Цоколевка диода: 🛠 Обозначение диодов на принципиальной схеме (цоколёвка) 👈

Диод 1N4007. Характеристики, аналог, datasheet

В данной статье приводиться техническое описание диода 1N4007, его цоколевка, характеристики,  аналоги, datasheet и другие дополнительные подробности.

Описание диода 1N4007

1N4007 — широко используемый диод общего назначения. Обычно он используется в качестве выпрямителя в блоках питания. Это диод из серии 1N400x, в которой также есть и другие подобные диоды от 1N4001 до 1N4007. Единственная разница в них — постоянное обратное напряжение.

Диод 1N4007 предназначен для работы с высокими напряжениями и может легко выдерживать напряжение до 1000 В и средний прямой ток до 1 А. При небольших размерах и низкой стоимости он является идеальным для широкого спектра применений.

Область применения 1N4007
  • Источники питания
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Удвоители напряжения
  • Адаптеры
  • Защита компонентов

Характеристики диода 1N4007

  • Тип: кремниевый выпрямительный диод общего назначения
  • Постоянное обратное напряжение (max): 1000В;
  • Импульсное обратное напряжение (max): 1200В;
  • Прямой выпрямленный ток (max): 1А;
  • Допустимый прямой импульсный ток (max): 30А;
  • Обратный ток (max): 5мкА;
  • Прямое напряжение (max): 1,1В;
  • Рабочая температура: -65…100 °C
  • Способ монтажа: в отверстие
  • Корпус: DO-41

Размеры диода 1N4007

Цоколевка диода 1N4007

Аналоги  1N4007

Если вы работаете с напряжением ниже 400 В, вы можете использовать 1N4004, если ниже 600 В используйте 1N4005, если ниже 800 В используйте 1N4006. Данные диоды по остальным своим показателям идентичны диоду 1N4007.

Если вы работаете с напряжением более 800 В и ниже 1000 В, вы можете использовать диоды HER208, HER158, FR207, FR107 в качестве эквивалентов. Если вы работаете с напряжением выше 1000 В, вы можете использовать EM520, EM513 и 1N5399 в качестве замены.

Другие возможные аналоги:

  • 1N2070
  • 1N3549
  • 1N3957
  • 1N4249
  • 1N4586GP
  • 1N5416
  • 1S1830
  • 1S1888
  • GP10M

Datasheet 1N4007

Datasheet 1N4007 (138,5 KiB, скачано: 2 407)

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Параметры и характеристики

Диоды – полупроводники, которые пропускают ток в одном направлении. Выводы диода называют анодом А и катодом К

Если приложено положительное напряжение UAK > 0, то диод работает в прямом направлении. При отрицательном напряжении UAK < 0, диод заперт. Обратный ток всегда на несколько порядков меньше, чем прямой.

Режим работы диода определяется его вольт-амперной характеристикой (ВАХ) I = f(UAK). Типовая характеристика диода представлена на рис. 4.2. Прямой ток резко возрастает при малых положительных напряжениях UAK. Однако он не должен превышать определенного максимального значения Iмакс, так как иначе произойдет перегрев и диод выйдет из строя. Приближенно ход характеристики может быть описан значениями прямого напряжения UПР при токах порядка 0,1Iмакс. Для германия UПР находится в пределах от 0,2 по 0,4 В, для кремния от 0,5 до 0,8 В. Таким падением напряжения можно пренебречь, и тогда диод можно рассматривать как проводник, пропускающий ток только в одном направлении.

Для диодов общего назначения обратный ток очень мал и составляет нано- и микроамперы. Его, как правило, можно не принимать во внимание до тех пор, пока напряжение на диоде не достигнет напряжения пробоя. Для диодов общего назначения это напряжение составляет десятки и сотни вольт.  Обратный ток при напряжениях |UAK| > UОБР.макс возрастает до значений, соизмеримых с прямым током. Обычные диоды в этой области не могут работать, так как в них происходит локальный перегрев, приводящий к выходу диодов из строя. Все полупроводниковые приборы можно разделить на две группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные диоды, как следует из самого названия, предназначены для выпрямления переменного тока. В зависимости от частоты и формы переменного напряжения они делятся на высокочастотные, низкочастотные и импульсные. Специальные типы полупроводниковых диодов используют различные свойства p-n переходов: явление пробоя, барьерную емкость, наличие участков с отрицательным сопротивлением и др.

Рис.4.2. ВАХ диода 

Выпрямительные диоды обычно характеризуют набором статических и динамических параметров. К статическим параметрам диода относятся:

  • падение напряжения UПРна диоде при некотором значении прямого тока;
  • обратный ток IОБР при некотором значении обратного напряжения;
  • среднее значение прямого тока IПР.СР.;
  • максимальное значение обратного напряжения UОБР.

        К динамическим параметрам диода относятся его временные или частотные характеристики. К таким параметрам относятся:

  • время восстановленияtВОС обратного напряжения;
  • время нарастания прямого тока IНАР;
  • предельная частота без снижения режимов диода fмакс.

 Статические параметры можно установить по вольт-амперной характеристике диода. Время обратного восстановления диода tВОСявляется основным параметром выпрямительных диодов, характеризующим их инерционные свойства. Переключение диода из проводящего состояния в закрытое происходит не мгновенно, так как при этом p-n переход должен освободиться от накопленного заряда. Эффект накопления заряда можно пояснить на примере простого выпрямителя. В качестве входного напряжения используется напряжение прямоугольной формы. Когда входное напряжение UВХположительно, диод открывается и выходное напряжение равно прямому напряжению на диоде. Когда UВХотрицательно, диод закрывается и IД = IОБР. Из рис.4.3 видно, что это происходит по истечении времени восстановления tВОС, которое тем больше, чем больше прямой ток p-n перехода. По существу, происходит рассасывание зарядов на границе p-n перехода (т.е. разряд эквивалентной емкости). 

Рис. 4.3. Импульсный режим работы диода 

Обычно значение времени накопления для маломощных диодов составляет 10 – 100 нс. Для мощных диодов эта величина находится в диапазоне микросекунд. Период колебаний входного напряжения должен быть больше времени накопления, в противном случае теряются выпрямительные свойства диода.

 

Диод 1N5408: характеристики (параметры), аналоги

1N5408 — кремниевые выпрямительные диоды общего назначения. Конструктивное исполнение DO-201AD и DO-27.

Корпус, цоколевка и размеры

Характерные особенности

  • Малые токи утечки.
  • Малое падение напряжения в проводящем состоянии.
  • Высокая токовая нагрузка и устойчивость к ударному току.
  • Низкие потери мощности.
  • Высокая надежность.
  • Корпус: формованный пластик. Эпоксидное покрытие по аттестации UL 94V-0 пламезамедляющее.
  • Полярность: цветная полоса обозначает катод.
  • Ориентация при монтаже – любая.

Характеристики, представленные ниже в таблицах, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.

Предельные эксплуатационные характеристики

Превышение этих параметров приводит к необратимому ухудшению свойств или потере работоспособности любого п/п прибора.

Характеристика, ед. измеренияОбозначениеОсобенности измеренийВеличина
Максимальное повторяющееся обратное напряжение, ВURRM1000
Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, ВURMS700
Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, ВUDC1000
Максимальный среднеквадратичный прямой ток, АIF(AV)Ta = 75°C, длина выводов при монтаже 9,5 мм3
Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, АIFSMTJ = 125°C, синусоидальная полуволна тока длительностью 8,3 мс.200
Предельная рассеиваемая мощность, ВтPD6,25
Тепловое сопротивление p/n-переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA20…40 ٭
Допустимое значение интеграла плавления (интеграла Джоуля), А2сI2tДлительность не более 8,3 мс.166
Диапазон рабочих температур п/п структуры, °СTJ-55°С…+150°С
Диапазон температур хранения, °СTstg-55°С…+150°С

٭ — для разных производителей.

Электрические параметры

Характеристика, ед. измеренияОбозначениеОсобенности измеренийВеличина
Максимальное падение напряжения в прямом направлении, мгновенное значение, ВUFIF = 3,0 А1
Максимальный обратный постоянный ток при номинальном блокирующем напряжении, мкА IRTa = 25°C5
Ta = 100°C500
Максимальный средний обратный ток, при полной нагрузке, мкАIR(AV) (иногда обо-значение — Irr)TL = 75°C, длина выводов при монтаже — 9,5 мм, интервал усреднения – полный цикл.500
Емкость p/n перехода при обратном напряжении, пФ CTUR = 4,0 В, f = 1,0 МГц30…50 ٭

٭ — для разных производителей.

Модификации (версии) диода 1N5408

ТипURRMURMSUDCIF(AV)IFSMTJRƟJAUFIR ٭
Ta=25°C
IR ٭
Ta=100°C
CTКорпус
1N540810007001000320015020…401,0…1,2550030…50DO-201AD
1N540810007001000320015020…301,0…1,2550035…40DO-27
1N5408G100070010003200175301,1530040DO-27
1N5408GP100070010003200150301,155040DO-201AD
1N5408K100010003100175˂ 45˂ 1,2˂ 10,0DO-15
PG5408100070010003150150201,2510030DO-201AD

Аналоги

Для замены могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, быстродействующие, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и выпрямительных устройствах аппаратуры общего назначения

Отечественное производство

ТипURRMURMSUDCIF(AV)TJRƟJAUFIR ٭
Ta=25°C
IR ٭
Ta=100°C
CTКорпус
1N540810007001000315020…401,0…1,2550030…50DO-201AD
КД203Г1000700214011500КДЮ-11-4
2Д210В/Г1000100010140314500КД-11
КД210В/Г1000100010140214500КД-11
2Д220Г/И1000100031,1451500КД-10
2Д230Г/И1000100031251,5 /1,3451500КД-11
КД241А1500150021,45
КД243Ж1000100011251,110КД-4Б
КД257Д1000100031251,5200КД-29С
КД258Д1000100031551,62КД-29А
КД529В/Г160016008˂ 3,51500

Зарубежное производство

ТипURRMURMSUDCIF(AV)IFSMTJRƟJAUFIR ٭
Ta=25°C
IR ٭
Ta=25°C
CTКорпус
1N540810007001000320015020…401,0…1,2550030…50DO-201AD
30S101000317817516,51DO-201AD
BY255130091013003200175301,1550040DO-27
BYM56E100010003,580175750,95115090SOD-64
CR3-100100070010003300175281,11010025DO-201AD
CR3-120120084012003300175281,11010025DO-201AD
CR3-100GPP100070010003200175201,1510030DO-201AD
ER3071000700100032001501,3515060DO-27
G3M10003125175201,1510040G3
GI510100070010003100150201,155028DO-201AD
GP30M100070010003125150201,1510040DO-201AD
P300M100070010003200150201,252530DO-201AD
RL157G100070010001,550175501,155020DO-15
RL257GP100070010002,570150251,155040R-3
RM3C10002150150100,9510100
RM4C10001,715015080,971050

٭ — в столбцах таблиц обратный ток IR (ток утечки) измеряется в мкА

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

 

Рис. 1. Линия ограничений среднеквадратичного значения прямого тока IF(AV) при возрастании температуры среды Ta.

Зависимость снята для условия монтажа диода с длиной выводов 9,5 мм (надпись на поле рисунка).

Рис. 2. Вольтамперная характеристика диода (прямая ветвь) – зависимость прямого тока через диод от напряжения анод-катод UF.

Зависимость получена для условий:

  • температура p/n перехода TJ = 25°C;
  • длительность импульса тока (Pulse Width) = 200 мкс;
  • скважность импульсов (Duty Cycle) = 1%.

Рис. 3. Вольтамперная характеристика диода (обратная ветвь) – зависимость обратного тока (тока утечки) через диод от обратного напряжения катод-анод UR, выраженного в процентном отношении к номинальному значению.

Характеристика снята для температуры среды Ta = 25°C.

Рис. 4. Кривая ограничения предельного значения ударного тока IFSM при увеличении количества прошедших через диод импульсов ударного тока.

Кривая получена при температуре среды, близкой к предельной: Ta = 105°C.

N [60 Гц] – количество полупериодов ударного тока собственной частоты 60 Гц.

Рис. 5. Зависимость собственной емкости CT p/n перехода диода от величины приложенного обратного напряжения UR.

Общие свойства и параметры диодов

 

Система и перечень параметров, включаемые в технические описания и характеризующие свойства полупроводниковых диодов, выбираются с учетом их физико-технологических особенностей и области применения. В большинстве случаев важны сведения об их статических, динамических и предельных параметрах.

Статические параметры характеризуют поведение приборов при постоянном токе, динамические — их частотно-временные свойства, предельные параметры определяют область устойчивой и надежной работы.

В справочники, стандарты или технические описания включается необходимая для детального расчета схем информация о параметрах: нормы на значения параметров, режимы их измерений, вольт-амперные характеристики, зависимости параметров от режима и температуры, максимальные и максимально допустимые значения параметров, конструктивно-технологические особенности приборов, их основное назначение, специфические требования, методы измерения параметров, типовые схемы применения.

Постоянные (случайные) изменения технологических факторов оказывают существенное влияние на значения параметров изготавливаемых приборов. Поэтому значения параметров даже одного типа приборов являются случайными величинами, т.е. имеется отклонение от среднего (типового, номинального) уровня. Для некоторых параметров устанавливаются граничные значения и возможные отклонения (разброс). Нормы на разброс параметров устанавливаются на основе экспериментально-статистических данных при обеспечении надежной и устойчивой работы приборов в различных условиях и режимах применения, а также исходя из экономических соображений.

Необходимо отметить, что вследствие постоянного совершенствования конструкций и технологии изготовления полупроводниковых приборов происходят изменения средних значений параметров. Некоторые образцы приборов имеют параметры лучше, чем приведенные в технических описаниях и справочниках.

В разных странах существуют региональные унифицированные стандарты на параметры и характеристики полупроводниковых приборов, методики их измерений и контроля качества, которые могут существенно отличаться от международных стандартов.

Различают общие параметры, которыми характеризуется любой полупроводниковый диод, и специальные параметры, присущие только отдельным видам диодов. К общим параметрам диодов относят: параметры рассеиваемой мощности, тепловые параметры, пробивные максимальные и максимально допустимые токи и напряжения, параметры, определяемые по виду ВАХ прибора, параметры, характеризующие основные свойства \(p\)-\(n\)-перехода и т.п.

Рассеиваемая мощность (\(P_{пр}\), \(P_{обр}\), \(P_{ср}\), \(P_и\)). Когда через диод проходит ток, при заданном напряжении на диоде выделяется мощность \(P_д = I \cdot U\). При подаче на диод переменного напряжения общая мощность, рассеиваемая диодом, равна сумме мощностей рассеиваемых при прохождении тока в прямом (\(P_{пр}\)) и обратном (\(P_{обр}\)) направлениях \(P_д = P_{пр} + P_{обр}\). Средняя рассеиваемая мощность (\(P_{ср}\)) определяется как среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов. Максимальное значение рассеиваемой мощности, при которой гарантируется долговременная и стабильная работа диода при заданных внешних условиях, называется максимальной допустимой мощностью рассеяния диода. Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом, называется импульсной рассеиваемой мощностью (\(P_и\)).

Температура (\(T\), \(T_п\), \(T_{кор}\)). Выделение мощности сопровождается нагреванием диода, что приводит к росту обратного тока и увеличению вероятности возникновения теплового пробоя \(p\)-\(n\)-перехода. Для исключения теплового пробоя температура \(p\)-\(n\)-перехода должна быть меньше максимальной допустимой температуры перехода (\(T_{п max}\)). Как правило, эта температура для германиевых диодов составляет 70 °C, а для кремниевых — 125 °C. Выделяемая теплота рассеивается диодом в окружающую среду. Учитывая конструктивные особенности диода и условия его эксплуатации, иногда нормируются максимальная температура корпуса диода (\(T_{к max}\)) и максимальная температура окружающей среды вблизи диода (\(T\)).

Тепловое сопротивление (\(R_т\), \(R_{т пер-окр}\), \(R_{т пер-кор}\)). Перепад температур между переходом и окружающей средой определяется выражением: \(T_п – T = R_т \cdot P_д\), где \(R_т\) —

тепловое сопротивление, характеризующее условия отвода теплоты от диода (определяется конструкцией корпуса, наличием радиатора и т.д.). В зависимости от расположения контрольной точки, в которой производится измерение температуры, различают: тепловое сопротивление переход – окружающая среда (\(R_{т пер-окр}\)), тепловое сопротивление переход – корпус диода (\(R_{т пер-кор}\)). Тепловое сопротивление переход – среда (\(R_{т пер-окр}\)) необходимо знать для расчета допустимой рассеиваемой мощности маломощных диодов обычно работающих без теплоотвода, а тепловое сопротивление переход – корпус (\(R_{т пер-кор}\)) — для расчета режима работы мощных приборов при наличии внешнего радиатора. Обычно \(R_{т пер-окр} \gg R_{т пер-кор}\) (сопротивление \(R_{т пер-кор}\) остается постоянным только в случае малых плотностей тока). Тепло от кристалла с переходами к корпусу или радиатору отводится за счет теплопроводности, а от корпуса в окружающее пространство — конвекцией и излучением. Режим диода необходимо выбирать из условия \(\newcommand{\slfrac}[2]{\left.#1\right/#2}U \cdot I \leq P_{д max}= \slfrac{\left( T_{п max} – T \right)}{R_{т пер-окр}}\).

Переходное тепловое сопротивление (\(Z_т\), \(Z_{т пер-окр}\), \(Z_{т пер-кор}\)). При определении тепловых режимов в случае работы диодов при малых длительностях импульсов используются их переходные тепловые характеристики, а именно переходное тепловое сопротивление диода (\(Z_т\)), которое является отношением разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке за заданный промежуток времени, когда происходит это изменение температуры, к приращению рассеиваемой мощности диода, скачкообразно увеличенной в начале этого интервала. Производными этого параметра являются: переходное тепловое сопротивление переход – окружающая среда (\(Z_{т пер-окр}\)) и переходное тепловое сопротивление переход – корпус диода (\(Z_{т пер‑кор}\)).

Прямой ток и напряжение (\(I_{пр}\), \(I_{пр}\) и, \(I_{пр ср}\), \(U_{пр}\), \(U_{пр и}\)). При приложении к диоду постоянного прямого напряжения \(U_{пр}\) его температура зависит от величины протекающего прямого тока \(I_{пр}\). Прямой ток, при котором температура \(p\)-\(n\)-перехода диода достигает максимального допустимого значения (\(T_{п max}\)), называют допустимым прямым током (\(I_{пр max}\)). Наибольшее допустимое мгновенное значение прямого тока диода называют максимальным импульсным прямым током (\(I_{пр и max}\)). Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на диоде, обусловленное заданным импульсным прямым током, называется максимальным импульсным прямым напряжением диода (\(U_{пр и max}\)). Средний прямой ток диода (\(I_{пр ср}\)) определяется при подаче на диод переменного напряжения как среднее за период значение прямого тока.

Обратный ток и напряжение (\(I_{обр}\), \(I_{обр и}\), \(U_{обр}\), \(U_{обр и}\)). При приложении к диоду постоянного заданного обратного напряжения \(U_{обр}\) через него протекает постоянный обратный ток \(I_{обр}\) определенной величины. Важным параметром диодов является максимальное допустимое обратное напряжение \(U_{обр max}\), при котором не происходит пробоя \(p\)-\(n\)-перехода. Обычно \(U_{обр max} \le {0,8}U_{проб}\), где \(U_{проб}\) — значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения, оно называется пробивным напряжением диода. Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (\(U_{обр и max}\)) определяет максимальное мгновенное значение для обратного напряжения на диоде, а максимально допустимый импульсный обратный ток (\(I_{обр и max}\)) характеризует предельное мгновенное значение обратного тока, обусловленного импульсным обратным напряжением.

Дифференциальное сопротивление (\(r_{диф}\)). Прямое (\(r_{пр}\)) и обратное (\(r_{обр}\)) сопротивления диода постоянному току выражаются соотношениями: \(\newcommand{\slfrac}[2]{\left.#1\right/#2}r_{пр} = \slfrac{U_{пр 0}}{I_{пр 0}}\), \(r_{обр} = \slfrac{U_{обр 0}}{I_{обр 0}}\) , где \(U_{пр 0}\), \(I_{пр 0}\), \(U_{обр 0}\), \(I_{обр 0}\) задают конкретные точки на ВАХ прибора, в которых производится вычисление сопротивления. Поскольку типичная ВАХ полупроводникового прибора имеет участки с повышенной линейностью (один на прямой ветви, один — на обратной), то вводится понятие дифференциального сопротивления (\(r_{диф}\)), которое вычисляется как отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме (\(r_{диф пр} = \slfrac{\Delta U_{пр}}{\Delta I_{пр}}\), \(r_{диф обр} = \slfrac{\Delta U_{обр}}{\Delta I_{обр}}\)).

Емкость перехода (\(C_{пер}\)) и накопленный заряд (\(Q_{нк}\)). Изменение внешнего напряжения \(\operatorname{d}U\) на \(p\)-\(n\)-переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда \(\operatorname{d}Q\). Поэтому \(p\)‑\(n\)‑переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого \(C = \operatorname{d}Q/\operatorname{d}U\). В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают зарядную (барьерную) и диффузионную емкости. Зарядная (барьерная) емкость определяется изменением нескомпенсированного заряда ионов при изменении ширины запирающего слоя под воздействием внешнего обратного напряжения. При увеличении же внешнего напряжения, приложенного к \(p\)-\(n\)-переходу в прямом направлении, растет концентрация инжектированных носителей вблизи границ перехода, что приводит к изменению количества заряда, обусловленного неосновными носителями в \(p\)- и \(n\)-областях. Это можно рассматривать как проявление некоторой емкости. Поскольку она зависит от изменения диффузионной составляющей тока, ее называют диффузионной емкостью. Заряд электронов или дырок, накопленный при протекании прямого тока в базе диода или \(i\)‑области \(p\)-\(i\)-\(n\)-диода, называется накопленным зарядом (\(Q_{нк}\)). Полная емкость \(p\)-\(n\)-перехода определяется суммой зарядной и диффузионной емкостей: \(C_{пер} = C_{зар} + C_{диф}\). При включении \(p\)‑\(n\)‑перехода в прямом направлении преобладает диффузионная емкость, а при включении в обратном направлении — зарядная (емкость \(C_{диф}\) при этом пренебрежимо мала).

Заряд восстановления (\(Q_{вос}\)) и время восстановления (\(t_{вос обр}\), \(t_{вос пр}\)). При переключении диода с прямого тока на обратный весь накопленный заряд вытекает во внешнюю цепь. При заданных прямом токе и итоговом обратном напряжении весь суммарный заряд (с учетом накопленного заряда и заряда емкости обедненного слоя для полных процессов запаздывания и восстановления), вытекающий во внешнюю цепь, называется зарядом восстановления (\(Q_{вос}\)), а время, истекшее от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданной величины — временем восстановления обратного сопротивления или просто временем обратного восстановления диода (\(t_{вос обр}\)). Аналогично определяется время установления прямого напряжения или время прямого восстановления диода (\(t_{вос пр}\)), которое равно промежутку времени, в течение которого прямое напряжение на диоде устанавливается от нулевого значения до заданного уровня.

Полный список общих параметров диодов и их принятых обозначений приведен в таб. 2.2‑1. Помимо описанных выше параметров он включает также:

  • эффективное время жизни неравновесных носителей заряда (\(t_{эф}\)), характеризующее материал и некоторые конструктивные параметры кристалла полупроводника;
  • емкость корпуса диода (\(C_{кор}\)), определяемую его конструктивными особенностями;
  • общие емкость (\(C_д\)) и индуктивность (\(L_п\)) диода, измеряемые в установившемся режиме работы.

 

Таб. 2.2-1. Общие основные параметры диодов

 

 

< Предыдущая   Следующая >

Конструкция и особенности включения светодиода.

Конструкция и особенности включения светодиода

Наверняка, те, кто только начал заниматься электроникой знакомы со светодиодом и представляют что это такое. Для тех, кто смутно представляют, что такое светоизлучающий диод как раз и написана эта статья.

Светодиоды в настоящее время активно (можно сказать, сверхактивно) применяются как в бытовой, так и в промышленной радиоэлектронной аппаратуре. Начиная с 70-х годов ХХ века светодиоды стали более активно применяться в радиоэлектронике, так как технологии тех лет позволили начать массовое производство светодиодов, а, следовательно, продавать светодиоды по доступным ценам.

На принципиальных схемах обычный светодиод обозначается, как и полупроводниковый диод, но в кружке. Для указания того, что изображён именно излучающий диод рядом с условным изображением рисуются две стрелки, направленные от условного обозначения диода.


условное обозначение светодиода

Как же «засветить» светодиод?

Для начала нужно найти или купить на радиорынке самый обычный 3-х вольтовый светодиод любого цвета свечения, кому какой нравиться. Так как светодиод – это полупроводниковый p-n переход, то он, как и обычный диод пропускает ток лишь в одном направлении. Это следует учитывать при подключении питания к светодиоду.

Для питания светодиода понадобиться источник питания напряжением 3 вольта. В простейшем случае подойдёт плоская литиевая батарейка на 3 вольта – такие часто используются для питания пультов автомагнитол и автомобильных CD/MP3-проигрывателей.

Плюсовой вывод батареи питания подключают к анодному выводу светодиода, а минусовой вывод к катодному выводу светодиода. Узнать, где катод (отрицательный вывод) светодиода, а где анод (положительный вывод) можно несколькими способами.

У новых, только что купленных светодиодов выводы ещё не укорочены (при монтаже, например) и наиболее длинный вывод и есть анод. Более короткий, следовательно – катод.

Также со стороны катодного вывода пластиковый корпус светодиода имеет плоскую засечку по торцу.

Если корпус светодиода выполнен из прозрачной пластмассы, то визуально нетрудно определить, что светоизлучающий кристалл размещён на электроде, на краю которого размещена как бы чашка, в которой и находится светоизлучающий кристалл. Вывод электрода с «чашкой» и есть отрицательный (катодный). От кристалла отходит тонкий «усик» – тоненький проводок, который соединён с анодным выводом светодиода.

Бояться переполюсовки при подключении питания светодиода не стоит, в худшем случае светодиод просто не будет светиться. Правда, если светодиод является частью сложного электронного устройства, то следует учесть последствия неправильного включения светодиода в схему.

Что следует бояться при подключении светодиода так это превышения питающего напряжения, так как при этом происходит нагрев и разрушение кристалла светодиода. В большинстве случаев сгоревший светодиод можно легко определить по внешнему виду. При сгорании светодиода, в месте, где расположен светоизлучающий кристалл, образуется хорошо заметное на глаз чёрное пятно – это и есть сгоревший кристалл.

Проверить исправность светодиода можно с помощью широко распространённых мультиметров серий DT-83x, MAS-83x и им подобных, а также усовершенствовать уже имеющийся мультиметр, встроив в прибор светодиодный фонарик.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

Диод КД103 — DataSheet

Корпус диодов КД103, 2Д103

Описание

Диоды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветной точкой у положительного вывода: 2Д103А — белой; КД103А — синей; КДЮЗБ — желтой. Масса диода не более 0,1 г.

Допускается работа диода на емкостную нагрузку. При этом действующее значение тока через диод не должно превышать 1,57Iпр.ср.макс, а Iпр,и — не более 6 Iпр,ср,макс. Допускается параллельное и последовательное соединение диодов. При параллельном соединении последовательно с каждым диодом должен быть включен резистор сопротивлением 30 Ом. При после последовательном соединении каждый диод рекомендуется шунтировать выравнивающим конденсатором.

 

Параметры диода КД103
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Аналоги КД103А NS2000
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max КД103А 50 В
КД103Б 50
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max КД103А 50 мА
КД103Б 50
Максимальная рабочая частота диода fд max КД103А 20 кГц
КД103Б 20
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) КД103А 1 (100) В
КД103Б 1.2 (100)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) КД103А 0.5 (50) мкА
КД103Б 0.5 (50)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр КД103А 1 мкс
КД103Б 4
Общая емкость Сд (при Uобр, В) КД103А 20 (5) пФ
КД103Б 20 (5)

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

 

Зависимость прямого тока от напряжени

Зависимость обратного тока от напряжения

Зависимость обратного тока от частоты

Зависимость допустимого прямого тока от температуры

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Диод. Основные параметры и характеристики.

Дио́д — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.

Основные параметры и характеристики диодов:

  • Вольт-амперная характеристика – описывает поведение двухполюсника на постоянном токе.

  • Постоянный обратный ток диода

  • Постоянное обратное напряжение диода

  • Постоянный прямой ток диода

  • Диапазон частот диода

  • Дифференциальное сопротивление

  • Ёмкость – характеристика проводника, мера его способности накапливать электрический заряд.

  • Пробивное напряжение

  • Максимально допустимая мощность

  • Максимально допустимый постоянный прямой ток диода

Типы диодов по назначению

  • Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.

  • Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов, предназначены для применения в импульсных режимах работы.

  • Детекторные диоды предназначены для детектирования сигнала

  • Смесительные диоды предназначены для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.

  • Переключательные диоды предназначены для применения в устройствах управления уровнем сверхвысокочастотной мощности.

  • Параметрические

  • Ограничительные диоды предназначены для защиты радио и бытовой аппаратуры от повышения сетевого напряжения.

  • Умножительные

  • Настроечные

  • Генераторные

Диоды бывают полупроводниковые (с p-n переходом) и не полупроводниковые.

Расчеты для выпрямителей.

Для оценки пульсаций выпрямленного напряжения используют коэф­фициент пульсаций:

(2.1)

где — амплитуда основной гармоники в выпрямленном напряжении.

— среднее значение выпрямленного напряжения.

Качество работы сглаживающего фильтра оценивают коэффициентом сглаживания

(2.2)

где , — коэффициенты пульсаций на входе и выходе фильтра. Функцию вида:

(2.3)

где — ток через нагрузку, называют нагрузочной характеристикой выпрямителя.

  1. Однополупериодный выпрямитель.

Выпрямитель (электрического тока) — устройство, предназначенное для преобразования переменного входного электрического тока в постоянный выходной электрический ток.

Однополупериодные выпрямители пропускают в нагрузку только одну полуволну.

Простейшая схема однополупериодного выпрямителя состоит только из одного выпрямляющего ток элемента (диода). На выходе — пульсирующий постоянный ток. На промышленных частотах (50—60 Гц) не имеет широкого применения, так как для питания аппаратуры требуются сглаживающие фильтры с большими величинами емкости и индуктивности, что приводит к увеличению габаритно-весовых характеристик выпрямителя. Однако схема однополупериодного выпрямления нашла очень широкое распространение в импульсных блоках питания с частотой переменного напряжения свыше 10 КГц, широко применяющихся в современной бытовой и промышленной аппаратуре. Объясняется это тем, что при более высоких частотах пульсаций выпрямленного напряжения, для получения требуемых характеристик (заданного или допустимого коэффициента пульсаций), необходимы сглаживающие элементы с меньшими значениями емкости (индуктивности). Вес и размеры источников питания уменьшаются с повышением частоты входного переменного напряжения.

Выбор диода для такой схемы сводится к следующих требований:

где — рабочий ток схемы, зависящий от величины нагрузки ( ).

— входное напряжение схемы определяемое параметрами пони­жающего трансформатора.

, – допустимый прямой ток и обратное напряжение — основные эксплуатационные параметры диода (выбираются из справочной литературы).

Недостатки:

  • Большая величина пульсаций

  • Сильная нагрузка на вентиль (требуется диод с большим средним выпрямленным током)

  • Низкий коэффициент использования габаритной мощности трансформатора (около 0,45) (не путать с КПД, который зависит от потерь в меди и потерь в стали и в однополупериодном выпрямителе почти такой же, как и в двухполупериодном).

Преимущества: Экономия на количестве вентилей.

1N4007 Схема выводов диода, особенности — объяснение с примерами схем

Диод — это базовое полупроводниковое устройство с PN-переходом, хорошо известное в мире микроэлектроники. Потому что он изготовлен из материалов типа P и N. Он действует как односторонний переключатель, который позволяет току течь в одном направлении и останавливается в другом направлении.

1N4007 относится к семейству кремниевых элементов серии 1N400X. Это выпрямительный диод общего назначения, который служит для преобразования сигналов переменного тока (AC) в сигналы постоянного тока (DC) в электронных устройствах.

В этом учебном пособии будут обсуждаться его распиновка, функции, спецификации, примеры схем и приложения.

1N4007 Распиновка

На следующей схеме показана распиновка логического символа диода 1N4007:

Он имеет две клеммы, то есть анод (положительно заряженный) и катод (отрицательно заряженный). Диод имеет два состояния, основанных на соединении анода и катода.

Чтобы ток протекал от анода к катоду, анод должен быть подключен к более высокому потенциалу, чем катод (прямое смещение).Ток, который течет от анода к катоду, известен как прямой ток. Обратное смещение ограничит протекание тока и может повредить устройство, если приложенное напряжение больше, чем обратное напряжение пробоя. При обратном смещении через диод протекает ток утечки, который пренебрежимо мал по сравнению с прямым током.

Конфигурация диода

В следующих таблицах перечислены данные о выводе анодных и катодных клемм:

Наименование контакта Функция
ANDODE
ANDODE
ANDODE
ANDODE
ANDODE . в анод.
Катод -ве носители и ток всегда уходит с катодного вывода.

Время обратного восстановления

Как и всем диодам, 1N4007 также требуется время обратного восстановления для восстановления при переключении из режима прямого смещения в режим обратного смещения. Во время обратного восстановления диод вырабатывает большой обратный ток, который выделяет тепло. Чем выше частота входного сигнала, тем большее время диод восстанавливает свое состояние. 1N4007 — низкочастотный диод из-за большого времени восстановления.Поэтому его следует использовать только для низкочастотных приложений.

1N4007 Особенности и спецификации

  • Пиковое обратное напряжение: 1000 вольт
  • Среднее время вперед: 1a
  • Неопределяющий пик вперед: 30A
  • ТЕМПЛАТА СОЕДИНА
  • . .
  • Прямое напряжение: 1,1 Вольт
  • Обратный ток: 5 мкА
  • Тип упаковки: DO-41

Некоторые другие характеристики указаны ниже:

  1. Низкое падение прямого напряжения обратный ток
  2. Очень высокое обратное пиковое напряжение

1N4007 Пример схемы

Теперь мы рассмотрим несколько примеров схем 1N4007 в этом разделе:

1N4007 в режиме прямого и обратного смещения

вывод +ve по сравнению с выводом катода, говорят, что диод смещен в прямом направлении.Когда это приложенное входное напряжение становится больше 0,6 вольт, диод IN4007 действует как короткое замыкание. 0,6 В — это прямое падение напряжения 1N4007.

Данная симуляция Proteus является прекрасным примером концепции переключения диода:

Две схемы представляют состояния диода. Первая схема показывает состояние диода с прямым смещением. Анод подключается к источнику питания, а катод к земле. Таким образом, анод диода находится под более высоким потенциалом, чем катод, из-за чего ток может превышать его область обеднения.Через светодиод проходит ток, и он загорается.

С другой стороны, вторая схема демонстрирует состояние обратного смещения, при котором ток не может течь из-за обедненной области, и светодиод не светится.

1N4007 в качестве регулятора напряжения

Эта схема демонстрирует использование диодов 1N4007 в качестве регулятора напряжения. Схема представляет собой изображение регулятора напряжения:

Диод имеет область обеднения, и при преодолении барьера происходит падение напряжения, равное 0.6 вольт. Используя это падение потенциала, мы можем сделать регулятор напряжения в соответствии с требованиями.

Для получения 3 В от 9-вольтового источника питания десять диодов 1N4007 соединены встречно-параллельно в последовательной конфигурации. Когда прямой ток течет от первого диода через анод к катоду, напряжение на первом диоде падает на 0,6 В, а входное напряжение для второго диода составляет 9-0,6 = 8,4 В. Аналогичный процесс происходит для каждого из диодов и входное напряжение постепенно снижается с 9 Вольт до необходимых 3 Вольт и может быть использовано для работы любого электронного оборудования с потребностью ~3В.

Это не рекомендуемая конструкция для практических проектов, но примерная схема используется только для демонстрации использования диода 1N4007.

1N4007 Альтернативные варианты

  • 1N4148
  • 1N5408
  • 1N5822
  • 1N4733A
  • стабилитронов

Применения
  • Выпрямители
  • диод приложений
  • встраиваемых систем для коммутации
  • Источники питания
  • Защита Схемы

Технический паспорт

Ссылка на технический паспорт приведена ниже, чтобы увидеть более подробную информацию и технические характеристики диода 1N4007.

Статьи по теме:

1N4001 Диод: распиновка, характеристики, эквиваленты, спецификация

Штифт Конфигурация

Номер контакта

Название контакта

Описание

1

Анод

Ток всегда проходит через анод

2

Катод

Ток всегда проходит через катод

 

1N4001 Характеристики диода
  • Средний прямой ток 1 А
  • Неповторяющийся Пиковый ток 30 А
  • Обратный ток 5 мкА.
  • Среднеквадратичное значение обратного напряжения составляет 35 В
  • Пиковое повторяющееся обратное напряжение составляет 50 В
  • Доступен в упаковке DO-41

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 1N4001, приведенной в конце этой страницы.

 

1N4001 Эквивалентные диоды

1N4148, 1N4733A, 1N5408, 1N5822, стабилитроны.

 

Описание

Диод — это устройство, позволяющее току течь только в одном направлении.То есть ток всегда должен течь от анода к катоду. Катодный вывод можно определить по серой полосе, как показано на рисунке выше.

Для диода 1N4001 максимальная допустимая нагрузка по току составляет 1 А, он выдерживает пики до 30 А. Следовательно, мы можем использовать это в цепях, рассчитанных на ток менее 1 А. Обратный ток составляет 5 мкА, что незначительно. Он может выдерживать пик обратного напряжения до 50В.

 

Применение диода
  • Может использоваться для предотвращения проблемы обратной полярности
  • Полупериодные и двухполупериодные выпрямители
  • Используется в качестве защитного устройства
  • Регуляторы расхода тока

 

2D-представление (DO-41)

1N4007 Диодная разводка, эквивалент, характеристики, техническое описание, приложения и другая информация

В этом посте объясняется распиновка диода 1N4007, эквивалент, спецификации, таблица данных, приложения и другая полезная информация об этом диоде.

 

 

Характеристики / Технические характеристики
  • Тип упаковки:  Доступен в упаковках DO-45 и SMD
  • Тип диода: Кремниевый выпрямительный диод общего назначения
  • Максимальное повторяющееся обратное напряжение: 1000 вольт
  • Средний ток вперед: 1000 мА
  • Неповторяющийся максимальный ток вперед: 30A
  • Макс. рассеиваемая мощность: 3 Вт
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +175 по Цельсию

 

1N4007 Замена и аналог

Если вы работаете при 400 В, вы можете использовать 1N4004 , если при 600 В используйте 1N4005, Если при 800 В используйте 1N4006, они точно такие же в других значениях 1N4007.Но если вы работаете с напряжением выше 800 В и ниже 1000 В, вы можете использовать диоды HER208, HER158, FR207, FR107 в качестве эквивалентов. Если вы работаете с напряжением выше 1000 В, вы можете использовать EM520, EM513 и 1N5399 в качестве замены.

 

Описание диода 1N4007 / Описание

1N4007 — широко используемый диод общего назначения. Обычно он предназначен для использования в качестве выпрямителя в блоке питания электронных приборов для преобразования переменного напряжения в постоянное с помощью других фильтрующих конденсаторов.Это диод серии 1N400x, в которой есть и другие подобные диоды от 1N4001 до 1N4007 и единственная разница между ними заключается в максимальном повторяющемся обратном напряжении.

Более того, его также можно использовать в любых приложениях общего назначения, где требуется обычный диод. Диод 1N4007 предназначен для работы с высокими напряжениями и может легко работать с напряжением ниже 1000 В. Средний прямой ток 1000 мА или 1 А, рассеиваемая мощность 3 Вт при небольшом размере и сниженной стоимости также делают его идеальным для широкого спектра приложений.

 

 

Где мы можем его использовать

1N4007 можно использовать в различных цепях, обычно он предназначен для выпрямления общего назначения, но его также можно использовать в любой цепи, где требуется блокировка напряжения, блокировка скачков напряжения и т. д. Его также можно использовать в цифровых логических схемах. .

 

Приложения

Источники питания

Зарядные устройства

Удвоители напряжения

Адаптеры

Исправление

Защита компонентов

Блокировка входного напряжения там, где это не требуется

 

Как безопасно длительно работать в цепи

Чтобы получить максимально длительный срок службы диода, рекомендуется всегда оставаться на 30–40 В ниже его максимального повторяющегося обратного напряжения и других значений.Всегда подключайте в правильной полярности, не подключайте нагрузку более 1А. Не эксплуатируйте и не храните при температуре ниже -55°С и выше +175°С.

 

1N4007  Спецификация:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://www.mouser.com/datasheet/2/149/1N4007-888322.pdf

1N5822 Диод Шоттки Распиновка, спецификации, эквиваленты, схемы примененияпадение 525 В) и очень быстрое время переключения. Передовая геометрия с хромированным металлическим барьером, эпитаксиальная конструкция с оксидной пассивацией и металлический контакт внахлест. 1N5822 идеально подходит для использования в качестве выпрямителей в низковольтных высокочастотных инверторах, а также в качестве обратных диодов и диодов для защиты от полярности и обеспечивает более высокую эффективность системы по сравнению с кремниевыми p-n-диодами.

1N5822 Шоттки Распиновка с Symbol

1N5822 Диод функции и характеристики

  • Форвард ток: 3A

  • Скорость: Быстрое восстановление: <= 500ns,> 200mA

  • обратный ток утечки: 2mA @ 40V

  • низкий вперед падение напряжения

  • Очень быстрое переключение скорости

  • Низкие потери мощности

  • низкий накапливаемый заряд

  • высокий вперед всплеск возможности

  • Высокая частота

  • низкий вперед сопротивление

1N5822 Применение диодов

1N5822 Структура диода Шоттки и работа

Диод Шоттки 1N5822 изготавливается путем соединения полупроводникового материала с металлом для образования барьера.Между ними в этой комбинации нет обедненной области. Этот диод Шоттки может быть изготовлен из золота, серебра, платины или вольфрама среди других металлов. Кроме того, арсенид галлия является наиболее часто используемым полупроводниковым материалом, помимо кремния.

Когда напряжение не подается или цепь не смещена, электроны в материале N-типа имеют более низкий энергетический уровень, чем электроны в металле. Когда диод смещен в прямом направлении, электроны в N-типе набирают энергию и движутся с большей скоростью.В результате эти электроны называются горячими носителями.

1N5822 Прикладные схемы

(понижающий импульсный регулятор напряжения )

Вышеприведенная схема проста, легко подключается и недорога, обеспечивает 5 В от нерегулируемого источника 7–40 В с максимальным выходным током 3А. Входное напряжение может достигать 70 В при использовании версии LM2576HVT-5V. Из-за индуктора напряжение в узле переключателя падает до нескольких вольт ниже уровня земли во время обратного восстановления.Крутые пики отрицательного напряжения коммутационного узла вызывают помехи, которые могут быть емкостно связаны с другими сегментами цепи. Эти помехи можно уменьшить, вставив дополнительный диод Шоттки.

(понижающее преобразование с N-канальными МОП-транзисторами и диодом Шоттки)

МОП-транзистор. Поскольку паразитная индуктивность вредна, доступны МОП-транзисторы со встроенными диодами Шоттки.Наконец, хотя в этой статье в качестве примера использовалась топология обычного понижающего преобразователя, эти концепции применимы и к другим типам импульсных преобразователей.

1N5822 Эквиваленты и альтернативы

BAT54C, SB340, 1N5820, 1N5821, SS34-3A

1N5822 Модель Размеры

Скачать 1N5822 Datasheet PDF

1N5822 Диод Шоттки FAQ

1. Могу ли я использовать MOSFET для заменить 1N5822?

Для цепей быстрого переключения используйте диоды Шоттки для низковольтных приложений и сверхбыстродействующие диоды для более высоких напряжений.Поскольку цены сильно зависят от объемов, может быть дешевле использовать внутренний диод, присутствующий в большинстве мощных полевых МОП-транзисторов, например, МОП-транзисторы серии IRF довольно дешевы в Индии из-за их широкого распространения. Вы можете получить его менее чем за половину цены сопоставимого диода.

2. Для чего используется диод Шоттки?

Диоды Шоттки используются на более высоких частотах из-за их низкого напряжения включения, быстрого времени восстановления и низких потерь энергии. Диоды Шоттки способны выпрямлять ток благодаря их быстрому переходу из проводящего состояния в запирающее.

3. В чем разница между 1N5822 и 1N5819?

Они имеют очень похожее прямое напряжение и тепловое сопротивление при одинаковых условиях. Однако 1N5822 имеет более высокий уровень тока утечки, что может вызвать проблемы с питанием ИЛИ цепей, содержащих резервную батарею. Кроме того, для правильного монтажа и пайки в 1N5822 требуются отверстия большего размера.

SB560 Диод Шоттки Техническое описание, разводка выводов, характеристики и применение

Привет друзья! Надеюсь, ты сегодня в порядке.Я приветствую вас на борту. Спасибо, что нажали на это чтение. В этом посте сегодня я подробно расскажу о введении в SB560.

SB560 — это диод Шоттки, также известный как диод с горячей несущей, который в основном используется в устройствах с чрезвычайно быстрым переключением. Он имеет низкое прямое падение напряжения и используется в высокочастотном режиме. Высоконадежное и эффективное устройство SB560 представляет собой компонент с высокой способностью прямого выброса, доступный в корпусе DO-201AD. Это устройство имеет максимальное среднеквадратичное напряжение 42 В, в то время как максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение составляет 60 В.

Я предлагаю вам пройти весь этот пост до конца, так как я подробно расскажу о введении в SB560, включая техническое описание, распиновку, функции и приложения.

Давайте сразу приступим.

Знакомство с SB560
  • SB560 — это диод Шоттки, используемый в устройствах с чрезвычайно быстрым переключением. Он также известен как диод с горячими носителями.
  • Когда полупроводниковый материал соединяется с металлом, они образуют диод Шоттки. Этот диод представляет собой двухконтактное устройство, где эти выводы используются для внешнего соединения со схемой.
  • Одна клемма называется анодом из металлического материала, а другая клемма называется катодом из полупроводникового материала.

  • Сторона анода положительна, а сторона катода отрицательна. А ток течет только в одном направлении. Этот диод блокирует ток в обратном направлении. Ток течет от анодного вывода к катоду.
  • Этот диод Шоттки также известен как диод с горячей несущей. В несмещенном состоянии это устройство обладает низкой электронной энергией, что приводит к созданию барьера, ограничивающего движение электронов.Из-за образования этого барьера диоды Шоттки также называют диодами с горячими носителями.
  • Диод Шоттки
  • и обычный диод работают аналогичным образом, учитывая протекание тока. Оба способствуют протеканию тока в одном направлении и ограничивают протекание тока в другом направлении. Эти устройства отличаются напряжением, необходимым для питания этих диодов.
  • Хотя обоим устройствам требуется источник постоянного напряжения 2 В, диоду Шоттки требуется всего 0,3 В, оставляя 1,7 В для подачи питания на диод.В то время как обычному диоду требуется всего 0,7 В, оставляя 0,3 В для питания диода.

SB560 Технический паспорт

При работе с электрическими устройствами лучше ознакомиться с техническим паспортом компонента, в котором подробно описаны основные характеристики компонента.

Вы можете легко загрузить техническое описание этого компонента SB560, нажав на ссылку ниже.

Схема контактов SB560

На следующем рисунке показана схема контактов SB560.

SB560 состоит из двух выводов, называемых анодом и катодом. Сторона анода положительна, а сторона катода отрицательна. Ток течет от клеммы анода к клемме катода.

SB560 Особенности
  • Применяется для защиты от перенапряжения
  • Высокоточное устройство
  • Устройство с высоким импульсным током
  • Полярность = катодная полоса
  • средний прямой выпрямленный ток = 5A
  • Пакет
  • = DO-201AD
  • Максимальное среднеквадратичное значение напряжения = 42 В
  • Монтажное положение = Любое
  • Повторяющееся пиковое обратное напряжение = 60 В
  • Поставляется с малым падением прямого напряжения
  • Низкие потери мощности и высокоэффективное устройство
  • Недорогое и высоконадежное устройство

SB560 Конструкция диода Шоттки
  • Диод Шоттки образуется при соединении полупроводникового материала с такими металлами, как вольфрам, платина, хром и молибден.
  • Когда эти два материала соединяются, они образуют барьер, блокирующий движение электронов.
  • Напомним, образование барьера происходит из-за низкой электронной энергии в несмещенном состоянии.
  • Обычно полупроводниковый материал n-типа используется для формирования диода Шоттки.
  • Полупроводниковые материалы P-типа также используются для изготовления диода Шоттки, но они не предпочтительнее полупроводниковых материалов n-типа, поскольку первый имеет низкое прямое падение напряжения.
  • Сторона анода диода состоит из металла, а сторона катода — из полупроводникового материала. И ток течет от положительной стороны анода к отрицательной стороне катода.

SB560 Применение
  • Используется в низковольтных инверторах и DC/DC преобразователях.
  • Используется для управления электронным зарядом.
  • Используется в схемах свободного хода и логических схемах.
  • Используется для обнаружения сигнала.
  • Используется для защиты от неправильной полярности и высокочастотных приложений.
  • Используется в схемах выборки и хранения.
  • Используется в солнечных системах и радиочастотных приложениях.
  • Используется для приложений с чрезвычайно быстрым переключением.

Это было все, что касается знакомства с SB560. Я надеюсь, что вы найдете эту статью полезной. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать их мне в разделе комментариев ниже, я буду рад помочь вам, чем смогу. Мы всегда рады поделиться своими ценными предложениями по контенту, которым мы делимся, чтобы мы продолжали выпускать качественный контент.Спасибо за прочтение статьи.

Ficheiro:Распиновка диода pt.svg – Википедия, энциклопедия

Описание фичейру

На основе изображения растровой графики Изображение:Diode 3D и ckt.png

Лицензия

ЕС, титульный dos direitos de autor desta obra, publico-a com as seguintes licenças:

Предоставлено разрешение на копирование, распространение и/или изменение этого документа в терминах Licença de Documentação Livre GNU , версия 1.2 или более поздней версии Free Software Foundation; sem Secções Invariantes, sem textos de Capa e sem textos de Contra-Capa. Включена копия лицензии в отдельном разделе Лицензия на бесплатную документацию GNU .http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Лицензия на бесплатную документациюtruetrue

A utilização deste ficheiro é regulada nos termos da licença Creative Commons — Atribuição-CompartilhaIgual 3.0 Não Adaptada, 2.5 Generica, 2.0 Generica и 1.0 Generica.
Код:
  • часть – копия, распространение и передача
  • рекомбинатный – criar obras derivadas
De acordo com as seguintes condições:
  • atribuição – Tem de fazer a devida atribuição da Autoria, fornecer uma hiperligação para a licença e indicar se foram feitas alterações.Pode fazê-lo де qualquer форма razoável, мас não де форма a sugerir дие о licenciador о apoia ou subscreve о seu uso da obra.
  • partilha nos termos da mesma licença – Se remisturar, convertar ou ampliar o conteúdo, tem de distribuir as suas contribuições com a mesma licença ou uma licença compatível com a original.

https://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0 CC BY-SA 3.0 Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 правда правда

Pode escolher a licença que quiser.

português

Adicione uma explicação de uma linha do que este ficheiro представитель

Исторический документ

Clique uma data e hora para ver o ficheiro tal como ele se encontrava nessa altura.

90 735
данных электронной Hora Miniatura Dimensões Utilizador Comentário
atual 17h52min де 27 де Феверейро де 2012 1 431 × 679 (16 кБ) TedPavlic Исправлены символы, метаданные и атрибуция.
23H33MIN DE 23 DE ABRIL DE 2011 1 431 × 679 (15 КБ) ERIK DEL TORO STRB СИМОЛ. 1 431 × 679 (15 кБ) Erik дель Торо Streb
12h21min де 23 де Абриль-де-2011 1 431 × 679 (15 кБ) Erik дель Торо Streb {{ Информация |Описание ={{en|1=Показывает типичный символ диода, названия электродов и изображения общих корпусов в том же порядке, что и символ цепи.}} {{de|1=Zeigt typisches Diodensymbol, Elektrodennamen und Abbildungen üblicher Gehäuse in gleicher

Utilização local do ficheiro

A seguinte página usa este ficheiro:

Este ficheiro contém informação adicional, provavelmente adicionada partir da câmara digital ou Scanner utilizada para criar ou digitalizar imagem. Caso o ficheiro tenha sido modificado partir do seu estado original, alguns detalhes poderão não refletir completamente as Mudanças efetuadas.

Контроллер лазерного диода

с TEC для Butterfly LD, 14 контактов, тип 1 или тип 2, модель: SF8XXX-ZIF14 Контроллер лазерного диода

с TEC для Butterfly LD, 14 контактов, тип 1 или тип 2, модель: SF8XXX-ZIF14
  1. Домашний
  2. Лазеры
  3. Полупроводниковые лазеры
  4. Принадлежности для полупроводниковых лазеров
  5. Контроллер лазерного диода с TEC для Butterfly LD 14-контактный вывод, тип 1 или тип 2 Модель: SF8XXX-ZIF14
ОБЗОР
Контроллер лазерного диода серии

SF8XXX-ZIF14 специально разработан для лазерных диодов в корпусе «бабочка» с 14-контактной конфигурацией.Этот драйвер включает высокостабильный источник тока (+/-0,01 мА) для лазерных диодов и ТЭО для прецизионного контроля температуры через элемент Пельтье (ТЭМ) (+/-0,01 °C). Драйвер имеет встроенное монтажное гнездо Azimuth для устройств в корпусе «бабочка» и большой радиатор для стабильного отвода тепла.

СПЕЦИФИКАЦИЯ
  • Максимальный ток LD (I): 250; 750; 1500 мА
  • Выходное напряжение LD (В): 0.5-3 В
  • Текущая стабильность: 0,1 %
  • Точность текущего набора: +/- 1 %
  • Шум выходного тока: 10-15 мкА
  • ТЕС Выходная мощность: ±4 А
  • TEC Выходное напряжение: ±4 В
  • Пульсация выходного тока TEC: 2 ~ 4 мА
  • Датчик обратной связи TEC: 10 кОм NTC
  • Диапазон контроля температуры: от +15 до +40 °С
  • Размеры: 101.6 х 61 х 28,3 мм
  • Вес: 142 г
  • Пользовательский интерфейс : RS-232 / UART / USB / аналоговый / подстроечный потенциометр для тока драйвера и мощности TEC
  • Защита лазерного диода: Плавное изменение тока при плавном пуске/ ограничение тока/ ограничение температуры/ защита от обратного тока/ защита от электростатического разряда и переходных процессов
  • Источник входного напряжения (Vin): 5 В
  • Гарантийный срок: 1 год гарантии производителя
Приложения
  • Управление/управление лазерными диодами типа «бабочка» с 14-контактной распиновкой Тип 1 или Тип 2 (в зависимости от модели).
  • Основные области применения: лазерная накачка, лазерная спектроскопия, лабораторные испытательные установки.
  • Эти устройства являются отличным выбором для лазерных диодов от II-VI Laser Enterprise, Eblana Photonics, 3SP Technologies, Furukawa и других.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
  • Универсальный источник тока, регулятор температуры и крепление с азимутальным разъемом ZIF для бабочки
  • Совместим с 14-контактным лазерным диодом бабочки типа 1 и 2 (в зависимости от модели)
  • LD Слабая пульсация тока: ≤ 10 мкА
  • Стабильность тока < 0.1%
  • Встроенный ПИД-регулятор, не требует настройки
  • Плавное изменение тока, ограничение тока, ограничение температуры для защиты лазерного диода
  • Бесплатное программное обеспечение

Войти

ИЛИ

Нет учетной записи?
Пожалуйста, рассмотрите возможность регистрации

ПРИМЕЧАНИЕ. Получение ссылки для подтверждения регистрации может занять до 10 минут.Для немедленной помощи, пожалуйста, используйте опцию «ГОСТ» выше.

FindLight

3790 Эль Камино Реал, #538,

Пало-Альто , Калифорния , 94306 США

Этот hCard созданный с помощью hCard создатель .

.

0 comments on “Цоколевка диода: 🛠 Обозначение диодов на принципиальной схеме (цоколёвка) 👈

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.