 заземлена по переменному току через C1, а входные сигналы переменного тока подаются на базу Q2 через C2. Схема действует следующим образом.

Предположим, что на базу Q2 подается синусоидальный входной сигнал. Q2 действует как инвертирующий усилитель с общим эмиттером, и когда сигнал поднимает его базу вверх, его коллектор неизбежно отклоняется вниз, и наоборот. Одновременно эмиттер Q2 «следует» за входным сигналом, и по мере увеличения напряжения на его эмиттере он неизбежно уменьшает смещение база-эмиттер Q1, тем самым увеличивая напряжение коллектора Q1 и т. д.

Таким образом,

Q1 работает в режиме с общей базой и дает такой же коэффициент усиления по напряжению, что и Q2, но обеспечивает неинвертирующее действие усилителя. Таким образом, эта схема «фазоделителя» генерирует пару сбалансированных противофазных выходных сигналов с несимметричного входа.

Наконец, . На рис. 23 показано, как описанная выше схема может работать в качестве дифференциального усилителя, дающего пару противофазных выходных сигналов, которые пропорциональны разнице между двумя входными сигналами — если на оба входа подаются одинаковые сигналы. , схема (в идеале) даст нулевой выход.

РИСУНОК 23. Простой дифференциальный усилитель или пара с длинными хвостами


Второй входной сигнал подается на базу Q1 через C1, а «хвост» R7 обеспечивает связь между двумя транзисторами. НВ


Транзисторный усилитель: теория, работа, принципиальная схема

Усиление — это процесс преобразования слабого сигнала в больший. В системах управления усилители используются для увеличения токов и напряжений небольших сигналов, чтобы они могли выполнять полезную работу.

Усиление достигается за счет использования небольшого входного сигнала для управления выходной энергией от более крупного источника, например источника питания.

Усиление осуществляется транзисторами и операционными усилителями (ОУ). Усилители необходимы для усиления эффекта небольшого изменения напряжения. Ток и сопротивление вырабатываются входными датчиками.

Усиление усилителя

Основной задачей усилителя является усиление.Усиление — это отношение амплитуды выходного сигнала к амплитуде входного сигнала.

При определении коэффициента усиления усилитель можно рассматривать как черный ящик. Сигнал, подаваемый на вход черного ящика, приводит к выходу из ящика. Математически коэффициент усиления можно найти, разделив выход на вход:

\[Gain=\frac{Output}{Input}\]

Часто один усилитель не обеспечивает достаточного усиления для увеличения выходного сигнала до необходимой амплитуды. . В таком случае для получения требуемого коэффициента усиления можно использовать два или более усилителей.См. рис. 1.

Например, , усилитель A имеет коэффициент усиления 10, а усилитель B имеет коэффициент усиления 10. Суммарный коэффициент усиления двух усилителей равен 100 (10 × 10 = 100). Если бы коэффициенты усиления усилителей были равны 8 и 9 соответственно, общий коэффициент усиления составил бы 72 (8 × 9 = 72).

Усилители, подключенные таким образом, называются каскадными усилителями . Для многих усилителей коэффициент усиления исчисляется сотнями или даже тысячами.

Рис. 1. Добавление усилителей для получения требуемого усиления, если один усилитель не обеспечивает достаточного усиления для увеличения выходного сигнала до необходимой амплитуды.

Примечание: Коэффициент усиления представляет собой отношение выходного сигнала к входному и не имеет единиц измерения, таких как вольты или амперы. Поэтому термин усиление используется для описания усиления по току, усиления по напряжению и усиления по мощности. В каждом случае результат просто сравнивается с вводом.

Теория транзисторного усилителя

Транзисторы могут использоваться в качестве устройств усиления переменного тока. Транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, которое регулирует ток через устройство в зависимости от величины напряжения, приложенного к базе.Транзисторы двухполярные, приборы .

Биполярное устройство — это устройство, в котором и дырки, и электроны используются в качестве внутренних носителей для поддержания тока. Транзисторы могут быть транзисторами PNP или NPN.

Транзистор PNP состоит из тонкого слоя материала N-типа, помещенного между двумя слоями материала P-типа. Транзистор NPN состоит из тонкого слоя материала P-типа, помещенного между двумя слоями материала N-типа.См. рис. 2.

Рис. 2. Обозначение транзистора PNP и обозначение транзистора NPN

Выводы транзистора: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Символы транзисторов PNP и NPN показывают эмиттер, базу и коллектор в одних и тех же местах. Разница в выводах заключается в направлении, в котором указывает стрелка излучателя.

В обоих случаях стрелка указывает от материала P-типа к материалу N-типа.

Схема транзисторного усилителя

Три основных транзисторных усилителя: с общим эмиттером, с общей базой и с общим коллектором .См. рис. 3.

Каждый усилитель назван в честь транзисторного соединения, которое является общим как для входа, так и для нагрузки. Например, , вход схемы с общим эмиттером находится между базой и эмиттером, а нагрузка — между коллектором и эмиттером. Таким образом, эмиттер является общим для входа и нагрузки.

Рис. 3. Принципиальная схема трех основных транзисторных усилителей: транзисторный усилитель с общим эмиттером, транзисторный усилитель с общей базой и транзисторный усилитель с общим коллектором.

Транзисторы изготавливаются с двумя или тремя выводами, выходящими из корпуса. См. рис. 4. Эти пакеты принимаются во всей отрасли независимо от производителя.

Когда необходимо использовать транзистор определенной формы, для справки используется номер схемы транзистора (TO).

Контурный номер транзистора (TO) — это число, определяемое изготовителем и представляющее форму и конфигурацию транзистора. См. рис. 5.

Контурные номера транзисторов определяются отдельными производителями.Примечание: вид снизу транзистора ТО-3 показывает только два вывода (клеммы). Обычно транзисторы используют металлический корпус в качестве вывода коллектора.

Рисунок 4 . Транзисторы имеют два или три вывода, отходящих от корпуса.

Рис. 5. Контурный номер транзистора (ТО) — это число, определяемое производителем и представляющее форму и конфигурацию транзистора.

Смещение транзистора

В любой транзисторной схеме переход база/эмиттер всегда должен быть смещен в прямом направлении, а переход база/коллектор всегда должен быть смещен в обратном направлении.См. рис. 6.

Внешнее напряжение (напряжение смещения) подключается так, что положительный вывод соединяется с материалом P-типа (база), а отрицательный вывод соединяется с материалом N-типа (эмиттер). Эта компоновка смещает вперед переход база/эмиттер.

Ток течет от эмиттера к базе. Действие, которое имеет место, такое же, как действие, которое происходит для полупроводникового диода с прямым смещением.

В любой транзисторной схеме переход база/коллектор всегда должен быть смещен в обратном направлении.Внешнее напряжение подключается так, что отрицательный вывод подключается к материалу P-типа (база), а положительный вывод подключается к материалу N-типа (коллектор). Эта компоновка смещает в обратном направлении переход база/коллектор.

Во внешней цепи протекает очень небольшой ток (ток утечки). Действие, которое имеет место, такое же, как действие, которое происходит для полупроводникового диода при приложении обратного смещения.

Рисунок 6. В транзисторной схеме переход база/эмиттер всегда должен быть смещен в прямом направлении, а переход база/коллектор всегда должен быть смещен в обратном направлении.

Протекание тока через транзистор

Отдельные PN-переходы можно использовать в сочетании с двумя схемами смещения. Переход база/эмиттер смещен в прямом направлении, а переход база/коллектор смещен в обратном направлении. Такое расположение цепей приводит к совершенно другому пути тока, чем путь, который возникает, когда отдельные цепи смещаются по отдельности.См. рис. 7.

Прямое смещение цепи база/эмиттер заставляет эмиттер вводить электроны в обедненную область между эмиттером и базой.

Поскольку у большинства транзисторов толщина базы меньше 0,001″ , более положительный потенциал коллектора притягивает электроны через тонкую базу. В результате больший процент (95%) доступных свободных электронов из эмиттера проходит непосредственно через базу (IC) в материал N-типа, который является коллектором транзистора.

Рисунок 7. В транзисторе при одновременном смещении обоих переходов создается совершенно другой путь тока, чем при смещении каждого перехода по отдельности.

Транзистор в качестве усилителя (конфигурация с общим эмиттером) и генератора

Говорят, что транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое используется для усиления или переключения электрических сигналов и мощности. Можно сказать, что транзистор является фундаментальным строительным блоком современной электроники. Обычно он сделан из полупроводникового материала и имеет как минимум три контакта для подключения к электронной схеме.Напряжение или ток, приложенный к одной паре выводов транзистора, управляет током через другую пару выводов. Транзистор может усиливать сигнал, потому что управляемая (выходная) мощность может быть больше, чем управляющая (входная) мощность. Некоторые транзисторы упакованы отдельно, но многие другие встроены в интегральные схемы. Электронные транзисторы действительно были небольшими устройствами, регулирующими ток в цепи. Транзисторы являются очень важными электронными компонентами, используемыми в цепях, поскольку их можно модифицировать, чтобы они функционировали как другие электронные компоненты, такие как переключатели, генераторы и т. д.Точно так же транзистор можно использовать в качестве усилителя. Когда входной сигнал в схему слабый, он используется.

Обзор

В общем, усилитель, также известный как электронный усилитель или (неофициально) усилитель, представляет собой тип электронного устройства, которое может повышать мощность сигнала (изменяющееся во времени напряжение или ток). Это двухпортовая электронная схема, которая использует питание от источника питания для увеличения амплитуды сигнала, подаваемого на его входные клеммы, в результате чего на выходе получается сигнал с пропорционально большей амплитудой.Величина усиления, обеспечиваемого усилителем, измеряется его усилением, которое представляет собой отношение выходного напряжения, тока или мощности к входному напряжению, току или мощности. Схема с коэффициентом усиления по мощности больше единицы называется усилителем. Усилитель может быть отдельным оборудованием или электрической схемой, встроенной в другое устройство. Усиление необходимо в современной электронике, а усилители есть почти во всех электронных устройствах. Усилители делятся на несколько категорий.Один из методов заключается в увеличении частоты усиливаемого электронного сигнала.

Электронный осциллятор — это схема, которая генерирует периодический колебательный электронный сигнал, обычно синусоидальную, прямоугольную или треугольную волну. Говорят, что генераторы — это устройства, которые преобразуют постоянный ток (DC) от источника питания в переменный ток (AC). Они широко используются в самых разных электронных устройствах, от простых тактовых генераторов до цифровых инструментов (таких как калькуляторы) и сложных компьютеров и периферийных устройств, среди прочего.Генератор, который генерирует мощность переменного тока из источника постоянного тока, обычно называют инвертором в источниках питания переменного тока. До появления выпрямителей на основе диодов электромеханическое устройство, которое преобразовывало мощность переменного тока в постоянный, называлось преобразователем, хотя сейчас этот термин чаще используется для обозначения понижающих преобразователей постоянного тока.

Транзистор в качестве усилителя (конфигурация с общим эмиттером)

Транзисторный усилитель на самом деле представляет собой конфигурацию, в которой NPN-транзистор сконфигурирован в конфигурации с общим эмиттером.Транзисторные усилители представляют собой транзисторные схемы, которые могут увеличить силу входного сигнала в схеме. Его также называют транзистором с общим эмиттером или усилителем. Работа транзисторного усилителя требует знаний об усилении и усилителе.

Используем слабый входной сигнал между переходом эмиттер-база и берем выход через нагрузку Rc, включенную в коллекторную цепь. Всегда убедитесь, что входная цепь смещена в прямом направлении, а выходная цепь смещена в обратном направлении для максимального усиления.В дополнение к сигналу мы используем для этой цели постоянное напряжение, т.е. VEE, во входной цепи.

Такое напряжение постоянного тока известно как напряжение смещения, и его величина такова, что оно всегда удерживает входную цепь смещенной в прямом направлении, несмотря на полярность сигнала. Поскольку входная цепь имеет низкое сопротивление, небольшое изменение напряжения сигнала вызывает заметное изменение тока эмиттера. Изменение тока эмиттера вызывает аналогичное изменение в цепи коллектора из-за действия транзистора.

Ток коллектора, протекающий через высокое сопротивление нагрузки Rc, создает на нем большое напряжение. В результате слабый сигнал, подаваемый во входную цепь, усиливается в коллекторной цепи. Таким образом, транзистор работает как усилитель.

Усилитель с общим эмиттером Рабочий:

В большинстве электронных схем используется наиболее распространенная конфигурация схемы для транзистора NPN (схема усилителя с общим эмиттером).

Смещение транзисторного усилителя:

Рассмотрим схему однокаскадного усилителя с общим эмиттером.Она также известна как цепь смещения делителя напряжения. В этой конфигурации со смещением по существу используются два резистора в качестве сети делителя напряжения поперек источника питания, при этом их центральная точка подает на транзистор требуемое базовое напряжение смещения. В схемах усилителей на биполярных транзисторах часто используется этот тип смещения. Поддерживая базовое смещение на постоянном постоянном уровне напряжения, этот тип смещения значительно снижает влияние текущего коэффициента усиления и обеспечивает точную стабильность.Сеть делителя потенциала, образованная двумя резисторами и напряжением питания Vcc, используется для расчета базового напряжения Vb.

Чистое или общее сопротивление равно сумме первого и второго сопротивлений, R1 и R2. Уровень напряжения, создаваемого на соединении резисторов R1 и R2, поддерживает постоянное базовое напряжение на уровне, меньшем, чем напряжение питания. Используя простую формулу делителя напряжения, опорное напряжение смещения можно рассчитать как:

Vb = (Vcc R2) / (R1 + R2)

Когда транзистор полностью открыт, т.е.е. в режиме насыщения то же напряжение питания определяет максимальный ток коллектора.

Транзисторы

CE, как и другие транзисторы, имеют различные характеристики, такие как коэффициент усиления, сопротивление и импеданс.

Отношение изменения входного напряжения к изменению выходного напряжения усилителя равно коэффициенту усиления по напряжению с общим эмиттером. Рассмотрим Vout как ΔVL, а Vin как ΔVB. Коэффициент усиления по напряжению равен отношению сигнального сопротивления в коллекторе к сигнальному сопротивлению в эмиттере, которое выражается через сопротивления как:

Коэффициент усиления по напряжению = Vout / Vin = Δ VL / Δ VB = – RL / RE

Как мы все знаем, биполярные транзисторы имеют небольшое внутреннее сопротивление Re, встроенное в их эмиттерную область.Всякий раз, когда внутреннее сопротивление эмиттера соединено последовательно с внешним сопротивлением, уравнение коэффициента усиления по напряжению изменяется следующим образом:

Коэффициент усиления по напряжению = – RL / (RE + Re)

При более низкой частоте общее сопротивление в цепи эмиттера равно сумме внутреннего и внешнего сопротивлений RE + Re. Коэффициент усиления по напряжению на высоких и низких частотах для этой схемы усилителя с общим эмиттером определяется как:

Коэффициент усиления по напряжению = – RL / RE

Транзистор в качестве генератора

Генератор представляет собой тип электронной схемы, которая генерирует периодический колебательный сигнал, чаще всего меандр и синусоиду.По сути, он преобразует постоянный ток от источника питания в переменный ток.

Если мы используем в схеме транзистор, он постоянно генерирует незатухающие колебания на выходных клеммах схемы.

Одна такая цепь разбита на три части:

(i) Цепь резервуара: Одна такая цепь генерирует колебания, которые усиливаются транзистором, что приводит к усилению выходного сигнала на стороне коллектора.

(ii) Схема усилителя: Такая схема усиливает небольшие синусоидальные колебания, присутствующие в цепи база-эмиттер, и создает усиленный выходной сигнал.

(iii) Цепь обратной связи: Это важная часть схемы, потому что нам нужна энергия от контура резервуара для усиления колебаний усилителя. Для этой цели мы использовали явление взаимной индукции, чтобы передать энергию от цепи коллектора к цепи базы. С помощью этой схемы мы смогли передать энергию с выхода на вход.

Работа схемы транзисторного генератора:

При проектировании схемы генератора транзистор часто используется в качестве схемы с общим эмиттером, при этом эмиттер используется совместно с выводами базы и коллектора.Между входными клеммами, т.е. между эмиттером и базой, подключена накопительная цепь. Цепь бака представляет собой электрическую цепь, в которой катушка индуктивности (L) и конденсатор (C) соединены параллельно, вызывая колебания в цепи. Базовый ток колеблется в результате колебаний напряжения и зарядов в колебательной цепи, и в результате этих колебаний прямое смещение базового тока регулярно изменяется. В результате ток коллектора начинает регулярно изменяться.Достаточно точно, колебания LC носят синусоидальный характер, и в результате и ток коллектора, и ток базы очень синусоидальны. Если ток коллектора действительно изменяется синусоидально, полученное выходное напряжение можно записать как Ic RL и считать синусоидальным. Как только мы нарисуем график между выходным напряжением Vout и временем, мы получим синусоидальную кривую. Теперь, чтобы иметь непрерывные колебания в цепи бака, нам нужна энергия, но в этой цепи нет батареи или источника постоянного тока.Для этого соединим взаимные катушки индуктивности L2 и L1 в цепях коллектора и базы с помощью стержня из мягкого железа. Такой стержень из мягкого железа соединит индуктор L2 с индуктором L1, и за счет взаимной индукции часть энергии в цепи коллектора будет передаваться на сторону основания индуктора. В результате колебание в контуре бака поддерживается и усиливается бесконечно.

Часто задаваемые вопросы
Можно ли использовать транзистор в качестве усилителя?

Одним из наиболее важных свойств транзистора является его способность работать в качестве усилителя.Транзисторы могут работать как усилители, когда они находятся в активной области или когда они правильно смещены.

Каково применение транзистора в качестве усилителя?

В оптоволоконной связи транзисторы используются в качестве усилителей. Поскольку выходной сигнал имеет высокую интенсивность, он полезен для дальней связи. Такие усилители позволяют усиливать радиосигналы.

Какова роль транзисторов в пьезоэлектрическом генераторе?

Электрические колебания непрерывно производятся с помощью других электронных компонентов, таких как транзистор.Он подается во вторичную цепь, которая связана с кварцевым кристаллом (Q). Пьезоэлектрический эффект преобразует колебательное электрическое поле в механическую вибрацию кристалла.

Почтовая навигация

Транзистор в качестве усилителя

Транзистор представляет собой трехвыводной полупроводниковый прибор, способный выполнять функции усиления и переключения. Работа транзистора в качестве линейного усилителя схематически описана ниже.Существует четыре возможных режима работы транзистора в качестве линейного усилителя – источник тока, управляемый током, источник тока, управляемый напряжением, источник напряжения, управляемый током, и источник напряжения, управляемый напряжением.

Источники тока и напряжения существуют для того, чтобы генерировать выходной уровень тока или напряжения, пропорциональный входному сигналу с определенной константой, которая называется коэффициентом усиления транзистора. Биполярный переходной транзистор (BJT) играет роль усилителя, управляемого током, полевой транзистор (FET) играет роль усилителя, управляемого напряжением.

Режимы работы транзистора в качестве линейного усилителя

В нелинейном режиме транзисторы действуют как переключатели, управляемые током и напряжением (ниже).

Схемы управляемых током и напряжением переключателей на основе работы транзистора

Биполярный переходной транзистор

Двухполюсный p-n переход является основой для множества более сложных полупроводниковых приборов, и транзистор с биполярным переходом является одним из них. BJT изготовлен из комбинированных полупроводниковых материалов с различными уровнями легирования, т.е.е. он может быть образован -слоем, расположенным между p- и p + -слоями, или p -слоем между n — и n + 0 — 9 слоями. Эти BJT называются транзисторами pnp и npn соответственно. Схематически эти два транзистора изображены ниже.

Схемы p-n-p (а) и n-p-n (б) транзисторов

Работу транзистора можно легко понять, если вспомнить предыдущий раздел о том, как работает p-n-переход .Рассмотрим ситуацию, когда для транзистора переход база-эмиттер работает как классический переход или диод, смещенный в прямом направлении. Электроны будут течь от эмиттера к базе, а дырки будут течь от базы к эмиттеру.

Здесь поток электронов тяжелее, потому что слой более сильно легирован. База здесь должна быть намного тоньше эмиттера. Электроны, испускаемые эмиттером, проходя через базу, испытывают небольшую рекомбинацию. Остальные электроны идут к коллектору и собираются там.

Итак, мы имеем сильный ток, протекающий от эмиттера к коллектору, противоположно направленный потоку электронов. KCL для перехода: iE=iB+iC,iC=βIB

Как упоминалось выше, -транзистор работает так же, как и транзистор npn , описанный выше, но носители заряда меняются местами. Подробная информация о конструкции и работе транзисторов представлена ​​в части курса, посвященной проектированию СБИС.

Итак, поскольку транзистор является трехвыводным устройством, для описания его работы достаточно двух токов и двух напряжений.Для этого мы должны использовать уравнения KCL и KVL. Точно так же мы должны использовать две характеристики — ток базы — напряжение база-эмиттер и ток коллектора — напряжение коллектор-эмиттер. На рис. 4 показаны типичные вольт-амперные характеристики транзистора Toshiba BJT 2SA1162.

Вольт-амперные характеристики pnp BJT транзистора Toshiba 2SA1162

Рассмотрим, как определить рабочий диапазон транзистора в линейном режиме. На рисунке ниже изображена простая электрическая схема для транзистора.Предположим, нам известны напряжения VB, VE, VG. Это дает нам напряжение эмиттер-база VBE = VB-VE, и это напряжение может сказать нам, смещен ли переход база-эмиттер в прямом или обратном направлении, а также напряжение коллектор-эмиттер VCE = VC-VE. Также можно определить токи коллектора и базы IC=VCC–VCRC, IB=VBB–VBRB. Наконец, мы можем определить коэффициент усиления β=ICIB.

Схема идеального транзистора, выполняющего роль усилителя

Рассмотрим, как определить рабочую точку биполярного транзистора.На рисунке ниже показана идеальная схема для транзистора со смещением постоянного тока. Он характеризуется набором кривых, где определенному значению базового тока iB соответствует определенная кривая iiC–vCE . Правильный выбор тока базы и тока эмиттера позволяет определить рабочую точку транзистора Q. Здесь iB=IBB, VCE=VCC–iCRC. Таким образом, iC=VCCRC–VCERC.

Итак, здесь мы можем найти пересечение iB и iC–vCE, которое приведет нас к рабочей точке транзистора Q.

Схема p-np-транзистора со смещением постоянного тока

 

Определение устройств MOS

Транзисторный усилитель со смещением | Oscium

На изображении выше показана схема смещения постоянного тока для NPN-транзистора, используемого в качестве усилителя. Портативный осциллограф Oscium iMSO-104 измеряет колебания входного и выходного напряжения, когда точка смещения постоянного тока, измеренная и отображаемая на цифровом мультиметре Fluke, изменяется для получения симметричного выходного сигнала. Источник постоянного тока представляет собой простой преобразователь переменного тока в постоянный, который был немного модифицирован для совместимости с макетной платой, показанной на рисунке.Сигнал переменного тока для схемы генерируется одним из генераторов сигналов произвольной формы Agilent.

Основы смещения транзистора (NPN)

Простая схема смещения постоянного тока

Эта схема проста в сборке и устранении неполадок. В этой схеме используется меньше компонентов, чем требуется для более сложных схем смещения. Отдельные компоненты можно менять местами и заменять по одному, чтобы увидеть влияние на производительность схемы. Таким образом, вы можете собрать достаточно информации, чтобы получить интуитивное представление о том, как работает схема и как ее адаптировать для удовлетворения конкретных потребностей вашего приложения.Для моих измерений я использовал потенциометр между VCC и землей, чтобы установить напряжение между базой и эмиттером.

Одним из недостатков этой схемы является то, что ток покоя через коллектор и эмиттер сильно зависит от значения бета отдельного транзистора. Недорогие транзисторы могут иметь больше бета-вариаций, и поэтому эта схема будет иметь ограниченный контроль над током покоя и результирующей рабочей точкой.

Ток коллектора: семейство кривых

На приведенном ниже рисунке показано семейство кривых для тока через коллектор транзистора при увеличении напряжения коллектор-эмиттер для различных точек смещения тока базы.Этот график появляется почти в каждом описании транзистора, потому что он помогает пользователям прогнозировать и понимать производительность устройства в различных условиях эксплуатации.

Объединение слабого сигнала со смещением постоянного тока

На приведенном ниже эскизе показана простая схема подачи постоянного напряжения и слабого сигнала на базу транзистора. Напряжение постоянного тока задает рабочую точку транзистора, а слабый сигнал усиливается на коллекторе транзистора.

Физическая реализация транзисторного усилителя NPN

Все компоненты, использованные для реализации схемы, были куплены в магазине RadioShack, расположенном в моем районе.Важным компонентом, не показанным ниже, является источник постоянного тока. Я использовал преобразователь мощности Enercell AC/DC с возможностью выбора выходного напряжения для VCC. Потенциометр позволяет мне изменять напряжение, подаваемое на базу транзистора, в то время как VCC остается постоянным. Активным устройством в схеме является NPN-транзистор в силовом корпусе с фланцем для опционального радиатора.

Ток коллектора в зависимости от напряжения база-эмиттер

На рисунке ниже показана диаграмма тока для транзистора со смещением в прямом направлении или диода со смещением в прямом направлении.У этих двух устройств много общего, поэтому они имеют схожие графики тока смещения. Как только транзистор включается, когда напряжение база-эмиттер превышает пороговое значение, ток через транзистор увеличивается экспоненциально.

Транзисторные области действия

На приведенном ниже рисунке показаны три области работы биполярных транзисторов. Для приложений усилителя транзистор должен находиться в области Active , смещенной вдоль одной из показанных кривых базового тока.Однако при использовании в качестве переключателя транзисторы используются в областях Cutoff и Saturation .

Рабочая точка транзистора

Последним этапом проектирования схемы транзисторного усилителя является выбор рабочей точки. Размах выходного сигнала, ток покоя, КПД, искажения и линейность являются наиболее важными параметрами производительности. На приведенном ниже рисунке показана рабочая точка (большая синяя точка) на пересечении двух построенных кривых тока коллектора.Следующим шагом будет сбор данных об этих параметрах в разных рабочих точках для сравнения и анализа.

Схема транзисторного усилителя: Новое в системе Mathematica 9

X

\!\(\* Графическое поле[{ {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.08750000000000002, 0.5513888888888889}, { 0,08750000000000002, 0,14027777777777772`}, { 1.2125000000000004`, 0.14027777777777772`}, { 1,2125000000000004`, 0,8875}, {0,46527777777777785`, 0,8875}, { 0,46527777777777785`, 0,54861111111111112}, {0,08472222222222225, 0,5486111111111112}, {0,08472222222222225, 0,5486111111111112}, {0,0

77777777779, 0,5486111111111112}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.4680555555555556, 0.5486111111111112}, { 0,6041666666666667, 0.5486111111111112}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.46527777777777785`, 0.5458333333333327}, { 0,4652777777777785`, 0,14583333333333326}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.6625000000000001, 0.5041666666666644}, { 0,6625000000000001, 0,143055555555555327`}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.6597222222222224, 0.8888888888888882}, { 0,6597222222222224, 0,60555555555555547}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.6069444444444445, 0.5513888888888883}, { 0,6597222222222223, 0,6069444444444441}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.6099960849616448, 0.54

53676881}, { 0,6651211183713481, 0,5013609470273878}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.6069444444444445, 0.576388888888888}, { 0,6069444444444445, 0,52083333333333324}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], Строка[{{0.8458333333333334, 0.5013888888888862}, { 0,8458333333333334, 0,14027777777777506`}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.6625000000000001, 0.5013888888888889}, { 0,8430555555555559, 0,5013888888888889}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{0.6597222222222223, 0.6041666666666661}, { 1.0319444444444448`, 0.6041666666666663}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], LineBox[{{1.0319444444444448`, 0.5986111111111105}, { 1.0319444444444448`, 0.143055555555555505`}}]}, {AbsoluteThickness[1], StrokeForm[{GrayLevel[0.], Opacity[1.]}], EdgeForm[{GrayLevel[0.], Непрозрачность[1.]}], EdgeForm[Нет], CircleBox[{0.6222222222222227, 0.5513888888888882}, \ {0,04027777777777635`, 0,04166666666666685}]}, {AbsoluteThickness[1], GeometricTransformationBox[GraphicsGroupBox[ {Уровень серого[1], Непрозрачность[1], Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ Прямоугольник[{-0.033, 0,2368}, {0,033, 0,2632}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ LineBox[{{-0,066, 0,2632}, {0,066, 0,2632}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], ГеометрическаяПреобразование[ LineBox[{{-0,033, 0,2368}, {0,033, 0,2368}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Абсолютная толщина[0,5], ГеометрическаяПреобразование[{ LineBox[{ Смещение[{-6, -12}, {0., 0,2368}], Смещение[{-14, -12}, {0., 0,2368}]}], LineBox[{ Смещение[{-6, 12}, {0., 0,2632}], Смещение[{-14, 12}, {0., 0,2632}]}], LineBox[{ Смещение[{-10, 16}, {0., 0,2632}], Смещение[{-10, 8}, {0., 0,2632}]}]}, {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}]}}]}], {{0,0888888888888888, 0,09583333333333366}}]}, {AbsoluteThickness[1], GeometricTransformationBox[GraphicsGroupBox[ {Уровень серого[1], Непрозрачность[1], Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ Прямоугольник[{-0.033, 0,2368}, {0,033, 0,2632}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ LineBox[{{-0,066, 0,2632}, {0,066, 0,2632}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], ГеометрическаяПреобразование[ LineBox[{{-0,033, 0,2368}, {0,033, 0,2368}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Абсолютная толщина[0,5], ГеометрическаяПреобразование[{ LineBox[{ Смещение[{-6, -12}, {0., 0,2368}], Смещение[{-14, -12}, {0., 0,2368}]}], LineBox[{ Смещение[{-6, 12}, {0., 0,2632}], Смещение[{-14, 12}, {0., 0,2632}]}], LineBox[{ Смещение[{-10, 16}, {0., 0,2632}], Смещение[{-10, 8}, {0., 0,2632}]}]}, {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}]}}]}], {{1.2138888888888892`, 0.22083333333333344`}}]}, {Уровень серого[1], Абсолютная толщина[1], Непрозрачность[1], ГеометрическаяПреобразование[ Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ Прямоугольник[{0.6839999999999999, 0.46699999999999997`}, \ {0,8160000000000001, 0,533}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[ LineBox[{{0,68399999999999999, 0,5}, {0,695, 0,533}, {0,717, 0,46699999999999997`}, {0,739, 0,533}, {0,761, 0,46699999999999997`}, {0,783, 0,533}, {0,805, 0,46699999999999997`}, {0,81600000000000001, 0,5}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}], {{{{0.0059889314503552326`, 0.716888169375565}, {-0,5818235443524734, 0,007379203103131768}}, {-0,27821356105332673`, 0,25011572342}}}]}, {Уровень серого[1], Абсолютная толщина[1], Непрозрачность[1], ГеометрическаяПреобразование[ Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ RectangleBox[{0.6839999999999999, 0.46699999999999997`}, \ {0,8160000000000001, 0,533}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[ Строка[{{0.6839999999999999, 0,5}, {0,695, 0,533}, {0,717, 0,46699999999999997`}, {0,739, 0,533}, {0,761, 0,46699999999999997`}, {0,783, 0,533}, {0,805, 0,46699999999999997`}, {0,81600000000000001, 0,5}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}], {{{{0.007065459318993844, 0,7980684469716213}, {-0,6864080207849727, 0,008214822634796948}}, {0,060944459802721895`, 0,864865270937998}}}]}, {Уровень серого[1], Абсолютная толщина[1], Непрозрачность[1], ГеометрическаяПреобразование[ Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ Прямоугольник[{0.6839999999999999, 0.46699999999999997`}, {0,8160000000000001, 0,533}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[ LineBox[{{0,68399999999999999, 0,5}, {0,695, 0,533}, {0,717, 0,46699999999999997`}, {0,739, 0,533}, {0,761, 0,46699999999999997`}, {0,783, 0,533}, {0,805, 0,46699999999999997`}, {0,81600000000000001, 0,5}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}], {{{{0.006848829464408586, 0.7568350400141252}, {-0,6653624718665793, 0,00774646766746`}}, {0,277556964234`, 0,8451266581675969}}}]}, {Уровень серого[1], Абсолютная толщина[1], Непрозрачность[1], ГеометрическаяПреобразование[ Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ RectangleBox[{0.6839999999999999, 0.46699999999999997`}, \ {0,8160000000000001, 0,533}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[ Строка[{{0.6839999999999999, 0,5}, {0,695, 0,533}, {0,717, 0,46699999999999997`}, {0,739, 0,533}, {0,761, 0,46699999999999997`}, {0,783, 0,533}, {0,805, 0,46699999999999997`}, {0,81600000000000001, 0,5}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}], {{{{0.0070610450494687236`, 0,7147439421773384}, {-0,6859791753453274, 0,0073571317555061605`}}, {0,66649891175, 0,8594169267423541}}}]}, {Уровень серого[1], Абсолютная толщина[1], Непрозрачность[1], ГеометрическаяПреобразование[ Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ Прямоугольник[{0.6839999999999999, 0.46699999999999997`}, \ {0,8160000000000001, 0,533}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[ LineBox[{{0,68399999999999999, 0,5}, {0,695, 0,533}, {0,717, 0,46699999999999997`}, {0,739, 0,533}, {0,761, 0,46699999999999997`}, {0,783, 0,533}, {0,805, 0,46699999999999997`}, {0,81600000000000001, 0,5}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}], {{{{0.006846622329646027, 0.7151727876169837}, {-0,6651480491467568, 0,007361546025031283}}, {0,10533419499982938`, 1.2562913749586637`}}}]}, {Уровень серого[1], Абсолютная толщина[1], Непрозрачность[1], ГеометрическаяПреобразование[ Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ RectangleBox[{0.6839999999999999, 0.46699999999999997`}, \ {0,8160000000000001, 0,533}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[ Строка[{{0.6839999999999999, 0,5}, {0,695, 0,533}, {0,717, 0,46699999999999997`}, {0,739, 0,533}, {0,761, 0,46699999999999997`}, {0,783, 0,533}, {0,805, 0,46699999999999997`}, {0,81600000000000001, 0,5}}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}], {{{{0.006415569755238068, 0,6743682260991328}, {-0,6232713740297924, 0,006941529124436133}}, {0,32189309852289416`, 1.219538321515682}}}]}, {AbsoluteThickness[1], GeometricTransformationBox[GraphicsGroupBox[ {Уровень серого[1], Непрозрачность[1], Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ Прямоугольник[{0.9339999999999999, 0,2368}, \ {1,066, 0,2632}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[{ LineBox[{{0,93399999999999999, 0,2632}, {1,066, 0,2632}}], LineBox[{{0.93399999999999999, 0.2368}, {1.066, 0,2368}}]}, {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}]}], {{{{ 0.6458333333333334, 0.}, {0., 0.8974569319114026}}, { 0,19722222222222224`, 0,1134448910764746}}}]}, {AbsoluteThickness[1], GeometricTransformationBox[GraphicsGroupBox[ {Уровень серого[1], Непрозрачность[1], Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ Прямоугольник[{0.9339999999999999, 0,2368}, \ {1,066, 0,2632}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[{ LineBox[{{0,93399999999999999, 0,2632}, {1,066, 0,2632}}], LineBox[{{0.93399999999999999, 0.2368}, {1.066, 0,2368}}]}, {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}]}], {{{{-0,006331395076749329, 0,8974138046410487}, {-0,6458022978286981, \ -0,008798174555300766}}, {0,07117594200475219, 1.2035543665407322`}}}]}, {AbsoluteThickness[1], GeometricTransformationBox[GraphicsGroupBox[ {Уровень серого[1], Непрозрачность[1], Графическая Групповая Коробка[{ ГеометрическаяПреобразование[ RectangleBox[{0.9339999999999999, 0.2368}, \ {1,066, 0,2632}], {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}], {Уровень серого[0], Абсолютная толщина[2], ГеометрическаяПреобразование[{ LineBox[{{0,93399999999999999, 0,2632}, {1,066, 0,2632}}], LineBox[{{0.93399999999999999, 0.2368}, {1.066, 0.2368}}]}, {{{1, 0}, {0, 1}}, {0., 0.}}]}}]}], {{{{-0,0039955178360455085`, 0,8974397570591062}, {-0,6458209738632421, \ -0,005552214469989195}}, {0,6521669189320339, 1.2527626706068666`}}}]}, DiskBox[{0.4638888888888891, 0,55}, смещение[3.]], DiskBox[{0.66111111111111112, 0.6055555555555554}, Смещение[{3., 3.0000000000001137`}, {0., 0.}]], DiskBox[{0.6638888888888891, 0.5}, Смещение[3.]], DiskBox[{1.0305555555555556, 0.5999999999999999}, Смещение[{2.999999999999943, 3.0000000000001137`}, {0., 0.}]], DiskBox[{0.086111111111111125, 0.5472222222222223}, Смещение[{2.9999999999999943, 3.}, {0., 0.}]], {Абсолютная толщина[1], InsetBox[ СтильБокс[«\<\"\"\>«, StripOnInput-> Ложь, LineColor->GrayLevel[0.2], FrontFaceColor->GrayLevel[0.2], GraphicsColor->GrayLevel[0.2], Семейство шрифтов->»Гельветика», Размер шрифта->12, Цвет Шрифта->ГрейУровень[ 0,2]], {0,9222222222222225, 0,5000000000000001}]}, СтильБокс[Вставка[ СтильБокс[ Поле тегов[ Поле Подписи[«С», «1»], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Background->GrayLevel[1.]], {0.2763888888888889, 0.6347222222222231}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], Размер шрифта->16], СтильБокс[Вставка[ СтильБокс[ Поле тегов[ Поле Подписи[«С», «2»], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,8597222222222225, 0,6736111111111116}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], Размер шрифта->16], СтильБокс[Вставка[ СтильБокс[ Поле тегов[ Поле Подписи[«С», «3»], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,

88888888892, 0,33194444444444504`}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], Размер шрифта->16], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«R», «1»], Размер шрифта->16], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,36805555555555564`, 0,3430555555555559}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«R», «2»], Размер шрифта->16], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,3680555555555557, 0,7500000000000009}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«R», «0»], Размер шрифта->16], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0.12638888888888888`, 0.45000000000000084`}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«R», «3»], Размер шрифта->16], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,6958333333333335, 0,34166666666666745`}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«R», «4»], Размер шрифта->16], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,7041666666666668, 0,7416666666666678}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«R», «5»], Размер шрифта->16], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {1.0680555555555558`, 0.3305555555555564}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[«», {0.0

77777777779, 0.5986111111111114}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«V», «1»], Размер шрифта->14], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,056944444444444464`, 0,5791666666666673}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«V», «2»], Размер шрифта->14], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,4111111111111112, 0,5722222222222229}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«V», «4»], Размер шрифта->14], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,6083333333333334, 0,6222222222222229}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«V», «3»], Размер шрифта->14], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,6083333333333336, 0,4555555555555564}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«V», «5»], Размер шрифта->14], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {1.0388888888888892`, 0.6194444444444454}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Коробка Подскрипта[«В», «е»], Размер шрифта->14], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {0,1694444444444444, 0,33888888888888946`}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}], InsetBox[ СтильБокс[ Поле тегов[ СтильБокс[ Поле Подписи[«В», «б»], Размер шрифта->14], «Сырые ящики»], Семейство шрифтов->»Гельветика», FontColor->GrayLevel[0.2], Фон->Уровень серого[ 1.]], {1.0805555555555557`, 0.4583333333333339}, { Слева, Базовая линия}, Выравнивание->{Слева, Сверху}]}, ImageSize->{404.

0 comments on “Транзистор как усилитель: Усилители сигналов на транзисторах (для МК)

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.