Мощные полевые транзисторы – МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

    В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры — предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ — справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

 МаркаНапряжение, BСопротивление перехода, ОмТок стока, AМощность, ВтКорпус 
 123456 
 STH60N0SFI500,02340,065ISOWATT218 
 STVHD90FI500,02330,040ISOWATT220 
 STVHD90500,02352,0125ТО-220 
 STH60N05500,02360,0150ТО-218 
 IRFZ40500,02835.0125ТО-220 
 BUZ15500.0345,0125 ТО-3 
 SGSP592500,03340,0150ТО-3 
 SGSP492500.03340,0150ТО-218 
 IRFZ42FI500,03524,040ISOWATT220 
 IRFZ42500,03535,0125ТО-220 
 BUZ11FI500,0420,035ISOWATT220 
 BUZ11500,0430,075ТО-220 
 BUZ14500,0439,0125ТО-3 
 BUZ11A500,0625,075ТО-220 
 SGSP382500.0628,0100ТО-220 
 SGSР482500.0630.0125ТО-218 
 BUZ10500.0820.070ТО-220 
 BUZ71FI500,1012,030ISOWATT220 
 IRF20FI50
0,10
12,530ISOWATT220 
 BUZ71506,1014,040ТО-220 
 IRFZ20500,1015.040ТО-220 
 BUZ71AFI500,1211,030ISOWATT220 
 IRFZ22FI500,1212,030ISOWATT220 
 BUZ71A500,1213,040ТО-220 
 IRFZ22500,1214,040ТО-220 
 BUZ10A500,1217,075ТО-220 
 SGSP322500,1316,075ТО-220 
 SGSP358500.307,050ТО-220 
 MTh50N06FI600,02826,065ISOWATT218 
 MTh50N06600,02840,0150ТО-218 
 SGSP591600,03340,0150ТО-3 
 
SGSP491600,03340,0150ТО-218 
 BUZ11S2FI600,0420,035ISOWATT220 
 BUZ11S2600,0430,075ТО-220 
 IRFP151FI600,05526,065ISOWATT218 
 IRF151600.05540,0150ТО-3 
 IRFP151600.05540,0150ТО-218 
 SGSP381600,0628,0100ТО-220 
 SGSP481600.0630.0125ТО-218 
 IRFP153FI600,0821,065ISOWATT218 
 IRF153600,0833,0150ТО-3 
 IRFP153600,0834.0150ТО-218 
 SGSP321600,1316,075ТО-220 
 MTP3055EFI600,1510,030ISOWATT220  
 МТР3055Е600,1512.040ТО-220 
 IRF521FI800,277,030ISOWATT220 
 IRF521800.279,260ТО-220 
 IRF523FI800366,030ISOWATT220 
 IRF523800.368,060ТО-220 
 SGSP472800,0535.0150ТО-218 
 
IRF541800,07715,040ISOWATT220 
 IRF141800.07728,0125ТО-3 
 IRF541800.07728,0125ТО-220 
 IRF543F1800,1014,040SOWATT220 
 SGSP362800,1022.0100ТО-220 
 IRF143800,1025,0125ТО-3 
 SGSР462800.10
25,0
125ТО-218 
 IRF543800,1025.0125О-220 
 IRF531FI800.169,035SOWATT220 
 IRF531800.1614,079О-220 
 IRF533FI800,238,035ISOWATT220 
 IRF533800,2312.079ТО-220 
 IRF511800,545.643ТО-220 
 IRF513800,744,943ТО-220 
 IRFP150FI1000,05526,065ISOWATT218 
 IRF1501000,05540,0150ТО-3 
 IRFP1501000,05540,0150ТО-218 
 BUZ241000,632,0125ТО-3 
 IRF540FI1000,07715,040ISOWATT220 
 IRF1401000,07728,0125ТО-3 
 IRF5401000,07728,0125ТО-220 
 SGSP4711000,07530,0150ТО-218 
 IRFP152FI1000,0821,065ISOWATT218 
 IRF1521000,0833,0150ТО-3 
 IRFP1521000,0834.0150ТО-218 
 IRF542FI1000,1014,040ISOWATT220 
 BUZ211000,1019.075ТО-220 
 BUZ251000,1019.078ТО-3 
 IRF1421000,1025,0125ТО-3 
 IRF542100′0,1025,0125ТО-220 
 SGSP3611000,1518,0100ТО-220 
 SGSP4611000,1520.0125ТО-218 
 IRF530FI1000,169,035ISOWATT220 
 IRF5301000,1614.079ТО-220 
 BUZ201000,2012.075ТО-220 
 IRF532FI1000.238.035ISOWATT220 
 IRF5321000,2312,079ТО-220 
 BUZ72A1000,259,040ТО-220 
 IRF520FI1000.277,030ISOWATT220 
 IRF5201000,279,260ТО-220 
 SGSP3111000,3011.075ТО-220 
 IRF522FI1000,366.030ISOWATT220 
 IRF5221000,368,060ТО-220 
 IRF5101000,545,643ТО-220 
 SGSP3511000,606,050ТО-220 
 IRF5121000,744,943ТО-220 
 SGSP3011001,402,518ТО-220 
 IRF621FI1600,804.030ISOWATT220 
 IRF6211500,805,040ТО-220 
 IRF623FI1501,203,530ISOWATT220 
 IRF6231501.204.040ТО-220 
 STh43N20FI2000.08520.070ISOWATT220 
 SGSP5772000,1720,0150ТО-3 
 SGSP4772000,1720,0150ТО-218 
 8UZ342000,2019,0150ТО-3 
 SGSP3672000,3312,0100ТО-220 
 BUZ322000,409,575ТО-220 
 SGSP3172000,756,075ТО-220 
 IRF620FI2000,804,030ISOWATT220 
 IRF6202000,805,040ТО220 
 IRF622FI2001.203,530ISOWATT220 
 IRF6222001.204,040ТО-220 
 IRF741FI3500.555,540ISOWATT220 
 IRF7413500,5510,0125ТО-220 
 IRF7433500.808,3125ТО-220 
 IRF731FI3501,003,535ISOWATT220 
 IRF7313501,005,575ТО-220 
 IRF733FI3501,503,035ISOWATT220 
 IRF7333501,504.575ТО-220 
 IRF721FI3501,802.530ISOWATT220 
 IRF7213501,803.350ТО-220 
        
 IRF723FI3502,502,030ISOWATT220 
 IRF7233502,502,850ТО-220 
 IRFP350FI4000,3010,070ISOWATT218 
 IRF3504000,3015,0150ТО-3 
 IRFP3504000,3016,0180ТО-218 
 IRF740FI4000,555,540ISOWATT220 
 IRF7404000,5510,0125ТО-220 
 SGSP4754000,5510,0150ТО-218 
 IRF742FI4000,804,540ISOWATT220 
 IRF7424000,808,3125ТО-220 
 IRF730FI4001,003,535ISOWATT220 
 BUZ604001,005,575ТО-220 
 IRF7304001,005,575ТО-220 
 IRF732FI4001,503,035ISOWATT220 
 BUZ60B4001,504,575ТО-220 
 IRF7324001,504,575ТО-220 
 IRF720FI4001,802,530ISOWATT220 
 BUZ764001,803,040ТО-220 
 IRF7204001,803,350ТО-220 
 IRF722FI4002,502,030ISOWATT220 
 BUZ76A4002,502,640ТО-220 
 IRF7224002,502,850ТО-220 
 SGSP34140020,00,618ТО-220 
 IRFP451FI4500,409,070ISOWATT218 
 IRF4514500,4013,0150ТО-3 
 IRFP4514500,4014,0180ТО-218 
 IRFP453FI4500,508,070ISOWATT218 
 IRF4534500,5011,0150ТО-3 
 IRFP4534500,5012,0180ТО-218 
 SGSP4744500,709,0150ТО-218 
 IRF841FI4500,854,540ISOWATT220 
 IF8414500.858,0125ТО-220 
 IRFP441FI4500,855,560ISOWATT218 
 IRF843FI4501,104,040ISOWATT220 
 IRF8434501,107,0125ТО-220 
 IRF831FI4501,503,035ISOWATT220 
 IRF8314501,504,575ТО-220 
 SGSP3644501,505,0100ТО-220 
 IRF833FI4502,002,535ISOWATT220 
 IRF8334502,004,075Т0220 
 IRF821FI4503,002,030ISOWATT220 
 IRF8214503,002,550ТО-220 
 SGSP3304503,003,075ТО-220 
 IRF823FI4504,001.530ISOWATT220 
 IRF8234504,002,250ТО-220 
 IRFP450FI5000,409,070ISOWATT218 
 IRF4505000,4013,0150ТО-3 
 IRFP4505000,4014,0180ТО-218 
 IRFP452FI5000,508,070ISOWATT218 
 IRF4525000,5011,0150ТО-3 
 IRFP4S25000,5012,0180ТО-218 
 BUZ3535000,609,5125ТО-218 
 BUZ455000,609,6125ТО-3 
 SGSP5795000,709,0150ТО-3 
 SGSP4795000,709.0150TO-218 
 BU23545000,808,0125TO-218 
 BUZ45A5000,808,3125TO-3 
 IRF840FI5000,854,540ISOWATT220 
 IRF8405000,858,0125TO-220 
 IRFP440FI5000,855,560ISOWATT218 
 IRF842FI5001,104,040ISOWATT220 
 IRF8425001.107,0125TO-220 
 IRF830FI5001,503,035ISOWATT220 
 BUZ41A5001,504,575TO-220 
 IRF8305001,504,575TO-220 
 SGSP3695001,505,0100TO-220 
 IRF832FI5002,002,535ISOWATT220 
 BUZ425002,004,075TO-220 
 IRF8325002,004,075TO-220 
 IRF820FI5003,002,030ISOWATT220 
 BUZ745003,002,440TO-220 
 IRF8205003,002,550TO-220 
 SGSP3195003,802,875TO-220 
 IRF322FI5004,001,530ISOWATT220 
 BUZ74A5004,002,040TO-220 
 IRF8225004,002,250TO-220 
 SGSP3685502,505,0100TO-220 
 MTH6N60FI6001,203.540ISOWATT218 
 MTP6N60FI6001,206,0125ISOWATT220 
 MTP3N60FI600.2,502,535I30WATT220 
 MTP3N606002,503,075TO-220 
 STH9N80FI8001,00 .5,670ISOWATT218 
 STH9N808001,009,0180TO-218 
 STH8N80FI8001,205,070ISOWATT218 
 STH8N808001,208.0180TO-218 
 STHV82FI8002,003,565ISOWATT218 
 STHV828002,005,5125TO-218 
 BUZ80AFI8003,002,440ISOWATT220 
 BUZ80A8003,003,8100TO-220 
 BUZ80FI8004,002,035ISOWATT220 
 BUZ808004,002,675TO-220 
 STH6N100FI10002,003,770ISOWATT218 
 STH6N10010002,006,0180TO-218 
 STHV102FI10003,503,065ISOWATT218 
 STHV10210003,504,2125TO-218 
 SGS100MA010D11000,01450120TO-240 
 SGS150MA010D11000,00975150TO-240 
 SGS30MA050D15000,201530TO-240 
 SGS35MA050D15000,1617,535TO-240 
 TSD200N05V500,006200600Isotop 
 TSD4M150V1000,01470135Isotop 
 TSD4M251V1500,02170110Isotop 
 TSD4M250V2000,02160110Isotop 
 TSD4M351V3500,0753050Isotop 
 TSD4M350V4000,0753050Isotop 
 TSD4M451V4500,12845Isotop 
 TSD2M450V5000,226100Isotop 
 TSD4M450V5000,12845Isotop 
 TSD22N80V8000,42277Isotop 
 TSD5MG40V10000,7917Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

   Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) — к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 — 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

   Справочники радиодеталей

elwo.ru

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.


Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и «хвоста», как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.








Отечеств.КорпусPDFТипImax, AИмпортн.Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом:
ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных
условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364ТО-92n0.02    кп364 — полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302ТО-92n0.04      транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914АТО-39n0.1(0.2) BSS138
2SK583
sot23
TO-92
полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601ТО-39n0.4   полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А

КП507
ТО-92p0.6
1.1
TP2104
 
TO-92, sot23
sot23
полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
   n1.6 BSP295 sot223 импортный полевой smd транзистор BSP295
   n2 RTR020N05 sot23 полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
   n4 NTR4170 sot23
   n5 PMV60ENsot23
   n6 BSP100sot223
КП921АTO-220n10    мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954ГTO-220n20(18) FDD8424TO-252 мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
   n34 BUZ11TO-220импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160АTO-258n46(42) IRFR4104TO-252характеристики мощного MOSFET IRF4104
n100 IRF1104TO-220 MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
n162 IRF1404TO-220MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
n210 IRF2204TO-220 импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
n280 IRF2804TO-220 импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
n350 IRFP4004TO-247 мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
   n0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92, sot23smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804АТО-39n1    
КП505 А-Г
 
ТО-92n1.4
2.7

IRFL014

sot223
импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961ГТО-126n5   транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965ГТО-126n5    транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б)ТО-3n5     
КП739 (А-В)ТО-220n10 IRF520ТО-220 импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В)ТО-220n17 STP16NF06TO-220 на 60В 15А
КП7174АТО-220n18    
КП784АТО-220p18  
КП954 В,ДТО-220n20 STP20NF06TO-220 мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912АТО-3n25    полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)
ТО-220
 

 
n
p
30
31
STP36NF06
IRF5305
ТО-220 мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б)ТО-220n50 IRFZ44TO-220 мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В)ТО-220n50 STP55NF06TO-220отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1)ТО-220n50    отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102ДТО-220n50  MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В)ТО-220n50(60) STP60NF06 TO-220полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б)ТО-218n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
TO-220, D2PAK
ТО-220
ТО-220
ТО-220
полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
n140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
   n210 IRFB3077ТО-220 полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
   n350 IRFP4368ТО-247 мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В  ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961ВТО-126n5     
КП965ВТО-126p5(6.8) IRF9520ТО-220 p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1)ТО-126n5.6  
КП743 (А-В)ТО-220n5.6 IRF510ТО-220mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801ВТО-3n8 IRFR120DPAK  
КП744 (А-Г)ТО-220n9.2 IRF520TO-220 импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б)ТО-3n10 BUZ72TO-220mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В)ТО-220n14 IRF530ТО-220транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785АТО-220p19 IRF9540ТО-220 импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144АТО-220p19    мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954БТО-220n20 IRFB4212TO-220параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912АТО-3n20   мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г)ТО-220n28 IRF3315ТО-220 импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797ГТО-220n28 IRF540ТО-220импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г)ТО-220n28     мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А

КП150

ТО-218

n33
34
38
IRF540NS
BUZ22
 
TO-220, D2PAK
TO-220
 
мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,БТО-220p40 IRF5210ТО-220 mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)

 

ТО-220

 

 

n40
42
47

IRF1310
PHB45NQ10

ТО-220
TO-247, D2PAK
отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
   n57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
   n72 IRFP4710ТО-247mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
   n171 IRFP4568ТО-247 полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
   n290 IRFP4468ТО-247 мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402АТО-92p0.15 BSS92 TO-92  
КП508АТО-92p0.15   
КП501АТО-92n0.18 BS107TO-92  
КП960ВТО-126p0.2    
КП959ВТО-126n0.2     
КП504ВТО-92n0.2 BS108ТО-92  
КП403АТО-92n0.3    
КП932АТО-220n0.3    
КП748 (А-В)ТО-220n3.3 IRF610ТО-220 mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796ВТО-220p4.1 BUZ173TO-220  
КП961АТО-126n5 IRF620 TO-220полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965АТО-126p5    
КП749 (А-Г)ТО-220n5.2    
КП737 (А-В)ТО-220n9 IRF630ТО-220 mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б)ТО-220n10mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В)ТО-220n18 IRF640
IRFB17N20
TO-220 mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В)ТО-220n18    
КП813А1,Б1ТО-220n22 BUZ30A
IRFP264
TO-220
TO-247
мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250ТО-218n30(25)IRFB4620TO-220  
2П7145А,БКТ-9n30 IRFB31N20TO-220 мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,БТО-218n50(62) IRFS4227D2PAK характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
   n130 IRFP4668TO-247 мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960АТО-126p0.2   
КП959АТО-126n0.2 
КП796БТО-220p3.7 
2П917АТО-3n5  
КП768ТО-220n10  
КП934БТО-3n10  
КП7178АТО-218
ТО-3
n40   
Полевые транзисторы до 400В:
КП502АТО-92n0.12   
КП511А,БТО-92n0.14     
КП733АТО-220n1.5     
КП731 (А-В)ТО-220n2 IRF710ТО-220 mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В)ТО-220n3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 ВТО-220n5 IRF734ТО-220 mosfet транзистор IRF734
КП768ТО-220n5.5 IRF730ТО-220 mosfet транзистор IRF730
КП707А1ТО-220n6     
КП809БТО-218
ТО-3
n9.6     
КП934АТО-3n10 IRF740ТО-220 mosfet транзистор IRF740
КП350ТО-218n14 BUZ61TO-220 mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,БТО-3n16.5     
n18.4 STW18NB40TO-247 импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707АТО-3n25 IRFP360TO-247mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В)ТО-220n2.5 IRF820ТО-220 mosfet транзистор IRF820
КП770ТО-220n8 IRF840TO-220 mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1ТО-218
ТО-3
n9.6 2SK1162ТО-3Р mosfet транзистор 2SK1162
КП450ТО-218n12 IRFP450TO-247 мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182АТО-218n20 IRFP460ТО-247  
КП460ТО-218n20(23) IRFP22N50TO-247 мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,БТО-218
ТО-3
n26(31) IRFP31N50
STW30NM50
TO-247
TO-247,TO-220
мощный полевой транзистор 500В 31А
n32 SPW32N50TO-247 мощный полевой транзистор на 500В 32А
n46 STW45NM50
IRFPS40N50
TO-247
S-247
мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129АТО-220n1.2 SPP02N60TO-220 высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В)ТО-220n4(3) SPP03N60TO-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б)ТО-220n4 IRFBC30ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1ТО-220n4 SPP04N60ТО-220 мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173АТО-220n4    
КП726 (А,Б)smd
ТО-220
n4.5     
КП931Б
 
ТО-220
 

 
n5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
MOSFET транзистор 600В 5А
КП809ВТО-218
ТО-3
n9.6 IRFB9N65A TO-220 мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942ВТО-3n10 SPP11N60ТО-220 MOSFET транзистор 600В 10А
КП953ГТО-218n15    
КП707БТО-3n16.5 SPP20N60
SPW20N60
ТО-220
TO-247
MOSFET транзистор 600В 15А
n30 STW26NM60TO-247 полевой транзистор 600В 30А
КП973БТО-218n30 IRFP22N60
IRFP27N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 30А
n40 IRFPS40N60S-247MOSFET транзистор 600В 40А
n47 SPW47NM60
FCh57N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
n60 IPW60R045TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1ТО-220n3    
КП728 (Г1-С1)ТО-220n3.3    
КП810 (А-В)ТО-218n7    
КП809ЕТО-218
ТО-3
n9.6   мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942БТО-3n10   MOSFET транзистор 700В 10А
КП707ВТО-3n12.5   мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953ВТО-218n15 MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А
 
ТО-218
 

 
n30
39

IPW60R075

TO-247
полевой транзистор (IRF) 650В 25А
 n 60 IPW60R045TO-247 полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
n1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931АТО-220n5 IRFBE30ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,ВТО-3n5.4 SPP06N80ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809ДТО-218
ТО-3
n9.6 STP10NK80TO-220 мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942АТО-3n10 STP12NK80TO-247 MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184АТО-218n15 SPP17N80ТО-220 мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,ДТО-218n15   MOSFET транзистор 800В 15А
КП971БТО-218n25(55) SPW55N80TO-247 MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б n4.5(3.1) IRFBG30TO-220 высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705АТО-3n5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971АТО-218n25(36) IPW90R120TO-247высоковольтный mosfet 900В 30А

www.trzrus.ru

Полевые транзисторы «IRF…»

Справочник

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ «IRF…»

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

тип.

рис.

Uc-и max

(V)

Ic max

(А)

Р max

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и

(отс) (V)

Uз-и

max (V)

S

(А/V)

при Ic

(А)

IRF230

А

200

9

75

0.4

0.6

4

20

3-4.8

5

IRF231

А

150

9

75

0.4

0.6

3.5

20

3-4.8

5

IRF232

А

200

8

75

0.6

0.6

3,5

20

3-4,8

5

IRF233

А

150

8

75

0.6

0.6

4

20

3-4,8

5

IRF234

А

250

8

75

0,45

0.6

4

20

3-5

6

IRF235

А

250

6.5

75

0.7

0.6

4

20

3-5

6

IRF236

А

275

8

75

0,45

0.6

4

20

3-4,3

4

IRF237

А

275

6,5

75

0,7

0.6

4

20

3-4,3

4

IRF240

С

200

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF241

С

150

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF242

С

200

16

125

0,22

1.3

4

20

6-10

10

IRF243

С

150

16

125

0.22

1.3

4

20

6-10

10

IRF244

А

250

14

125

0.28

1.3

4

20

7-10

8

IRF245

А

250

13

125

0,34

1.3

4

20

7-10

8

IRF246

А

275

14

125

0,28

1.3

4

20

7-10

8

IRF247

А

275

13

125

0,34

1,3

4

20

7-10

8

IRF250

С

200

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF251

С

150

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF252

С

200

25

150

0.12

2

4

20

8-12

16

IRF253

С

150

25

150

0,12

2

4

20

8-12

16

IRF254

С

250

22

150

0,14

2,7

4

20

11-17

12

IRF255

А

250

20

150

0.17

2.7

4

20

11-17

12

IRF256

А

275

22

150

0,14

2.7

4

20

11-17

12

IRF257

А

275

20

150

0.17

2.7

4

20

11-17

12

IRF300

А

400

4

125

1.3

1

3

20

1-2.5

2

IRF301

А

350

4

125

1,3

1

3

20

1-2,5

2

IRF305

А

400

5

125

0,008

1

3

20

1-2,5

2

IRF320

А

400

3.3

50

1.8

0.45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF321

А

350

3,3

50

1.8

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF322

А

400

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1,8

IRF323

А

350

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2,7

1,8

IRF330

А

400

5.5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF331

А

350

5,5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF333

А

350

4.5

75

1,5

0.7

4

20

2,9-4

3

IRF340

А

400

10

125

0,55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF341

А

350

10

125

0.55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF342

А

400

8.3

125

0.8

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF343

А

350

8.3

125

0,8

1.3

4

20

6-8

5.2

IRF350

А

400

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF351

А

350

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF352

А

400

13

150

0.4

2

4

20

8-10

8

IRF353

А

350

13

150

0.3

2

3.5

20

8-10

8

IRF360

С

400

25

300

0.2

4

4

20

14-21

14

IRF362

С

400

22

300

0.25

4

4

20

14-21

14

IRF420

А

500

2.5

50

3

0,3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF421

А

450

2.5

50

3

0.3

4

20

1.5-2,3

1.4

IRF422

А

500

2,2

50

4

0.3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF423

А

450

2,2

50

4

0.3

4

20

1.5-2.3

1.4

IRF430

А

500

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

 

тип.

рис.

Uc-и

max (V)

Ic

max

(А)

Рmах

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и (отс)

(V)

Uз-и max

(V)

S

(А/V)

при Iс

(А)

IRF431

А

450

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

IRF432

А

500

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3,2

2.5

IRF433

А

450

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3.2

2.5

IRF440

А

500

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF441

А

450

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7.5

4,5

IRF442

А

500

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7.5

4.5

IRF443

А

450

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF448

А

500

9,6

130

0.8

1.8

4

20

6.3-9,4

5.5

IRF449

А

500

8.5

130

0.75

1.8

4

20

6,3-9.4

5,5

IRF450

А

500

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF451

А

450

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7,2

IRF452

А

500

11

125

0.5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF453

А

450

11

125

0,5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF510

В

100

5.6

43

0.54

0.135

4

20

1.3-2

3.4

IRF511

В

80

5.6

43

0.54

0.15

4

20

1,3-2

3.4

IRF512

В

100

4.9

43

0.74

0.135

4

20

1,3-2

3.4

IRF513

в

80

4.9

43

0.74

0,135

4

20

1,3-2

3,4

IRF520

в

100

9.2

60

0,27

0.35

4

20

2,7-4.1

5,8

IRF521

в

80

9.2

60

0,27

0,35

4

20

2,7-4.1

5,6

IRF522

в

100

8

60

0.36

0.35

4

20

2.7-4.1

5,6

IRF523

в

80

8

60

0.36

0,35

4

20

2.7-4,1

5,8

IRF530

в

100

14

80

0.18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF531

в

80

14

80

0,18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF532

в

100

12

80

0.25

0.6

4

20

5,1-7,6

8.3

IRF533

в

60

12

80

0.25

0.6

4

20

5.1-7,6

8.3

IRF540

в

100

28

150

0,077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF541

в

80

28

150

0.077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF542

в

100

25

150

0,1

1.45

    4

20

8.7-13

17

IRF543

в

80

25

150

0.1

1.45

4

20

8.7-13

17

Uc-и max — максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max — максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и — минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си — емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max — пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) — крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс — ток стока (А) при котором измерялась

S(A/V).


radiopolyus.ru

Справочник по MOSFET транзисторам

20- 25 В

 

 

 

 

 

IRL3714ZSPBF

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak

IRL3715ZSPBF

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak

IRF3704ZSPBF

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3711ZSPBF

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak

IRF1324SPBF

24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF1324S-7PPBF

24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin

30 В

 

 

 

 

IRF3707ZSPBF

30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3709ZSPBF

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak

IRL8113SPBF

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak

IRL7833SPBF

30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak

IRF2903ZSPBF

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40 В

IRF4104SPBF

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak

IRF1404ZSPBF

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

IRF2804SPBF

40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3004PBF

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF2804S-7PPBF

40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin

IRFS3004-7PPBF

40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

55 — 60 В

IRFS3806PBF

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak

IRFZ44ZSPBF

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak

IRF1018ESPBF

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRF3205ZSPBF

55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak

IRFS3306PBF

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak

IRFS3206PBF

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006PBF

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006-7PPBF

60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin

75 — 80 В

IRFS3607PBF

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRFS3307ZPBF

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak

IRFS3207ZPBF

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107PBF

75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107-7PPBF

75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

100 В

IRF540ZSPBF

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak

IRF3710ZSPBF

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak

IRFS4610PBF

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak

IRFS4410ZPBF

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak

IRFS4310ZPBF

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010PBF

100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010-7PPBF

100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak  7-pin

150 В

IRFS4615PBF

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak

IRFS4321PBF

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115PBF

150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115-7PPBF

150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak  7-pin

200 В

IRFS4020PBF

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak

IRFS4620PBF

200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak

IRFS4227PBF

200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak

IRFS4127PBF

200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak

250 В

IRFS4229PBF

250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

micpic.ru

Мощные полевые транзисторы-принцип работы, применение

Существует два главных основополагающих типа полевых (униполярных, управляемых напряжением) транзисторов, являющихся активными полупроводниковыми элементами, обладающими высокой мощностью – это n-канальные иp-канальные.

Первые из них применяются более часто и отличаются наибольшим диапазоном токов и напряжений. Кроме этих моделей производятся полевые транзисторы, управляемые сигналом логического уровня, они обладают ограничением по току и защелкой по напряжению.

Определение полевого транзистора

Транзистор полевого типа считается полупроводниковым прибором, в конструкции которого регулировка осуществляется измерением проводимости проводящего канала, благодаря использованию поперечного электрического поля.

Другими словами, он является источником тока, который управляется Uз-и. От параметра напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала. Помимо p–n – канальных транзисторов существует их разновидность с затвором из металла, который изолирован от канала кремниевым диэлектриком. Это МДП-транзисторы (металл – диэлектрик, (окисел) – проводник). Транзисторы с использованием окисела называются МОП-транзисторы.

Параметры, характеризующие полевой транзистор

  1. Ширина канала – расстояние между p-n-переходами W.
  2. Напряжение отсечки — напряжение на затворе при исчезновении каналов.
  3. Напряжение насыщения – с него начинается формирование пологой части ВАХ.
  4. Стоко-затворная ВАХ (вольт-амперная характеристика).

Мощный полевой транзистор

Рис. №1. Стоко-затворная ВАХ n-канального транзистора с

Ic= Icmax (IUзи / U0)2 , здесь Icmax стока.

  1. Крутизна определяется по формуле S = dIc / dUзи(мА/В),что является следствием увеличенияU рабочего стока, при этом крутизна полевого транзистора становится меньше.
  2. Внутреннее сопротивление транзистора (дифференциальное сопротивление) rcсоставляет в пологой части характеристики несколько МОм.
  3. Лавинный пробой p-n-переходов возможен после повышения напряжения области стока и истока, что считается причиной ограничения применения полевого транзистора относительноUc.
  4. Коэффициент усиления относительно напряжения µu= srспри уменьшении величины тока стока коэффициент µuповышается.
  5. Инерционность полевого транзистора обуславливается временем,отводимым на заряд барьерной емкости переходов затвора.
  6. Полевой транзистор обладает граничной частотой для улучшения своих качественных частотных свойств.

Проводимость транзистора

Существует две разновидности проводимости – электронная и дырочная, это означает, что в основе работы лежит использование электронов и дырок. Транзистор с электронной проводимостью относится к n-канальным устройствам, p-канальные транзисторы обладают дырочной проводимостью.

Отличие полевых униполярных транзисторов от биполярных заключается в наличии значительно высокого значения величины входного сопротивления. Потребление электроэнергии полевыми транзисторами отличается значительной экономией.

Небольшие габаритные размеры МОП-транзисторах позволяет занимать очень малую площадь в конструкции интегральной схемы, в противоположность биполярным аналогам. Благодаря этому достигается значительно уплотненная компоновка элементов в интегральных схемах. Технология производства интегральной схемы на МОП-транзисторах затрачивает намного меньшее количество операций, чем технология производства ИС с применением биполярного транзистора.

Структура полевого транзистора

Основополагающий принцип работы, на котором осуществляется действие полевого транзистора с использованием управляющего p-n-перехода основывается на изменении проводимости канала, которая возможна благодаря изменению поперечного сечения. Сток и исток включают напряжение полярности, при котором главные носители заряда (ими являются электроны в канале n-типа) движутся от истока к стоку. В свою очередь, между затвором и истоком включается отрицательное напряжение, управляющее запиранием p – n–переходом.

Мощный полевой транзистор

Рис. №2. Структуры (а) полевых транзисторов с управляющим pn-перехода и (б) структура транзистора с изолированным затвором.

При большем значении напряжения расширяется запирающий активный слой и канал становится уже. С уменьшением поперечного размера канала происходит увеличение сопротивления и уменьшение величины тока между стоком и истоком. Это действие позволяет управлять протеканием тока. При невысоком значении напряжения затвор  — исток происходит перекрытие канала запирающим слоем, что снижает проводимость канала. Ширина канала варьируется от нулевого значения  до отрицательных величин, иначе говоря, p-n-переходы затвора сдвигаются в обратном направлении, сопротивление увеличивается.

Напряжение на затворе после исчезновения канала и смыкании  p-n-перехода, определяется, как напряжение отсечки U0– это величина считается одной из основополагающих для всех  разновидностей полевых транзисторов.

Мощный полевой транзистор

Рис. №3. Структура полевого транзистора. Канал, расположенный между электродами стоком и истоком сформирован из слабообогащенного полупроводника n-типа.

 

Сфера использования полевых транзисторов

Полевой транзистор является устройством, рассчитанным на большую мощность, характерным в конструкции регуляторов, конвертеров, драйверов, электродвигателей, реле и мощных биполярных транзисторов. Они применяются в конструкции зарядных устройств, автоэлектроники, устройствах управления температурным режимом, широкополосных и малошумящих усилителях в схемах зарядочувствительных предусилителей и прочее.  Для полевых транзисторов характерно наличие высокого входного сопротивления. Управление полевым транзистором производится непосредственно от микросхемы, без применения добавочных усиливающих каскадов.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Поделиться ссылкой:

elektronchic.ru

Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 3.

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы.
Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

МОП (по буржуйски MOSFET) расшифровывается как Метал-Оксид-Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора.

Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной, по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора.

Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься.

МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные. Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру.

Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод (его еще называют паразитным, т.к. он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства).

У меня самыми ходовыми МОП транзисторами являются IRF630 (n канальный) и IRF9630 (p канальный) в свое время я намутил их с полтора десятка каждого вида. Обладая не сильно габаритным корпусом TO-92 этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0.35 Ома.
Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF7314, способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.

Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера (или цифровой схемы) является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5.
Тут вариантов три:

  • На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением
  • применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2117.

    Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча (или совмещенные, полумостовые). Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы. Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча.

  • Применить транзистор с малым отпирающим напряжением. Например из серии IRL630A или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда.

Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно.

Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I Drain или ID выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на 10. Следующий важный для тебя параметр это VGS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков. Ищешь график выходной характеристики Зависимость ID от VDS при разных значениях VGS. И прикидыываешь какой у тебя будет режим.

Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF630. По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:

Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4.5В По закону Ома тогда выходит, что сопротивление этого транзистора в данный момент 4.5/8=0.56Ом. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А. P=I*U или, если применить тот же закон Ома, P=I2R. При 8 амперах и 0.56Оме потери составят 35Вт. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL630.

При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0.37Ом и 23Вт потерь, что заметно меньше.

Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен. Зовется эта величина Switch Delay или ton,toff, в общем, как то так. Ну, а частота это 1/t. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора Ciss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие. Если постоянная времени будет больше чем период ШИМ, то транзистор будет не открыватся/закрываться, а повиснет в некотором промежуточном состоянии, так как напряжение на его затворе будет проинтегрировано этой RC цепью в постоянное напряжение.

При обращении с этими транзисторами учитывай тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО. Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :).

А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется. Поэтому обязательно надо поставить резистор килоом на 10 от Gate до GND для N канального или на +V для P канального, чтобы паразитный заряд стекал. Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков.

easyelectronics.ru

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

Мощные полевые транзисторы:

Импортные.  Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы: 

Импортные.  Отечественные. 
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

   Справочники радиодеталей

elwo.ru

0 comments on “Мощные полевые транзисторы – МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *