Мощные полевые транзисторы – МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ — specable.ru

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры — предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ — справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Марка	Напряжение, B	Сопротивление перехода, Ом	Ток стока, A	Мощность, Вт	Корпус
1	2	3	4	5	6
STH60N0SFI	50	0,023	40,0	65	ISOWATT218
STVHD90FI	50	0,023	30,0	40	ISOWATT220
STVHD90	50	0,023	52,0	125	ТО-220
STH60N05	50	0,023	60,0	150	ТО-218
IRFZ40	50	0,028	35.0	125	ТО-220
BUZ15	50	0.03	45,0	125	ТО-3
SGSP592	50	0,033	40,0	150	ТО-3
SGSP492	50	0.033	40,0	150	ТО-218
IRFZ42FI	50	0,035	24,0	40	ISOWATT220
IRFZ42	50	0,035	35,0	125	ТО-220
BUZ11FI	50	0,04	20,0	35	ISOWATT220
BUZ11	50	0,04	30,0	75	ТО-220
BUZ14	50	0,04	39,0	125	ТО-3
BUZ11A	50	0,06	25,0	75	ТО-220
SGSP382	50	0.06	28,0	100	ТО-220
SGSР482	50	0.06	30.0	125	ТО-218
BUZ10	50	0.08	20.0	70	ТО-220
BUZ71FI	50	0,10	12,0	30	ISOWATT220
IRF20FI	50	0,10	12,5	30	ISOWATT220
BUZ71	50	6,10	14,0	40	ТО-220
IRFZ20	50	0,10	15.0	40	ТО-220
BUZ71AFI	50	0,12	11,0	30	ISOWATT220
IRFZ22FI	50	0,12	12,0	30	ISOWATT220
BUZ71A	50	0,12	13,0	40	ТО-220
IRFZ22	50	0,12	14,0	40	ТО-220
BUZ10A	50	0,12	17,0	75	ТО-220
SGSP322	50	0,13	16,0	75	ТО-220
SGSP358	50	0.30	7,0	50	ТО-220
MTh50N06FI	60	0,028	26,0	65	ISOWATT218
MTh50N06	60	0,028	40,0	150	ТО-218
SGSP591	60	0,033	40,0	150	ТО-3
SGSP491	60	0,033	40,0	150	ТО-218
BUZ11S2FI	60	0,04	20,0	35	ISOWATT220
BUZ11S2	60	0,04	30,0	75	ТО-220
IRFP151FI	60	0,055	26,0	65	ISOWATT218
IRF151	60	0.055	40,0	150	ТО-3
IRFP151	60	0.055	40,0	150	ТО-218
SGSP381	60	0,06	28,0	100	ТО-220
SGSP481	60	0.06	30.0	125	ТО-218
IRFP153FI	60	0,08	21,0	65	ISOWATT218
IRF153	60	0,08	33,0	150	ТО-3
IRFP153	60	0,08	34.0	150	ТО-218
SGSP321	60	0,13	16,0	75	ТО-220
MTP3055EFI	60	0,15	10,0	30	ISOWATT220
МТР3055Е	60	0,15	12.0	40	ТО-220
IRF521FI	80	0,27	7,0	30	ISOWATT220
IRF521	80	0.27	9,2	60	ТО-220
IRF523FI	80	036	6,0	30	ISOWATT220
IRF523	80	0.36	8,0	60	ТО-220
SGSP472	80	0,05	35.0	150	ТО-218
IRF541	80	0,077	15,0	40	ISOWATT220
IRF141	80	0.077	28,0	125	ТО-3
IRF541	80	0.077	28,0	125	ТО-220
IRF543F1	80	0,10	14,0	40	SOWATT220
SGSP362	80	0,10	22.0	100	ТО-220
IRF143	80	0,10	25,0	125	ТО-3
SGSР462	80	0.10	25,0	125	ТО-218
IRF543	80	0,10	25.0	125	О-220
IRF531FI	80	0.16	9,0	35	SOWATT220
IRF531	80	0.16	14,0	79	О-220
IRF533FI	80	0,23	8,0	35	ISOWATT220
IRF533	80	0,23	12.0	79	ТО-220
IRF511	80	0,54	5.6	43	ТО-220
IRF513	80	0,74	4,9	43	ТО-220
IRFP150FI	100	0,055	26,0	65	ISOWATT218
IRF150	100	0,055	40,0	150	ТО-3
IRFP150	100	0,055	40,0	150	ТО-218
BUZ24	100	0,6	32,0	125	ТО-3
IRF540FI	100	0,077	15,0	40	ISOWATT220
IRF140	100	0,077	28,0	125	ТО-3
IRF540	100	0,077	28,0	125	ТО-220
SGSP471	100	0,075	30,0	150	ТО-218
IRFP152FI	100	0,08	21,0	65	ISOWATT218
IRF152	100	0,08	33,0	150	ТО-3
IRFP152	100	0,08	34.0	150	ТО-218
IRF542FI	100	0,10	14,0	40	ISOWATT220
BUZ21	100	0,10	19.0	75	ТО-220
BUZ25	100	0,10	19.0	78	ТО-3
IRF142	100	0,10	25,0	125	ТО-3
IRF542	100′	0,10	25,0	125	ТО-220
SGSP361	100	0,15	18,0	100	ТО-220
SGSP461	100	0,15	20.0	125	ТО-218
IRF530FI	100	0,16	9,0	35	ISOWATT220
IRF530	100	0,16	14.0	79	ТО-220
BUZ20	100	0,20	12.0	75	ТО-220
IRF532FI	100	0.23	8.0	35	ISOWATT220
IRF532	100	0,23	12,0	79	ТО-220
BUZ72A	100	0,25	9,0	40	ТО-220
IRF520FI	100	0.27	7,0	30	ISOWATT220
IRF520	100	0,27	9,2	60	ТО-220
SGSP311	100	0,30	11.0	75	ТО-220
IRF522FI	100	0,36	6.0	30	ISOWATT220
IRF522	100	0,36	8,0	60	ТО-220
IRF510	100	0,54	5,6	43	ТО-220
SGSP351	100	0,60	6,0	50	ТО-220
IRF512	100	0,74	4,9	43	ТО-220
SGSP301	100	1,40	2,5	18	ТО-220
IRF621FI	160	0,80	4.0	30	ISOWATT220
IRF621	150	0,80	5,0	40	ТО-220
IRF623FI	150	1,20	3,5	30	ISOWATT220
IRF623	150	1.20	4.0	40	ТО-220
STh43N20FI	200	0.085	20.0	70	ISOWATT220
SGSP577	200	0,17	20,0	150	ТО-3
SGSP477	200	0,17	20,0	150	ТО-218
8UZ34	200	0,20	19,0	150	ТО-3
SGSP367	200	0,33	12,0	100	ТО-220
BUZ32	200	0,40	9,5	75	ТО-220
SGSP317	200	0,75	6,0	75	ТО-220
IRF620FI	200	0,80	4,0	30	ISOWATT220
IRF620	200	0,80	5,0	40	ТО220
IRF622FI	200	1.20	3,5	30	ISOWATT220
IRF622	200	1.20	4,0	40	ТО-220
IRF741FI	350	0.55	5,5	40	ISOWATT220
IRF741	350	0,55	10,0	125	ТО-220
IRF743	350	0.80	8,3	125	ТО-220
IRF731FI	350	1,00	3,5	35	ISOWATT220
IRF731	350	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF733FI	350	1,50	3,0	35	ISOWATT220
IRF733	350	1,50	4.5	75	ТО-220
IRF721FI	350	1,80	2.5	30	ISOWATT220
IRF721	350	1,80	3.3	50	ТО-220

IRF723FI	350	2,50	2,0	30	ISOWATT220
IRF723	350	2,50	2,8	50	ТО-220
IRFP350FI	400	0,30	10,0	70	ISOWATT218
IRF350	400	0,30	15,0	150	ТО-3
IRFP350	400	0,30	16,0	180	ТО-218
IRF740FI	400	0,55	5,5	40	ISOWATT220
IRF740	400	0,55	10,0	125	ТО-220
SGSP475	400	0,55	10,0	150	ТО-218
IRF742FI	400	0,80	4,5	40	ISOWATT220
IRF742	400	0,80	8,3	125	ТО-220
IRF730FI	400	1,00	3,5	35	ISOWATT220
BUZ60	400	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF730	400	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF732FI	400	1,50	3,0	35	ISOWATT220
BUZ60B	400	1,50	4,5	75	ТО-220
IRF732	400	1,50	4,5	75	ТО-220
IRF720FI	400	1,80	2,5	30	ISOWATT220
BUZ76	400	1,80	3,0	40	ТО-220
IRF720	400	1,80	3,3	50	ТО-220
IRF722FI	400	2,50	2,0	30	ISOWATT220
BUZ76A	400	2,50	2,6	40	ТО-220
IRF722	400	2,50	2,8	50	ТО-220
SGSP341	400	20,0	0,6	18	ТО-220
IRFP451FI	450	0,40	9,0	70	ISOWATT218
IRF451	450	0,40	13,0	150	ТО-3
IRFP451	450	0,40	14,0	180	ТО-218
IRFP453FI	450	0,50	8,0	70	ISOWATT218
IRF453	450	0,50	11,0	150	ТО-3
IRFP453	450	0,50	12,0	180	ТО-218
SGSP474	450	0,70	9,0	150	ТО-218
IRF841FI	450	0,85	4,5	40	ISOWATT220
IF841	450	0.85	8,0	125	ТО-220
IRFP441FI	450	0,85	5,5	60	ISOWATT218
IRF843FI	450	1,10	4,0	40	ISOWATT220
IRF843	450	1,10	7,0	125	ТО-220
IRF831FI	450	1,50	3,0	35	ISOWATT220
IRF831	450	1,50	4,5	75	ТО-220
SGSP364	450	1,50	5,0	100	ТО-220
IRF833FI	450	2,00	2,5	35	ISOWATT220
IRF833	450	2,00	4,0	75	Т0220
IRF821FI	450	3,00	2,0	30	ISOWATT220
IRF821	450	3,00	2,5	50	ТО-220
SGSP330	450	3,00	3,0	75	ТО-220
IRF823FI	450	4,00	1.5	30	ISOWATT220
IRF823	450	4,00	2,2	50	ТО-220
IRFP450FI	500	0,40	9,0	70	ISOWATT218
IRF450	500	0,40	13,0	150	ТО-3
IRFP450	500	0,40	14,0	180	ТО-218
IRFP452FI	500	0,50	8,0	70	ISOWATT218
IRF452	500	0,50	11,0	150	ТО-3
IRFP4S2	500	0,50	12,0	180	ТО-218
BUZ353	500	0,60	9,5	125	ТО-218
BUZ45	500	0,60	9,6	125	ТО-3
SGSP579	500	0,70	9,0	150	ТО-3
SGSP479	500	0,70	9.0	150	TO-218
BU2354	500	0,80	8,0	125	TO-218
BUZ45A	500	0,80	8,3	125	TO-3
IRF840FI	500	0,85	4,5	40	ISOWATT220
IRF840	500	0,85	8,0	125	TO-220
IRFP440FI	500	0,85	5,5	60	ISOWATT218
IRF842FI	500	1,10	4,0	40	ISOWATT220
IRF842	500	1.10	7,0	125	TO-220
IRF830FI	500	1,50	3,0	35	ISOWATT220
BUZ41A	500	1,50	4,5	75	TO-220
IRF830	500	1,50	4,5	75	TO-220
SGSP369	500	1,50	5,0	100	TO-220
IRF832FI	500	2,00	2,5	35	ISOWATT220
BUZ42	500	2,00	4,0	75	TO-220
IRF832	500	2,00	4,0	75	TO-220
IRF820FI	500	3,00	2,0	30	ISOWATT220
BUZ74	500	3,00	2,4	40	TO-220
IRF820	500	3,00	2,5	50	TO-220
SGSP319	500	3,80	2,8	75	TO-220
IRF322FI	500	4,00	1,5	30	ISOWATT220
BUZ74A	500	4,00	2,0	40	TO-220
IRF822	500	4,00	2,2	50	TO-220
SGSP368	550	2,50	5,0	100	TO-220
MTH6N60FI	600	1,20	3.5	40	ISOWATT218
MTP6N60FI	600	1,20	6,0	125	ISOWATT220
MTP3N60FI	600	.2,50	2,5	35	I30WATT220
MTP3N60	600	2,50	3,0	75	TO-220
STH9N80FI	800	1,00 .	5,6	70	ISOWATT218
STH9N80	800	1,00	9,0	180	TO-218
STH8N80FI	800	1,20	5,0	70	ISOWATT218
STH8N80	800	1,20	8.0	180	TO-218
STHV82FI	800	2,00	3,5	65	ISOWATT218
STHV82	800	2,00	5,5	125	TO-218
BUZ80AFI	800	3,00	2,4	40	ISOWATT220
BUZ80A	800	3,00	3,8	100	TO-220
BUZ80FI	800	4,00	2,0	35	ISOWATT220
BUZ80	800	4,00	2,6	75	TO-220
STH6N100FI	1000	2,00	3,7	70	ISOWATT218
STH6N100	1000	2,00	6,0	180	TO-218
STHV102FI	1000	3,50	3,0	65	ISOWATT218
STHV102	1000	3,50	4,2	125	TO-218
SGS100MA010D1	100	0,014	50	120	TO-240
SGS150MA010D1	100	0,009	75	150	TO-240
SGS30MA050D1	500	0,20	15	30	TO-240
SGS35MA050D1	500	0,16	17,5	35	TO-240
TSD200N05V	50	0,006	200	600	Isotop
TSD4M150V	100	0,014	70	135	Isotop
TSD4M251V	150	0,021	70	110	Isotop
TSD4M250V	200	0,021	60	110	Isotop
TSD4M351V	350	0,075	30	50	Isotop
TSD4M350V	400	0,075	30	50	Isotop
TSD4M451V	450	0,1	28	45	Isotop
TSD2M450V	500	0,2	26	100	Isotop
TSD4M450V	500	0,1	28	45	Isotop
TSD22N80V	800	0,4	22	77	Isotop
TSD5MG40V	1000	0,7	9	17	Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) — к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 — 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

Справочники радиодеталей

elwo.ru

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.							Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
							MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и «хвоста», как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.


Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортн.	Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом: ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364	ТО-92		n	0.02			кп364 — полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302	ТО-92		n	0.04			транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914А	ТО-39		n	0.1(0.2)	BSS138 2SK583	sot23 TO-92	полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601	ТО-39		n	0.4			полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А
КП507	ТО-92		p	0.6 1.1	TP2104	TO-92, sot23 sot23	полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
			n	1.6	BSP295	sot223	импортный полевой smd транзистор BSP295
			n	2	RTR020N05	sot23	полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
			n	4	NTR4170	sot23
			n	5	PMV60EN	sot23
			n	6	BSP100	sot223
КП921А	TO-220		n	10			мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954Г	TO-220		n	20(18)	FDD8424	TO-252	мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
			n	34	BUZ11	TO-220	импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160А	TO-258		n	46(42)	IRFR4104	TO-252	характеристики мощного MOSFET IRF4104
			n	100	IRF1104	TO-220	MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
			n	162	IRF1404	TO-220	MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
			n	210	IRF2204	TO-220	импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
			n	280	IRF2804	TO-220	импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
			n	350	IRFP4004	TO-247	мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
			n	0.2 0.5	2N7000 BS170	TO-92, sot23	smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804А	ТО-39		n	1
КП505 А-Г	ТО-92		n	1.4 2.7	IRFL014	sot223	импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961Г	ТО-126		n	5			транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965Г	ТО-126		n	5			транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б)	ТО-3		n	5
КП739 (А-В)	ТО-220		n	10	IRF520	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В)	ТО-220		n	17	STP16NF06	TO-220	на 60В 15А
КП7174А	ТО-220		n	18
КП784А	ТО-220		p	18
КП954 В,Д	ТО-220		n	20	STP20NF06	TO-220	мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912А	ТО-3		n	25			полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)	ТО-220		n p	30 31	STP36NF06 IRF5305	ТО-220	мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б)	ТО-220		n	50	IRFZ44	TO-220	мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В)	ТО-220		n	50	STP55NF06	TO-220	отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1)	ТО-220		n	50			отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102Д	ТО-220		n	50			MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В)	ТО-220		n	50(60)	STP60NF06	TO-220	полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б)	ТО-218		n n n p	80 80 82 74	SPB80N08 IRF1010 IRF2807 IRF4905	TO-220, D2PAK ТО-220 ТО-220 ТО-220	полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
			n	140 169	IRF3808 IRF1405	ТО-220 ТО-220	MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
			n	210	IRFB3077	ТО-220	полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
			n	350	IRFP4368	ТО-247	мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961В	ТО-126		n	5
КП965В	ТО-126		p	5(6.8)	IRF9520	ТО-220	p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1)	ТО-126		n	5.6
КП743 (А-В)	ТО-220		n	5.6	IRF510	ТО-220	mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801В	ТО-3		n	8	IRFR120	DPAK
КП744 (А-Г)	ТО-220		n	9.2	IRF520	TO-220	импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б)	ТО-3		n	10	BUZ72	TO-220	mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В)	ТО-220		n	14	IRF530	ТО-220	транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785А	ТО-220		p	19	IRF9540	ТО-220	импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144А	ТО-220		p	19			мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954Б	ТО-220		n	20	IRFB4212	TO-220	параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912А	ТО-3		n	20			мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г)	ТО-220		n	28	IRF3315	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797Г	ТО-220		n	28	IRF540	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г)	ТО-220		n	28			мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А
КП150	ТО-218		n	33 34 38	IRF540NS BUZ22	TO-220, D2PAK TO-220	мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,Б	ТО-220		p	40	IRF5210	ТО-220	mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)	ТО-220		n	40 42 47	IRF1310 PHB45NQ10	ТО-220 TO-247, D2PAK	отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
			n	57	STB40NF10 IRF3710	smd ТО-220	мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
			n	72	IRFP4710	ТО-247	mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
			n	171	IRFP4568	ТО-247	полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
			n	290	IRFP4468	ТО-247	мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А	ТО-92		p	0.15	BSS92	TO-92
КП508А	ТО-92		p	0.15
КП501А	ТО-92		n	0.18	BS107	TO-92
КП960В	ТО-126		p	0.2
КП959В	ТО-126		n	0.2
КП504В	ТО-92		n	0.2	BS108	ТО-92
КП403А	ТО-92		n	0.3
КП932А	ТО-220		n	0.3
КП748 (А-В)	ТО-220		n	3.3	IRF610	ТО-220	mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796В	ТО-220		p	4.1	BUZ173	TO-220
КП961А	ТО-126		n	5	IRF620	TO-220	полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965А	ТО-126		p	5
КП749 (А-Г)	ТО-220		n	5.2
КП737 (А-В)	ТО-220		n	9	IRF630	ТО-220	mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б)	ТО-220		n	10			mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В)	ТО-220		n	18	IRF640 IRFB17N20	TO-220	mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В)	ТО-220		n	18
КП813А1,Б1	ТО-220		n	22	BUZ30A IRFP264	TO-220 TO-247	мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250	ТО-218		n	30(25)	IRFB4620	TO-220
2П7145А,Б	КТ-9		n	30	IRFB31N20	TO-220	мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,Б	ТО-218		n	50(62)	IRFS4227	D2PAK	характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
			n	130	IRFP4668	TO-247	мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А	ТО-126		p	0.2
КП959А	ТО-126		n	0.2
КП796Б	ТО-220		p	3.7
2П917А	ТО-3		n	5
КП768	ТО-220		n	10
КП934Б	ТО-3		n	10
КП7178А	ТО-218 ТО-3		n	40
Полевые транзисторы до 400В:
КП502А	ТО-92		n	0.12
КП511А,Б	ТО-92		n	0.14
КП733А	ТО-220		n	1.5
КП731 (А-В)	ТО-220		n	2	IRF710	ТО-220	mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В)	ТО-220		n	3.3	BUZ76 IRF720	ТО-220 TO-220	mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 В	ТО-220		n	5	IRF734	ТО-220	mosfet транзистор IRF734
КП768	ТО-220		n	5.5	IRF730	ТО-220	mosfet транзистор IRF730
КП707А1	ТО-220		n	6
КП809Б	ТО-218 ТО-3		n	9.6
КП934А	ТО-3		n	10	IRF740	ТО-220	mosfet транзистор IRF740
КП350	ТО-218		n	14	BUZ61	TO-220	mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,Б	ТО-3		n	16.5
			n	18.4	STW18NB40	TO-247	импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707А	ТО-3		n	25	IRFP360	TO-247	mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В)	ТО-220		n	2.5	IRF820	ТО-220	mosfet транзистор IRF820
КП770	ТО-220		n	8	IRF840	TO-220	mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1	ТО-218 ТО-3		n	9.6	2SK1162	ТО-3Р	mosfet транзистор 2SK1162
КП450	ТО-218		n	12	IRFP450	TO-247	мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182А	ТО-218		n	20	IRFP460	ТО-247
КП460	ТО-218		n	20(23)	IRFP22N50	TO-247	мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,Б	ТО-218 ТО-3		n	26(31)	IRFP31N50 STW30NM50	TO-247 TO-247,TO-220	мощный полевой транзистор 500В 31А
			n	32	SPW32N50	TO-247	мощный полевой транзистор на 500В 32А
			n	46	STW45NM50 IRFPS40N50	TO-247 S-247	мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:							Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129А	ТО-220		n	1.2	SPP02N60	TO-220	высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В)	ТО-220		n	4(3)	SPP03N60	TO-220	высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б)	ТО-220		n	4	IRFBC30	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1	ТО-220		n	4	SPP04N60	ТО-220	мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173А	ТО-220		n	4
КП726 (А,Б)	smd ТО-220		n	4.5
КП931Б	ТО-220		n	5(6.2) 7	IRFBC40 SPP07N60	TO-220 TO-220	MOSFET транзистор 600В 5А
КП809В	ТО-218 ТО-3		n	9.6	IRFB9N65A	TO-220	мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942В	ТО-3		n	10	SPP11N60	ТО-220	MOSFET транзистор 600В 10А
КП953Г	ТО-218		n	15
КП707Б	ТО-3		n	16.5	SPP20N60 SPW20N60	ТО-220 TO-247	MOSFET транзистор 600В 15А
			n	30	STW26NM60	TO-247	полевой транзистор 600В 30А
КП973Б	ТО-218		n	30	IRFP22N60 IRFP27N60	TO-247	MOSFET транзистор 600В 30А
			n	40	IRFPS40N60	S-247	MOSFET транзистор 600В 40А
			n	47	SPW47NM60 FCh57N60	TO-247	MOSFET транзистор 600В 47А
			n	60	IPW60R045	TO-247	MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1	ТО-220		n	3
КП728 (Г1-С1)	ТО-220		n	3.3
КП810 (А-В)	ТО-218		n	7
КП809Е	ТО-218 ТО-3		n	9.6			мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942Б	ТО-3		n	10			MOSFET транзистор 700В 10А
КП707В	ТО-3		n	12.5			мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953В	ТО-218		n	15			MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А	ТО-218		n	30 39	IPW60R075	TO-247	полевой транзистор (IRF) 650В 25А
			n	60	IPW60R045	TO-247	полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
			n	1.5	BUZ78 IRFBE20	ТО-220 TO-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931А	ТО-220		n	5	IRFBE30	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,В	ТО-3		n	5.4	SPP06N80	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809Д	ТО-218 ТО-3		n	9.6	STP10NK80	TO-220	мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942А	ТО-3		n	10	STP12NK80	TO-247	MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184А	ТО-218		n	15	SPP17N80	ТО-220	мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,Д	ТО-218		n	15			MOSFET транзистор 800В 15А
КП971Б	ТО-218		n	25(55)	SPW55N80	TO-247	MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б			n	4.5(3.1)	IRFBG30	TO-220	высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705А	ТО-3		n	5.4(8)	IRFPG50 2SK1120	TO-247 TO-218	мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971А	ТО-218		n	25(36)	IPW90R120	TO-247	высоковольтный mosfet 900В 30А

www.trzrus.ru

Полевые транзисторы «IRF…»

Справочник

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ «IRF…»

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

тип.

рис.	Uc-и max (V)	Ic max (А)	Р max (W)	Rc-и (Ohm)	Си (nF)	Uз-и (отс) (V)	Uз-и max (V)	S (А/V)	при Ic (А)
IRF230	А	200	9	75	0.4	0.6	4	20	3-4.8	5
IRF231	А	150	9	75	0.4	0.6	3.5	20	3-4.8	5
IRF232	А	200	8	75	0.6	0.6	3,5	20	3-4,8	5
IRF233	А	150	8	75	0.6	0.6	4	20	3-4,8	5
IRF234	А	250	8	75	0,45	0.6	4	20	3-5	6
IRF235	А	250	6.5	75	0.7	0.6	4	20	3-5	6
IRF236	А	275	8	75	0,45	0.6	4	20	3-4,3	4
IRF237	А	275	6,5	75	0,7	0.6	4	20	3-4,3	4
IRF240	С	200	18	125	0,18	1,3	4	20	6-10	10
IRF241	С	150	18	125	0,18	1,3	4	20	6-10	10
IRF242	С	200	16	125	0,22	1.3	4	20	6-10	10
IRF243	С	150	16	125	0.22	1.3	4	20	6-10	10
IRF244	А	250	14	125	0.28	1.3	4	20	7-10	8
IRF245	А	250	13	125	0,34	1.3	4	20	7-10	8
IRF246	А	275	14	125	0,28	1.3	4	20	7-10	8
IRF247	А	275	13	125	0,34	1,3	4	20	7-10	8
IRF250	С	200	30	150	0,085	2	4	20	8-12	16
IRF251	С	150	30	150	0,085	2	4	20	8-12	16
IRF252	С	200	25	150	0.12	2	4	20	8-12	16
IRF253	С	150	25	150	0,12	2	4	20	8-12	16
IRF254	С	250	22	150	0,14	2,7	4	20	11-17	12
IRF255	А	250	20	150	0.17	2.7	4	20	11-17	12
IRF256	А	275	22	150	0,14	2.7	4	20	11-17	12
IRF257	А	275	20	150	0.17	2.7	4	20	11-17	12
IRF300	А	400	4	125	1.3	1	3	20	1-2.5	2
IRF301	А	350	4	125	1,3	1	3	20	1-2,5	2
IRF305	А	400	5	125	0,008	1	3	20	1-2,5	2
IRF320	А	400	3.3	50	1.8	0.45	3.5	20	1.8-2.7	1.8
IRF321	А	350	3,3	50	1.8	0,45	3.5	20	1.8-2.7	1.8
IRF322	А	400	2.8	50	2.5	0,45	3.5	20	1.8-2.7	1,8
IRF323	А	350	2.8	50	2.5	0,45	3.5	20	1.8-2,7	1,8
IRF330	А	400	5.5	75	1	0.7	4	20	2.9-4	3
IRF331	А	350	5,5	75	1	0.7	4	20	2.9-4	3
IRF333	А	350	4.5	75	1,5	0.7	4	20	2,9-4	3
IRF340	А	400	10	125	0,55	1,3	4	20	6-8	5.2
IRF341	А	350	10	125	0.55	1,3	4	20	6-8	5.2
IRF342	А	400	8.3	125	0.8	1,3	4	20	6-8	5.2
IRF343	А	350	8.3	125	0,8	1.3	4	20	6-8	5.2
IRF350	А	400	15	150	0.3	2	4	20	8-10	8
IRF351	А	350	15	150	0.3	2	4	20	8-10	8
IRF352	А	400	13	150	0.4	2	4	20	8-10	8
IRF353	А	350	13	150	0.3	2	3.5	20	8-10	8
IRF360	С	400	25	300	0.2	4	4	20	14-21	14
IRF362	С	400	22	300	0.25	4	4	20	14-21	14
IRF420	А	500	2.5	50	3	0,3	4	20	1,5-2,3	1.4
IRF421	А	450	2.5	50	3	0.3	4	20	1.5-2,3	1.4
IRF422	А	500	2,2	50	4	0.3	4	20	1,5-2,3	1.4
IRF423	А	450	2,2	50	4	0.3	4	20	1.5-2.3	1.4
IRF430	А	500	4,5	75	1.5	0.6	3.5	20	2.7-3.2	2.5

тип.	рис.	Uc-и max (V)	Ic max (А)	Рmах (W)	Rc-и (Ohm)	Си (nF)	Uз-и (отс) (V)	Uз-и max (V)	S (А/V)	при Iс (А)
IRF431	А	450	4,5	75	1.5	0.6	3.5	20	2.7-3.2	2.5
IRF432	А	500	4	75	2	0.6	3.5	20	2,7-3,2	2.5
IRF433	А	450	4	75	2	0.6	3.5	20	2,7-3.2	2.5
IRF440	А	500	8	125	0.85	1.2	4	20	5-7,5	4.5
IRF441	А	450	8	125	0.85	1.2	4	20	5-7.5	4,5
IRF442	А	500	7	125	1.1	1.2	4	20	5-7.5	4.5
IRF443	А	450	7	125	1.1	1.2	4	20	5-7,5	4.5
IRF448	А	500	9,6	130	0.8	1.8	4	20	6.3-9,4	5.5
IRF449	А	500	8.5	130	0.75	1.8	4	20	6,3-9.4	5,5
IRF450	А	500	13	125	0.4	1.8	4	20	6-11	7.2
IRF451	А	450	13	125	0.4	1.8	4	20	6-11	7,2
IRF452	А	500	11	125	0.5	1.8	4	20	6-11	7.2
IRF453	А	450	11	125	0,5	1.8	4	20	6-11	7.2
IRF510	В	100	5.6	43	0.54	0.135	4	20	1.3-2	3.4
IRF511	В	80	5.6	43	0.54	0.15	4	20	1,3-2	3.4
IRF512	В	100	4.9	43	0.74	0.135	4	20	1,3-2	3.4
IRF513	в	80	4.9	43	0.74	0,135	4	20	1,3-2	3,4
IRF520	в	100	9.2	60	0,27	0.35	4	20	2,7-4.1	5,8
IRF521	в	80	9.2	60	0,27	0,35	4	20	2,7-4.1	5,6
IRF522	в	100	8	60	0.36	0.35	4	20	2.7-4.1	5,6
IRF523	в	80	8	60	0.36	0,35	4	20	2.7-4,1	5,8
IRF530	в	100	14	80	0.18	0.6	4	20	5.1-7,6	8,3
IRF531	в	80	14	80	0,18	0.6	4	20	5.1-7,6	8,3
IRF532	в	100	12	80	0.25	0.6	4	20	5,1-7,6	8.3
IRF533	в	60	12	80	0.25	0.6	4	20	5.1-7,6	8.3
IRF540	в	100	28	150	0,077	1.45	4	20	8.7-13	17
IRF541	в	80	28	150	0.077	1.45	4	20	8.7-13	17
IRF542	в	100	25	150	0,1	1.45	4	20	8.7-13	17
IRF543	в	80	25	150	0.1	1.45	4	20	8.7-13	17

Uc-и max — максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max — максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и — минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си — емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max — пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) — крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс — ток стока (А) при котором измерялась

S(A/V).

radiopolyus.ru

Справочник по MOSFET транзисторам

20- 25 В	IRL3714ZSPBF	20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak
	IRL3715ZSPBF	20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak
	IRF3704ZSPBF	20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak
	IRF3711ZSPBF	20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak
	IRF1324SPBF	24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
	IRF1324S-7PPBF	24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin
30 В	IRF3707ZSPBF	30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak
	IRF3709ZSPBF	30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak
	IRL8113SPBF	30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak
	IRL7833SPBF	30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak
	IRF2903ZSPBF	30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40 В	IRF4104SPBF	40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak
	IRF1404ZSPBF	40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak
	IRF2804SPBF	40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3004PBF	40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
	IRF2804S-7PPBF	40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin
	IRFS3004-7PPBF	40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
55 — 60 В	IRFS3806PBF	60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak
	IRFZ44ZSPBF	55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak
	IRF1018ESPBF	60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
	IRF3205ZSPBF	55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3306PBF	60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3206PBF	60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3006PBF	60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3006-7PPBF	60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin
75 — 80 В	IRFS3607PBF	75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3307ZPBF	75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3207ZPBF	75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3107PBF	75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
	IRFS3107-7PPBF	75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
100 В	IRF540ZSPBF	100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak
	IRF3710ZSPBF	100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4610PBF	100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4410ZPBF	100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4310ZPBF	100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4010PBF	100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4010-7PPBF	100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak 7-pin
150 В	IRFS4615PBF	150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4321PBF	150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4115PBF	150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4115-7PPBF	150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak 7-pin
200 В	IRFS4020PBF	200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4620PBF	200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4227PBF	200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak
	IRFS4127PBF	200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak
250 В	IRFS4229PBF	250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

micpic.ru

Мощные полевые транзисторы-принцип работы, применение

Существует два главных основополагающих типа полевых (униполярных, управляемых напряжением) транзисторов, являющихся активными полупроводниковыми элементами, обладающими высокой мощностью – это n-канальные иp-канальные.

Первые из них применяются более часто и отличаются наибольшим диапазоном токов и напряжений. Кроме этих моделей производятся полевые транзисторы, управляемые сигналом логического уровня, они обладают ограничением по току и защелкой по напряжению.

Определение полевого транзистора

Транзистор полевого типа считается полупроводниковым прибором, в конструкции которого регулировка осуществляется измерением проводимости проводящего канала, благодаря использованию поперечного электрического поля.

Другими словами, он является источником тока, который управляется Uз-и. От параметра напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала. Помимо p–n – канальных транзисторов существует их разновидность с затвором из металла, который изолирован от канала кремниевым диэлектриком. Это МДП-транзисторы (металл – диэлектрик, (окисел) – проводник). Транзисторы с использованием окисела называются МОП-транзисторы.

Параметры, характеризующие полевой транзистор

Ширина канала – расстояние между p-n-переходами W.
Напряжение отсечки — напряжение на затворе при исчезновении каналов.
Напряжение насыщения – с него начинается формирование пологой части ВАХ.
Стоко-затворная ВАХ (вольт-амперная характеристика).

Рис. №1. Стоко-затворная ВАХ n-канального транзистора с

I_c= I_cmax (I – Uзи / U₀)², здесь I_cmax стока.

Крутизна определяется по формуле S = dI_c / dUзи(мА/В),что является следствием увеличенияU рабочего стока, при этом крутизна полевого транзистора становится меньше.
Внутреннее сопротивление транзистора (дифференциальное сопротивление) r_cсоставляет в пологой части характеристики несколько МОм.
Лавинный пробой p-n-переходов возможен после повышения напряжения области стока и истока, что считается причиной ограничения применения полевого транзистора относительноUc.
Коэффициент усиления относительно напряжения µ_u= sr_спри уменьшении величины тока стока коэффициент µ_uповышается.
Инерционность полевого транзистора обуславливается временем,отводимым на заряд барьерной емкости переходов затвора.
Полевой транзистор обладает граничной частотой для улучшения своих качественных частотных свойств.

Проводимость транзистора

Существует две разновидности проводимости – электронная и дырочная, это означает, что в основе работы лежит использование электронов и дырок. Транзистор с электронной проводимостью относится к n-канальным устройствам, p-канальные транзисторы обладают дырочной проводимостью.

Отличие полевых униполярных транзисторов от биполярных заключается в наличии значительно высокого значения величины входного сопротивления. Потребление электроэнергии полевыми транзисторами отличается значительной экономией.

Небольшие габаритные размеры МОП-транзисторах позволяет занимать очень малую площадь в конструкции интегральной схемы, в противоположность биполярным аналогам. Благодаря этому достигается значительно уплотненная компоновка элементов в интегральных схемах. Технология производства интегральной схемы на МОП-транзисторах затрачивает намного меньшее количество операций, чем технология производства ИС с применением биполярного транзистора.

Структура полевого транзистора

Основополагающий принцип работы, на котором осуществляется действие полевого транзистора с использованием управляющего p-n-перехода основывается на изменении проводимости канала, которая возможна благодаря изменению поперечного сечения. Сток и исток включают напряжение полярности, при котором главные носители заряда (ими являются электроны в канале n-типа) движутся от истока к стоку. В свою очередь, между затвором и истоком включается отрицательное напряжение, управляющее запиранием p – n–переходом.

Рис. №2. Структуры (а) полевых транзисторов с управляющим p—n-перехода и (б) структура транзистора с изолированным затвором.

При большем значении напряжения расширяется запирающий активный слой и канал становится уже. С уменьшением поперечного размера канала происходит увеличение сопротивления и уменьшение величины тока между стоком и истоком. Это действие позволяет управлять протеканием тока. При невысоком значении напряжения затвор — исток происходит перекрытие канала запирающим слоем, что снижает проводимость канала. Ширина канала варьируется от нулевого значения до отрицательных величин, иначе говоря, p-n-переходы затвора сдвигаются в обратном направлении, сопротивление увеличивается.

Напряжение на затворе после исчезновения канала и смыкании p-n-перехода, определяется, как напряжение отсечки U₀– это величина считается одной из основополагающих для всех разновидностей полевых транзисторов.

Рис. №3. Структура полевого транзистора. Канал, расположенный между электродами стоком и истоком сформирован из слабообогащенного полупроводника n-типа.

Сфера использования полевых транзисторов

Полевой транзистор является устройством, рассчитанным на большую мощность, характерным в конструкции регуляторов, конвертеров, драйверов, электродвигателей, реле и мощных биполярных транзисторов. Они применяются в конструкции зарядных устройств, автоэлектроники, устройствах управления температурным режимом, широкополосных и малошумящих усилителях в схемах зарядочувствительных предусилителей и прочее. Для полевых транзисторов характерно наличие высокого входного сопротивления. Управление полевым транзистором производится непосредственно от микросхемы, без применения добавочных усиливающих каскадов.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Поделиться ссылкой:

elektronchic.ru

Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 3.

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы.
Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

МОП (по буржуйски MOSFET) расшифровывается как Метал-Оксид-Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора.

Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной, по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора.

Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься.

МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные. Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру.

Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод (его еще называют паразитным, т.к. он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства).

У меня самыми ходовыми МОП транзисторами являются IRF630 (n канальный) и IRF9630 (p канальный) в свое время я намутил их с полтора десятка каждого вида. Обладая не сильно габаритным корпусом TO-92 этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0.35 Ома.
Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF7314, способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.

Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера (или цифровой схемы) является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5.
Тут вариантов три:

На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением
применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2117.
Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча (или совмещенные, полумостовые). Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы. Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча.
Применить транзистор с малым отпирающим напряжением. Например из серии IRL630A или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда.

Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно.

Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I _Drain или I_D выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на 10. Следующий важный для тебя параметр это V_GS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков. Ищешь график выходной характеристики Зависимость I_D от V_DS при разных значениях V_GS. И прикидыываешь какой у тебя будет режим.

Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF630. По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:

Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4.5В По закону Ома тогда выходит, что сопротивление этого транзистора в данный момент 4.5/8=0.56Ом. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А. P=I*U или, если применить тот же закон Ома, P=I²R. При 8 амперах и 0.56Оме потери составят 35Вт. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL630.

При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0.37Ом и 23Вт потерь, что заметно меньше.

Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен. Зовется эта величина Switch Delay или t_on,t_off, в общем, как то так. Ну, а частота это 1/t. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора C_iss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие. Если постоянная времени будет больше чем период ШИМ, то транзистор будет не открыватся/закрываться, а повиснет в некотором промежуточном состоянии, так как напряжение на его затворе будет проинтегрировано этой RC цепью в постоянное напряжение.

При обращении с этими транзисторами учитывай тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО. Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :).

А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется. Поэтому обязательно надо поставить резистор килоом на 10 от Gate до GND для N канального или на +V для P канального, чтобы паразитный заряд стекал. Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков.

easyelectronics.ru

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

Мощные полевые транзисторы:

Импортные. Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы:

Импортные. Отечественные.
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Справочники радиодеталей
elwo.ru
No related posts.

Мощные полевые транзисторы – МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ